JPS61129171A - ピラジン誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、ピラジン環の２位及び５位に互いに異なる置
換基を有するピラジン誘導体、その製造法およびそれを
含む液晶性組成物に関するものである。

［発明の背景］ 液晶性を有する化合物は、様々な分野で電気光学的液晶
表示素子（Ｌ　ＣＤ）の材料として用いられている。電
気光学的液晶表示には、ＴＮ型、ＧＨ型、ＤＡＰ型、相
転位！！！！等の各種の方式があるが、各方式により、
使用される液晶に対するに求が異なっている。したがっ
て、これらの要求を満たすために、様々な種類の液晶性
化合物が開発、提案されている。

たとえば、ピラジン環の２位及び５位に同一の置換基を
有するピラジン誘導体とその製造法、そしてそのような
ピラジン誘導体が液晶としての特性を有していることに
ついて、Ｈ，５ｃｈｕｂｅｒｔ。

Ｒ，Ｈａｃｈｅｒ　＆　Ｋ、　Ｋｉｎｄｅｒｍａｎｎに
よる　Ｊ、　ｐｒａｋｔ。

Ｃｈｅｙｒ、　（４）　３７．１２　（１９８８）記載
の報告がある。一方、特開昭５８−４３９６１号公報に
記載の新規なピラジン誘導体及びその製造法において、
ピラジン環の２位及び５位に互いに異なる置換基を有す
るピラジン誘導体が、上記ピラジン環の２位及び５位に
同一の置換基を有するピラジン誘導体と比較して、さら
に優れた液晶特性を示すことが明らかにされた。

上記特開昭５８−４３９６１号公報記載の新規なピラジ
ン誘導体は、一般式 ［式中、Ｒ１は、炭素数３〜９の脂肪族アルキル基（Ｙ
は、炭素ａ１〜７の脂肪族アルキルもしくはアルコキシ
ル基、ハロゲン原子又はニトリル基を表わす）、モしで
Ｒ２は、炭素数１〜１１の脂肪族アルキルもしくはフル
コキシ基、ベンゾイルオキシ基、ハロゲン原子、又はニ
トリル基を表い］で表わされるものである。

また同時に、その製造法として、一般式％式％ ［式中、Ｒムは、炭素数３〜９の脂肪族アルキル基（Ｙ
は、炭素数１〜７の脂肪族アルキルもしくはアルコキシ
ル基、ハロゲン原子又はニトリル基を表わす）を表わし
、そしてＸは／＼ロゲン原子を表わす〕を有するα−７
ミノケトン誘導体と、一般式 ［式中、Ｒｚは、炭素！！［１〜１１の脂肪族アルキル
もしくはアルコキシ基、ベゾイルオキシ基、ハロゲン原
子、又はニトリル基を表わす、ただしシリン誘導体とを
反応させることを特徴とする方法が開示されている。

しかし、液晶性を有する化合物に対する産業界の要求は
、水分、熱、光等の影響に対して、物理的　化学的、電
気的に安定であること、液晶性を示す温度が室温を中心
にして広いこと、低粘度であること、駆動電圧が低いこ
と等、様々なものがある。これに対して、単独の液晶性
化合物でこれらの要求を全て満たすものは、今だ見い出
されていない、したがって、新規な化合物ばかりでなく
、一般的な構造式として公知である物質の中からも、よ
り具体的な化合物としてざらに優れた液晶特性を有する
物質も探し求められている。

また、実用的には単独の液晶性化合物を用いるよりも、
個々の点で優れた性質を持つ数種類の液晶性化合物や非
液晶性化合物を混合して、ある程度、実用に耐えうる材
料（液晶性組成物）を得ているのが現状である。したが
って、前記液晶としての特性以外にも、上記液晶性組成
物を構成する化合物として一般に用いられる場合が多い
ベンゾニトリル誘導体、シアノビフェニル誘導体等の液
晶性化合物との相溶性も、液晶性化合物として重要な特
性となっている。そのため、優れた液晶性を有し、かつ
上記のような相溶性がよい特性を有する化合物が求めら
れている。

