JPS61124856A - 湿度検出用素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、雰囲気中の湿度を露点温度により測定するい
わゆる露点湿度針のための湿度検出用素子に関するもの
である。

〔従来の技術〕

雰囲気中の湿度を検出するための湿度計として、セラミ
ックあるいは高分子等の吸湿体によるものが既に知られ
ている。かかる湿度計は、吸湿体の抵抗値あるいはキャ
パシタンス値が雰囲気中の湿度に応じて変化することを
利用するものである。

ところが、このような構成の湿度計は極めて単純なる構
成であるという特徴を有するものの、使用中に雰囲気の
汚染物が吸湿体に付着するため、吸湿体の物性の変化が
生じ、長期的な安定性が欠けるという欠点があった。そ
のため、使用環境によっては、１〜２ケ月で出力値誤差
が無視できない程度に達することも少なくない。

これに対して、露点湿度計はこのような問題点の無い湿
度計として良く知られており、具体的なには次のような
構成になっている。

すなわち、ペルチェ冷却器等から成る冷却部の表面を鏡
面とし、この鏡面に水滴が生じることで鏡面の曇りを光
の反射率の変化として検出し、鏡面の曇りが生じたとき
の冷却部温度すなわち露点温度を検出するものである。

露点温度が判れば、ある温度における飽和水蒸気圧が一
義的に定まることから、当該雰囲気の水蒸気圧すなわち
絶対湿度を知ることができる。なお、相対湿度を知りた
い場合には、さらに雰囲気の温度を検出すれば算出でき
るものである。

この露点湿度計は、水分子の結露現象という純粋に水の
温度に対する相変化を利用したものであり、センサ要素
の湿度に対する物理的性質の変化を利用するものではな
いので、長期的な使用や汚染物質の多い雰囲気での使用
に対しても計測出力の狂いが生じ難い。

近年、オランダのデルフト工科大学が、ペルチェ効果を
利用する露点湿度計において水滴検出センサと温度セン
サを集積化した素子を用いるという研究を発表し注目を
集めている。発表文献は、Ｐ、Ｐ、Ｌ、ＲＥＧＴＩＥＮ
、５ｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ　ｈｕｍｉｄｉｔｙ　５ｅｎ
ｓｏｒｓ。

５ｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、２（１
９８１／８２）８５−９５．である。

この露点湿度計は、表面に温度センサが形成されている
シリコン基板上に互いに対向する櫛型電極から成る水滴
検出センサを設け、温度センサと水滴検出センサとを一
体化した素子とし、さらにこの素子をペルチェ冷却器の
上に配置することでペルチェ効果の冷却により雰囲気中
の水分の水滴生成を検出するとともに、水滴生成時の温
度を測定するものである。

すなわち、水滴の生成により対向する櫛型電極間の電気
容量が急激に変化するので、この容量が急激に変化する
点すなわち露点が維持されるようにペルチェ冷却器の冷
却作用を制御するとともに、この露点状態における露点
温度をシリコン基板に形成された温度センサをもって検
出するものである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この露点湿度計は、ＩＣ技術により、水滴検出センサと
温度センサとを同一基板上に集積した素子を使用した点
が新規であるが、さらに素子全体を冷却するためのペル
チェ冷却器が必要であり、素子全体を冷却するためには
大きな動作電流が必要で、冷却器の消費電力も大きい。

また、冷却器の発する熱を効率的に逃がさなければなら
ず、冷却器を含めた全体のセンサ部の設計上の制約が多
い。そのため、かかる露点湿度計は広く手軽に利用する
湿度計としては適さない。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の湿度検出用素子は、上記問題点に鑑みてなされ
たものであり、冷却部を湿度検出用素子の中央部に集中
させたペルチェ冷却手段と、感温部を冷却部近傍に設け
た冷却温度検出手段と、冷却部の上部に付着する水滴を
検出する水滴検出手段とを中央部が除去されている基板
上に形成したものである。

〔作用〕

基板が除去されている湿度検出用素子の中央部にペルチ
ェ冷却手段の冷却部を集中させたので、この冷却部が熱
的に絶縁され、微弱な電流で局部冷却が可能となり、冷
却温度検出手段および水滴検出手段の出力から雰囲気の
湿度を測定できる。

