JPS6114571B2 - - Google Patents
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- JPS6114571B2 JPS6114571B2 JP1637877A JP1637877A JPS6114571B2 JP S6114571 B2 JPS6114571 B2 JP S6114571B2 JP 1637877 A JP1637877 A JP 1637877A JP 1637877 A JP1637877 A JP 1637877A JP S6114571 B2 JPS6114571 B2 JP S6114571B2
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はNi−Fe合金などの磁気抵抗素子を
用いた磁気抵抗ヘツドの製造方法に関する。
用いた磁気抵抗ヘツドの製造方法に関する。
最近、磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗ヘツドが
開発されつつある。
開発されつつある。
この磁気抵抗ヘツドは、磁気テープなどの磁性
媒体と近接することにより、この媒体の磁化状態
に応じて磁化され抵抗が変化して、上記媒体に記
憶させた情報を再生することができる。
媒体と近接することにより、この媒体の磁化状態
に応じて磁化され抵抗が変化して、上記媒体に記
憶させた情報を再生することができる。
ところで、上記磁気抵抗素子を磁気抵抗ヘツド
に応用する場合、磁性媒体の利用が高密度化する
のに伴い、上記磁気抵抗素子はÅ単位の厚さで、
たとえばガラス基板に蒸着させて磁気抵抗ヘツド
として用いることが考えられる。
に応用する場合、磁性媒体の利用が高密度化する
のに伴い、上記磁気抵抗素子はÅ単位の厚さで、
たとえばガラス基板に蒸着させて磁気抵抗ヘツド
として用いることが考えられる。
だが、上記磁気抵抗素子と磁性媒体が近接した
場合、磁性媒体からの磁界により磁化する領域は
その近接部分近傍だけに限られ、深さ方向に深く
磁化するということがないから、上記磁気抵抗素
子の抵抗変化が小さく再生効率の低下を招くとい
う問題が発生する。そして、この傾向は高周波に
なるにしたがつて顕著となることが確認されてい
る。
場合、磁性媒体からの磁界により磁化する領域は
その近接部分近傍だけに限られ、深さ方向に深く
磁化するということがないから、上記磁気抵抗素
子の抵抗変化が小さく再生効率の低下を招くとい
う問題が発生する。そして、この傾向は高周波に
なるにしたがつて顕著となることが確認されてい
る。
この発明は上記事情にもとづきなされたもの
で、その目的とするところは、磁気抵抗素子の抵
抗変化が磁性媒体との近接部分近傍だけに留まら
ず、深さ方向に深く変化するようにして、再生効
率の向上を計るようにした磁気抵抗ヘツドを量産
することのできる製造方法を提供することにあ
る。
で、その目的とするところは、磁気抵抗素子の抵
抗変化が磁性媒体との近接部分近傍だけに留まら
ず、深さ方向に深く変化するようにして、再生効
率の向上を計るようにした磁気抵抗ヘツドを量産
することのできる製造方法を提供することにあ
る。
以下、この発明の一実施例を第1図乃至第4図
にもとづいて説明する。図中1は第1の接合体で
ある。この第1の接合体1はフエライトなどを矩
形板状に形成した第1の磁性体2とセラミツクや
ガラスなどを角柱状に形成した第1の非磁性絶縁
体3とを接合して構成されている。
にもとづいて説明する。図中1は第1の接合体で
ある。この第1の接合体1はフエライトなどを矩
形板状に形成した第1の磁性体2とセラミツクや
ガラスなどを角柱状に形成した第1の非磁性絶縁
体3とを接合して構成されている。
また、図中4は第2の接合体である。この第2
の接合体4は上記第1の接合体1と同一材料で同
一形状に形成された第2の磁性体5と第2の非磁
性絶縁体6とが接合されてなる。これら第1、第
2の接合体1,4の短手側一側面の一対の隅角部
はそれぞれ扇状に切欠されトラツク幅Twを規制
する凹部7………となつている。上記第1の接合
体1の一対の凹部7,7はガラスなどの耐摩耗性
絶縁物8,8が埋設され、第2の接合体4の一対
の凹部7,7はガラスなどの耐摩耗性絶縁膜9,
9を介してAu、Ag、Cuなどの非磁性導電材1
0,10が埋設されている。
の接合体4は上記第1の接合体1と同一材料で同
一形状に形成された第2の磁性体5と第2の非磁
性絶縁体6とが接合されてなる。これら第1、第
2の接合体1,4の短手側一側面の一対の隅角部
はそれぞれ扇状に切欠されトラツク幅Twを規制
