JPS61150147A - 光磁気デイスク用光学ヘツドの制御方式 - Google Patents
光磁気デイスク用光学ヘツドの制御方式Info
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- JPS61150147A JPS61150147A JP59275333A JP27533384A JPS61150147A JP S61150147 A JPS61150147 A JP S61150147A JP 59275333 A JP59275333 A JP 59275333A JP 27533384 A JP27533384 A JP 27533384A JP S61150147 A JPS61150147 A JP S61150147A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気ディスク装置の光学ヘッドに係り、特に
記録直後のエラーチェック機能の付加およびＳ／Ｎのよ
い信号再生可能な光学ヘッドの制御方式に関する。
記録直後のエラーチェック機能の付加およびＳ／Ｎのよ
い信号再生可能な光学ヘッドの制御方式に関する。
従来の光磁気ディスク用の光学ヘッドは、１つの光源か
らなる１ビームヘツドであるが、光ディスク（穴あけ、
反射率変化方式）の場合のように記録光モニターによる
記録直後のエラーチェック（ｄｉｒｅｃｔ ｒｅａｄ
ａｆｔｅｒ ｗｒｉｔｅ以下ＤＲＡ’Ｗと略称する）が
できないという欠点があった。光磁気ディスク装置は晃
ディスク装置と同様に磁気ディスク装置に比ベエラーが
多いため、このＤＲＡＷ機能の付加が要望されセいる また、光磁気ディスク装置における光学ヘラＶが光磁気
媒体に記録゛された信号成分を再生する場合に、その検
出量が微弱であるためＳ／Ｎ比が悪く、これの改善策が
求められている。
らなる１ビームヘツドであるが、光ディスク（穴あけ、
反射率変化方式）の場合のように記録光モニターによる
記録直後のエラーチェック（ｄｉｒｅｃｔ ｒｅａｄ
ａｆｔｅｒ ｗｒｉｔｅ以下ＤＲＡ’Ｗと略称する）が
できないという欠点があった。光磁気ディスク装置は晃
ディスク装置と同様に磁気ディスク装置に比ベエラーが
多いため、このＤＲＡＷ機能の付加が要望されセいる また、光磁気ディスク装置における光学ヘラＶが光磁気
媒体に記録゛された信号成分を再生する場合に、その検
出量が微弱であるためＳ／Ｎ比が悪く、これの改善策が
求められている。
第４図は従来の光磁気ディスク装置の光学ヘッドの構成
図を示す。図において、光源の半導体レーザ１から出射
された光はコリメートレンズ２により平行光とされ、真
円補正プリズム３で円形のビームに整形され偏光ビーム
スプリッタ４と対物レンズ５を経由して媒体６に照射さ
れる。
図を示す。図において、光源の半導体レーザ１から出射
された光はコリメートレンズ２により平行光とされ、真
円補正プリズム３で円形のビームに整形され偏光ビーム
スプリッタ４と対物レンズ５を経由して媒体６に照射さ
れる。
媒体で偏光面を回転させられた反射光は、偏光ビームス
プリッタ１で図中布に反射され、偏光ビームスプリッタ
７で２方向に分離される。偏光ビームスプリッタ７を透
過した光はレンズ８を介してフォトダイオード９で受光
され、光点制御用の信号を作る。
プリッタ１で図中布に反射され、偏光ビームスプリッタ
７で２方向に分離される。偏光ビームスプリッタ７を透
過した光はレンズ８を介してフォトダイオード９で受光
され、光点制御用の信号を作る。
゛偏光ビームスプリンタ７で図中下方向に反射された光
は、［相］のアナライザ、■の集光レンズを介して＠の
光検知器（アバランシェフォトダイオード）で受光され
る。
は、［相］のアナライザ、■の集光レンズを介して＠の
光検知器（アバランシェフォトダイオード）で受光され
る。
光磁気ディスク装置は媒体６のトラック上に情報に対応
