JPS61124861A - 湿度検出用素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、雰囲気中の湿度を露点温度により測定するい
わゆる露点湿度計のための湿度検出用素子に関するもの
である。

〔従来の技術〕

雰囲気中の湿度を検出するための湿度計として、セラミ
ックあるいは高分子等の吸湿体によるものが既に知られ
ている。かかる湿度計は、吸湿体の抵抗値あるいはキャ
パシタンス値が雰囲気中の湿度に応じて変化することを
利用するものである。

ところが、このような構成の湿度計は極めて単純なる構
成であるという特徴を有するものの、使用中に雰囲気の
汚染物が吸湿体に付着するため、吸湿体に物性的変化が
生じ、長期的な安定性が欠けるという欠点があった。そ
のため、使用環境によっては、１〜２ケ月で出力値誤差
が無視できない程度に達することも少なくない。

これに対して、露点湿度計はこのような問題点の無い湿
度計として良く知られており、具体的なには次のような
構成になっている。

すなわち、ペルチェ冷却器等から成るの冷却部の表面を
鏡面とし、この鏡面に水滴が生じることで鏡面の曇りを
光の反射率の変化として検出し、鏡面の曇りが生じたと
きの冷却部温度すなわち露点温度を検出するものである
。露点温度が判れば、ある温度における飽和水蒸気圧が
一義的に定まることから、当該雰囲気の水蒸気圧すなわ
ち絶対湿度を知ることができる。なお、相対湿度を知り
たい場合には、さらに雰囲気の温度を検出すれば算出で
きるものである。

この露点湿度計は、水分子の結露現象という純粋に水の
温度に対する相変化を利用したものであり、センサ要素
の湿度に対する物理的性質の変化を利用するものでない
ので、長期的な使用や汚染物質の多い雰囲気での使用に
対しても計測出力の狂いが生じ難い。

近年、オランダのデルフト工科大学が、ペルチェ効果を
利用する露点湿度計において水滴検出センサと温度セン
サを集積化した素子を用いるという研究を発表し注目を
集めている。発表文献は、Ｐ、Ｐ、Ｌ、ＲＥＧＴＩＥＮ
、５ｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ　ｈｕｎ＋ｉｄ、ｉｔｙ　５
ｅｎｓｏｒｓ。

５ｅｎｓｏｒｓ　ａｎｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、２（１
９８１／８２）８５−９５．である。

この露点湿度計は、表面に温度センサが形成されている
シリコン基板上に互いに対向する櫛型電極から成る水滴
検出センサを設け、温度センサと水滴検出センサとを一
体化した素子とし、さらにこの素子をペルチェ冷却器の
上に配置することでペルチェ効果の冷却により雰囲気中
の水分の水滴生成を検出するとともに、水滴生成時の温
度を測定するものである。

すなわち、水滴の生成により対向する櫛型電極間の電気
容量が急激に変化するので、この容量が急激に変化する
点すなわち露点を維持するようにペルチェ冷却器の冷却
作用を制御するとともに、この露点状態における露点温
度をシリコン基板に形成された温度センサをもって検出
するものであ。

る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

この露点湿度計は、ＩＣ技術により、水滴検出センサと
温度センサとを同一基板上に集積した素子を使用した点
が新規であるが、さらに素子全体を冷却するためのペル
チェ冷却器が必要であり、素子全体を冷却するためには
大きな動作電流が必要で、冷却器の消費電力も大きい。

また、冷却器の発する熱を効率的に逃がさなければなら
ず、冷却器を含めた全体のセンサ部の設計上の制約が多
い。そのため、かかる露点湿度計は広く手軽に利用する
湿度計としては適さない。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の湿度検出用素子は、上記問題点に鑑みてなされ
たものであり、冷却部を湿度検出用素子の中央部に集中
させたペルチェ冷却手段と冷却部上部に形成され前記ペ
ルチェ冷却手段と組み合わさることにより水滴検出手段
を構成する電極とを中央部が除去されている基板上に形
成したものである。

〔作用］ 基板が除去されている湿度検出用素子の中央部にペルチ
ェ冷却手段の冷却部を集中させたので、この冷却部が熱
的に絶縁され、微弱な電流で局部冷却が可能となり、ま
た、ペルチェ冷却手段に接続される外部回路を切り換え
ることにより、ペルチェ冷却手段を冷却温度検出手段と
して利用できるので、その出力と水滴検出手段の出力と
から雰囲気の湿度を測定できる。

