JPS6114571B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はNi−Fe合金などの磁気抵抗素子を
用いた磁気抵抗ヘツドの製造方法に関する。

最近、磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗ヘツドが
開発されつつある。

この磁気抵抗ヘツドは、磁気テープなどの磁性
媒体と近接することにより、この媒体の磁化状態
に応じて磁化され抵抗が変化して、上記媒体に記
憶させた情報を再生することができる。

ところで、上記磁気抵抗素子を磁気抵抗ヘツド
に応用する場合、磁性媒体の利用が高密度化する
のに伴い、上記磁気抵抗素子はÅ単位の厚さで、
たとえばガラス基板に蒸着させて磁気抵抗ヘツド
として用いることが考えられる。

だが、上記磁気抵抗素子と磁性媒体が近接した
場合、磁性媒体からの磁界により磁化する領域は
その近接部分近傍だけに限られ、深さ方向に深く
磁化するということがないから、上記磁気抵抗素
子の抵抗変化が小さく再生効率の低下を招くとい
う問題が発生する。そして、この傾向は高周波に
なるにしたがつて顕著となることが確認されてい
る。

この発明は上記事情にもとづきなされたもの
で、その目的とするところは、磁気抵抗素子の抵
抗変化が磁性媒体との近接部分近傍だけに留まら
ず、深さ方向に深く変化するようにして、再生効
率の向上を計るようにした磁気抵抗ヘツドを量産
することのできる製造方法を提供することにあ
る。

以下、この発明の一実施例を第１図乃至第４図
にもとづいて説明する。図中１は第１の接合体で
ある。この第１の接合体１はフエライトなどを矩
形板状に形成した第１の磁性体２とセラミツクや
ガラスなどを角柱状に形成した第１の非磁性絶縁
体３とを接合して構成されている。

また、図中４は第２の接合体である。この第２
の接合体４は上記第１の接合体１と同一材料で同
一形状に形成された第２の磁性体５と第２の非磁
性絶縁体６とが接合されてなる。これら第１、第
２の接合体１，４の短手側一側面の一対の隅角部
はそれぞれ扇状に切欠されトラツク幅Twを規制
する凹部７………となつている。上記第１の接合
体１の一対の凹部７，７はガラスなどの耐摩耗性
絶縁物８，８が埋設され、第２の接合体４の一対
の凹部７，７はガラスなどの耐摩耗性絶縁膜９，
９を介してAu、Ag、Cuなどの非磁性導電材１
０，１０が埋設されている。

そして、これら第１、第２の接合体１，４は両
端に凹部７………が形成された短手側の側面にそ
れぞれ絶縁ギヤプ用ガラス膜１１，１１が設けら
れ、これらのガラス膜１１，１１を介して磁気抵
抗素子１２を挾持するように接合されている。こ
の磁気抵抗素子１２はÅ単位の薄膜で、磁性体
２，５の厚さ寸法よりやや大きい深さ寸法ｄに形
成されている。また、幅方向は上記磁性体２，５
と同じ寸法に形成され、その両端は上記第２の接
合体４の一対の凹部７，７に埋設された非磁性導
電材１０，１０と接合している。したがつて、上
記非磁性導電材１０，１０は磁気抵抗素子１２の
リード線となつている。

なお、上記構成において、磁性体２，５がMn
−Zn系フエライトなどの酸化物フエライトより
なる場合は、磁性体２，５の比抵抗が磁気抵抗素
子１２に比べて十分大きいから、上記ギヤツプ用
ガラス膜１１，１１を設ける必要はない。

しかして、上記構成によれば、第４図の拡大断
面図に示すように磁気抵抗ヘツドに磁性媒体１３
が近接すると、磁気抵抗素子１２が磁化され図中
矢印で示すように磁束が発生し、磁気抵抗素子１
２の抵抗値が変化するから、その変化を第２の接
合体４に設けられた非磁性導電材１０，１０から
取り出すことによつて、上記被磁性媒体１３に記
憶された情報を再生することができる。

ところで、上記磁気抵抗素子１２はその両側に
磁性体２，５が接合されているから、第４図中鎖
線で示すように磁気抵抗素子１２近傍以外の磁束
は磁性体２，５内で短絡され、その結果解像度が
向上し、磁気記録の高密度化が計れる。また、第
４図中実線で示す磁気抵抗素子１２近傍に発生す
る磁束は上記磁性体２，５を流れる閉磁路とな
る。したがつて、上記磁束は磁気抵抗素子１２の
深さ方向を深く磁化する流れとなり、この素子１
２の抵抗変化を大きくするから、磁性媒体１３の
再生を高効率に行うことができる。