〔実施例〕

以下、実施例と共に本発明を製造工程にしたがって詳細
に説明する。

第１図は本発明の一実施例の製造途中における斜視図で
ある。

基板２０はステンレス鋼等の金属あるいは単結晶シリコ
ンウェファ等の材料から成る。この基板２０の上に、ま
ず絶縁層２２として耐湿性の良好な窒化シリコン（Ｓｉ
ｚＮ＋）膜をプラズマＣＶＤ装置により６０００人程度
０厚さに生成する。

次に、第１のペルチェ金属２４．第１の熱電対金属２８
．および測温抵抗体３２となる厚さ２μのＰ型のテルル
鉛（ＰｂＴｅ）の薄膜を上記絶縁層２２の上に蒸着によ
り生成する。

そして、耳側技術により、このＰ型のテルル鉛の薄膜を
第１図に示す第１のペルチェ金属２４゜第１の熱電対金
属２８および測温抵抗体３２の、パターンと成るように
選択的にエツチングする。

すなわち、第１のペルチェ金属２４は絶縁層２２表面の
周辺部から中心部に延びる帯状のパターンを所定の間隔
で複数配列したものであり、また、第１の熱電対金属２
８は第１のペルチェ金属２４と同じく周辺部から中心部
に延びる帯状のパターンである。

さらに、測温抵抗体３２は第１のペルチェ金属２４およ
び第１の熱電対金属２８を囲うように絶縁層２２表面の
周辺部にパターニングされている。

なお、この測温抵抗体３２は室温検出手段として機能す
るものである。

次に、上記のように第１のペルチェ金属２４等がパター
ニングされた表面上に絶縁層２２としての窒化シリコン
膜をプラズマＣＶＤ装置により３０００人程度０厚さに
生成する。

しかる後、耳側技術によりこの窒化シリコン膜を選択的
にエツチングすることで、第１のペルチェ金属２４と後
に形成される第２のペルチェ金属２５との接合部のため
のコンタクトホール、および第１の熱電対金属２８と後
に形成される第２の熱電対金属２９との接合部のための
コンタクトホールを生成する。これらのコンタクトホー
ルは、第１のペルチェ金属２４および第１の熱電対金属
２８の端部に形成される。

ついで、第２のペルチェ金属２５および第２の熱電対金
属２９となる厚さ２μ程度のｎ型のテルル鉛の薄膜をコ
ンタクトホールを含む絶縁層２２上全面に蒸着により生
成する。

その後、耳側技術により第１図に示す第２のペルチェ金
属２５および第２の熱電対金属２９のパターンとなるよ
うに選択的にエツチングする。

すなわち、第２のペルチェ金属２５は第１のペルチェ金
属２４の中央部側端部（この上部には上記コンタクトホ
ールが形成されている）と、この第１のペルチェ金属２
４と隣接する別の第１のペルチェ金属２４の周辺部側端
部（この上部にもコンタクトホールが形成されている）
とを接続するように帯状にパターニングされる。

ただし、複数ある第２のペルチェ金属２５のうチノ一つ
は、一端のみが第１のペルチェ金属２４と接合されるも
ので、その他端は後述するペルチェ冷却手段の一方の電
極部となる。また、複数ある第１のペルチェ金属２４の
うちの一つも、一端のみが第２のペルチェ金属２５と接
合されており、その他端がペルチェ冷却手段の他方の電
極部となる。

このパターニングにより、第１のペルチェ金属２４と第
２のペルチェ金属２５とが交互に連続的に接続され、電
気的に一体化されて、ペルチェ冷却手段を構成する。

すなわち、第１のペルチェ金属２４と第２のペルチェ金
属２５との接合部のうち、基板２０の中心部にあるもの
を第１の接合部群２６とし、周辺部にあるものを第２の
接合部群２７とすると、所定の方向に電流を流すことに
より第１の接合部群２６に吸熱作用が生じ、第２の接合
部群２７に発熱作用が生じる。この吸熱作用を利用して
、第１の接合部群２６が集中している素子中央部を冷却
することができるのである。

第２の熱電対金属２９はコンタクトホールが形成された
第１の熱電対金属２８の中央部側端部から第１の熱電対
金属２８と平行に周辺部まで延びる帯状のパターンとす
る。第１の熱電対金属２８と第２の熱電対金属２９との
接合部が感温部３０となり、両金属の他端部が冷却温度
検出手段としての熱電対の電極部となる。