〔実施例〕

以下、実施例と共に本発明を製造工程にしたがって詳細
に説明する。

第２図は零発、明の一実施例の製造途中における斜視図
である。

基板２０はステンレス鋼等の金属あるいは単結晶シリコ
ンウェファ等の材料から成る。この基板２０の上に、ま
ず絶縁層２２として耐湿性の良好な窒化シリコン（Ｓｉ
３Ｎ４）膜をプラズマＣＶＤ装置により６０００人程度
０厚さに生成する。

次に、第１のペルチェ金属２４．第１の熱電対金属２８
．および測温抵抗体３２となる厚さ２μのＰ型のテルル
鉛（ＰｂＴｅ）の薄膜を上記絶縁層２２の上に蒸着によ
り生成する。

そして、耳側技術により、このＰ型のテルル鉛の薄膜を
第２図に示す第１のペルチェ金属２４゜および測温抵抗
体３２のパターンと成るように選択的にエツチングする
。

すなわち、第１のペルチェ金属２４は絶縁層２２表面の
周辺部から中心部に延びるほぼ帯状のパターンを所定の
間隔で複数配列したものであり、測温抵抗体３２は第１
のベルチェ金属２４を囲うように絶縁層２２表面の周辺
部にパターニングされている。なお、この測温抵抗体３
２は室温検出手段として機能するものである。

次に、上記のように第１のベルチェ金属２４等がパター
ニングされた表面上に絶縁層２２としての窒化シリコン
膜をプラズマＣＶＤ装置により３０００人程度０厚さに
生成する。

しかる後、耳側技術によりこの窒化シリコン膜を選択的
にエツチングすることで、第１のペルチェ金属２４と後
に形成される第２のペルチェ金属２５との接合部のため
のコンタクトホールを形成する。このコンタクトホール
は、第１のペルチェ金属２４の端部に形成される。

ついで、第２のペルチェ金属２５となる厚さ２μ程度の
ｎ型のテルル鉛の薄膜を、コンタクトホールを含む絶縁
層２２上全面に蒸着により生成する。

その後、耳側技術により第２図に示す第２のペルチェ金
属２５のパターンとなるように選択的にエツチングする
。

すなわち、第２のペルチェ金属２５は第１のペルチェ金
属２４の中央部側端部（この上部には上記コンタクトホ
ールが形成されている）と、この第１のペルチェ金属２
４と隣接する別の第１のペルチェ金属２４の周辺部側端
部（この上部にもコンタクトホールが形成されている）
とを接続するように帯状にパターニングされる。

ただし、複数ある第２のペルチェ金属２５のうちの一つ
は、一端のみが第゛１のペルチェ金属２４と接合される
もので、その他端は後述するペルチェ冷却手段の一方の
電極部となる。また、複数ある第１のペルチェ金属２４
のうちの一つも、一端のみが第２のペルチェ金属２５と
接合されており、その他端がベルチェ冷却手段の他方の
電極部となる。

このパターニングにより、第１のペルチェ金属２４と第
２のペルチェ金属２５とが交互に連続的に接続され、電
気的に一体化されて、ペルチェ冷却手段を構成する。

すなわち、第１のペルチェ金属２４と第２のペルチェ金
属２５との接合部のうち、基板２０の中心部にあるもの
を第１の接合部群２６とし、周辺部にあるものを第２の
接合部群２７とすると、所定の方向に電流を流すことに
より第１の接合部群２６に吸熱作用が生じ、第２の接合
部群２７に発熱作用が生じる。この吸熱作用を利用して
、第１の接合部群２６が集中している素子中央部を冷却
することができるのである。

続いて、ペルチェ冷却手段および室温検出手段を覆うよ
うに、再び絶縁層２２となる窒化シリコン膜をプラズマ
ＣＶＤ装置により６０００人程度０厚さに生成し、耳側
技術により窒化シリコン膜を選択的にエツチングするこ
とで、ペルチェ冷却手段および室温検出手段の各電極部
にコンタクトホールを形成する。

その後、アルミニウム等の厚さ１μ程度の金属薄膜を、
絶縁層２２上にコンタクトホールを含む全面にわたって
蒸着により生成し、耳側技術によりこの金属の薄膜を選
択的にエツチングして第３図の斜視図に示すようなペル
チェ冷却手段のパッド３４ａ、３４ｂ、室温検出手段の
パッド３６ａ。