［発明の要旨１ 本発明者は、ピラジン環の２位及び５位に互いに異なる
置換基を有するピラジン誘導体について、検討を加え本
発明に到達した。

本発明の目的は、物理的、化学的、電気的に安定であり
、電圧・透過率特性などの液晶としての性質が優れてい
る化合物およびその製造方法を提供することである。

また本発明の他の目的は、液晶性組成物を製造するため
の主成分として有用である化合物およびそれを含む液晶
性組成物を提供することである。

本発明は、一般式（ｒ） ［式中、ＲＩは、炭素数１〜１２の脂肪族アルキル基を
表わし、モしてＲ２は、炭素数１〜１０の脂肪族アル本
ルもしくはアルコキシ基または臭素原子を表わす］で表
わされるピラジン誘導体を提供するものである。

上記ピラジン誘導体は、一般式（ＩＩ　）［式中、Ｘは
、ハロゲン原子又はＡｒ５Ｏ□０（Ａｒは、アリール基
を表わす）を表わし、モしてＲ２は、炭素数１〜１０の
脂肪族アルキルもしくはアルコキシ基または臭素原子を
表わす］で表わされるピラジン誘導体を、遷移金属のハ
ロゲン化物および／または四級アンモニウム塩の存在下
に　一般式（ｍ） Ｒ’ＭｇＹ　　　　　　　（［Ｉ［） ［式中、Ｒ１は、炭素数１−１２の脂肪族アルキル基を
表わし、モしてＹはハロゲン原子を表わす］で表わされ
るグリニア試薬と反応させる未発明の製造方法を用いる
ことで容易に製造することができる。

また本発明は、上記ピラジン誘導体を少なくとも一種含
有することを特徴とする液晶性組成物を提供するもので
もある。

［発明の効果］ 本発明が提供するピラジン誘導体は、可視光に対して無
色であり、水分、ａ、光等の影響に対して、物理的、化
学的、電気的に安定である等、液晶性化合物としての特
性が優れている。

また上記ピラジン誘導体は、液晶性化合物としての通常
の特性に加えて、他の液晶性化合物との相溶性もよいた
め、各種の特性を示す液晶組成物の構成成分として有用
である。特に、）：記ピラジン誘導体は、他の液晶性化
合物と混合した場合、その電圧・透過率特性を急峻にす
ることが可能なため１時分割駆動用の液晶組成物の成分
として優れた性質を有している。

本発明が提供する上記ピラジン誘導体の製造方法は、遷
移金属のハロゲン化物および／または四級ア７モニウム
１ｕの存在下で反応を進行させることを特徴として、ピ
ラジン誘導体を高い収率で得ることができる効果を有す
るものである。

［発明の詳細な記述］ 本発明のピラジン誘導体は　一般式（Ｉ）で表わされる
。

一般式（Ｉ）においてＲ１は、メチル、エチル　ｎ−プ
ロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ
−ヘプチル、ｎ−オクチル。

ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシルおよびｎ−ド
デシル、そしてこれらの各種の異性体を含む炭素ａ１〜
１２の脂肪族アルキル基である。

また、一般式（Ｉ）においてＲ２は、メチル。

エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ
−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル　ｎ−ノニル
およびｎ−デシル、そしてこれらの各種の異性体を含む
炭素数１〜１０の脂肪族アルキルノ、Ｂ；　、メトキシ
、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｎ−ブト＋シ、ｎ−ペン
チルオキシ、ｎ−へキシルオキシ、ｎ−へプチルオキン
、ｎ−オクチルオキシ　ｎ−７ニルオキシおよびｎ−デ
シルオキシ２そしてこれらの各種の異性体を含む炭素数
１−１０の脂肪族アルコキシ基；もしくは臭素原子であ
る。

なお一般式（１）で表わされる化合物は、２−フルキル
−５−（４−フルキルフェニル）ピラジン　２−アルキ
ル−５−（４−アルコキシフェニル）ピラジンおよび２
−フルキル−５−（４−ブロモフェニル）ピラジンのい
ずれかである。

本発明のピラジン誘導体は、一般式（ＩＩ）で表わされ
るピラジン誘導体を、遷移金属のハロゲン化物および／
または四級アンモニウム塩の存在下に、一般式（ＩＩＩ
） ＲＬＭｇＹ　　　　　　　（ＩＩＩ） で表わされるグリニア試薬と反応させる方法によりｔＡ
造することができる。