する凹部7………となつている。上記第1の接合
体1の一対の凹部7,7はガラスなどの耐摩耗性
絶縁物8,8が埋設され、第2の接合体4の一対
の凹部7,7はガラスなどの耐摩耗性絶縁膜9,
9を介してAu、Ag、Cuなどの非磁性導電材1
0,10が埋設されている。
そして、これら第1、第2の接合体1,4は両
端に凹部7………が形成された短手側の側面にそ
れぞれ絶縁ギヤプ用ガラス膜11,11が設けら
れ、これらのガラス膜11,11を介して磁気抵
抗素子12を挾持するように接合されている。こ
の磁気抵抗素子12はÅ単位の薄膜で、磁性体
2,5の厚さ寸法よりやや大きい深さ寸法dに形
成されている。また、幅方向は上記磁性体2,5
と同じ寸法に形成され、その両端は上記第2の接
合体4の一対の凹部7,7に埋設された非磁性導
電材10,10と接合している。したがつて、上
記非磁性導電材10,10は磁気抵抗素子12の
リード線となつている。
端に凹部7………が形成された短手側の側面にそ
れぞれ絶縁ギヤプ用ガラス膜11,11が設けら
れ、これらのガラス膜11,11を介して磁気抵
抗素子12を挾持するように接合されている。こ
の磁気抵抗素子12はÅ単位の薄膜で、磁性体
2,5の厚さ寸法よりやや大きい深さ寸法dに形
成されている。また、幅方向は上記磁性体2,5
と同じ寸法に形成され、その両端は上記第2の接
合体4の一対の凹部7,7に埋設された非磁性導
電材10,10と接合している。したがつて、上
記非磁性導電材10,10は磁気抵抗素子12の
リード線となつている。
なお、上記構成において、磁性体2,5がMn
−Zn系フエライトなどの酸化物フエライトより
なる場合は、磁性体2,5の比抵抗が磁気抵抗素
子12に比べて十分大きいから、上記ギヤツプ用
ガラス膜11,11を設ける必要はない。
−Zn系フエライトなどの酸化物フエライトより
なる場合は、磁性体2,5の比抵抗が磁気抵抗素
子12に比べて十分大きいから、上記ギヤツプ用
ガラス膜11,11を設ける必要はない。
しかして、上記構成によれば、第4図の拡大断
面図に示すように磁気抵抗ヘツドに磁性媒体13
が近接すると、磁気抵抗素子12が磁化され図中
矢印で示すように磁束が発生し、磁気抵抗素子1
2の抵抗値が変化するから、その変化を第2の接
合体4に設けられた非磁性導電材10,10から
取り出すことによつて、上記被磁性媒体13に記
憶された情報を再生することができる。
面図に示すように磁気抵抗ヘツドに磁性媒体13
が近接すると、磁気抵抗素子12が磁化され図中
矢印で示すように磁束が発生し、磁気抵抗素子1
2の抵抗値が変化するから、その変化を第2の接
合体4に設けられた非磁性導電材10,10から
取り出すことによつて、上記被磁性媒体13に記
憶された情報を再生することができる。
ところで、上記磁気抵抗素子12はその両側に
磁性体2,5が接合されているから、第4図中鎖
線で示すように磁気抵抗素子12近傍以外の磁束
は磁性体2,5内で短絡され、その結果解像度が
向上し、磁気記録の高密度化が計れる。また、第
4図中実線で示す磁気抵抗素子12近傍に発生す
る磁束は上記磁性体2,5を流れる閉磁路とな
る。したがつて、上記磁束は磁気抵抗素子12の
深さ方向を深く磁化する流れとなり、この素子1
2の抵抗変化を大きくするから、磁性媒体13の
再生を高効率に行うことができる。
磁性体2,5が接合されているから、第4図中鎖
線で示すように磁気抵抗素子12近傍以外の磁束
は磁性体2,5内で短絡され、その結果解像度が
向上し、磁気記録の高密度化が計れる。また、第
4図中実線で示す磁気抵抗素子12近傍に発生す
る磁束は上記磁性体2,5を流れる閉磁路とな
る。したがつて、上記磁束は磁気抵抗素子12の
深さ方向を深く磁化する流れとなり、この素子1
2の抵抗変化を大きくするから、磁性媒体13の
再生を高効率に行うことができる。
また、磁気抵抗素子12の両側には磁性体2,
5が接合されている。したがつて、磁気抵抗素子
12は、上記磁性体2,5によつて被磁性媒体1
3と必要以上に強く接触することが防止されるか
ら、ほとんど摩耗することなく長期に亘つて性能
を維持することができる。
5が接合されている。したがつて、磁気抵抗素子
12は、上記磁性体2,5によつて被磁性媒体1
3と必要以上に強く接触することが防止されるか
ら、ほとんど摩耗することなく長期に亘つて性能
を維持することができる。
さらに、非磁性導電材10,10を第2の接合
体4のトラツク幅Twを規制する凹部7,7に埋
設し、この非磁性導電材10,10を磁気抵抗素
子12のリード線としたから、磁気抵抗ヘツドが
高密度化するに伴い小さくなつても、磁気抵抗素
