JPS61121449A - Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 - Google Patents
Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法Info
- Publication number
- JPS61121449A JPS61121449A JP59243899A JP24389984A JPS61121449A JP S61121449 A JPS61121449 A JP S61121449A JP 59243899 A JP59243899 A JP 59243899A JP 24389984 A JP24389984 A JP 24389984A JP S61121449 A JPS61121449 A JP S61121449A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film carrier
- lsi
- support plate
- lsi chips
- lsi chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、長いフィルムの一駒ごとにリードフレームを
形成し、フレームの端子にＬＳＩチップを搭載するよう
なフィルムキャリアの上を走る配線によって、ＬＳＩチ
ップ間が電気的に接続され、かつ３次元的に配列される
ようなＬＳＩチップの高密度の実装構造及び実装方法に
関するものである。
形成し、フレームの端子にＬＳＩチップを搭載するよう
なフィルムキャリアの上を走る配線によって、ＬＳＩチ
ップ間が電気的に接続され、かつ３次元的に配列される
ようなＬＳＩチップの高密度の実装構造及び実装方法に
関するものである。
従来、この種のＬＳＩチップの実装構造では、チップを
搭載したフィルムキャリアラ＜９返しＳ字状にわん曲さ
せてゆく方法（ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉａ−
ｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｌｎｌ Ｖｏｌ 、１７
＋ ４１０１ Ｍａｒｃｈ １９７５１ ｐｐ３０８
４〜３０８６ 、 ｂｙ Ｋ、Ｒ，Ｇｒｅｂｅ ）、あ
るいは、ＬＳＩチップを搭載したフィルムキャリアをく
り返し垂直に折シ曲げて、配線用ボードへ接続する方法
（特願詔５５−２７４６１ ）がある。
搭載したフィルムキャリアラ＜９返しＳ字状にわん曲さ
せてゆく方法（ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉａ−
ｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｌｎｌ Ｖｏｌ 、１７
＋ ４１０１ Ｍａｒｃｈ １９７５１ ｐｐ３０８
４〜３０８６ 、 ｂｙ Ｋ、Ｒ，Ｇｒｅｂｅ ）、あ
るいは、ＬＳＩチップを搭載したフィルムキャリアをく
り返し垂直に折シ曲げて、配線用ボードへ接続する方法
（特願詔５５−２７４６１ ）がある。
ところが、上述においては、 ＬＳＩチップがフィルム
キャリアとの接続部のみで支えられているため、全体を
ケースの中に収めることによシパッケージングを行なっ
た場合、衝撃に弱い、あるいは、ＬＳＩチップで発生し
た熱を放散しにくく、発熱量の大きいＬＳＩチップが実
装できない、と言った欠点があった。
キャリアとの接続部のみで支えられているため、全体を
ケースの中に収めることによシパッケージングを行なっ
た場合、衝撃に弱い、あるいは、ＬＳＩチップで発生し
た熱を放散しにくく、発熱量の大きいＬＳＩチップが実
装できない、と言った欠点があった。
本発明は、これらの欠点を取）除くために、フィルムキ
ャリアを折シたたむと同時にフィルムキャリアに搭載さ
れたＬＳＩチップの回路面と反対の面を放熱兼支持用の
支持板に取シ付けるようにしたものである。本発明の具
体的構成及び作用について、以下、実施例を示して説明
する。