した磁化領域を設け、媒体６に対する入射光が反射する
際にカー効果により偏光面にカー回転角±θを発生する
ことを利用して、信号の再生を行うものである。従って
偏光面をベクトル合成で考える必要がある。
した磁化領域を設け、媒体６に対する入射光が反射する
際にカー効果により偏光面にカー回転角±θを発生する
ことを利用して、信号の再生を行うものである。従って
偏光面をベクトル合成で考える必要がある。
第５図はベクトル偏光面を説明するための図を示す。図
において、面ＡＢＣＤは立方体で構成される偏光ビーム
スプリッタ４の反射、透過面を示し、面ＣＤＥは立方体
の側面の一部を示す。直線ＦＯは面ＡＢＣＤに対する入
射光の方向であって、直線ＤＢと平行かつ面ＡＢＣＤに
対し４５度の角度で入射し、０点は入射点である。また
、直ｖＡＯＧは面ＡＢＣＤ上の入射点Ｏに立てた法線を
示す。
において、面ＡＢＣＤは立方体で構成される偏光ビーム
スプリッタ４の反射、透過面を示し、面ＣＤＥは立方体
の側面の一部を示す。直線ＦＯは面ＡＢＣＤに対する入
射光の方向であって、直線ＤＢと平行かつ面ＡＢＣＤに
対し４５度の角度で入射し、０点は入射点である。また
、直ｖＡＯＧは面ＡＢＣＤ上の入射点Ｏに立てた法線を
示す。
ここで、入射光ＦＯと法線ＯＧを含む平面ＦＯＧを偏光
ビームスプリッタ４に対するＰ偏光と称し、法＆ＩＯＣ
を含みＰ偏光の面に直交する平面ＨｒＪＫを偏光ビーム
スプリンタ４に対するＳ偏光と称し、光信号の成分をＰ
成分とＳ成分に分け、以下ベクトル量として説明する。
ビームスプリッタ４に対するＰ偏光と称し、法＆ＩＯＣ
を含みＰ偏光の面に直交する平面ＨｒＪＫを偏光ビーム
スプリンタ４に対するＳ偏光と称し、光信号の成分をＰ
成分とＳ成分に分け、以下ベクトル量として説明する。
第４図に戻つて説明する。ビームスプリンタ４と７は媒
体６に対する入射光をＰ偏光とした場合、カー回転によ
る反射信号成分はＳ偏光であることから、Ｓ偏光に対す
る反射率Ｒｓをそれぞれ１．０に設定している。Ｓ成分
だけを取り出すとその量が極小であることから、光点制
御信号（フォーカシング、トラッキング等）の信号が再
生できないためにＰ偏光に対する反射率Ｒｐを０．２〜
０．４程度に設定している場合が多い、 。
体６に対する入射光をＰ偏光とした場合、カー回転によ
る反射信号成分はＳ偏光であることから、Ｓ偏光に対す
る反射率Ｒｓをそれぞれ１．０に設定している。Ｓ成分
だけを取り出すとその量が極小であることから、光点制
御信号（フォーカシング、トラッキング等）の信号が再
生できないためにＰ偏光に対する反射率Ｒｐを０．２〜
０．４程度に設定している場合が多い、 。
このＰ成分を取り出すのにもう１つの重要な理由がある
。それは光検知器側の事情から来るものである。仮に微
弱なＳ成分のみの光を受光した場合の信号検出のＳ／Ｎ
比と、多！の直流オフセットが重畳されているとき（こ
れは検光子［相］の消光位置からの開き角を大きくした
ことに対応し、オフセット光の増加とともに信号成分も
増加する。
。それは光検知器側の事情から来るものである。仮に微
弱なＳ成分のみの光を受光した場合の信号検出のＳ／Ｎ
比と、多！の直流オフセットが重畳されているとき（こ
れは検光子［相］の消光位置からの開き角を大きくした
ことに対応し、オフセット光の増加とともに信号成分も
増加する。
）のＳ／Ｎ比を比較した場合、後者の方がＳ／Ｎ比が良
い、これは光検知器の熱雑音、ショットノイズ、検出感
度等のパラメータに依存するもので、理論的な解析、実
験が盛んに行われている。
い、これは光検知器の熱雑音、ショットノイズ、検出感
度等のパラメータに依存するもので、理論的な解析、実
験が盛んに行われている。
第６図は光検知器の機能を説明するための図である。な
お、構成、動作の説明を理解し易くするために各図を通
じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省略