３６ｂおよび水滴検出手段となる電極３３をパターニン
グする。

第１図はペルチェ冷却手段等と水滴検出手段との位置関
係を明らかにした斜視図である。電極３３は、同図から
判るように、素子中央部において適当な拡がりを持つと
同時に第１の接合部群２６と対向する部分は開口を形成
しており、この第１の接合部群２６を含む第１のペルチ
ェ金属２４および第２のペルチェ金属２５と電極３３と
でコンデンサを構成することになる。

次に、素子の表裏両面に窒化シリコン膜をプラズマＣＶ
Ｄ装置により６０００人程度０厚さに生成する。これは
、窒化シリコンが極めて安定した材料であるために保護
膜として使うためである。

そして、耳側技術を使い、基板２０の裏側の中央部の窒
化シリコン膜をプラズマエツチングにより選択的に除去
して開口を形成し、さらに、この開口を通して基板２０
を絶縁層２２までエツチング除去する。第４図はこのと
きの状態を示す断面図であり、基板２０の裏面からのエ
ツチングにより凹部２１が基板２０の中央部に形成され
ていることが判る。

最終工程として、第５図の概略斜視図に示すように、素
子表面の窒化シリコン膜のうちの凹部２１の周辺部の一
部を耳側技術により選択的にエツチングすることで、素
子表面と凹部２１とを連通ずる貫通孔２３を形成すると
共に、電極３３，３４ａ、３４ｂ、３６ａ、３６ｂにお
ける外部回路との接続のためのボンディングパノド開口
部を形成する。なお、この貫通孔２３は、凹部２１内の
空気と絶縁層２２の上面に接する大気との圧力差を無く
すために形成されるものである。その後は基板をダイシ
ングし、各々のチップに切り出し、所定のパッケージを
行なう。

以上の工程を経て、本実施例の湿度検出用素子が造られ
る。

なお、凹部２１を基板２０の裏面からのエツチングによ
り形成したが、第６図および第７図の斜視図に示すよう
にシリコン基板の異方性エツチングにより実現されるマ
イクロブリッヂ構造を適用することも可能である。

また、第１のベルチェ金属２４．第２のベルチェ金属２
５のパターンは、冷却部である第１の接合部群２６が所
定の場所に集中できるものであれば、実施例のパターン
に限られるものではないことは言うまでもない。

また、本実施例ではペルチェ冷却手段２は第１のペルチ
ェ金属２４と第２のペルチェ金属２５とを交互に接続し
て１組の直列回路を構成しているが、少なくとの１組の
直列回路が形成されていればよく、２組以上の直列回路
を並列接続したものでも構わない。

さらに、第１のベルチェ金属２４と第２のペルチェ金属
２５との接合部が、使用する金属によってはオーミック
接合とならずに半導体接合（例えばシッフトキ接合等）
となる場合があるが、そのような場合には、ニッケル等
温３の金属を介して電気的接合をとれば冷却部における
ジュール熱の発生を抑えることができ、冷却能力の低下
を防止できる。

また、室温検出手段である測温抵抗体３２は、後述する
ように、絶対湿度を測定する場合には不要な要素である
。そして相対湿度を測定する場合にあっても、別途室温
検出計を用いることが可能であるので、湿度検出用素子
上に必ずしも一体形成する必要はない。

なお、室温検出手段を湿度検出用素子に一体形成する他
の例としては、シリコン単結晶のウェファにダイオード
を集積したものを基板として使用し、このダイオードの
順方向電圧の温度依存性を利用するもの等がある。

さらに、水滴検出手段を構成する電極３３の形状は本実
施例に限定されるものではないことは言うまでもない。

つぎに、本実施例の湿度検出用素子を実際に露点湿度計
として用いる場合の回路構成を第８図のブロック図に基
づいて説明する。

一点鎖線で囲まれた部分が湿度検出用素子１であり、ベ
ルチェ冷却手段２．水滴検出手段３．室温検出手段５を
含む。

電流発生回路６は切換回路１４を介してベルチェ冷却手
段２に必要な電流を供給する回路であり、ペルチェ冷却
手段２の冷却能力を決定する回路である。

水滴検出回路７は、直接的には水滴検出手段３のインビ
ーダス変化を検出する回路であり、この変化を検出して
水滴の有無を判断する。すなわち、水滴検出手段３を構
成するコンデンサの容量が水滴の付着により大きく変化
することを利用して水滴の有無を検出するものである。

