JPS61124161A - 厚膜抵抗体の形成方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の形成方法Info
- Publication number
- JPS61124161A JPS61124161A JP59246744A JP24674484A JPS61124161A JP S61124161 A JPS61124161 A JP S61124161A JP 59246744 A JP59246744 A JP 59246744A JP 24674484 A JP24674484 A JP 24674484A JP S61124161 A JPS61124161 A JP S61124161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- electrode
- thick film
- film resistor
- forming
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/013—Thick-film circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック基板等に形成する混成集積回路の
厚膜抵抗体の形成方法に係り、とくに、パターンの実装
密度の向上を図った厚膜抵抗体の形成方法に関するもの
である。
厚膜抵抗体の形成方法に係り、とくに、パターンの実装
密度の向上を図った厚膜抵抗体の形成方法に関するもの
である。
昨今、電子１通信機器全般に小形、軽量化と保守の簡易
化のために、装置はユニット化即ち印刷配線基板が用い
られるようになり、この印刷配線基板に形成される導体
パターンの高密度化も限度に達している。そこで更に高
密度化を行なうには類似部品例えば抵抗体等を一括形成
して、これを分割するようなパターンの形成方法が強く
要望されている。
化のために、装置はユニット化即ち印刷配線基板が用い
られるようになり、この印刷配線基板に形成される導体
パターンの高密度化も限度に達している。そこで更に高
密度化を行なうには類似部品例えば抵抗体等を一括形成
して、これを分割するようなパターンの形成方法が強く
要望されている。
第２図は、従来の厚膜抵抗体の形成方法を説明するため
の（ａｌは回路図、（ｂ）は（ａｌの回路図に対応する
パターン図である。
の（ａｌは回路図、（ｂ）は（ａｌの回路図に対応する
パターン図である。
Ａ電極１と共通のＢ電極３とに連なるＲ１抵抗体２と、
該共通のＢ電極３とＣ電極６間にＲ２抵抗体５を形成し
て、共通のＢ電極３は増幅器８の端子４に接続されてい
る。そしてＣ電極６は増幅器８の端子７に接続された構
成となっており、回路の調整すなわちＲ１抵抗体２と、
Ｒ２抵抗体５はそれぞれトリミングにより調整を行なっ
ている。
該共通のＢ電極３とＣ電極６間にＲ２抵抗体５を形成し
て、共通のＢ電極３は増幅器８の端子４に接続されてい
る。そしてＣ電極６は増幅器８の端子７に接続された構
成となっており、回路の調整すなわちＲ１抵抗体２と、
Ｒ２抵抗体５はそれぞれトリミングにより調整を行なっ
ている。
（発明が解決しようとする問題点〕
上記の構成の厚膜抵抗体の形成方法は、Ｒ１抵抗体２と
、Ｒ２抵抗体５はＢ電極３が共通であるが、抵抗体は個
々のパターンであるので、配線密度の向上を阻害すると
いう問題点があり、また抵抗の調整も個々にトリミング
を行なわなければならない等それぞれの問題点があった
。
、Ｒ２抵抗体５はＢ電極３が共通であるが、抵抗体は個
々のパターンであるので、配線密度の向上を阻害すると
いう問題点があり、また抵抗の調整も個々にトリミング
を行なわなければならない等それぞれの問題点があった
。
本発明は、上記の問題点を解決して配線密度の向上を図
った厚膜抵抗体の形成方法を提供するもので、その手段
は、混成集積回路に用いられる厚膜抵抗体の形成方法で
あって、前記厚膜抵抗体の一方の電極と前記厚膜抵抗体
を一括して切欠き、電極を分割することにより他方の電
極を共用した厚膜抵抗体を形成するようにしたことによ
ってなされる。
った厚膜抵抗体の形成方法を提供するもので、その手段
は、混成集積回路に用いられる厚膜抵抗体の形成方法で
あって、前記厚膜抵抗体の一方の電極と前記厚膜抵抗体
を一括して切欠き、電極を分割することにより他方の電
極を共用した厚膜抵抗体を形成するようにしたことによ
ってなされる。
上記厚膜抵抗体の形成方法は、一方の電極の共通なＲ１
抵抗体と、Ｒ２抵抗体を一体的にパターン化するととも
に、Ｒ１抵抗体のＡ電極と、Ｒ２抵抗体のＣ電極をも共
通としてパターン化して、共通な電極パターンと抵抗体