する。ここでは偏光ビームスプリッタ４′の１個だけに
ついて単純に考える。
お、構成、動作の説明を理解し易くするために各図を通
じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省略
する。ここでは偏光ビームスプリッタ４′の１個だけに
ついて単純に考える。
初期光１ｉ１ｏを偏光ビームスプリンタ４′に対してＳ
偏光で入射し、偏光ビームスプリンタ４°のＳ偏光に対
する反射率をＲｓ、同透過率をＴｓとし、同じくＰ偏光
に対する反射率をＲｐ、同透過率をＴｐとする。
偏光で入射し、偏光ビームスプリンタ４°のＳ偏光に対
する反射率をＲｓ、同透過率をＴｓとし、同じくＰ偏光
に対する反射率をＲｐ、同透過率をＴｐとする。
ここで同一偏光面の反射率と透過率の和は常に１となる
関係にある。また、媒体６の反射率をＸ、カー効果によ
る回転角による変調度をｍ、媒体の反射光量に対するノ
イズの割合をＮとすれば、媒体への入射光 −１ｏ
−Ｒｓ 媒体からの反射光 −１０−Ｒｓ４ｓ−ｘ信号変調
成分（Ｐ成分）＝ｍｉｏ４ｓ−Ｔｐ−ｘ強度変調ノイズ
成分 ＝Ｉｏ−Ｒｓ４ｓ−Ｎ −ｘにて表すことがで
きる。強度変調ノイズとは媒体の欠陥（ピンホール、ス
クラッチ等）による反射率変化やプリグループ溝のノイ
ズ成分を言う。
関係にある。また、媒体６の反射率をＸ、カー効果によ
る回転角による変調度をｍ、媒体の反射光量に対するノ
イズの割合をＮとすれば、媒体への入射光 −１ｏ
−Ｒｓ 媒体からの反射光 −１０−Ｒｓ４ｓ−ｘ信号変調
成分（Ｐ成分）＝ｍｉｏ４ｓ−Ｔｐ−ｘ強度変調ノイズ
成分 ＝Ｉｏ−Ｒｓ４ｓ−Ｎ −ｘにて表すことがで
きる。強度変調ノイズとは媒体の欠陥（ピンホール、ス
クラッチ等）による反射率変化やプリグループ溝のノイ
ズ成分を言う。
第７図は直流オフセット光を説明する図を示す。
図において、信号変調成分（Ｐ成分）＝ｍ−Ｉｏ・Ｒｓ
Ｔｐ−）Ｃに対して媒体からの反射光−１ｏ−Ｒｓ・Ｔ
ｓ−ｘという直流オフセット光が重畳されている。
Ｔｐ−）Ｃに対して媒体からの反射光−１ｏ−Ｒｓ・Ｔ
ｓ−ｘという直流オフセット光が重畳されている。
ここでＴｐは勿論信号成分を含むため１．０の透過率が
選択される。オフセット光となる媒体からの反射光−１
ｏ−Ｒｓ−Ｔｓ−ｘはＲｓの値によって決まるが、多く
の理論計算、実験によってＲｓ＝０．６７ （すなわち
Ｔｓ＝０．３３）程度が最適値と言われている。
選択される。オフセット光となる媒体からの反射光−１
ｏ−Ｒｓ−Ｔｓ−ｘはＲｓの値によって決まるが、多く
の理論計算、実験によってＲｓ＝０．６７ （すなわち
Ｔｓ＝０．３３）程度が最適値と言われている。
このことは、信号変調成分に対するオフセット光の最適
割合＝ ｍ −Ｔｐ／Ｔｓ＝ ｍ１０．３３＝３．０３
ｍであることが分かる。このオフセット光は勿論媒体か
らの反射光であるから、ピンホール、スクラッチ等の媒
体欠陥やプリグループ溝のノイズ成分等を多量に含んで
いる。これらのノイズが現在の光磁気ディスク装置のＳ
／Ｎ比を４５〜５０ｄＢという値の限界を決定してしま
う原因となっている。
割合＝ ｍ −Ｔｐ／Ｔｓ＝ ｍ１０．３３＝３．０３
ｍであることが分かる。このオフセット光は勿論媒体か
らの反射光であるから、ピンホール、スクラッチ等の媒
体欠陥やプリグループ溝のノイズ成分等を多量に含んで
いる。これらのノイズが現在の光磁気ディスク装置のＳ
／Ｎ比を４５〜５０ｄＢという値の限界を決定してしま
う原因となっている。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、２ビーム構成によるＤ
ＲＡＷ機能の付加、及び、Ｓ／Ｎ比の良い信号再生を可
能ならしめる光学ヘッドの制御方式を提供することを目
的とする。
ＲＡＷ機能の付加、及び、Ｓ／Ｎ比の良い信号再生を可
能ならしめる光学ヘッドの制御方式を提供することを目
的とする。
（１）光ビームを光磁気媒体に照射し、磁気情報を読み