続いて、ペルチェ冷却手段、室温検出手段および冷却温
度検出手段を覆うように、再び絶縁層２２となる窒化シ
リコン膜をプラズマＣＶＤ装置により６０００人程度０
厚さに生成し、耳側技術により窒化シリコン膜を選択的
にエツチングすることで、ペルチェ冷却手段、冷却温度
検出手段および室温検出手段の各電極部にコンタクトホ
ールを形成する。

その後、アルミニウム等の厚さ１μ程度の金属薄膜を、
絶縁層２２上にコンタクトホールを含む全面にわたって
蒸着により生成し、耳側技術によりこの金属の薄膜を選
択的にエツチングして第２図の斜視図に示すようなペル
チェ冷却手段のパッド３４ａ、３４ｂ、冷却温度検出手
段のパッド３５ａ、３５ｂ、室温検出手段のパッド３６
ａ、３６ｂおよび水滴検出手段３３をパターニングする
。

水滴検出手段３３は、第２図の斜視図から判るように、
素子中央部において２つの櫛型の電極３３ａ、３３ｂを
互いに噛み合うように対向させた平板状のコンデンサを
構成している。

次に、素子の表裏両面に窒化シリコン膜をプラズマＣＶ
Ｄ装置により６０００人程度０厚さに生成する。これは
、窒化シリコンが極めて安定した材料であるために保護
膜として使うためである。

そして、与剤技術を使い、基板２０の裏側の中央部の窒
化シリコン膜をプラズマエツチングにより選択的に除去
して開口を形成し、さらに、この開口を通して基板２０
を絶縁層２２までエツチング除去する。第３図はこのと
きの状態を示す断面図であり、基板２０の裏面からのエ
ツチングにより凹部２１が基板２０の中央部に形成され
ていることが判る。

最終工程として、第４図の概略斜視図に示すように、素
子表面の窒化シリコン膜のうちの凹部２１の周辺部の一
部を与剤技術により選択的にエツチングすることで、素
子表面と凹部２１とを連通ずる貫通孔２３を形成すると
共に、電極３３ａ。

３３ｂ、−，３６ａ、３６ｂにおける外部回路との接続
のためのポンディングパッド開口部を形成する。なお、
この貫通孔２３は、凹部２１内の空気と絶縁層２２の上
面に接する大気との圧力差を無くすために形成されるも
のである。その後は基板をグイシングし、各々のチップ
に切り出し、所定のパッケージを行なう。

以上の工程を経て、本実施例の湿度検出用素子が造られ
る。

なお、凹部２１を基板２０の裏面からのエツチングによ
り形成したが、第５図および第６図の斜視図に示すよう
にシリコン基板の異方性エツチングにより実現されるマ
イクロブリ７ヂ構造を適用することも可能である。

また、第１のペルチェ金［２４，第２のペルチェ金属２
５のパターンは、冷却部である第１の接合部群２６が所
定の場所に集中できるものであれば、実施例のパターン
に限られるものではないことは言うまでもない。

また、本実施例ではペルチェ冷却手段２は第１のペルチ
ェ金属２４と第２のペルチェ金属２５とを交互に接続し
て１組の直列回路を構成しているが、少なくとの１組の
直列回路が形成されていればよく、２組以上の直列回路
を並列接続したものでも構わない。

さらに、第１のペルチェ金属２４と第２のペルチェ金属
２５との接合部が、使用する金属によってはオーミック
接合とならずに半導体接合（例えばショットキ接合等）
となる場合があるが、そのような場合には、ニッケル等
温３の金属を介して電気的接合をとれば冷却部における
ジュール熱の発生を抑えることができ、冷却能力の低下
を防止できる。

さらに、第１の熱電対金属２８および第２の熱電対金属
２９の材料は、本実施例の如くそれぞれ第１のペルチェ
金属２４および第２のペルチェ金属２５と同一の材料を
使うことが製造の容易性等から現実的であるが、これに
限られるものではない。

また、室温検出手段である測温抵抗体３２は、後述する
ように、絶対湿度を測定する場合には不要な要素である
。そして相対湿度を測定する場合にあっても、別途室温
検出計を用いることが可能であるので、湿度検出用素子
上に必ずしも一体形成する必要はない。

なお、室温検出手段を湿度検出用素子に一体形成する他
の例としては、シリコン単結晶のウェファにダイオード
を集積したものを基板として使用し、このダイオードの
順方向電圧の温度依存性を利用するもの等がある。