一般式（■）および（ＩＩＩ）におけるＲ１とＲ２は、
前記一般式（Ｔ）におけるものと同じ意味を有するもの
である。一般式（■）におけるＸは、塩素、臭素、ヨウ
素およびフッ素などのハロゲン原子、またはＡｒ５Ｏ２
０（Ａｒは、７ｘニル。

およびＰ−１リル等のアリール基を表わす）である、ま
た一般式（ｍ）におけるＹは、塩素、臭素、ヨウ素およ
びフッ素などのハロゲン原子である。

一般式（ＩＩ　）で表わされるピラジン誘導体は公知の
方法を用いて製造することができる。たとえば、Ｈ２Ｎ
ＣＨ２Ｃ０ＮＨ，−ＨＣｆＬおよび一般式（ＩＶ） ［式中、Ｒ２は、炭素数１〜１０の脂肪族アルキルもし
くはアルコキシ基または臭素原子を表わす］で表わされ
る化合物を反応させることで、一般式（Ｖ） ［式中、Ｒ２は、炭素数１〜１０の脂肪族フルキルもし
くはアルコキシ基または臭素原子を表わす］で表わされ
るピラジン誘導体を製造して、この一般式（Ｖ）で表わ
されるピラジン誘導体とＰｏＣ見３およびＰＣｌ５等の
すキシハロゲン化リンまたはハロゲン化リン、あるいは
Ａｒ５Ｏ２Ｃ１（Ａｒは、フェニルおよびＰ−）リル等
の７リール基を表わす）を反応させることで前記一般式
（ＩＩ）で表わされるピラジン誘導体を製造することが
できる。

本発明のピラジン誘導体の製造方法における、一般式（
ＩＩ　）で表わされるピラジン誘導体を、一般式（ｍ）
で表わされるグリニア試薬と反応させる方法そのものは
、クロロピラジンをグリニア試薬（例、ＣＨ３Ｍｇ　Ｉ
）あるいはリチウム試薬（例、ＣＨ３Ｌ　ｉ　、Ｃ６Ｈ
５Ｌ　ｉ）と反応させてアルキルピラジンを合成する方
法として既に公知である。上記合成方法の詳細について
は、Ａ、　ＦＢｒａｍｗｅｌｌ、　Ｒ，Ｄ、　Ｗｅｌｌ
ｓ、　Ｔｅｔｒａｈｓｄｒｏｎ、　１９７２゜２８、４
１５５およびり、　Ｊ、　Ｂｅｒｒ７．　Ｊ、　Ｄ、　
Ｃｏｏｋ、　Ｂ、　Ｊ。

ＷａｋｅｆｉＩ！ｌｄ、　Ｊ　ＣＳ　、　Ｐｅｒｋｉｒ
ｕ　、　１９７２．２＋９０ｋＪの文献に記載されてい
る。しかし、これらのフルキルピラジンの合成方法は、
上記文献中に明らかにされているように、アルキル基の
炭素数が増大すると、目的とするアルキルピラジンの収
量が低くなるものである。具体的には、上記方法でブチ
ルピラジン（炭素数４）を合成することは、その収量の
低さから非常に困難であるとされていた。

本発明者は、遷移金属のハロゲン化物および／または四
級アンモニウム塩の存在下で上記反応を進行させること
で、アルキルピラジンを高い収率で合成することを可能
なものとした。遷移金属のハロゲン化物または四級アン
モニウム塩のいずれか一方のみを加えることでも本発明
の効果は得られるが、遷移金属のハロゲン化物および四
級アンモニウム塩の自刃を加えた力が１本発明の効果が
顕著なものとなるため好ましい。

上記遷移金属のハロゲン化物の具体例としては、塩化第
二鉄、塩化コバルト、臭化第二銅等を挙げることができ
る。また上記反応系に対する遷移金属のハロゲン化物の
添加量としては、一般式（［１）で表わされるピラジン
誘導体１モル当り、０．０００１モル〜０．１モルの範
囲内であることが好ましい。