ャリアを折シたたむと同時にフィルムキャリアに搭載さ
れたＬＳＩチップの回路面と反対の面を放熱兼支持用の
支持板に取シ付けるようにしたものである。本発明の具
体的構成及び作用について、以下、実施例を示して説明
する。
第９図は本発明の一実施例に使用するそれ自体既知のフ
ィルムキャリアであり（ａ）は平面図、 （ｂ）はその
Ａ−Ａ’断面図である。図中１１はフィルムキャリア、
比はスプロケットホール、１３はＬＳＩチップが入υ込
むホール、１４はＬＳＩチップ、１５はＬＳＩチップと
フィルムキャリアを接続するリード、１６はフィルムキ
ャリアを走る配線である。フィルムキャリヤ１１へのＬ
ＳＩチップ１４の搭載は、通常のインナーリードボンデ
ィング法にて行なう。必要な個数のＬＳＩチップ１４が
搭載されたフィルムキャリア１１は、第９図の左右方向
に連続してつながってお、り、ＬＳＩからのリードはフ
ィルムキャリア１１の上の配線１６によって、全てのＬ
ＳＩが接続されるようになっている。
ィルムキャリアであり（ａ）は平面図、 （ｂ）はその
Ａ−Ａ’断面図である。図中１１はフィルムキャリア、
比はスプロケットホール、１３はＬＳＩチップが入υ込
むホール、１４はＬＳＩチップ、１５はＬＳＩチップと
フィルムキャリアを接続するリード、１６はフィルムキ
ャリアを走る配線である。フィルムキャリヤ１１へのＬ
ＳＩチップ１４の搭載は、通常のインナーリードボンデ
ィング法にて行なう。必要な個数のＬＳＩチップ１４が
搭載されたフィルムキャリア１１は、第９図の左右方向
に連続してつながってお、り、ＬＳＩからのリードはフ
ィルムキャリア１１の上の配線１６によって、全てのＬ
ＳＩが接続されるようになっている。
第１図がこのフィルムキャリアを用いた本発明の一実施
例である。図はフィルムキャリア１１上のＬＳＩチップ
１４と支持板２１を接着した構造を示す。
例である。図はフィルムキャリア１１上のＬＳＩチップ
１４と支持板２１を接着した構造を示す。
（ａ）は断面図であり （ｂ）は側面図である。支持板
２１はＬＳＩチップ１４のヒートシンクの役割と支持の
役割を合せ持っておシ、材質としては、アルミ等の金属
、あるいは８１等の半導体が適当である。
２１はＬＳＩチップ１４のヒートシンクの役割と支持の
役割を合せ持っておシ、材質としては、アルミ等の金属
、あるいは８１等の半導体が適当である。
第２図は、フィルムキャリア１１上のＬＳＩチップ１４
と支持板２１との接着工程の一例であシ、３１はローラ
である。第２図の工程は、以下のようである。
と支持板２１との接着工程の一例であシ、３１はローラ
である。第２図の工程は、以下のようである。
まず、■図のようにフィルムキャリア１１のＬＳＩチッ
プ１４を搭載した面と反対の面がローラ３１の最上面に
接し、且つ２つのローラ３１の中間黒人とフィルムキャ
リア１１上のＬＳＩチップ１４間の中間黒人が一致する
ようにセットする。次に、■ＬＳＩチップ１４が接着さ
れるべき面に接着剤を塗った支持板２１ｔ−Ａ点に向っ
て下方向に、その下端がＢの面になるまで移動させるこ
とによって、先に第１図で示も良い。そして、その後■
ローラ３１ｔ−その上端がＢの面に来るまで下方向に移
動させた後フィルムキャリア全体ｔ−Ａ’点がＡ点に一
致するまで右から左に送る。次Ｋ、■ローラ３１を図の
位置まで戻し、再び上記■〜■の工程ヲ＜シ返すことに
よって第１図で示したような支持板２１とフィルムキャ
リアＵ上のＬＳＩチップ１４との接着構造を連続的に作
製することが可能である。尚、本工程に於て、■の工程
の際、フィルムキャリア１１とＬＳＩチップ１４との接
続がはがれないように、ローラ３１の左方に位置する、
支持板２１に接着されたＬＳＩチップ１４の載ったフィ
ルムキャリア１１と、右方に位置する支持板２１に接着
される前のＬＳＩチップ１４が載ったフィルムキャリア
１１ｔ一工程中の動きに合せて治具等（図示せず）で支
えながら行・なっていく必要がある。
プ１４を搭載した面と反対の面がローラ３１の最上面に
接し、且つ２つのローラ３１の中間黒人とフィルムキャ
リア１１上のＬＳＩチップ１４間の中間黒人が一致する
