JPH03687B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 利用分野 本発明は、垂直磁気記録再生に適した垂直型磁
気ヘツドの製造方法に関するものである。 一般に、垂直磁気記録再生方式は高密度記録に
適しており、その応用として磁気デイスクやフロ
ツピーデイスク等の電子計算機の端末装置や民生
用のビデオシステム及びオーデイオ用磁気記録再
生装置等へ利用することにより、装置の小型化、
高忠実度化が期待されている。そして、斯る垂直
磁気記録再生方式に用いられる垂直型磁気ヘツド
は、第１図に一例を示す如く、高透磁率の磁性薄
膜（例えば、パーマロイ、センダスト、非晶質磁
性体等）からなる主磁極１と該主磁極１に対向し
て配される高透磁率磁性材（例えば、フエライト
等）からなる補助磁極２とより構成され、従来で
は斯る主磁極１の先端部を記録媒体３（例えば、
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有するCoCr薄
膜３ａがポリエステル等のベース３ｂ上に高周波
スパツタ法により形成されている）の膜面に対向
せしめると共に補助磁極２をその反対側（即ち、
ベース側）に対向せしめ、斯る補助磁極２に巻装
された記録再生コイル４に信号電流を流すことに
よつて主磁極１の先端部近傍に鋭い垂直磁界を発
生せしめて記録媒体３（この場合、矢印Ａ方向に
移動されている）に垂直記録を行なうようにして
いる。 (ロ) 従来技術 そして、従来では斯る主磁極の具体的構造とし
て第２図に示す如く、パーマロイ、センダスト、
非晶質磁性体等からなる高透磁率の主磁性薄膜１
を、一対の補助部材５，５′の一方の接合面側に
形成した後、この接合面に他方の補助部材５′の
接合面を対向せしめて、斯る主磁性薄膜１を挟み
込むように接着剤（例えば、エポキシ系樹脂）に
て接合接着して主磁極６を構成していた。ここ
で、前記補助部材５，５′はその先端部のみが例
えばガラス等の非磁性材７，７′で構成され、残
りの部分は主磁極６の磁気的な抵抗を減じて記録
再生効率を向上させるために高透磁率磁性材８，
８′（例えば、フエライト）にて構成されている。 (ハ) 問題点 然し乍ら、この様な構造の主磁極においても、
その記録トラツク密度を向上させるべく記録媒体
のトラツク幅を狭くすると、主磁性薄膜１の幅Ｗ
がトラツク幅に対応して設定されていることか
ら、斯るトラツク幅を狭くするに伴なつて主磁極
６の幅も全体的に狭くなり、従つて磁気的な抵抗
が次第に増大していた。そのため、狭トラツク化
に伴なう記録再生効率の低下が問題になつてい
た。 (ニ) 解決策 そこで、出願人は狭トラツク化においても記録
再生効率の良い垂直型磁気ヘツドの主磁極を特願
昭57−45438号として既に提案しており、具体的
には第３図に示す如く高透磁率の主磁性薄膜１の
先端部の幅Ｗ（即ち、トラツク幅に対応）に対し
後部の幅W′をトラツク幅よりも十分広く設定す
ると共に、斯る主磁性薄膜１を挟み込んでいる前
記補助部材５，５′においても主磁性薄膜１と同
様に高透磁率磁性材８，８′よりなる後端部の幅
をトラツク幅よりも十分広い幅W′に設定し、且
つその上面の一部を細く絞つた突出形状にして非
磁性材７，７′と共にその先端部の幅がトラツク
幅に対応する幅Ｗになるような構造にして主磁極
９を構成したものである。この様に主磁性薄膜１
と高透磁率磁性材８，８′よりなる補助部材５，
５′の後端部の幅をトラツク幅よりも十分広くし
て、磁気的な抵抗を減じた構造にすれば、記録ト
ラツク密度の向上に伴なつて記録媒体のトラツク
幅の狭小化が計られても、磁気的な抵抗の小さい
即ち記録再生効率の良い垂直型磁気ヘツドを容易
に得ることが出来る。 また、第４図に示す如く補助部材５，５′の高
透磁率磁性材８，８′の上面全体を非磁性材７，
７′にて覆うように構成すれば、狭トラツク化に
伴なつてその幅が薄くなつた主磁極９′先端部の
機械的強度を補うことが出来ると共に、高透磁率
磁性材８，８′の所謂肩部８ａ，８ｂ，８a′，８
b′よりの漏れ磁束の影響を受けて主磁極先端の磁
束が広がらないようにすることも出来る。 (ホ) 発明の目的 本発明は、この様に狭トラツク化においても記
録再生効率の良い垂直型磁気ヘツドの量産に適し
た製造方法を提案するものである。 (ヘ) 実施例 以下、その製造方法について第５図乃至第１０
図を参照にしながら説明する。 先ず、第５図に示す如き、例えばフエライト等
の高透磁率磁性材よりなる直方体形状のブロツク
１０の一側面１０ａ側に所要のトラツク幅Ｗに相