上記四級アンモニウム塩の具体例としては、塩化テトラ
−ｎ−ブチルアンモニウム、臭化テトラ−ｎ〜ブチルア
ンモニウム、塩化トリメチルヘンシルアンモニウム等を
挙げることができる。またと記反応系に対する四級アン
モニウム塩の添加量としては、一般式（１１）で表わさ
れるピラジン誘導体１モル当り、００１モル〜１０モル
の範囲内であることが好ましい。

なお、合成反応に用いる溶媒としては、エーテル、テト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の一般にグリニア試薬を調
製する際に使用できるものを用いることができる。また
、上記合成反応は、−１００℃〜６０″Ｃの温度範囲内
で進行させることが好ましい。

上記反応により得られた生成物に、公知の分離操作、例
えば、カラムクロマトグラフィーや再結晶等の方法を行
なうことで本発明のピラジン誘導体を単離、精製するこ
とができる。

本発明のピラジン誘導体は、他の液晶性化合物または、
非液晶性化合物と混合して液晶性組成物として用いるこ
とができる０本発明のピラジン誘導体は、他の液晶性化
合物と混合した場合に、その電圧・透過率特性を急峻に
することが可能なため、特に、時分割駆動用の液晶性組
成物の成分として有用である。

本発明のピラジン誘導体と混合して使用することができ
る液晶性化合物の例としては１次の化合物を挙げること
ができる。

ｐ−（トランス−４−フルキルンクロヘキシル）ベンン
ニトリル、 トランス−４−フルキル−１−（ｐ−アルコキシフェニ
ル）シクロヘキサン。

４−フルキル−４′−シアノビフェニル、トランス−５
−フルキル−２−（ｐ−シアノフェニル）−１，３−ジ
オキサン、 トランス−５−フルキル−２−（ｐ−アルコキシフェニ
ル）−１，３−ジオキサン。

５−フルキル−２−（ｐ−シアノフェニル）ピリミジン
、 ５−フルキル−２−（ｐ−アルコキシフェニル）ピリミ
ジン、 ４−　（トランス−４−フルキルシクロヘキシル）４′
−シアノビフェニル、 ４−　（）ランス−４−アルキルノクロヘキシル）　−
４°−（トランス−４−フルキルシクロヘキシル）ビフ
ェニル、 ｐ−アルコキンフェニル；トランス−４−フルキルシク
ロヘキサンカルボキンラード。

ｐ−フルコキシフェニル＝４−フルキルベンンアート、 ｐ−シアノフェニル＝４−フルキルヘンゾアー２−フル
キル−５−（ｐ−シアノフェニル）ピラジン。

２−フルコキシー５−　（ｐ−フルキルフェニル）ピラ
ジン、および ２−シアノ−５−（ｐ〜アルキルフェニル）ピラジ／ 上記液晶性組成物の調製は従来利用されている技術に従
って実施することができる。

本発明のピラジン誘導体を他の液晶性化合物と混合し、
液晶性組成物とする場合は、該ピラジン誘導体を液晶性
ｍ酸物の全！ｉ量に対して１％〜７０％　好ましくは５
９６〜５０％含有させて用いることがよい、１％以下で
は、本発明のピラジン誘導体を含ませたことにより生じ
る効果が不充分となり、また７０％以上では液晶性組成
物の粘度が増大するため好ましくない。

