JPS61134046A - 部分メツキ方法 - Google Patents
部分メツキ方法Info
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- JPS61134046A JPS61134046A JP25704684A JP25704684A JPS61134046A JP S61134046 A JPS61134046 A JP S61134046A JP 25704684 A JP25704684 A JP 25704684A JP 25704684 A JP25704684 A JP 25704684A JP S61134046 A JPS61134046 A JP S61134046A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
この発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体装置用リードフレー
ムに関するもので、該リードフレームに密着性が良く且
つ部分メッキ位置寸法を正確に安定して部分メッキする
方法に関するものである。
ムに関するもので、該リードフレームに密着性が良く且
つ部分メッキ位置寸法を正確に安定して部分メッキする
方法に関するものである。
口。従来技術
ＩＣ等の半導体装置用リードフレームとは第１図に示す
ように中心にチップ搭載部（２）、その周囲に内部リー
ド（３）を有する形状に金属板を打ち抜いた金属片であ
る。通常リードフレームは金属のテープ（金属条）を逐
次多数を連続して打ち抜きしたのち、それぞれを切断し
て製造する。使用される金属条の材質はｐｅ−Ｎｉ合金
、Ｃｕ合金等である。リードフレームはチップ搭載部に
ＩＣチップを載せて内部リードとボンディングワイヤに
より接続する。そのためリードフレームではチップ搭載
部（２）、内部リード先端部（３）、即ち第１図の斜線
を付した部分にＡｇやＡｕの部分メッキ（４）を施して
ボンディングワイヤとの接続を容易にするのが一般的に
行われる。部分メッキは打ち抜きプレスされた金属条の
短い定尺条をバッチ処理で行ったり、長い金属条を連続
的に部分メッキステーションに間歇的に送り込んで部分
メッキを施したりしている。
ように中心にチップ搭載部（２）、その周囲に内部リー
ド（３）を有する形状に金属板を打ち抜いた金属片であ
る。通常リードフレームは金属のテープ（金属条）を逐
次多数を連続して打ち抜きしたのち、それぞれを切断し
て製造する。使用される金属条の材質はｐｅ−Ｎｉ合金
、Ｃｕ合金等である。リードフレームはチップ搭載部に
ＩＣチップを載せて内部リードとボンディングワイヤに
より接続する。そのためリードフレームではチップ搭載
部（２）、内部リード先端部（３）、即ち第１図の斜線
を付した部分にＡｇやＡｕの部分メッキ（４）を施して
ボンディングワイヤとの接続を容易にするのが一般的に
行われる。部分メッキは打ち抜きプレスされた金属条の
短い定尺条をバッチ処理で行ったり、長い金属条を連続
的に部分メッキステーションに間歇的に送り込んで部分
メッキを施したりしている。
また部分メッキを一回で行うとリードフレームとメッキ
の密着性が悪いので下地メッキをしてその土に本メッキ
を行うのが通常である。例えばＡｇを部分メッキする場
合には、メッキ工程内で金属条を前処理した後、チップ
搭載部及び内部リード先端部の所定の位置に先ずＡｇも
しくはｃｕの薄い（０，５μｍ程度）下地メツキク５）
を施し、その土の同じ位置に比較的に厚い（数μｍ以上
）Ａｇの本メッキ（６）を施すのが一般的である。第５
図はその２重メッキ部分の理想的断面を示す図面である
。
の密着性が悪いので下地メッキをしてその土に本メッキ
を行うのが通常である。例えばＡｇを部分メッキする場
合には、メッキ工程内で金属条を前処理した後、チップ
搭載部及び内部リード先端部の所定の位置に先ずＡｇも
しくはｃｕの薄い（０，５μｍ程度）下地メツキク５）
を施し、その土の同じ位置に比較的に厚い（数μｍ以上
）Ａｇの本メッキ（６）を施すのが一般的である。第５
図はその２重メッキ部分の理想的断面を示す図面である
。
ハ０発明が解決しようとする問題点
しかしながら前記従来の方法で部分メッキを行うには第
５図に示すように下地メッキの寸法が本メッキの寸法よ
り大きくなｃｊればならない。もし本メツキ寸法が下地
メッキ寸法より大きいと本メッキのはみ出し部分の密着
性が悪くなり不良となる。このことはメッキ歩留り低下
の原因となっていた。また下地メッキと本メッキを２重
にするので、工程の標準として所定の部分メッキの公差
に対してそれぞれのメッキ工程を公差の１／２ 公差内
に納める必要があり、そのため工程の精度を高めなけれ
ばならず且つメッキ位置不良による歩留りの低下があっ
た。
５図に示すように下地メッキの寸法が本メッキの寸法よ