書きする光磁気ディスク装置の光学ヘッド制御方式にお
いて、互いに波長の異なる第１、第２の光ビームを、該
第１の光ビームの照射位置が該第２のビームに対し、前
記光磁気媒体の移動方向に先行するように配置し、該第
１のビームを介して前記媒体に対する記録、読取りを行
い、該第２のビームを介して読取りを行う光磁気ディス
ク用光学ヘッドの制御方式によって達成される。
書きする光磁気ディスク装置の光学ヘッド制御方式にお
いて、互いに波長の異なる第１、第２の光ビームを、該
第１の光ビームの照射位置が該第２のビームに対し、前
記光磁気媒体の移動方向に先行するように配置し、該第
１のビームを介して前記媒体に対する記録、読取りを行
い、該第２のビームを介して読取りを行う光磁気ディス
ク用光学ヘッドの制御方式によって達成される。
すなわち、異波長の光源により２ビーム構成とし、第１
ビームで記録および所要の光点制御信号やインデックス
信号の再生をおこない、第２のビームで前記所要以外の
信号の再生を行うように構成し、第１のビームを媒体の
回転方向に対して先行させておくことでＤＲＡＷ機能が
可能となる。
ビームで記録および所要の光点制御信号やインデックス
信号の再生をおこない、第２のビームで前記所要以外の
信号の再生を行うように構成し、第１のビームを媒体の
回転方向に対して先行させておくことでＤＲＡＷ機能が
可能となる。
また、第２ビームを１ノ２波長板を介してビームスプリ
フタへの入射光をＳ偏光に変換し、該ビームスプリッタ
を透過した一部のＳ偏光を全反射するビームスプリフタ
の面にミラーを設け、その全反射光と媒体からのＰ偏光
の反射光とを合成して前記所要以外の信号再生を行うこ
とによりＳ／Ｎ比の良い再生が可能となるものである。
フタへの入射光をＳ偏光に変換し、該ビームスプリッタ
を透過した一部のＳ偏光を全反射するビームスプリフタ
の面にミラーを設け、その全反射光と媒体からのＰ偏光
の反射光とを合成して前記所要以外の信号再生を行うこ
とによりＳ／Ｎ比の良い再生が可能となるものである。
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第１図は本発明にかかる光磁気ディスク用光学ヘッドの
偏光ビームスプリッタの構成図を示す。図において、２
０はミラーであって第６図に示した偏光ビームスプリフ
タ４′に入射する入射光１ｏに対して直交（全反射）す
るように偏光ビームスプリフタの側面に設けている。こ
こで初期光量１ｏを偏光ビームスプリッタ４゛に対して
Ｓ偏光で入射し、偏光ビームスプリッタ４°のＳ偏光に
対する反射率をＲｓ’ 、同透過率をＴｓ’ とし、同
じくＰ偏光に対する反射率をＲｐ’ 、同透過率をＴｐ
’ とすると図中左側からのＳ偏光の入射光１ｏは編光
ビームスプリッタ４′内でＩｏ−Ｒｓ’が反射、Ｉｏ４
ｓ’が透過する。
偏光ビームスプリッタの構成図を示す。図において、２
０はミラーであって第６図に示した偏光ビームスプリフ
タ４′に入射する入射光１ｏに対して直交（全反射）す
るように偏光ビームスプリフタの側面に設けている。こ
こで初期光量１ｏを偏光ビームスプリッタ４゛に対して
Ｓ偏光で入射し、偏光ビームスプリッタ４°のＳ偏光に
対する反射率をＲｓ’ 、同透過率をＴｓ’ とし、同
じくＰ偏光に対する反射率をＲｐ’ 、同透過率をＴｐ
’ とすると図中左側からのＳ偏光の入射光１ｏは編光
ビームスプリッタ４′内でＩｏ−Ｒｓ’が反射、Ｉｏ４
ｓ’が透過する。
透過した光はミラー２０で全反射され更に図中下側にＩ
ｏ−Ｔｓ“ ・Ｒｓ’ だけ反射される。この光は媒体
６からの反射光ではないので強度変調ノイズ成分を全（
含まない。
ｏ−Ｔｓ“ ・Ｒｓ’ だけ反射される。この光は媒体
６からの反射光ではないので強度変調ノイズ成分を全（
含まない。
媒体への入射光 ＝ Ｉｏ−Ｒｓ’
媒体からの反射光 ＝ Ｉｏ−Ｒｓ“・Ｔｓ”・Ｘミラ
ーからの光 ＝ Ｉｏ−Ｔｓ’−Ｒｓ’信号変調成分