次に本発明の実施例を示す。

［実施例１］ ２−（ｎ−ペンチル）−５−（４−ｎ−ブトキシフェニ
ル）ピラジンの製造 ２−クロロ−５−（４−ｎ−ブトキシフェニル）ピラジ
ン３．５０ｇ（１３，３ミリモル）をＴＨＦ５０ｍ見に
溶解し、臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム２．１４
ｇ（６，７ミリモル）ヲ加えて一３５℃で撹拌しながら
、グリニア試薬〔マグネシウム０．９０ｇ（３７ミリモ
ル〕、■−ブロモペンタノ５．６２ｇ　（３７ミリモル
）とＴＨＦ５０ｍｌから調製したコを１５分間かけて滴
下した。ついで、−４０″Ｃで塩化第二鉄０゜０７ｇ（
０，４３ミリモル）を加えて、−３０〜＝４０℃で１５
分間反応させた。ついで水３００ｍ１を加え、ヘキサン
で抽出（１５０ｍ１Ｘ３回）した、有機層を水洗（３０
０ｍｉＸ２回）したのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥
した。溶媒を除去して得られた残渣（ガスクロマド分析
の結果、残液中に目的物である２−（ｎ−ペンチル）−
５−（４−ｎ−ブトキシフェニル）ピラジンが８７％生
成していた）をシリカゲルクロー２トゲラフイー（ｕｌ
ＪＭ液：ｎ−ヘキサン／エチルエーテル）による分離操
作にかけ黄色結晶を得た。この結晶をメタノール／水を
溶媒として用いて再結晶させて、２−（ｎ−ペンチル）
−５−（４−ｎ−ブトキシフェニル）ピラジンの白色結
晶２．２３ｇを得た。

この再結晶物を分析したところ、融点は６１゜５〜６２
．５℃、　ＮＩ　（ネマティ７り相・等方性液体相転移
温度）は６１〜６０．５℃、ＮＳ（ネマティック相−ス
メクティック相転移温度）は５３〜５２．５℃を示した
。

またｒＲスペクトル（ＫＢ　ｒ）を測定したところ、２
９５０．２９２５．１１３５５．１６００．１４７５．
１２４０．１１７０．１０２０および８２５ｃｍ−’に
ピークを有するスペクトルが得られた。

［実施例２］ 臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを加えない以外は
、″Ａ施流側と同じ操作を行ない、−２０℃で反応を進
行させた。１５分後に得られた析出物にガスクロマド分
析を行なったところ、目的物である２−（ｎ−ペンチル
）−５−（４−ｎ−ブトキシフェニル）ピラジンが６５
％と還元物が１０％が生成していた。

〔実施例３〕 塩化第二鉄を加えない以外は、実施例１と同じ操作を行
ない、１５℃で反応を進行させた。５時間後に得られた
析出物にガスクロマド分析を行なったところ、目的物で
ある２　−（ｎ−ペンチル）〜５−（４−ｎ−ブトキシ
フェニル）ピラジンが４０％と上記実施例２に記載の還
元物が２８％生成していた。

［比較例１］ 臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムおよび塩化第二鉄
を加えない以外は、実施例１と同じ操作を行なったとこ
ろ、１０℃以トでは１時間後において、はとんど反応は
進行していなかった。また２０℃で反応を進行させたと
ころ３時間後に、目的物である２−（ｎ−ペンチル）−
５−（４−ｎ−ブトキシフェニル）ピラジンが３６％、
上記実施例２に記載の還元物が３５％生成していた。

［実施例４］ ２−（ｎ−ヘキシル）−５−（４−ブロモフェニル）ピ
ラジンの製造 ２−クロロ−５−（４−ブロモフェニル）ピラジン３３
．７ｇ（１２５ミリモル）をＴＨＦ７００ｍＡに溶かし
、臭化テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム１２．１１ｇ（
３７，６ミリモル）を加え、−４０℃で攪拌しながらグ
リニア試薬［１−ブロモヘキサン５１．６ｇ（３１２ミ
リモル）、マグネシウム７．６０ｇ（３１３ミリモル）
およびＴＨＦ３００ｍｊＬから調製した］を滴下した後
、−４２℃で１１！化第−鉄り、６ｇ（１０ミリモル）
を少しずつ加え、さらに２５分間、−４０℃〜−３５℃
で反応を続けた。ついで水３００ｍ１を加えて、ヘキサ
ンで抽出（１５０ｍＪＬＸ３回）した、有機層を水洗（
３００ｍｉＸＺ回）したのち、無水硫酸マグネシウムで
乾燥した。溶媒を除去して得られた析出物をシリカゲル
クロマトグラフィー（展開液：ｎ−ヘキサン／エチルエ
ーテル）による分離操作にかけて結晶３８．４ｇを得た
。この結晶を、ｎ−ヘキサンを溶媒として用いて再結晶
させ、２−（ｎ−ヘキシル）−５−（４−ブロモフェニ
ル）ピラジンの結晶を得た。