子12のリード線を容易に設けることができる。
体4のトラツク幅Twを規制する凹部7,7に埋
設し、この非磁性導電材10,10を磁気抵抗素
子12のリード線としたから、磁気抵抗ヘツドが
高密度化するに伴い小さくなつても、磁気抵抗素
子12のリード線を容易に設けることができる。
なお、上記実施例では磁気抵抗素子12の両側
面に磁性体2,5を設けたが、磁性体は磁気抵抗
素子12の一側面だけに設けても上記実施例と同
様の効果を得ることができる。
面に磁性体2,5を設けたが、磁性体は磁気抵抗
素子12の一側面だけに設けても上記実施例と同
様の効果を得ることができる。
つぎに、上記磁気抵抗ヘツドの製造方法を第5
図乃至第11図にもとづいて説明する。なお同一
部分には同一記号を付して説明を省略する。ま
ず、第5図に示すように磁性体2,5と非磁性絶
縁体3,6とが接合された一対のブロツク14
a,14bを用意し、これらブロツク14a,1
4bにそれぞれ断面半円形状の多数の凹部7……
…を上記接合面に対して直角方向に等間隔で形成
する。そして、第1の接合体1となる一方のブロ
ツク14aの凹部7………には第6図に示すよう
に耐摩耗性絶縁物8………を埋設する。
図乃至第11図にもとづいて説明する。なお同一
部分には同一記号を付して説明を省略する。ま
ず、第5図に示すように磁性体2,5と非磁性絶
縁体3,6とが接合された一対のブロツク14
a,14bを用意し、これらブロツク14a,1
4bにそれぞれ断面半円形状の多数の凹部7……
…を上記接合面に対して直角方向に等間隔で形成
する。そして、第1の接合体1となる一方のブロ
ツク14aの凹部7………には第6図に示すよう
に耐摩耗性絶縁物8………を埋設する。
つぎに、第2の接合体4となる他方のブロツク
14bの凹部7………には、第7図に示すように
ガラスを蒸着スパツタするかあるいは粉末を塗布
したのみ加熱溶解して耐摩耗性絶縁膜9を形成
し、ここにAu、Ag、Cuなどの金属棒15………
を接着して設ける。そして、これらの金属棒15
………を第8図に示すようにブロツク14bと同
一平面となるように研摩する。つぎに、第9図に
示すようにブロツク14bの凹部7………の間の
平面全体にガラス膜等の絶縁物11………をスパ
ツタあるいは蒸着などの手段により形成する。そ
ののち、このブロツク14bの上記ガラス膜11
………が形成された面に第10図に示すように磁
気抵抗素子12を第2の磁性体5の厚さと同じか
やゝ大きな幅で帯状にこの第2の磁性体5の全長
に沿つて蒸着あるいはスパツタによつて設ける。
さらに、この磁気抵抗素子12を覆うようにガラ
ス膜11を設ける。
14bの凹部7………には、第7図に示すように
ガラスを蒸着スパツタするかあるいは粉末を塗布
したのみ加熱溶解して耐摩耗性絶縁膜9を形成
し、ここにAu、Ag、Cuなどの金属棒15………
を接着して設ける。そして、これらの金属棒15
………を第8図に示すようにブロツク14bと同
一平面となるように研摩する。つぎに、第9図に
示すようにブロツク14bの凹部7………の間の
平面全体にガラス膜等の絶縁物11………をスパ
ツタあるいは蒸着などの手段により形成する。そ
ののち、このブロツク14bの上記ガラス膜11
………が形成された面に第10図に示すように磁
気抵抗素子12を第2の磁性体5の厚さと同じか
やゝ大きな幅で帯状にこの第2の磁性体5の全長
に沿つて蒸着あるいはスパツタによつて設ける。
さらに、この磁気抵抗素子12を覆うようにガラ
ス膜11を設ける。
つぎに、このように第1のブロツク14aと第
2のブロツク14bとを形成したならば、これら
を第11図に示すようにそれぞれの凹部7………
が対応するように低融点ガラスなどの接着剤で接
着してヘツドブロツク16を形成する。そして、
このヘツドブロツク16を図中鎖線で示すように
切断すれば、上記実施例に挙げた磁気抵抗ヘツド
を得ることができる。
2のブロツク14bとを形成したならば、これら
を第11図に示すようにそれぞれの凹部7………
が対応するように低融点ガラスなどの接着剤で接
着してヘツドブロツク16を形成する。そして、
このヘツドブロツク16を図中鎖線で示すように
切断すれば、上記実施例に挙げた磁気抵抗ヘツド
を得ることができる。
なお、この製造方法において、磁性体2,5の
比抵抗が磁気抵抗素子12に比べ十分に大きけれ
ば、磁気抵抗素子12の両側面にガラス膜11,
11を設ける工程を省略してもなんら差し支えな
い。
比抵抗が磁気抵抗素子12に比べ十分に大きけれ
ば、磁気抵抗素子12の両側面にガラス膜11,
11を設ける工程を省略してもなんら差し支えな
い。
以上述べたようにこの発明は、接合された一対