電位供給回路１３は切換回路１４を介してペルチェ冷却
手段に適当な電位を供給する回路である。

温度差検出回路８は、切換回路１４を介して冷却温度検
出手段２と接続される回路である。ベルチェ冷却手段２
は切換回路１４において電流発生回路６から切り離され
ると冷却機能が停止し、温度差検出回路８と接続するこ
とにより熱電対として機能する。すなわち、ペルチェ冷
却手段２は複数の熱電対を順次直列接続したものと等し
く、各熱電対はそれぞれ第１の接合部と第２の接合部と
の温度差換言すれば、冷却部と室温との温度差に基づい
て起電力を発生する。温度差検出回路８はこの起電力を
検出し、この起電力から冷却部と室温との温度差を検出
する回路である。

切換回路１４はマイクロコンピュータ１０からの指令に
基づいてすでに述べたようにペルチェ冷却手段２を電流
発生回路６．温度差検出回路８または電位供給回路１３
のいずれか一方に接続する回路である。

室温検出回路９は、室温検出手段５としての測温抵抗体
３２に接続され、測温抵抗体３２の抵抗変化から室内温
度Ｔａを検出する機能を有する。

マイクロコンピュータｌＯは、電流発生回路６゜水滴検
出回路７．温度差検出回路８．室温検出回路９．電位供
給回路１３．切換回路１４とバス１２を介して接続され
、水滴検出回路７により検出される水滴の有無に応じて
電流発生回路６を制御するとともに、温度差検出回路８
によって検出される温度差ΔＴと室温検出回路９によっ
て検出される室内温度Ｔａを使って演算により絶対湿度
と相対湿度を求める機能を有する。

インターフェース１１はマイクロコンピュータ１０に接
続され、マイクロコンピュータ１０からの露点温度、絶
対湿度、相対湿度等に関する情報を図示しない外部機器
に送る機能を有する。

次に、このように構成された露点湿度計の動作について
、第９図に示すマイクロコンピュータＩＯが実行するフ
ローチャートにしたがって説明する。

まず、マイクロコンピュータ１０は切換回路１４におい
て電流発生回路６とペルチェ冷却手段２とを接続すると
共に、電流発生回路６に最大電流をペルチェ冷却手段２
に流すように指示する（ステップ１０１）。

ペルチェ冷却手段２に電流が流れると接合部群２６．２
７においてペルチェ効果が生じる。すなわち、第１の接
合部群２６では吸熱作用、第２の接合部群２７では発熱
作用が生じる。

第１の接合部群２６は湿度検出用素子ｌの中央部に集中
しており、表裏両面が空気中に露出する薄膜層内に形成
されているため、熱的に絶縁された状態となっている。

したがって、第１の接合部群２６の近傍すなわち冷却部
の冷却は極めて微少の電流にて実現できることになる。

一方、第２の接合部群２７は湿度検出用素子ｌの周辺部
に分散しており、基板２０に密着した薄膜層内に形成さ
れているため、その発熱は直ちに基板２０内に伝達され
る。したがって、第２の接合部群２７の近傍での温度上
昇は殆どなく、第１の接合部群２６の冷却作用に対して
全くその影響を与えることはない。

したがって、湿度検出用素子１の中央部に位置する冷却
部は露点温度以下に速やかに冷却されることになり、こ
の冷却部の上に形成されている水滴検出手段３のさらに
その上の絶縁層２２上に結露現象が現れ、水滴が付着す
る。

水滴の検出（ステップ１０２）は第１Ｏ図に示すフロー
チャートにしたがって行われる。

すなわち、まず、水滴検出時期か否かを判断しくステッ
プ２０１）、水滴検出時期であれば切換回路１４におい
てペルチェ冷却手段２を電流発生回路６と切り離し、電
位供給回路１３と接続する（ステ・ノブ２０２）。その
後、電位供給回路１３からペルチェ冷却手段２に所定の
電圧を所定時間供給する（ステップ２０３）。水滴検出
手段３は前述したように、ペルチェ冷却手段２と電極３
３とからなるコンデンサであり、その上の絶縁層２２上
に水滴が付着すると、誘電率が増加し、水滴検出手段３
のインピーダンスが急激に低下することになる。

水滴検出回路７はこの水滴検出手段３のインピータンス
の変化を検出し、マイクロコンピュータ１０は水滴検出
回路７の出力から水滴の有無を知る（ステップ２０４）
。

水滴の有無を検知したら、切換回路１４においてペルチ
ェ冷却手段２の接続を再び電位供給回路１３から電流発
生回路６に切り換える（ステップ２０５）。

水滴検出回路７としては、例えば、水滴検出手段３のイ
ンピーダンス値を積分回路で対応する電圧値に変換し、
この電圧値を所定のレベルと比較するコンパレータをも
って水滴付着の有無を検出するといった構成が考えられ
る。