また、冷却温度検出手段は必ずしも熱電対で構成しなく
てもよく、例えば測温抵抗体等で構成することも可能で
ある。

つぎに、本実施例の湿度検出用素子を実際に露点湿度計
として用いる場合の回路構成を第７図のブロック図に基
づいて説明する。

一点鎖線で囲まれた部分が湿度検出用素子１であり、ペ
ルチェ冷却手段２．水滴検出手段３．冷却温度検出手段
４．室温検出手段５を含む。

電流発生回路６はペルチェ冷却手段２に必要な電流を供
給する回路であり、ペルチェ冷却手段２の冷却能力を決
定する回路である。

水滴検出回路７は、直接的には水滴検出手段３のインピ
ーダンス化を検出する回路でありζこの変化を検出して
水滴の有無を判断する。すなわち、水滴検出手段３を構
成するコンデンサの容量が水滴の付着により大きく変化
することを利用して水滴の有無を検出するものである。

温度差検出回路８は、冷却温度検出手段４としての熱電
対がペルチェ冷却手段２における冷却部と室温との差に
基づいて発生する起電力を検出し、この起電力から冷却
部と室温との温度差を検出する回路である。

室温検出回路９は、室温検出手段５としての測温抵抗体
３２に接続され、測温抵抗体３２の抵抗変化から室内温
度Ｔａを検出する機能を有する。

マイクロコンピュータ１０は、電流発生回路６゜水滴検
出回路７．温度差検出回路８．室温検出回路９とバス１
２を介して接続され、水滴検出回路７により検出される
水滴の有無に応じて電流発生回路６を制御するとともに
、温度差検出回路８によって検出される温度差ΔＴと室
温検出回路９によって検出される室内温度Ｔａを使って
演算により絶対湿度と相対湿度を求める機能を有する。

インターフェース１１はマイクロコンピュータ１０に接
続され、マイクロコンピュータ１０からの露点温度、絶
対湿度、相対湿度等に関する情報を図示しない外部機器
に送る機能を有する。

次に、このように構成された露点湿度計の動作について
、第８図に示すマイクロコンピュータ１０が実行するフ
ローチャートにしたがって説明する。

まず、マイクロコンピュータ１０は電流発生回路６に最
大電流をペルチェ冷却手段２に流すように指示する（ス
テップ１０１）。

ペルチェ冷却手段２に電流が流れると接合部群２６．２
７においてベルチェ効果が生じる。すなわち、第１の接
合部群２６では吸熱作用、第２の接合部群２７では発熱
作用が生じる。

第１の接合部群２６は湿度検出用素子１の中央部に集中
しており、表裏両面が空気中に露出する薄膜層内に形成
されているため、熱的に絶縁された状態となっている。

したがって、第１の接合部群２６の近傍すなわち冷却部
の冷却は極めて微少の電流にて実現できることになる。

一方、第２の接合部群２７は湿度検出用素子１の周辺部
に分散しており、基板２０に密着した薄膜層内に形成さ
れているため、その発熱は直ちに基板２０内に伝達され
る。したがって、第２の接合部群２７の近傍での温度上
昇は殆どなく、第１の接合部群２６の冷却作用に対して
全くその影響を与えることはない。

したがって、湿度検出用素子１の中央部に位置する冷却
部は露点温度以下に速やかに冷却されることになり、こ
の冷却部の上に形成されている水滴検出手段３のさらに
その上の絶縁層２２上に結露現象が現れ、水滴が付着す
る。

水滴検出手段３は前述したように、対向する互いに分離
した２本の電極３３ａ、３３ｂからなることから、絶縁
層２２上に水滴が付着すると、誘電率が増加し、電Ｆｔ
４３３ａ、３３ｂ間のインピーダンスが急激に低下する
ことになる。

水滴検出回路７はこの水滴検出手段３のインピーダンス
の変化を検出し、マイクロコンピュータ１０ば水滴検出
回路７の出力から水滴の有無を知る（ステップ１０２）
。

水滴検出回路７としては、例えば、一定周期のの発振パ
ルスで水滴検出手段３を励起し、この水滴検出手段３の
インピーダンス値を積分回路で対応する電圧値に変換し
、この電圧値を所定のレベルと比較するコンパレータを
もって水滴付着の有無を検出するといった構成が考えら
れる。