当する間隔Ｗごとに幅W′−W′の溝部１１をピツ
チW′でダイヤモンドカツター等により複数個削
設した後、その面１０ａを平面研磨した後鏡面研
磨する（第６図参照）。そして、この様にして得
られた第６図に示す如き形状のブロツク１０の一
側面１０ａ側に平板状の非磁性材１２（例えば、
ガラス，セラミツク等）を例えばガラス溶着法、
ガラス浸透法等によつて接合してその溝部１１に
ガラス１３を充填した後（第７図参照）、鎖線に
て示す個所から、即ち前記溝部１１を横断し且つ
前記ブロツク１０と非磁性材１２との接合面を斜
めに横断するように間隔ｔごとに切断して所謂厚
みｔの切断ブロツク１４を得る。前記切断ブロツ
ク１４は両側に切断面１４ａ，１４ｂを備え、そ
のうち一方の切断面１４ａは非磁性材１２の先端
鋭角部分１２ａを有し、他方の切断面１４ｂは非
磁性材１２の先端鈍角部分１２ｂを有する。そし
て、この切断ブロツク１４の前記一方の切断面１
４ａ側を鏡面研磨して、第８図に示す如き第１の
半割ブロツク１５を得る。更に、斯る第１の半割
ブロツク１５の鏡面研磨が施こされた接合面とし
ての切断面１４ａ上に高透磁率の磁性薄膜１６
（例えば、パーマロイ、センダスト、非晶質磁性
体）を高周波スパツタ法、蒸着法等により第９図
に示す如き櫛歯状に形成して、第２の半割ブロツ
ク１７を得る。そして、この様にして得られた第
２の半割ブロツク１７に、第８図に示す如き磁性
薄膜の形成されていない第１半割ブロツク１５を
その接合面としての接断面１４ａ側から突き合わ
せてガラス溶着法、ガラス浸透法、有機含浸接着
法等により接合し、第１０図に示す如き本体ブロ
ツク１８を得る。その後、斯る本体ブロツク１８
を第１０図に点線にて示す個所から切断してその
底部をフラツトにすると共に鎖線にて示す個所か
ら所要のヘツド幅に相当する間隔W′で切断した
後、側部切削加工とテープ対接面側の切削加工
等、所謂外形加工を施せば第４図に示す様な主磁
極９′が得られる。 (ト) 効果 上述した如く本発明の製造方法に依れば、記録
媒体の狭トラツク化においても記録再生効率の良
い垂直型磁気ヘツドを量産性良く製造することが
出来、産業上優れたものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は垂直磁気記録再生方式の原理図、第２
図は従来の垂直型磁気ヘツドの主磁極の具体的な
構成を示す斜視図、第３図はその改良型の主磁極
を示す斜視図、第４図は本発明に関する垂直型磁
気ヘツドの主磁極を示す斜視図、第５図乃至第１
０図は夫々その製造工程を示し、第５図及び第６
図はその溝加工する工程を夫々示す斜視図、第７
図はその切断ブロツクを得る工程を示す斜視図、
第８図はその第１の半割ブロツクを示す斜視図、
第９図はその第２の半割ブロツクを示す斜視図、
第１０図はその本体ブロツクを示す斜視図であ
る。 １０……ブロツク、１１……溝部、１４……切
断ブロツク、１５……第１の半割ブロツク、１７
……第２の半割ブロツク、１８……本体ブロツ
ク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 少なくとも先端部が非磁性材からなる一対の
   補助部材にて磁性薄膜を挟み込み、この磁性薄膜
   の先端部の幅を記録媒体のトラツク幅に対応させ
   ると共に、該磁性薄膜の後端部の幅を補助部材と
   共にトラツク幅より大きくして主磁極を構成して
   なる垂直型磁気ヘツドの製造方法において、磁性
   材よりなるブロツクの一側面側に所要のトラツク
   幅に相当する間隔ごとに溝部を設けるべく溝加工
   する工程と、該ブロツクの一側面側に非磁性材を
   接合してその溝部にガラスを充填する工程と、前
   記ブロツクを前記溝部を横断し且つ前記ブロツク
   と非磁性材との接合面を斜めに横断するように所
   定の間隔ごとに切断することにより、両側の切断
   面のうち一方の切断面が非磁性材の先端鋭角部分
   を有する切断ブロツクを得る工程と、該切断ブロ
   ツクの前記一方の切断面側を接合面として鏡面研
   磨し第１の半割ブロツクを得る工程と、該第１の
   半割ブロツクの鏡面研磨が施された接合面として
   の切断面上に磁性薄膜を形成して第２の半割ブロ
   ツクを得る工程と、前記第１、第２の半割ブロツ
   クの接合面同志を突き合わせて接合し本体ブロツ
   クを得る工程と、該本体ブロツクをその溝部分に
   て所要のヘツド幅で切断した後外形加工する工程
   とを含む垂直型磁気ヘツドの製造方法。