り大きくなｃｊればならない。もし本メツキ寸法が下地
メッキ寸法より大きいと本メッキのはみ出し部分の密着
性が悪くなり不良となる。このことはメッキ歩留り低下
の原因となっていた。また下地メッキと本メッキを２重
にするので、工程の標準として所定の部分メッキの公差
に対してそれぞれのメッキ工程を公差の１／２ 公差内
に納める必要があり、そのため工程の精度を高めなけれ
ばならず且つメッキ位置不良による歩留りの低下があっ
た。
更に一般に厚い本メッキは下地メッキよりメッキ浴の流
速を早くして行うので、その流速圧により本メツキ時に
内部リードの側面部分にメッキ液のしみ出しが生じ、内
部リード側面の下地メッキの無い部分まで本メッキのし
み出し析出が発生し、その結果その後の工程でＩＣの組
立を行った時に該しみ出しメッキ部分が剥離する場合が
あるという欠点があった。
速を早くして行うので、その流速圧により本メツキ時に
内部リードの側面部分にメッキ液のしみ出しが生じ、内
部リード側面の下地メッキの無い部分まで本メッキのし
み出し析出が発生し、その結果その後の工程でＩＣの組
立を行った時に該しみ出しメッキ部分が剥離する場合が
あるという欠点があった。
二０問題点を解決するための手段
この発明は打ち抜きプレス加工した金属条をメッキ工程
のための前処理をした後、まずリードフレーム全面（表
裏側面を含む）にＡｇまたはｃｕの下地メッキを施し、
次ぎに所定の部分にＡｇの本メッキを行い、その後不要
な部分の下地メッキを剥離除去する部分メッキ方法であ
り、従来の方法の欠点を解消したリードフレームの部分
メッキ方法を提供するものである。
のための前処理をした後、まずリードフレーム全面（表
裏側面を含む）にＡｇまたはｃｕの下地メッキを施し、
次ぎに所定の部分にＡｇの本メッキを行い、その後不要
な部分の下地メッキを剥離除去する部分メッキ方法であ
り、従来の方法の欠点を解消したリードフレームの部分
メッキ方法を提供するものである。
以下実施例と図面を用いて本発明を説明する。
第１図に示すように打ち抜きプレス加工を行った金属条
に第２図に断面を示すように全面にＡｇの下地メッキ（
５）を施す。この場合のリードフレーム素材として鉄−
ニッケル合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）を用いた。次ぎ
に第３図に断面を示すようにマスキングしながら所定部
分のみにＡｇの本メッキ（６）を行う。本メッキをした
後金面Ａｇ下地メッキの不要な部分を剥離除去して第４
図に断面のようなメッキ状態とする。
に第２図に断面を示すように全面にＡｇの下地メッキ（
５）を施す。この場合のリードフレーム素材として鉄−
ニッケル合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）を用いた。次ぎ
に第３図に断面を示すようにマスキングしながら所定部
分のみにＡｇの本メッキ（６）を行う。本メッキをした
後金面Ａｇ下地メッキの不要な部分を剥離除去して第４
図に断面のようなメッキ状態とする。
下地メッキの剥離除去は逆電解法或いは浸漬（溶解）法
のいずれでも良いが下地メッキは薄いので剥離除去作業
をしても本メッキには大きな影響は与えない。
のいずれでも良いが下地メッキは薄いので剥離除去作業
をしても本メッキには大きな影響は与えない。
従来の部分メッキ方法によるメッキ部分は第５図に断面
を示すように下地メッキ（５）が必ず本メッキ（６）よ
り大きな寸法であり、従って各２回の部分メッキの位置
精度は全寸法公差の１／２ 以内でなければならないが
、本発明の部分メッキ方法では部分メッキ工程は１回の
みであるから部分メッキの位置寸法のコントロールが容
易である（１回の部分メッキの位置寸法では公差の全域
が許される）。
を示すように下地メッキ（５）が必ず本メッキ（６）よ
り大きな寸法であり、従って各２回の部分メッキの位置
精度は全寸法公差の１／２ 以内でなければならないが
、本発明の部分メッキ方法では部分メッキ工程は１回の
みであるから部分メッキの位置寸法のコントロールが容
易である（１回の部分メッキの位置寸法では公差の全域
が許される）。
また本発明のメッキ方法によると第４図に示すように下
地メッキと本メッキの周辺は完全に一致し、さらに本メ
ツキ部分の下には必ず下地メッキが存在するので密着不
良は完全に無くなるという長所を有する。
地メッキと本メッキの周辺は完全に一致し、さらに本メ
ツキ部分の下には必ず下地メッキが存在するので密着不
良は完全に無くなるという長所を有する。
本発明において全面に施した下地メッキの不要部分は剥
離除去するが除去した金属は回収することが容易である
ためコスト的には全く問題は生じない。むしろ部分メッ
キ寸法位置不良や密着不良による歩留りが向上すること
によりコストは低下する利点がある。
離除去するが除去した金属は回収することが容易である
ためコスト的には全く問題は生じない。むしろ部分メッ