＝ｍ・■０・Ｒｓ’・Ｔｐ”・Ｘ強度変調ノイズ
成分−！０・Ｒ３°・Ｔｓ’・ｘ−Ｎここで直流オフセ
ット光となるのは、媒体６からの反射光とミラーから反
射してくる光の和であるから、 直流オフセット光 ＝ｉｏ−Ｒｓ’ ・Ｔｓ’ ・（１
＋ ｘ）となる。
ーからの光 ＝ Ｉｏ−Ｔｓ’−Ｒｓ’信号変調成分
＝ｍ・■０・Ｒｓ’・Ｔｐ”・Ｘ強度変調ノイズ
成分−！０・Ｒ３°・Ｔｓ’・ｘ−Ｎここで直流オフセ
ット光となるのは、媒体６からの反射光とミラーから反
射してくる光の和であるから、 直流オフセット光 ＝ｉｏ−Ｒｓ’ ・Ｔｓ’ ・（１
＋ ｘ）となる。
信号変調成分に対するオフセット光の割合Ｙは、Ｙ−ｍ
−Ｔｓ’ −ｘ／Ｔｐ’ ・（１＋ ｘ）となる、今こ
こで媒体の反射率ｘ ＝０．５と仮定して第７図で説明
したオフセット光の最適割合に当てはめると、Ｔｐ’
＝ １ 、Ｔｓ’ −０，１）（すなわち、Ｒｓ’
＝０．８９）が最適値となる。ｌ？ｓ’が大きいのは
ヘッド光学系効率の点からも都合が良い。
−Ｔｓ’ −ｘ／Ｔｐ’ ・（１＋ ｘ）となる、今こ
こで媒体の反射率ｘ ＝０．５と仮定して第７図で説明
したオフセット光の最適割合に当てはめると、Ｔｐ’
＝ １ 、Ｔｓ’ −０，１）（すなわち、Ｒｓ’
＝０．８９）が最適値となる。ｌ？ｓ’が大きいのは
ヘッド光学系効率の点からも都合が良い。
このオフセント光は明らかに第６図の場合よりも含まれ
る強度変調ノイズ成分が少ない。つまり、ミラーからの
反射光は０．０９Ｉｏ、媒体からの反射光は０．０４Ｉ
ｏであり、全体の反射光の１／３程度がこのノイズを含
む光であり、全体でのノイズが減少し、強度変調ノイズ
成分は約９ｄＢに減少することがわかる。
る強度変調ノイズ成分が少ない。つまり、ミラーからの
反射光は０．０９Ｉｏ、媒体からの反射光は０．０４Ｉ
ｏであり、全体の反射光の１／３程度がこのノイズを含
む光であり、全体でのノイズが減少し、強度変調ノイズ
成分は約９ｄＢに減少することがわかる。
第２図は本発明にかかるＤＲＡＷ機能とＳ／Ｎ向上を実
現する実施例のブロック図を示す。図において、従来の
光源の半導体レーザ１を第２の光源（波長ｈ＞とじ、こ
れからの出射光をダイクロイックミラー２１と１７２波
長板２２および偏光ビームスプリッタ４°を介して媒体
６に照射する。１７２波長板２２は第２の光源（波長々
）に合わせ、これを透過することによりＳ偏光に変換さ
れる。偏光ビームスプリンタ４゛に対しての入射をＳ偏
光にする理由は反射率ＲｓがＰ偏光の場合より大きく取
れるからである。偏光ビームスプリンタ４°に入射され
たＳ偏光は第１図にて説明した内容に従い、図中下側の
フィルタ２３を経由し、第４図に示した従来の信号変調
成分検出部の光検知器Ｏに受光される。
現する実施例のブロック図を示す。図において、従来の
光源の半導体レーザ１を第２の光源（波長ｈ＞とじ、こ
れからの出射光をダイクロイックミラー２１と１７２波
長板２２および偏光ビームスプリッタ４°を介して媒体
６に照射する。１７２波長板２２は第２の光源（波長々
）に合わせ、これを透過することによりＳ偏光に変換さ
れる。偏光ビームスプリンタ４゛に対しての入射をＳ偏
光にする理由は反射率ＲｓがＰ偏光の場合より大きく取
れるからである。偏光ビームスプリンタ４°に入射され
たＳ偏光は第１図にて説明した内容に従い、図中下側の
フィルタ２３を経由し、第４図に示した従来の信号変調
成分検出部の光検知器Ｏに受光される。
フィルタ２３は波長々のみを透過し、第２光源からの出
射光の経路を実線で示している。
射光の経路を実線で示している。
２４は第１の光源（波長λｌ）の半導体レーザであって
、これからの出射光はコリメータレンズ２５゜整形プリ
ズム２６．ハーフミラ−２７，フィルタ２日を経由して
ダイクロイックミラー２１を透過し、第２光源の光路に
重畳される。フィルタ２８は波長λ１のみを透過するも
のであり、重畳された第１光源の光は１／２波長板２２