最大電流をもってベルチェ冷却手段２の冷却部を冷却す
ることで所定時間内に水滴が付着し、水滴検出回路７が
これを検出するとマイクロコンピュータ１０は冷却電流
を８％減少させる（ステップ１０５）。なお、このとき
、所定時間経過しても水滴が付着しない場合には、雰囲
気の状態が測定レンジ範囲外にあるので、その旨の表示
信号を出力する（ステップ１０３，１０４）。

冷却電流を８％減少させた後、所定時間経過した時点で
、再び水滴の有無を判断する（ステップ１０６）。なお
、このときのルーチンはステップ１０２と同様に第１０
図のフローチャートに従って為される。

冷却電流の減少によっても水滴検出回路７が水滴有りの
信号を出し続けているときは、マイクロコンピュータ１
０はさらに冷却電流を８％減少させ（ステップ１０５）
、このような循環を経ることでベルチェ冷却手段２の冷
却能力を徐々に減少させる。

ペルチェ冷却手段２の冷却能力の減少により水滴が付着
しなくなり、さらに蒸発により水滴が消失し始める。

水滴検出回路７が水滴の消失を検出すると、今度は逆に
冷却電流をＭ　（＜Ｎ）％増加し冷却能力を増すことで
水滴の付着し始める露点温度に戻すことになる（ステッ
プ１０７）。

水滴検出回路７が水滴の付着を検出すると（ステップ１
０８）、マイクロコンピュータ１０は冷却部と室温との
温度差ΔＴおよび室内温度Ｔａを、それぞれ温度差検出
回路８および室温検出回路９を介して読み取る（ステッ
プ１１０，１１１）。

なお、ステップ１０８における水滴の検出もステップ１
０２のルーチンすなわち第１０図のフローチャートに従
って達成される。

ここで、温度差ΔＴの検出（ステップ１１０）は次のよ
うに為される。すなわち、温度差ΔＴの検出時期になっ
たら、切°換回路１４におけるペルチェ冷却手段２の電
流発生回路６との接続を切り離し、温度差検出回路８と
の接続に切り換える。

そして、温度差検出回路８で温度差ΔＴを検出したら切
換回路１４におけるベルチェ冷却手段２との接続を再び
電流発生回路６に戻すのである。

なお、冷却電流をＭ％増加させていく循環（ス５チップ
１０７，１０８，１０９）で、冷却電流が最大となって
しまった場合には、雰囲気の状態が測定レンジ範囲外に
あることを意味し、その旨の表示信号を出力する（ステ
ップ１０４）。

室温検出手段５は前述したように測温抵抗体３２からな
り、室温変化に伴う抵抗値の変化を微少電流を流して電
圧値に変換することで室温値を検出する。

マイクロコンピュータ１０は温度差ΔＴと室内温度Ｔへ
を読み込むと、 Ｔｄ＝Ｔａ−ΔＴ を求める（ステップ１１２）。このＴｄがペルチェ冷却
手段２の冷却部の露点温度である。

マイクロコンピュータ１０内の図示しないＲＯＭには、
第１１図に示す公知の雰囲気温度と飽和水蒸気圧力との
関係のグラフが関数近似によりテーブル化されている。

したがって、室内温度Ｔａと露点温度Ｔｄが求まるとマ
イクロコンピュータ１０はこのテーブルをを使って室内
温度Ｔａと露点温度Ｔｄにおける飽和水蒸気圧力Ｐａ、
Ｐｄを求めることができる。