のブロツクを所定幅でスライスすることによつ
て、磁束が磁気抵抗素子の深さ方向を深く磁化す
る流れとなり、この素子の抵抗変化を大きくして
再生効率を向上させることができる磁気抵抗ヘツ
ドを量産することができる。
のブロツクを所定幅でスライスすることによつ
て、磁束が磁気抵抗素子の深さ方向を深く磁化す
る流れとなり、この素子の抵抗変化を大きくして
再生効率を向上させることができる磁気抵抗ヘツ
ドを量産することができる。
図面はこの発明の一実施例を示すもので、第1
図は平面図、第2図は側面図、第3図は第1図A
部の拡大図、第4図は要部を断面して作用を示し
た説明図、第5図〜第11図は製造工程を順次示
した説明図である。 2,5……磁性体、12……磁気抵抗素子。
図は平面図、第2図は側面図、第3図は第1図A
部の拡大図、第4図は要部を断面して作用を示し
た説明図、第5図〜第11図は製造工程を順次示
した説明図である。 2,5……磁性体、12……磁気抵抗素子。
Claims (1)
- 1 磁性体と非磁性絶縁体とが接合された一対の
ブロツクにそれぞれ上記接合された面に対して直
交する方向に沿う多数の凹部を等間隔で形成する
第1の工程と、一方のブロツクの凹部に耐摩耗性
絶縁物を埋設する第2の工程と、他方のブロツク
の凹部に耐摩耗性絶縁膜を介して非磁性導電材を
埋設する第3の工程と、上記他方のブロツクの上
記非磁性導電材が埋設された面にこのブロツクを
形成する上記磁性体に沿つて帯状の磁気抵抗素子
を設ける第4の工程と、上記一方のブロツクと他
方のブロツクとをこれらの凹部を対応させて接合
固定する第5の工程と、接合された一体のブロツ
クを上記凹部の幅方向中心に沿つて切断する第6
の工程とを具備したことを特徴とする磁気抵抗ヘ
ツドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1637877A JPS53102012A (en) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | Magnetic resistance head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1637877A JPS53102012A (en) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | Magnetic resistance head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53102012A JPS53102012A (en) | 1978-09-06 |
JPS6114571B2 true JPS6114571B2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=11914614
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1637877A Granted JPS53102012A (en) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | Magnetic resistance head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS53102012A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59127217A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-23 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子およびその製造方法 |
FR2744554B1 (fr) * | 1996-02-02 | 1998-04-10 | Silmag Sa | Tete magnetique a element magnetoresistant enterre dans l'entrefer et procede de realisation |
-
1977
- 1977-02-17 JP JP1637877A patent/JPS53102012A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS53102012A (en) | 1978-09-06 |
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