ようにセットする。次に、■ＬＳＩチップ１４が接着さ
れるべき面に接着剤を塗った支持板２１ｔ−Ａ点に向っ
て下方向に、その下端がＢの面になるまで移動させるこ
とによって、先に第１図で示も良い。そして、その後■
ローラ３１ｔ−その上端がＢの面に来るまで下方向に移
動させた後フィルムキャリア全体ｔ−Ａ’点がＡ点に一
致するまで右から左に送る。次Ｋ、■ローラ３１を図の
位置まで戻し、再び上記■〜■の工程ヲ＜シ返すことに
よって第１図で示したような支持板２１とフィルムキャ
リアＵ上のＬＳＩチップ１４との接着構造を連続的に作
製することが可能である。尚、本工程に於て、■の工程
の際、フィルムキャリア１１とＬＳＩチップ１４との接
続がはがれないように、ローラ３１の左方に位置する、
支持板２１に接着されたＬＳＩチップ１４の載ったフィ
ルムキャリア１１と、右方に位置する支持板２１に接着
される前のＬＳＩチップ１４が載ったフィルムキャリア
１１ｔ一工程中の動きに合せて治具等（図示せず）で支
えながら行・なっていく必要がある。
第３図は、フィルムキャリア１１上のＬＳＩチップ１４
と支持板２１との接着構造をケーシングした一例テアシ
、（ａ） （Ｃ） （ｄ）は断面図、（ｂ） （ｅ）
（ｆ） （ｇ）は他の側面からの断面図である。なお、
各図においてフィルムキャリアや支持板を実線で、ケー
スその他を破線で示した。図（ａ）Φ）において４１は
ケース、４１１はケースに刻まれた支持板２１ｔ−はめ
こむための溝、４２はフタ、４２１はフタに付けられた
突起である。図（ｂ）は（ａ）の矢印方向を見た図であ
シ、（ａ）（ｂ）に示すようにケース４１に刻まれた溝
４１１に支持板２１の両側端部をはめこみ、フタ４２ｔ
−１溝４１１に突起４２１がはｔｂこむように、かぶせ
ることによシケーシングが完了する。これによってフィ
ルムキャリア１１によって電気的に接続されたＬＳＩチ
ップ１４が支持板２１によって固定され、かつ、チップ
からの熱が支持板の端部から放熱されるような、実装構
造が得られる。
と支持板２１との接着構造をケーシングした一例テアシ
、（ａ） （Ｃ） （ｄ）は断面図、（ｂ） （ｅ）
（ｆ） （ｇ）は他の側面からの断面図である。なお、
各図においてフィルムキャリアや支持板を実線で、ケー
スその他を破線で示した。図（ａ）Φ）において４１は
ケース、４１１はケースに刻まれた支持板２１ｔ−はめ
こむための溝、４２はフタ、４２１はフタに付けられた
突起である。図（ｂ）は（ａ）の矢印方向を見た図であ
シ、（ａ）（ｂ）に示すようにケース４１に刻まれた溝
４１１に支持板２１の両側端部をはめこみ、フタ４２ｔ
−１溝４１１に突起４２１がはｔｂこむように、かぶせ
ることによシケーシングが完了する。これによってフィ
ルムキャリア１１によって電気的に接続されたＬＳＩチ
ップ１４が支持板２１によって固定され、かつ、チップ
からの熱が支持板の端部から放熱されるような、実装構
造が得られる。
さらに、チップの冷却効率を高めるためには、第３図（
Ｃ） ｈるいは（ｄ）に示すように、支持板２１の中に
冷媒を流すための液路４３を設ける方法、あるいは、第
３図（ｅ）に示すように、支持板２１の一部をケース４
１の外に出すことにより、放熱フィンの効果をもたせる
ことが有効である。第３図（ｆ）は第３図（Ｃ）の矢印
方向を見た断面を示しておシ、支持板２１とバーメチカ
リに接触し、液路招同志を結ぶための液路接続体８１を
備える。そして複数の支持体間において液路８１Ａ 、
８１Ｂは共通接続（直列もしくは並列）される。第３
図（２）は第３図（ｄ）の矢印方向を見た図であυ、液
路接続体８２が設けられている。
Ｃ） ｈるいは（ｄ）に示すように、支持板２１の中に
冷媒を流すための液路４３を設ける方法、あるいは、第
３図（ｅ）に示すように、支持板２１の一部をケース４
１の外に出すことにより、放熱フィンの効果をもたせる
ことが有効である。第３図（ｆ）は第３図（Ｃ）の矢印
方向を見た断面を示しておシ、支持板２１とバーメチカ
リに接触し、液路招同志を結ぶための液路接続体８１を
備える。そして複数の支持体間において液路８１Ａ 、