この再結晶物を分析したところ、融点８１〜８３℃を示
した。

またＩＲスペクトル（ＫＢ　ｒ）を測定したところ、２
９１０．２８５０．１４６５．１１５０゜１０１５．１
０００．８２０ｃｍ”’にピークを有するスペクトルが
得られた。

このようにして得られた２−（ｎ−ヘキシル）−５−（
４−ブロモフェニル）ピラジン誘導体の方法に従って、
ＣｕＣＮと反応させたところ、２−（ｎ−ヘキシル）−
５−（４−シアノフェニル）ピラジンが生成した。

〔実施例５］ ２−（ｎ−ペンチル）−５−（４−ｎ−ヘプト４’／フ
エニル）ピラジンの製造 ５−（４−ｎ−へブトキシフェニル）ピラジン−２−イ
ル士Ｐ−）ルエンスルホナート９．６ｇ（２１，８ミリ
モル）をＴＨＦｌｏｏｍＪＬに溶解し、臭化テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウム２．０ｇ　（６，２ミリモル）を
加えた。ついで、−１５℃で攪拌しながら、グリニア試
薬（Ｍｇ２．０５ｇ（８４，４ミリモル）、１−ブロモ
ペンタン１２．７１ｇ（８４，２ミリモル）およびＴＨ
ＦｌｏｏｍＭから調製した］を加え、さらに−１５℃で
塩化第二鉄０．２０ｇ（０，１２ミリモル）を加えて一
５〜５℃で、１５分間反応させた。実施例１と同様に処
理をして、２−（４−ｎ−へブトキシフェニル）−５−
ｎ−ペンチルピラジンの白色結晶３．５２．を得た。こ
の結晶物を分析したところ、融点は６１〜６２℃、ＳＩ
は７１℃を示した。

［実施例６］ 実施例１または実施例５と同様な方法により、第１表に
示した様々な本発明のピラジン誘導体を合成した。なお
第１表に分析結果として、各ピラジン誘導体の融点およ
び透明点を併記する。

第１表において　Ｒ１およびＲ２は１本発明のピラジン
誘導体を示す一般式（Ｉ） におけるＲＬおよびＲ２である。また、ＮＩはネマティ
ック相・等方性液体相転移温度、ＮＳはネマティック相
・スメクティック相転移温度。

ＳＩは、スメクティック相・等方性液体相転移温度であ
る。

すｔ−＋、Ｉｆ！ｆ　記実流側１　（Ｒ１＝Ｃ５Ｈ，、
、ＲＺ　＝ＣＣａ　Ｈ９）および実施例５（Ｒ”＋＋＝
Ｃ５Ｈｕ、Ｒ２＝ＣＣ７Ｈｔｓ）で得られた化合物につ
いても併せて記す。