キ寸法位置不良や密着不良による歩留りが向上すること
によりコストは低下する利点がある。
本発明者の場合には本発明の方法により実際に部分メッ
キ位置寸法不良、部分メッキずれによる密着不良及び側
面へのはみ出しメッキによるメッキ剥れ不良等を合わせ
て約５％の歩留り改善をはかることができた。
キ位置寸法不良、部分メッキずれによる密着不良及び側
面へのはみ出しメッキによるメッキ剥れ不良等を合わせ
て約５％の歩留り改善をはかることができた。
以上リードフレームの素材として鉄−ニッケル合金、下
地メッキ及び本メッキとしてＡｇを用いた場合を説明し
たが、リードフレームはＣｕ合金等でも良くまた下地メ
ッキとしてＣｕ ｔ Ｎ１等の材料を用いても本発明の
効果が得られることは明白である。
地メッキ及び本メッキとしてＡｇを用いた場合を説明し
たが、リードフレームはＣｕ合金等でも良くまた下地メ
ッキとしてＣｕ ｔ Ｎ１等の材料を用いても本発明の
効果が得られることは明白である。
上記に説明したメッキ方法はリードフレームのみでなく
、一般に位置寸法を精密に且つ剥離しないように確実に
メッキする時にも応用できる。
、一般に位置寸法を精密に且つ剥離しないように確実に
メッキする時にも応用できる。
ホ０発明の効果
以上に詳しく説明したように本発明は全血下地メッキの
上に１回のみの部分メッキを本メッキとして施して、後
下地メッキの不要部分を剥離除去するので、本メッキの
部分位置寸法のコントロールが容易であり、また本メッ
キの下には必ず下地メッキが存在してメッキの後工程で
のメッキ剥離等が生じなく、従来の部分メッキ方法に比
しコストを増大すること無しにリードフレームの部分メ
ツキネ良を減少することができる有効なものである。
上に１回のみの部分メッキを本メッキとして施して、後
下地メッキの不要部分を剥離除去するので、本メッキの
部分位置寸法のコントロールが容易であり、また本メッ
キの下には必ず下地メッキが存在してメッキの後工程で
のメッキ剥離等が生じなく、従来の部分メッキ方法に比
しコストを増大すること無しにリードフレームの部分メ
ツキネ良を減少することができる有効なものである。
第１図はリードフレームの金属条の部分平面図、第２図
、第３図、第４図は本発明の工程でのメッキ状態を示す
断面図、第５図は従来の方法によるメッキ状態の断面図
である。
、第３図、第４図は本発明の工程でのメッキ状態を示す
断面図、第５図は従来の方法によるメッキ状態の断面図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＩＣ等を搭載するリードフレーム等の精密部分メッ
キ方法において、所定の形状に加工した金属条の全面に
薄い下地メッキを施したのち本メッキを所定の位置に部
分メッキを行い、その後不要な部分の下地メッキを剥離
除去することを特徴とする部分メッキ方法 ２、リードフレームに部分メッキを施す方法において所
定の形状にプレス加工した金属条に下地メッキとしてＡ
ｇまたはＣｕメッキを施し、次いでチップ搭載部及び内
部リード先端部にＡｇの部分メッキを施すことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の部分メッキ方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25704684A JPS61134046A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 部分メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25704684A JPS61134046A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 部分メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134046A true JPS61134046A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17300982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25704684A Pending JPS61134046A (ja) | 1984-12-04 | 1984-12-04 | 部分メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134046A (ja) |
-
1984
- 1984-12-04 JP JP25704684A patent/JPS61134046A/ja active Pending
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