８１Ｂは共通接続（直列もしくは並列）される。第３
図（２）は第３図（ｄ）の矢印方向を見た図であυ、液
路接続体８２が設けられている。
ただし、この場合、図示のごとくケース４１に液路接続
体８２ヲ通すための穴８３が必要になる。
体８２ヲ通すための穴８３が必要になる。
第４図は、フィルムキャリア１１上のＬＳＩチップ１４
と支持板２１との接着構造を配線用ボードへ接続した一
例であシ、５１は配線用ボード、５２は電気接続部であ
る。支持板２１の直下のフィルムキャリア上に電極パッ
ドを設け、これに対して支持板２１の配列のピッチに合
せて電極パッドが設けられた配線ボード５１を接触させ
る。
と支持板２１との接着構造を配線用ボードへ接続した一
例であシ、５１は配線用ボード、５２は電気接続部であ
る。支持板２１の直下のフィルムキャリア上に電極パッ
ドを設け、これに対して支持板２１の配列のピッチに合
せて電極パッドが設けられた配線ボード５１を接触させ
る。
電極パッドとしてハンダバンプを用いれば、加熱するこ
とによって電気接続部５２ｔ−ノ１ンダバング同士を結
合させる、いわゆるＣＣＢ接続法で形成することができ
る。
とによって電気接続部５２ｔ−ノ１ンダバング同士を結
合させる、いわゆるＣＣＢ接続法で形成することができ
る。
第５図は、フィルムキャリア１１上のＬＳＩチップ１４
と支持板２１との接着構造を配線用ボード５１上へれＵ
字状になっている点である。このようにすれば、例えば
第３図で示したケース４１の溝４１１に支持板２１′ｔ
−はめこむ際１つずつ行なうことが可能である。配線用
ボード５１への接続は第４図と同様の方法で、行なうこ
とによって、各ＬＳＩチップ１４が、配線ボード５１に
よシミ気的に接続された実装構造を得ることができる。
と支持板２１との接着構造を配線用ボード５１上へれＵ
字状になっている点である。このようにすれば、例えば
第３図で示したケース４１の溝４１１に支持板２１′ｔ
−はめこむ際１つずつ行なうことが可能である。配線用
ボード５１への接続は第４図と同様の方法で、行なうこ
とによって、各ＬＳＩチップ１４が、配線ボード５１に
よシミ気的に接続された実装構造を得ることができる。
第６図は、本発明の実施例に使用する、第９図とは異な
るそれ自体既知のＬＳＩを７エイスダウンで搭載したフ
ィルムキャリアであυ、（ａ）は平面図、［有］）は断
面図である。図中、７１は電気接続部である。
るそれ自体既知のＬＳＩを７エイスダウンで搭載したフ
ィルムキャリアであυ、（ａ）は平面図、［有］）は断
面図である。図中、７１は電気接続部である。
フィルムキャリア１１へのＬＳＩチップ１４のフエイス
ダウンでの搭載は、前述のＣＣＢ法にて電気接続部７１
ｔ−形成することによシ行なう。第９図と同様に、必
要な個数のＬＳＩチップ１４が搭載されたフィルムキャ
リア１１は、図の左右方向へ連続してつながっておシ、
全てのＬＳＩがフィルムキャリア１１の上の配線１６に
よって電気的に接続されるようになっている。
ダウンでの搭載は、前述のＣＣＢ法にて電気接続部７１
ｔ−形成することによシ行なう。第９図と同様に、必
要な個数のＬＳＩチップ１４が搭載されたフィルムキャ
リア１１は、図の左右方向へ連続してつながっておシ、
全てのＬＳＩがフィルムキャリア１１の上の配線１６に
よって電気的に接続されるようになっている。
第７図は、第６図のフィルムキャリアを用いた本発明の
実施例であシ、第６図で示したフィルムキャリア１１上
の７エイスダウ／のＬＳＩチップ１４と支持板２１ｔ−
接着した構造の断面図である。この構造の製作は、先に
第２図で示した方法と同様の方法にて行なうことができ
る。第７図の構造の第１図との相違はフィルムキャリア
１１上の配線面が支持板２１に接することである。この
ため、第７図の構造では、フィルムキャリア１１と支持
板２１が接する部分で、ショートが起きぬようにフィル
ムキャリア１１と支持板２１が接する部分の配線の表面
を絶縁化するか、あるいはフィルムキャリア１１と支持
板２１が接する部分の支持板２１の表面を絶縁化してお
く。又、第７図の構造は第３図で示した方法と同様の方
法にてケーシングが可能である。