（、＋２用）を透過するが波長差がすくないため損失の
影響はない。１７２波長板２２を透過した第１光源の光
は偏光ビームスプリッタ４゛で全反射され媒体６に照射
される。
、これからの出射光はコリメータレンズ２５゜整形プリ
ズム２６．ハーフミラ−２７，フィルタ２日を経由して
ダイクロイックミラー２１を透過し、第２光源の光路に
重畳される。フィルタ２８は波長λ１のみを透過するも
のであり、重畳された第１光源の光は１／２波長板２２
（、＋２用）を透過するが波長差がすくないため損失の
影響はない。１７２波長板２２を透過した第１光源の光
は偏光ビームスプリッタ４゛で全反射され媒体６に照射
される。
媒体６からの第１光源の反射光は往路を逆進してハーフ
ミラ−２７に戻り、これを全透過して従来の光点制御信
号検出ならびにインデックス信号を読み取るフォトダイ
オード９に受光される。第１光源の出射光がフォトダイ
オード９に受光されるまでの光路を破線で示している。
ミラ−２７に戻り、これを全透過して従来の光点制御信
号検出ならびにインデックス信号を読み取るフォトダイ
オード９に受光される。第１光源の出射光がフォトダイ
オード９に受光されるまでの光路を破線で示している。
第１光源の出射光はフォトダイオード９の読み取るイン
デックス信号により光力を上げて所要の媒体位置に記録
を行うことができる。媒体６の回転方向を矢印Ｖ方向と
し、破線で示した媒体６上の記録位置が実線で示した第
２光源の読み取り位置よりも若干先行するように両光路
をずらせて設定する。
デックス信号により光力を上げて所要の媒体位置に記録
を行うことができる。媒体６の回転方向を矢印Ｖ方向と
し、破線で示した媒体６上の記録位置が実線で示した第
２光源の読み取り位置よりも若干先行するように両光路
をずらせて設定する。
第３図は媒体上の記録位置と読み取り位置との関係を示
す図である０図において、６ａは媒体上のトラックを示
し、Ｌｌは第１光源の記録位置、Ｌｔは第２光源の読み
取り位置をそれぞれ示す。
す図である０図において、６ａは媒体上のトラックを示
し、Ｌｌは第１光源の記録位置、Ｌｔは第２光源の読み
取り位置をそれぞれ示す。
以上のように２つの光源を利用し、一方で記録を行うと
共に、少しずらせて他方の光源を読み取りを行うことに
よりＤＲＡＷ機能の付加が可能となる。
共に、少しずらせて他方の光源を読み取りを行うことに
よりＤＲＡＷ機能の付加が可能となる。
以上詳細に説明したよう番と本発明の光磁気ディスク用
光学ヘッドの制御方式によれば、ＤＲＡＷ機能の付加が
可能となり、これにより画像情報ばかりでなくコード情
報の記鰻、再生も可能となる。
光学ヘッドの制御方式によれば、ＤＲＡＷ機能の付加が
可能となり、これにより画像情報ばかりでなくコード情
報の記鰻、再生も可能となる。
また、同一の光磁気媒体に対し従来の光学ヘッドに比較
して強度変調ノイ女（ディスクノイズ）を減少させる効
果がある。
して強度変調ノイ女（ディスクノイズ）を減少させる効
果がある。
第１図は本発明にかかる光磁気ディスク用光学ヘッドの
偏光ビームスプリッタの構成図、 □第２図は本発明に
かかるＤＲＡＷ機能とＳ／Ｎ向上を実現する実施例の一
ブロック図、第３図は媒体上の記録位置と読み取り位置
との関係を示す図、 第４図は従来の光磁気ディスク装置の光学ヘッドの構成
図、 第５図はベクトル偏光面を説明するための図、第６図は
光検知器の機能を説明するための図、第７図は直流オフ
セット光を説明する図、を示す。 図において、１は第２の光源となる波長にの半導体レー
ザ、４゛は偏光ビームスプリッタ、６は媒体、２２は１
７２波長板、２４は第１の光源となる波長λ１の半導体
レーザをそれぞれ示す。 第１図 入２ 第３図 第４ｒＭ 第５図 第６【η
偏光ビームスプリッタの構成図、 □第２図は本発明に
かかるＤＲＡＷ機能とＳ／Ｎ向上を実現する実施例の一
ブロック図、第３図は媒体上の記録位置と読み取り位置