また、磁気抵抗素子１２の両側には磁性体２，
５が接合されている。したがつて、磁気抵抗素子
１２は、上記磁性体２，５によつて被磁性媒体１
３と必要以上に強く接触することが防止されるか
ら、ほとんど摩耗することなく長期に亘つて性能
を維持することができる。

さらに、非磁性導電材１０，１０を第２の接合
体４のトラツク幅Twを規制する凹部７，７に埋
設し、この非磁性導電材１０，１０を磁気抵抗素
子１２のリード線としたから、磁気抵抗ヘツドが
高密度化するに伴い小さくなつても、磁気抵抗素
子１２のリード線を容易に設けることができる。

なお、上記実施例では磁気抵抗素子１２の両側
面に磁性体２，５を設けたが、磁性体は磁気抵抗
素子１２の一側面だけに設けても上記実施例と同
様の効果を得ることができる。

つぎに、上記磁気抵抗ヘツドの製造方法を第５
図乃至第１１図にもとづいて説明する。なお同一
部分には同一記号を付して説明を省略する。ま
ず、第５図に示すように磁性体２，５と非磁性絶
縁体３，６とが接合された一対のブロツク１４
ａ，１４ｂを用意し、これらブロツク１４ａ，１
４ｂにそれぞれ断面半円形状の多数の凹部７……
…を上記接合面に対して直角方向に等間隔で形成
する。そして、第１の接合体１となる一方のブロ
ツク１４ａの凹部７………には第６図に示すよう
に耐摩耗性絶縁物８………を埋設する。

つぎに、第２の接合体４となる他方のブロツク
１４ｂの凹部７………には、第７図に示すように
ガラスを蒸着スパツタするかあるいは粉末を塗布
したのみ加熱溶解して耐摩耗性絶縁膜９を形成
し、ここにAu、Ag、Cuなどの金属棒１５………
を接着して設ける。そして、これらの金属棒１５
………を第８図に示すようにブロツク１４ｂと同
一平面となるように研摩する。つぎに、第９図に
示すようにブロツク１４ｂの凹部７………の間の
平面全体にガラス膜等の絶縁物１１………をスパ
ツタあるいは蒸着などの手段により形成する。そ
ののち、このブロツク１４ｂの上記ガラス膜１１
………が形成された面に第１０図に示すように磁
気抵抗素子１２を第２の磁性体５の厚さと同じか
やゝ大きな幅で帯状にこの第２の磁性体５の全長
に沿つて蒸着あるいはスパツタによつて設ける。
さらに、この磁気抵抗素子１２を覆うようにガラ
ス膜１１を設ける。

つぎに、このように第１のブロツク１４ａと第
２のブロツク１４ｂとを形成したならば、これら
を第１１図に示すようにそれぞれの凹部７………
が対応するように低融点ガラスなどの接着剤で接
着してヘツドブロツク１６を形成する。そして、
このヘツドブロツク１６を図中鎖線で示すように
切断すれば、上記実施例に挙げた磁気抵抗ヘツド
を得ることができる。

なお、この製造方法において、磁性体２，５の
比抵抗が磁気抵抗素子１２に比べ十分に大きけれ
ば、磁気抵抗素子１２の両側面にガラス膜１１，
１１を設ける工程を省略してもなんら差し支えな
い。

以上述べたようにこの発明は、接合された一対
のブロツクを所定幅でスライスすることによつ
て、磁束が磁気抵抗素子の深さ方向を深く磁化す
る流れとなり、この素子の抵抗変化を大きくして
再生効率を向上させることができる磁気抵抗ヘツ
ドを量産することができる。

【図面の簡単な説明】

図面はこの発明の一実施例を示すもので、第１
図は平面図、第２図は側面図、第３図は第１図Ａ
部の拡大図、第４図は要部を断面して作用を示し
た説明図、第５図〜第１１図は製造工程を順次示
した説明図である。 ２，５……磁性体、１２……磁気抵抗素子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 磁性体と非磁性絶縁体とが接合された一対の
   ブロツクにそれぞれ上記接合された面に対して直
   交する方向に沿う多数の凹部を等間隔で形成する
   第１の工程と、一方のブロツクの凹部に耐摩耗性
   絶縁物を埋設する第２の工程と、他方のブロツク
   の凹部に耐摩耗性絶縁膜を介して非磁性導電材を
   埋設する第３の工程と、上記他方のブロツクの上
   記非磁性導電材が埋設された面にこのブロツクを
   形成する上記磁性体に沿つて帯状の磁気抵抗素子
   を設ける第４の工程と、上記一方のブロツクと他
   方のブロツクとをこれらの凹部を対応させて接合
   固定する第５の工程と、接合された一体のブロツ
   クを上記凹部の幅方向中心に沿つて切断する第６
   の工程とを具備したことを特徴とする磁気抵抗ヘ
   ツドの製造方法。