実施例であシ、第６図で示したフィルムキャリア１１上
の７エイスダウ／のＬＳＩチップ１４と支持板２１ｔ−
接着した構造の断面図である。この構造の製作は、先に
第２図で示した方法と同様の方法にて行なうことができ
る。第７図の構造の第１図との相違はフィルムキャリア
１１上の配線面が支持板２１に接することである。この
ため、第７図の構造では、フィルムキャリア１１と支持
板２１が接する部分で、ショートが起きぬようにフィル
ムキャリア１１と支持板２１が接する部分の配線の表面
を絶縁化するか、あるいはフィルムキャリア１１と支持
板２１が接する部分の支持板２１の表面を絶縁化してお
く。又、第７図の構造は第３図で示した方法と同様の方
法にてケーシングが可能である。
第８図は、フィルムキャリア上のフェイスダウンのＬＳ
Ｉチップと放熱板との接着構造（第７図）を配線用ボー
ドへ接続した一例である。第４図との相違は、フィルム
キャリアＵ上の電極パッドを図の最上部のフィルムキャ
リアの部分に設ける点である。フィルムキャリア上の電
極パッドに向って配線ボード５１の電極パッドを合わせ
、前述のＣＣＢ接続を行なうことによって、電気接続部
５２を形成する。又、この構造では、たとえば、第３図
に示すケース４１の溝４１１に支持板２１′ｔ−はめこ
んだ場合、はめこむ工程の後に８字をくシ返してたたま
れているフィルムキャリアの上に配線ボード５１をのせ
て、電気接続を行なうことが可能である。
Ｉチップと放熱板との接着構造（第７図）を配線用ボー
ドへ接続した一例である。第４図との相違は、フィルム
キャリアＵ上の電極パッドを図の最上部のフィルムキャ
リアの部分に設ける点である。フィルムキャリア上の電
極パッドに向って配線ボード５１の電極パッドを合わせ
、前述のＣＣＢ接続を行なうことによって、電気接続部
５２を形成する。又、この構造では、たとえば、第３図
に示すケース４１の溝４１１に支持板２１′ｔ−はめこ
んだ場合、はめこむ工程の後に８字をくシ返してたたま
れているフィルムキャリアの上に配線ボード５１をのせ
て、電気接続を行なうことが可能である。
なお、以上の各実施例において１枚の支持板には２枚の
ＬＳＩチップを接着した例を示したが、もつと多数枚の
ＬＳＩチップを接着しても良いことはもちろんである。
ＬＳＩチップを接着した例を示したが、もつと多数枚の
ＬＳＩチップを接着しても良いことはもちろんである。
以上説明したように、本発明によればフィルムキャリア
に搭載されたＬＳＩチップをその裏面を支持板に接続し
、ＬＳＩチップｔ−３次元的に配列するような構造が得
られ、■ＬＳＩチップの固定が確定であるため衝撃に強
い、■支持板によってＬＳＩチップからの熱を充分に吸
収できるため、発熱量の大きいＬＳＩチップが搭載でき
る、といった利点を有する高密度ＬＳＩチップ実装構造
及び実装方法が提供される。
に搭載されたＬＳＩチップをその裏面を支持板に接続し
、ＬＳＩチップｔ−３次元的に配列するような構造が得
られ、■ＬＳＩチップの固定が確定であるため衝撃に強
い、■支持板によってＬＳＩチップからの熱を充分に吸
収できるため、発熱量の大きいＬＳＩチップが搭載でき
る、といった利点を有する高密度ＬＳＩチップ実装構造
及び実装方法が提供される。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例におけるフィルム
キャリアと平行な断面構造を示す図、図伽）はフィルム
キャリアと直交する方向の断面構造を示す図、 第２図は本発明のＬＳＩチップ実装方法のフィルムキャ
リア上のＬＳＩチップと支持板との接着工程の一例を示
す図、 第３図（ａ）は本発明の第１の実施例のＬＳＩ実装構造
のケーシング例を示す横断面図、及び図伽）はその縦断
面図、図（０）は本発明の第２の実施例の横断面図、図
（ｄ）は本発明の第３の実施例の横断面図、図（ｅ）は
本発明の第４の実施例の縦断面図、図（ｆ）は本発明の
第２の実施例（図（Ｃ））の縦断面図、図は）は本発明
の第３の実施例（図（ｄ））の縦断面図、第４図は本発
明の第１の実施例のフィルムキャリア上のＬＳＩチップ