との関係を示す図、 第４図は従来の光磁気ディスク装置の光学ヘッドの構成
図、 第５図はベクトル偏光面を説明するための図、第６図は
光検知器の機能を説明するための図、第７図は直流オフ
セット光を説明する図、を示す。 図において、１は第２の光源となる波長にの半導体レー
ザ、４゛は偏光ビームスプリッタ、６は媒体、２２は１
７２波長板、２４は第１の光源となる波長λ１の半導体
レーザをそれぞれ示す。 第１図 入２ 第３図 第４ｒＭ 第５図 第６【η
Claims (2)
- （１）光ビームを光磁気媒体に照射し、磁気情報を読み
書きする光磁気ディスク装置の光学ヘッド制御方式にお
いて、互いに波長の異なる第１、第２の光ビームを、該
第１の光ビームの照射位置が該第２のビームに対し、前
記光磁気媒体の移動方向に先行するように配置し、該第
１のビームを介して前記媒体に対する記録、読取りを行
い、該第２のビームを介して読取りを行うことを特徴と
する光磁気ディスク用光学ヘッドの制御方式。 - （２）前記第２のビームの前記磁気媒体からの反射ビー
ムと、該第２のビーム自身とを合成する手段を設けたこ
とを特徴とする特許請求範囲第（１）項記載の光磁気デ
ィスク用光学ヘッドの制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59275333A JPS61150147A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 光磁気デイスク用光学ヘツドの制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59275333A JPS61150147A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 光磁気デイスク用光学ヘツドの制御方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150147A true JPS61150147A (ja) | 1986-07-08 |
Family
ID=17554000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59275333A Pending JPS61150147A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 光磁気デイスク用光学ヘツドの制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61150147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01502377A (ja) * | 1987-08-12 | 1989-08-17 | ディジタル イクイプメント コーポレーション | 改良した磁気光学記録装置 |
| JPH01245449A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録装置 |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP59275333A patent/JPS61150147A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01502377A (ja) * | 1987-08-12 | 1989-08-17 | ディジタル イクイプメント コーポレーション | 改良した磁気光学記録装置 |
| JPH01245449A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Hitachi Ltd | 光学的情報記録装置 |
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