絶対湿度はこの飽和水蒸気圧力Ｐｄで定義され、相対湿
度はＰ　ｄ　／　Ｐ　ａで定義されることから演算によ
り湿度値がすべて求まることになる（ステップ１１３）
。

マイクロコンピュータ１０は使用者の要求に応じ、イン
ターフェース１１を介して露点温度Ｔｄ。

絶対湿度Ｐｄ、相対湿度Ｐ　ｄ　／　Ｐ　ａを外部機器
に出力する（ステップ１１４）。

以上のフローチャートのステップにおいて、冷却電流を
最大値から徐々にＮ％毎減少させ、結露現象が消失して
から逆に冷却電流を徐々にＭ％増加させて露点を実現す
る方法を示した。そして、Ｎの値をＭの値より大きく設
定することで大兄の露点温度を見つけ、それから細かく
正確な露点温度を見つけ出すことで応答性を高めようと
したものであるが、初めから冷却電流を最大値からゆっ
っくりと減少させ、結露現象の生じた時点での温度デー
タをもって露点温度してもよい。さらに、冷却電流を最
小値から増加させたり、デユーティ比で実効的に変える
ものでも構わない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の湿度検出用素子によれば
、冷却部を湿度検出用素子の中央部に集中させたペルチ
ェ冷却手段と冷却部上部に形成されペルチェ冷却手段と
の組み合わせによって水滴検出手段を構成する電極とを
中央部が除去されている基板上に形成したので、冷却部
が熱的に絶縁され、微弱な電流で急速に局部冷却でき、
また、ペルチェ冷却手段に接続される外部回路を切り換
えることにより、ペルチェ冷却手段を冷却温度検出手段
として利用できるので、ペルチェ冷却手段および水滴検
出手段の出力からきわめて早い応答速度で雰囲気の湿度
を測定できる。

また、素子の局部のみが冷却されるので、冷却される空
気も局部となり被計測空気を熱的に乱すことが少なくな
るので狭い空間での湿度計測が可能である。さらに、素
子の局部のみが冷却されるということは、素子の他の部
分は冷却されずに室温に保持されていることを意味し、
したがって、室温センサを素子上に必要に応じて集積化
することができる。

さらに、一般のＩＣと同様に１度に多量の生産が可能で
あるので、湿度検出に必要な種々の検出機能を具備する
にもかかわらず非常に安価となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図はいずれも本発明の一実施例の製造
途中における斜視図、第４図は本発明の一実施例の製造
途中における断面図、第５図は本発明の一実施例を示す
概略断面図、第６図および第７図は基板の凹部の他の形
成方法を示す斜視図、第８図は本実施例の湿度検出用素
子を実際に露点湿度計として用いた場合のブロック図、
第９図および第１０図はそれぞれマイクロコンピュータ
の動作を示すフローチャート、第１１図は雰囲気温度と
飽和水蒸気圧力との関係を示すグラフである。 １・・・湿度検出用素子、２・・・ペルチェ冷却手段、
３．・・・水滴検出手段、５・・・室温検出手段、２４
・・・第１のペルチェ金属、２５・・・第２のペルチェ
金属、２６・・・第１の接合部群、３３・・・電極。 特許出願人　山武ハネウェル株式会社 代　理　人　山川　数構（番りか２名）第１図 第２図 第１０図 第１１図 １ｄ　　　　　ｌ＠ 手続補正書（方式） １、事件の表示 昭和５９年　特　許　願第２４６１２１号２、発明の名
称 湿度検出用素子 ３、補止をする者 事件との関係　　　特　　　許　　　出願人名称（氏名
）　（６６６）山武ハネウェル株式会社５・Ｍの口１・
ｊ　　昭和６０年　３　月　２６１１’−ｗ　　　’１
　　　、− ６、補正の対象 明細書３頁１６行ないし１７行のｒＰ、Ｐ、Ｌ、ＲＥＧ
ＴｌｌｌＮ、５ｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ　　ｈｕｍｉｄｉ
ｔｙ　　５ｅｎｓｏｒｓ＋　　５ｅｎｓｏｒｓ　　ａｎ
ｄ　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、２（１９８１／８２）８５−
９５．Ｊを［ピー、ピー。 エル、レグティーン、ソリフドステート　ヒエ−ζアイ
アイ　センサーズ、センサーズ　アンドアクチェエータ
ーズ（Ｐ、　Ｐ、Ｌ、ＲＥＧＴＩＥＮ、　Ｓｏｌ　１ｄ
−ｓ　ｔａ　ｔ。 ｈｕ＋ｗｉｄｉｔｙ　　５ｅｎｓｏｒｓ＋　　５ｅｎｓ
ｏｒｓ　　ａｎｄ　　Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、２（１９８
１／８２）８５−９５．）　Ｊに補正する。 以　　　　上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に、複数の第１の金属パターンと第２の金属パ
   ターンとを交互に配列し第１の金属パターンの端部と第
   ２の金属パターンの端部とを順次接続しこの接続部を一
   つおきに前記基板の中央部と周辺部に配列したペルチェ
   冷却手段を絶縁層を介して形成し、前記ペルチェ冷却手
   段と組み合わさることにより水滴検出用キャパシタを構
   成する電極を前記一方の接合部群の上部に絶縁層を介し
   て形成し、前記基板の中央部を除去したことを特徴とす
   る湿度検出用素子。