JPS61148797A - Ｅｌ素子 - Google Patents
Ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPS61148797A JPS61148797A JP59271396A JP27139684A JPS61148797A JP S61148797 A JPS61148797 A JP S61148797A JP 59271396 A JP59271396 A JP 59271396A JP 27139684 A JP27139684 A JP 27139684A JP S61148797 A JPS61148797 A JP S61148797A
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- JP
- Japan
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- light
- transparent
- electrode
- conductive film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は交流電圧の印加によって発光するＥＬ（エレク
トロルミネセンス）素子に関し、特にＥＬ発光時に発生
するノイズを抑えるＥＬ素子に関するものである。
トロルミネセンス）素子に関し、特にＥＬ発光時に発生
するノイズを抑えるＥＬ素子に関するものである。
一般にＥＬ素子は第２図に示すように、ガラス等の透明
基板１上に蒸漬法やスパッタリング法等の適当な方法を
用いてＩｎｔα等の透明導電材料から成る透明電極２を
密層形成し、その上に絶縁破壊を□防ぐためＹ１０＠
等の絶縁材料から成る第１の誘電体層３を形成し、さら
にＺｎ８等の母体性材料内にＭｎ 等の発光中心を添
加して成る発光□層４を形成し、またその上に第１の誘
電体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５を形成
し、その上に他方の電極としてＡＩ等の導電材料から成
る背面電極６を形成して成るものであり、面光源として
使用されている。
基板１上に蒸漬法やスパッタリング法等の適当な方法を
用いてＩｎｔα等の透明導電材料から成る透明電極２を
密層形成し、その上に絶縁破壊を□防ぐためＹ１０＠
等の絶縁材料から成る第１の誘電体層３を形成し、さら
にＺｎ８等の母体性材料内にＭｎ 等の発光中心を添
加して成る発光□層４を形成し、またその上に第１の誘
電体層３と同様の材質から成る第２の誘電体層５を形成
し、その上に他方の電極としてＡＩ等の導電材料から成
る背面電極６を形成して成るものであり、面光源として
使用されている。
このＥＬ素子は上記Ｚｎ Ｓ 等の半導体から成る発
光層４内に発生した電界によって伝導帯に励起されかつ
加速されて充分なエネルギーを得た電子が直接Ｍｎ発光
センターを励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底
状態に戻る際、発光出力を得るものであり、電界を発生
させるために透明電極２と背面電極６との間に高圧の交
流電圧７を印加しなければならなかった。
光層４内に発生した電界によって伝導帯に励起されかつ
加速されて充分なエネルギーを得た電子が直接Ｍｎ発光
センターを励起し、励起されたＭｎ発光センターが基底
状態に戻る際、発光出力を得るものであり、電界を発生
させるために透明電極２と背面電極６との間に高圧の交
流電圧７を印加しなければならなかった。
しかし、ＥＬ素子はこのように高圧の交流電圧を必要と
するため、ＥＬ発光時に発生するノイズによる周辺電気
機器への影響が大きい。ＥＬ素子の駆動回路やこれらを
接続するコード部等はシールドシャーシやシールド線を
使用することで、発生する前記ノイズを抑えることがで
きるが、面光源として用いるＥＬ素子は、それ。
するため、ＥＬ発光時に発生するノイズによる周辺電気
機器への影響が大きい。ＥＬ素子の駆動回路やこれらを
接続するコード部等はシールドシャーシやシールド線を
使用することで、発生する前記ノイズを抑えることがで
きるが、面光源として用いるＥＬ素子は、それ。
自体が発光す、る構造であやため、ＥＬ発光面をシール
ド材で被覆すると光が透過しにくくなり、発光素子とし
ての本来の動作を得ることができなくなるもので、この
ためシールドすることができなかった。したがって、依
然ＥＬ素子から発生するノイズが周辺機器に影響を及ぼ
すという問題があった。
ド材で被覆すると光が透過しにくくなり、発光素子とし
ての本来の動作を得ることができなくなるもので、この
ためシールドすることができなかった。したがって、依
然ＥＬ素子から発生するノイズが周辺機器に影響を及ぼ
すという問題があった。
本発明は上記問題点に基づいてなされたものであり、Ｅ
Ｌ素子にシールド材を被覆させても、ＥＬの発光色が充