最大電流をもってペルチェ冷却手段２の冷却部を冷却す
ることで所定時間内に水滴が付着し、水滴検出回路７が
これを検出するとマイクロコンピュータ１０は冷却電流
を８％減少させる（ステップ１０５）。なお、このとき
、所定時間経過しても水滴が付着しない場合には、雰囲
気の状態が測定レンジ範囲外にあるので、その旨の表示
信号を出力する（ステップ１０３．１０４）。

冷却電流を８％減少させた後、所定時間経過した時点で
、再び水滴の有無を判断する（ステップ１０６）。冷却
電流の減少によっても水滴検出回路７が水滴有りの信号
を出し続けているときは、マイクロコンピュータ１０は
さらに冷却電流をＮ％減少させ（ステ・ノブ１０５）、
このような循環を経ることでペルチェ冷却手段２の冷却
能力を徐々に減少させる。

ペルチェ冷却手段２の冷却能力の減少により水滴が付着
しなくなり、さらに蒸発により水滴が消失し始める。

水滴検出回路７が水滴の消失を検出すると、今度は逆に
冷却電流をＭ（＜Ｎ）％増加し冷却能力を増すことで水
滴の付着し始める露点温度に戻すことになる（ステップ
１０７）。

水滴検出回路７が水滴の付着を検出すると（ステップ１
０８）、マイクロコンピュータ１０は冷却温度検出手段
４が検出する冷却部と室温との温度差ΔＴおよび室温検
出手段５が検出する室内温度Ｔａを、それぞれ温度差検
出回路８および室温検出回路９を介して読み取る（ステ
ップ１１０゜１１１）。

なお、冷却電流をＭ％増加させていく循環（ステップ１
０７，１０８，１０９）で、冷却電流が最大となってし
まった場合には、雰囲気の状態が測定レンジ範囲外にあ
ることを意味し、その旨の表示信号を出力する（ステッ
プ１０４）。

冷却温度検出手段４は前述したように感温部３０を素子
１のほぼ中央に配置する熱電対２８．２９からなり、こ
の熱電対２８．２９の他端は素子１の周辺部すなわち凹
部２１でない基板２０上に配置されることから、この温
度差ΔＴは室温状態にある基板２０の温度値とペルチェ
冷却手段の冷却部の温度値との差分値である。

室温検出手段５ば前述したように測温抵抗体３２からな
り、室温変化に伴う抵抗値の変化を微少電流を流して電
圧値に変換することで室温値を検出する。

マイクロコンピュータ１０は温度差ΔＴと室内温度Ｔａ
を読み込むと、 Ｔｄ＝Ｔａ−ΔＴ を求める（ステップ１１２）。このＴｄがペルチェ冷却
手段２の冷却部の露点温度である。

マイクロコンピュータ１０内の図示しないＲＯＭには、
第９図に示す公知の雰囲気温度と飽和水蒸気圧力との関
係のグラフが関数近似によりテーブル化されている。し
たがって、室内温度Ｔａと露点温度Ｔｄが求まるとマイ
クロコンピュータ１０はこのテーブルをを使って室内温
度Ｔａ（！：露点温度Ｔｄにおける飽和水蒸気圧力Ｐａ
、Ｐｄを求めることができる。

絶対湿度はこの飽和水蒸気圧力Ｐｄで定義され、相対湿
度はＰ　ｄ　／　Ｐ　ａで定義されることから演算によ
り湿度値がすべて求まることになる（ステップ１１３）
。

マイクロコンピュータ１０は使用者の要求に応じ、イン
ターフェース１１を介して露点温度Ｔｄ。

絶対湿度Ｐｄ、相対湿度Ｐ　ｄ　／　Ｐ　ａを外部機器
に出力する（ステップ１１４）。

以上のフローチャートのステップにおいて、冷却電流を
最大値から徐々にＮ％毎減少させ、結露現象が消失して
から逆に冷却電流を徐々にＭ％増加させて露点を実現す
る方法を示した。そして、Ｎの値をＭの値より大きく設
定することで大凡の露点温度を見つけ、それから細か（
正確な露点温度を見つけ出すことで応答性を高めようと
したものであるが、初めから冷却電流を最大値からゆっ
っくりと減少させ、結露現象の生じた時点での温度デー
タをもって露点温度してもよい。さらに、冷却電流を最
小値から増加させたり、デユーティ比で実効的に変える
ものでも構わない。