以下余白 第１表 ＲＩ　　　　ＲＺ　　　　　融点℃　　透明点℃Ｃａ　
Ｒ７０Ｃａ　Ｈｓ　　５７．０〜５８．５　　Ｎ　Ｉ　
５４．ＯＮ　Ｓ　４Ｇ、０ ＣｓＨ＋ｔ　　０ＣＡＨ９８１，４＋”８２．５　８Ｉ
６１．ＯＮ　　Ｓ　５３．０ Ｃ３Ｈ７０ＣｙＨ，ｓ　５７．ＯＮ５８．５　５Ｉ８５
．０ＣｓＨｕ　　０ＣｙＨ，ｓ　８１．０ＮＢ２．ＯＳ
Ｉ？１．０Ｃ７ＨＬＩ　　ＯＣｙＨｗ　　５１．０〜８
０．Ｏ５Ｉ７５．０Ｃ６Ｈｔ、０ＣｒＨ，７８，０〜？
９．５　５Ｉ７４．５Ｃ５Ｈｕ　　０ＣａＨ＋ｙ　　ａ
ｓ、ｓ〜５１．ＯＳ　Ｉ　７５．５０ｓＨ１３０ＣａＨ
＋ｙ　　５７．５〜５９．ＯＳ　Ｉ　７５．０Ｃ，Ｈｌ
、　　Ｃ，Ｈ，、４１，０−４２，５−ＣＩＯＨ２１Ｃ
ｚＨｒ　　　８１．（１〜８３．０　　−Ｃ，Ｈ，Ｃ７
Ｈ，３Ｂ、、０〜３７．５　　Ｓ　Ｉ　３１．５ＣｙＨ
ｖ、ＣｙＨｍ　　　５１．０〜５２．５　５Ｉ５１．０
〔実施例７］ ４−　（）う／スー４−プロピルシクロヘキシル）−ベ
ンツニトリル　　　　　２４重量％４−　（）ランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル　　　
　　３６重量％４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル　　　　　２５４３１％４−
シアノ−４°−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−ビフェニル　１５ｉＪｉ％を混合し、液晶性組成
物（！ｉ明点、７１．５°Ｃ）を製造した。これをセル
厚８４ｍのＴＮセルに封入した。３０℃のにおける、し
きい電圧は１．７ＬＶ、飽和電圧ｆｔ　２　、４０　Ｖ
　テアッｆ、　、　コの液晶性組成物８５重量％に実施
例１で得た化合物１５重量％を混合して、本発明の液晶
性組成物を製造した。この液晶性組成物の透明点は６４
℃を示した。前記混合物と同様に、ＴＮセルに封入した
ところ、しきい電圧は１．７２Ｖ、飽和電圧は２．３３
Ｖであった。すなわち、本発明の化合物を添加すること
によって、電圧・透過率特性の急峻性（ｆ１１和電圧／
しきい電圧）が１．４０から１．３５に向上した。

［比較例２］ 実施例７と同様に。

４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−ベン
ゾニトリル　　　　　２４℃量％４−　（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）−ベンゾニトリル　　　　
　３６重量％４−　（）ランス−４−ヘプチルシクロヘ
キシル）−ベンゾニトリル　　　　　２５重量％４−シ
アノ−４°−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−ビフェニル　１５３１１％からなる液晶性組成物を
調製した。この組成物に、２−（４−メトキシフェニル
）−５−（４−ｎ−プロピルフェニル）ピラジン を加えたところ、上記液晶性組成物に対して１重礒比で
５％程度しか溶けなかった。

また、上記液晶性組成物に２−（４−メトキソフェニル
）−５−（４−シアノフェニル）ピラジン を加えたところ、上記液晶性組成物に対して溶けた量は
、重量比で５％以下であった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｒ＾１は、炭素数１〜１２の脂肪族アルキル基
   を表わし、そしてＲ＾２は、炭素数１〜１０の脂肪族ア
   ルキルもしくはアルコキシ基または臭素原子を表わす］
   で表わされるピラジン誘導体。 ２、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［式中、Ｘは、ハロゲン原子又はＡｒＳＯ＿２Ｏ（Ａｒ
   は、アリール基を表わす）を表わし、そしてＲ＾２は、
   炭素数１〜１０の脂肪族アルキルもしくはアルコキシ基
   または臭素原子を表わす］で表わされるピラジン誘導体
   を、遷移金属のハロゲン化物および／または四級アンモ
   ニウム塩の存在下に、一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ［式中、Ｒ＾１は、炭素数１〜１２の脂肪族アルキル基
   を表わし、そしてＹは、ハロゲン原子を表わす］で表わ
   されるグリニア試薬と反応させることを特徴とする一般
   式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｒ＾１は、炭素数１〜１２の脂肪族アルキル基
   を表わし、そしてＲ＾２は、炭素数１〜１０の脂肪族ア
   ルキルもしくはアルコキシ基または臭素原子を表わす］
   で表わされるピラジン誘導体の製造方法。 ３、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、Ｒ＾１は、炭素数１〜１２の脂肪族アルキル基
   を表わし、そしてＲ＾２は、炭素数１〜１０の脂肪族ア
   ルキルもしくはアルコキシ基または臭素原子を表わす］
   で表わされるピラジン誘導体を少なくとも一種含有する
   ことを特徴とする液晶性組成物。 ４、上記ピラジン誘導体を少なくとも一種、１乃至７０
   重量％含有することを特徴とする特許請求の範囲第３項
   記載の液晶性組成物。