分に透過できるとともにＥＬ素子からのノイズの影響を
抑えることのできるＥＬ素子を提供することを目的とす
る。
Ｌ素子にシールド材を被覆させても、ＥＬの発光色が充
分に透過できるとともにＥＬ素子からのノイズの影響を
抑えることのできるＥＬ素子を提供することを目的とす
る。
上記目的を達成するため、本発明はＥＬＩ子を透明な導
電層で被覆するとともに、この導電層を接地したもので
ある。
電層で被覆するとともに、この導電層を接地したもので
ある。
〔実施例〕
以下、図面に基づいて本発明の一実施例を詳述する。
第１図において、ＥＬ素子１０はガラス等の透明基板１
１上に蒸着法やスパッタリング法等によりｌｎ＝０ｊ等
の透明材料から成る透明電極１２を密着形成し、その上
に絶縁破壊を防ぐためＹ、α等の絶縁材料から成る第１
の誘電体層１３を形成し、さらにＺｎＳ等の母体性材料
内にＭｎ等の発光中心を添加して成る発光層１４を形成
し、またその上、に第１の導電、体層１３と同様の材質
から成る第２の誘電体層１５を形成、し、その上に他方
の電極としてＡｌ１等の導電−材料から成る背面電極１
６を形成して成るものである。透明電極１２と背面電極
１６には４ごのＥＬ素子１０のシールド、シャーシさ−
２れた駆動回路、１７が発生ずや高圧の交流電圧がシー
ルド線を使用しているコード、１８を、介して印加され
る。
１上に蒸着法やスパッタリング法等によりｌｎ＝０ｊ等
の透明材料から成る透明電極１２を密着形成し、その上
に絶縁破壊を防ぐためＹ、α等の絶縁材料から成る第１
の誘電体層１３を形成し、さらにＺｎＳ等の母体性材料
内にＭｎ等の発光中心を添加して成る発光層１４を形成
し、またその上、に第１の導電、体層１３と同様の材質
から成る第２の誘電体層１５を形成、し、その上に他方
の電極としてＡｌ１等の導電−材料から成る背面電極１
６を形成して成るものである。透明電極１２と背面電極
１６には４ごのＥＬ素子１０のシールド、シャーシさ−
２れた駆動回路、１７が発生ずや高圧の交流電圧がシー
ルド線を使用しているコード、１８を、介して印加され
る。
浴り素子１０はコード１８の電極１２．１６側を、含め
て透明な防湿フ、イルム１９をラミネート１、する７こ
と、によりサンドイッチ状に被覆、さ、れてい、る、。
て透明な防湿フ、イルム１９をラミネート１、する７こ
と、によりサンドイッチ状に被覆、さ、れてい、る、。
さらに、防湿フィルム１９の上には透明な導、−電５．
膜２０がラミネートされて全体を、被覆して導電層を形
成している。この導電膜２０にポリエステルをベースに
した膜で低温スパッタ法によりＳｎ Ｏ＝ −Ｉｎ−０
−を形成して成るものであり、その抵抗値は５００〜８
００Ω／口でかつその光透過率は８０〜９０％程度に設
定されている。そしてこの導電膜２０の一部はコード２
１等を介して接地されておりＥＬ素子１０の電磁シール
ドが成されている。
膜２０がラミネートされて全体を、被覆して導電層を形
成している。この導電膜２０にポリエステルをベースに
した膜で低温スパッタ法によりＳｎ Ｏ＝ −Ｉｎ−０
−を形成して成るものであり、その抵抗値は５００〜８
００Ω／口でかつその光透過率は８０〜９０％程度に設
定されている。そしてこの導電膜２０の一部はコード２
１等を介して接地されておりＥＬ素子１０の電磁シール
ドが成されている。
以上のように構成される本発明の作用について詳述する
。
。
ＥＬ素子１０に高電圧を印加する駆動回路１７及びコー
ド１８はシールドシャーシ及び、シールド線を使用して
いるため、これらから発生する電気ノイズは接地へと流
れる。一方、ＥＬ素子１０全体は透明な導電膜２０によ
って被覆されていると共に、この導電膜２０も接地され
ているため、ＥＬ素子１０が発生した電気ノイズもこの
導電膜２０を介して接地へと流れ、周辺機器へのノイズ
の影響を抑えることができる。
ド１８はシールドシャーシ及び、シールド線を使用して
いるため、これらから発生する電気ノイズは接地へと流
れる。一方、ＥＬ素子１０全体は透明な導電膜２０によ
って被覆されていると共に、この導電膜２０も接地され
ているため、ＥＬ素子１０が発生した電気ノイズもこの
導電膜２０を介して接地へと流れ、周辺機器へのノイズ
の影響を抑えることができる。
ところで、この導電膜２０はポリエステルをベースにし
てＳｎ Ｏｘ Ｉｎｔ Ｏｓを形成して成るものであ
り、その光透過率が８０〜９０％程度に設定されている
ため、ＥＬ素子１０の発光色が大きく減衰されず透過さ
れ、ＥＬ素子１０を被覆した導電膜２０による光遮断を
極力抑制する口とが可能となっている。
てＳｎ Ｏｘ Ｉｎｔ Ｏｓを形成して成るものであ
り、その光透過率が８０〜９０％程度に設定されている
ため、ＥＬ素子１０の発光色が大きく減衰されず透過さ
れ、ＥＬ素子１０を被覆した導電膜２０による光遮断を
極力抑制する口とが可能となっている。
ごのように光透過率が良好な透明の導電膜２０によりＥ