また、上記実施例では、水滴検出手段として互いに対向
する二つの電極３３を用いたが、水滴の付着によってそ
の特性が急激に変化する感湿素子たとえばＺｎ５（ＰＯ
＊）ｔやＺｎｔ（ＰＯ４）ｚとＬｉＰＯ４を用いてもよ
い。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の湿度検出用素子によれば
、冷却部を湿度検出用素子の中央部に集中させたペルチ
ェ冷却手段と感温部を冷却部近傍に設けた冷却温度検出
手段と冷却部の上部に付着する水滴を検出する水滴検出
手段とを中央部が除去されている基板上に集積したので
、冷却部が熱的に絶縁され微弱な電流で急速に必要部分
のみを局部冷却でき、冷却温度検出手段および水滴検出
手段の出力からきわめて早い応答速度で雰囲気の湿度を
測定できる。

また、素子の局部のみが冷却されるので、冷却される空
気も局部となり被計測空気を熱的に乱すことが少なくな
るので狭い空間での湿度計測が可能である。さらに、素
子の局部のみが冷却されるということは、素子の他の部
分は冷却されずに室温に保持されていることを意味し、
したがって、室温センサを素子上に必要に応じて集積化
することができる。

さらに、一般のＩＣと同様に１度に多量の生産が可能で
あるので、湿度検出に必要なすべての検出機能を具備す
るにもかかわらず非常に安価となる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はいずれも本発明の一実施例の製造
途中における斜視図、第３図は本発明の一実施例の製造
途中における断面図、第４図は本発明の一実施例を示す
概略断面図、第５図および第６図は基板の凹部の他の形
成方法を示す斜視図、第７図は本実施例の湿度検出用素
子を実際に露点湿度計として用いた場合のブロック図、
第８図はマイクロコンピュータの動作を示すフローチャ
ート、第９図は雰囲気温度と飽和水蒸気圧力との関係を
示すグラフである。 １・・・湿度検出用素子、２・・・ペルチェ冷却手段、
３，３３・・・水滴検出手段、４・・・冷却温度検出手
段、５・・・室温検出手段、２４・・・第１のペルチェ
金属、２５・・・第２のペルチェ金属、２６・・・第１
の接合部群、３０・・・感温部。 特許出願人　山武ハネウェル株式会社 代　理　人　山川　政権（ほか２名） 第３図 ｚ４）　　　　２１ 第５図　　　　　　第６図 第８図 第９図 手続補正書（方式） １、事件の表示 昭Ｆｉｌ　５９１７’、　　＃　　許　願第２４６１１
６号２、発明の名称 湿度検出用素子 ３、　？＋ｌｉ正をする者 事ｆ’トとの関係　　　　特　　　許　　出願人名称（
氏名’）（６６６）　　山武ハネウェル株式会社５・ｎ
　ｉＥ　Ｑ＋の口（リ　　昭和　６０年°３　月　２６
日實幾−−ｉ−ｔ ：、　　１　　。 ６、ｈｌｉ＋ｌ：の対象 （１）　　明細書の発明の詳細な説明の欄ｌ＋１＼、 明細書３頁１７行ないし１８行のｒＰ、Ｐ、Ｌ、ＲＥＧ
Ｔ［ＥＮ、５ｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ　ｈｕ＠１ｄｉｔｙ
　！ｅｎ３０ｒｓｌ　５ｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　ＡｃＬ
ｕａｔｏｒｓ、２（１９８１／８２）８５−９５．Ｊを
「ビー、ピー。 エル、レグティーン、ソリッドステート　ヒユー（アイ
ティ　センサーズ、センサーズ　アンドアクチェエータ
ーズ（Ｐ、Ｐ、Ｌ、ＲＥＧＴＩＥＮ、Ｓｏｌｉｄ−ｓｔ
ａｔｅｈｕｍｉｄｉｔｙ　５ｅｎｓｏｒｓ＋　５ｅｎｓ
ｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、２（１９８１／
８２）８５−９５．）　Ｊに補正する。 以　　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数の第１の金属パターンと第２の金属パターンとを交
   互に配列し第１の金属パターンの端部と第２の金属パタ
   ーンの端部とを順次接続しこの接続部を一つおきに前記
   基板の中央部と周辺部に配列したペルチェ冷却手段と、
   前記基板の中心部にある前記ペルチェ冷却手段の一方の
   接合部群の近傍に感温部を配置せしめた冷却温度検出手
   段とを絶縁層を介して形成し、前記一方の接合部群の近
   傍に重ねて水滴検出手段を絶縁層を介して形成し、前記
   基板の中央部を除去したことを特徴とする湿度検出用素
   子。