パターンを所定位置で一括して切欠き、電極を分割する
とともに抵抗体を分割して、抵抗調整のトリミングを分
割部分で行なうようにした実用的な厚膜抵抗体の形成方
法である。
抵抗体と、Ｒ２抵抗体を一体的にパターン化するととも
に、Ｒ１抵抗体のＡ電極と、Ｒ２抵抗体のＣ電極をも共
通としてパターン化して、共通な電極パターンと抵抗体
パターンを所定位置で一括して切欠き、電極を分割する
とともに抵抗体を分割して、抵抗調整のトリミングを分
割部分で行なうようにした実用的な厚膜抵抗体の形成方
法である。
以下図面を参照しながら本発明に係る厚膜抵抗体の形成
方法の実施例について詳細に説明する。
方法の実施例について詳細に説明する。
第１図は、本発明に係る厚膜抵抗体の形成方法の一実施
例を説明するための回路パターン図で、第２図と同等の
部分については同一符号を付している。
例を説明するための回路パターン図で、第２図と同等の
部分については同一符号を付している。
第２図で説明したＲ１抵抗体２と、Ｒ２抵抗体５を一体
的として抵抗体９を形成するとともに、Ａ電極１とＣ電
極６も一体構成としてパターン化して、配線密度を小さ
くしたのち、前記一体化した抵抗体パターン９と、電極
パターンを一括して切欠き１０の部分で分割して、抵抗
体パターン９をＲ１抵抗体２と、Ｒ２抵抗体５とすると
同時に電極もＡ電極１とＣ電極６に分割する。そして抵
抗体の調整は、切欠き１０をトリミングするよう構成し
たものである。
的として抵抗体９を形成するとともに、Ａ電極１とＣ電
極６も一体構成としてパターン化して、配線密度を小さ
くしたのち、前記一体化した抵抗体パターン９と、電極
パターンを一括して切欠き１０の部分で分割して、抵抗
体パターン９をＲ１抵抗体２と、Ｒ２抵抗体５とすると
同時に電極もＡ電極１とＣ電極６に分割する。そして抵
抗体の調整は、切欠き１０をトリミングするよう構成し
たものである。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る厚膜抵抗
体の形成方法によれば、配線密度の向上が基体できると
ともに、回路調整が容易となる利点がある。
体の形成方法によれば、配線密度の向上が基体できると
ともに、回路調整が容易となる利点がある。
第１図は、本発明に係る厚膜抵抗体の形成方法の一実施
例を説明するための回路パターン図、第２図は、従来の
厚膜抵抗体の形成方法を説明するための（ａｌは回路図
、（ｂ）はＴａｌの回路図に対応するパターン図である
。 図中、１はＡ電極、２はＲ１抵抗体、３はＢ電極、４は
Ｒ２抵抗体、５はＡ端子、６はＣ電極、７はＢｆｉ子、
８は増幅器、９は抵抗体、１０は切欠き、をそれぞれ示
す。 第１ｖ！！Ｊ
例を説明するための回路パターン図、第２図は、従来の
厚膜抵抗体の形成方法を説明するための（ａｌは回路図
、（ｂ）はＴａｌの回路図に対応するパターン図である
。 図中、１はＡ電極、２はＲ１抵抗体、３はＢ電極、４は
Ｒ２抵抗体、５はＡ端子、６はＣ電極、７はＢｆｉ子、
８は増幅器、９は抵抗体、１０は切欠き、をそれぞれ示
す。 第１ｖ！！Ｊ
Claims (1)
- 混成集積回路に用いられる厚膜抵抗体の形成方法であ
って、前記厚膜抵抗体の一方の電極と前記厚膜抵抗体を
一括して切欠き、電極を分割することにより他方の電極
を共用した厚膜抵抗体を形成するようにしたことを特徴
とする厚膜抵抗体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246744A JPS61124161A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59246744A JPS61124161A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124161A true JPS61124161A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17153005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59246744A Pending JPS61124161A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124161A (ja) |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP59246744A patent/JPS61124161A/ja active Pending
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