Ｌ素子１０全体を被覆するので、ＥＬ素子１０の発光色
の透過をそれ程損うことなく、ＥＬ素子１０が発生する
電気ノイズを接地へと流すことができるとともに、ＥＬ
駆動回路等もシールドできるため、ＥＬ全全体電磁シー
ルドが可能となり、高圧の交流電流による電気ノイズを
ほぼ完全に抑えて、周辺機器への影響を低減できる。
Ｌ素子１０全体を被覆するので、ＥＬ素子１０の発光色
の透過をそれ程損うことなく、ＥＬ素子１０が発生する
電気ノイズを接地へと流すことができるとともに、ＥＬ
駆動回路等もシールドできるため、ＥＬ全全体電磁シー
ルドが可能となり、高圧の交流電流による電気ノイズを
ほぼ完全に抑えて、周辺機器への影響を低減できる。
尚、ＥＬ素子１０は水分を含むと２Ｈ，、Ｏ，ガスを発
生し、これにより各層間で剥離が生じたり、発光層１４
が黒化して輝度が著しく低下することがあるため、導電
膜２０を通ってＥＬ素子１０へ水分が浸入するのを防止
するため、防湿フィルム１９がラミネートされている。
生し、これにより各層間で剥離が生じたり、発光層１４
が黒化して輝度が著しく低下することがあるため、導電
膜２０を通ってＥＬ素子１０へ水分が浸入するのを防止
するため、防湿フィルム１９がラミネートされている。
前記実施例は薄膜型ＥＬ素子について示しであるが、分
散型ＥＬ素子も同様に発光時にノイズを発生することか
ら、分散型ＥＬ素子にも本考案を適用できる。
散型ＥＬ素子も同様に発光時にノイズを発生することか
ら、分散型ＥＬ素子にも本考案を適用できる。
以上詳述したように本発明によれば、ＥＬ素子を透明な
導電層で被覆すると共に、この導電層を接地したことに
より、ＥＬ素子の発光色の透過性をそれ程損なうことな
く、高圧の交流電圧が印加されたＥＬ素子の発生する電
気ノイズが接地へと流れ、周辺機器への影響を抑えるこ
とができる。特に周辺機器にノイズにより破壊されやす
いＩＣ等を使用した場合にはその効果が大きい。
導電層で被覆すると共に、この導電層を接地したことに
より、ＥＬ素子の発光色の透過性をそれ程損なうことな
く、高圧の交流電圧が印加されたＥＬ素子の発生する電
気ノイズが接地へと流れ、周辺機器への影響を抑えるこ
とができる。特に周辺機器にノイズにより破壊されやす
いＩＣ等を使用した場合にはその効果が大きい。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は一般
のＥＬ素子の断面図である。 １０・・ＥＬ素子 １２・・透明電極 １４・・発光層 １６・・背面電極 １９・・防湿フィルム ２０・・導電膜（導電層） 特 許 出 願 人 日本精機株式会社ｍ
口１） 貞 為 型 上
戸ト 士
、−−１１１ト第１図 ｇ！＆２図
のＥＬ素子の断面図である。 １０・・ＥＬ素子 １２・・透明電極 １４・・発光層 １６・・背面電極 １９・・防湿フィルム ２０・・導電膜（導電層） 特 許 出 願 人 日本精機株式会社ｍ
口１） 貞 為 型 上
戸ト 士
、−−１１１ト第１図 ｇ！＆２図
Claims (1)
- ＥＬ素子を透明な導電層で被覆すると共に、この導電層
を接地したことを特徴とするＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271396A JPS61148797A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59271396A JPS61148797A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148797A true JPS61148797A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17499476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59271396A Pending JPS61148797A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148797A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379196U (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-12 |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59271396A patent/JPS61148797A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0379196U (ja) * | 1989-12-04 | 1991-08-12 |
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