と支持板との接着構造を配線用ボードへ接続した第１例
を示す横断面図、第５図は本発明のフィルムキャリア上
のＬＳＩチップと支持板との接着構造を配線用ボードへ
接続した第２例の横断面図、 第６図（ａ） 、 （ｂ）はそれ自体既知の本発明の実
施例に用いるＬＳＩ’ｉ（フェイスダウンで搭載したフ
ィルムキャリアのそれぞれ平面図、及び横断面図、第７
図はＬＳＩｔ−フェイスダウンで搭載したフィルムキャ
リアの本発明の適用例を示す横断面図、第８図は第７図
の構造を配線用ボードへ接続した例の横断面図、 第９図（ａ） 、 （ｂ）はそれ自体既知の本発明の実
施例に用いるＬＳＩを搭載したフィルムキャリアのそれ
ぞれ平面図及び横断面図。 １１・・・フィルムキャリア、１２・・・スプロケット
ホール、１３・・・ホール、１４・・・ＬＳＩチップ、
１５・・・（ＬＳＩチップとフィルムキャリアラ接続す
る）リード、１６・・・（フィルムキャリア上を走る）
配線、２１・・・支持板、３１・・・ローラ、４１・・
・ケース、４１１・・・（ケースに刻まれた支持板をは
めこむための）溝、４２・・・フタ、４２１・・・（フ
タに付けられた）突起、招・・・（支持板中に冷媒を流
すための）液路、５１・・・配線用ボード、５２・・・
電気接続部、７１・・・電気接続部。
キャリアと平行な断面構造を示す図、図伽）はフィルム
キャリアと直交する方向の断面構造を示す図、 第２図は本発明のＬＳＩチップ実装方法のフィルムキャ
リア上のＬＳＩチップと支持板との接着工程の一例を示
す図、 第３図（ａ）は本発明の第１の実施例のＬＳＩ実装構造
のケーシング例を示す横断面図、及び図伽）はその縦断
面図、図（０）は本発明の第２の実施例の横断面図、図
（ｄ）は本発明の第３の実施例の横断面図、図（ｅ）は
本発明の第４の実施例の縦断面図、図（ｆ）は本発明の
第２の実施例（図（Ｃ））の縦断面図、図は）は本発明
の第３の実施例（図（ｄ））の縦断面図、第４図は本発
明の第１の実施例のフィルムキャリア上のＬＳＩチップ
と支持板との接着構造を配線用ボードへ接続した第１例
を示す横断面図、第５図は本発明のフィルムキャリア上
のＬＳＩチップと支持板との接着構造を配線用ボードへ
接続した第２例の横断面図、 第６図（ａ） 、 （ｂ）はそれ自体既知の本発明の実
施例に用いるＬＳＩ’ｉ（フェイスダウンで搭載したフ
ィルムキャリアのそれぞれ平面図、及び横断面図、第７
図はＬＳＩｔ−フェイスダウンで搭載したフィルムキャ
リアの本発明の適用例を示す横断面図、第８図は第７図
の構造を配線用ボードへ接続した例の横断面図、 第９図（ａ） 、 （ｂ）はそれ自体既知の本発明の実
施例に用いるＬＳＩを搭載したフィルムキャリアのそれ
ぞれ平面図及び横断面図。 １１・・・フィルムキャリア、１２・・・スプロケット
ホール、１３・・・ホール、１４・・・ＬＳＩチップ、
１５・・・（ＬＳＩチップとフィルムキャリアラ接続す
る）リード、１６・・・（フィルムキャリア上を走る）
配線、２１・・・支持板、３１・・・ローラ、４１・・
・ケース、４１１・・・（ケースに刻まれた支持板をは
めこむための）溝、４２・・・フタ、４２１・・・（フ
タに付けられた）突起、招・・・（支持板中に冷媒を流
すための）液路、５１・・・配線用ボード、５２・・・
電気接続部、７１・・・電気接続部。
Claims (6)
- （１）複数のＬＳＩチップをフィルムキャリアを用いて
１つのケースに実装する構造において、複数のＬＳＩチ
ップが搭載されたフィルム、キャリアと、表・裏にＬＳ
Ｉチップの取り付け面を備える支持板どを備え、該複数
のＬＳＩチップが搭載されたフィルムキャリアの隣接し
たＬＳＩチップ間が折れ曲がりＵ字、Ｓ字又は繰り返し
たＳ字状に形成され、該ＬＳＩチップの回路面と反対の
面がそれぞれ該支持板の表・裏に接着されており、かつ
該複数のＬＳＩチップがフィルムキャリア上の配線によ
つて電気的に接続されていることを特徴とするＬＳＩチ
ップ実装構造。 - （２）前記支持板の中に冷媒を流すための液路を有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＬＳＩチ
ップ実装構造。 - （３）複数のＬＳＩチップが搭載されたフィルムキャリ
アと、表・裏にＬＳＩチップの取り付け面を備える支持
板とを備え、該複数のＬＳＩチップが搭載されたフィル
ムキャリアの隣接したＬＳＩチップ間が折れ曲がりＵ字
、Ｓ字又は繰り返しＳ字状に形成され、該ＬＳＩチップ
の回路面と反対の面がそれぞれ該支持板の表・裏に接着
されており、かつ該複数のＬＳＩチップがフィルムキャ
リア上の配線によつて電気的に接続されてなり、さらに
配線用ボードが備えられるとともに前記フィルムキャリ
アの曲げられた部分に電気接続端子を有し、該電気接続
端子を介して前記フィルムキャリアと配線用ボード間が
電気的に接続されていることを特徴とするＬＳＩチップ
実装構造。 - （４）前記電気接続端子が支持板の下端面に接する前記
フィルムキャリアの折り曲げ部上に形成され、前記配線
用ボードに該電気接続端子が接続すると共に、表・裏に
ＬＳＩチップを接着した前記支持板を配線用ボードに垂
直に並べて実装したことを特徴とする前記特許請求の範
囲第３項記載のＬＳＩチップ実装構造。 - （５）前記フィルムキャリアが交互に複数回折り曲げら
れ、支持板の下端面に接する折り曲げ部と反転折り曲げ
部とを有する繰り返しＳ字状に形成され、該反転折り曲
げ部に電気接続端子が形成され、該電気接続端子が配線
用ボードに接続されていることを特徴とする特許請求の
範囲第３項記載のＬＳＩチップ実装構造。 - （６）多数のＬＳＩチップをフィルムキャリアを用いて
１つのケースに実装する方法において、該フィルムキャ
リアのＬＳＩチップを搭載した面と反対の面に、所定の
間隔を置いて配された２本のローラを当接せしめ、該２
本のローラの中間点とフィルムキャリア上の隣接するＬ
ＳＩチップ間の中間点とを一致させ、支持板を該フィル
ムキャリアのＬＳＩチップを搭載した面の前記中間点に
当接して該フィルムキャリアと垂直方向に移動させて前
記２本のローラ間を通過せしめ、前記ＬＳＩチップの裏
面または支持板の表・裏面に塗布した接着剤により該支
持板の表・裏にＬＳＩチップを接着することを特徴とす
るＬＳＩチップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243899A JPS61121449A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243899A JPS61121449A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121449A true JPS61121449A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH053737B2 JPH053737B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=17110653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59243899A Granted JPS61121449A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121449A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113543A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0538880U (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-25 | 船井電機株式会社 | 半導体の実装構造 |
| JPH06120285A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-04-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路デバイスの入力／出力ポイント再構成装置及び方法、並びに入力／出力ポイントを再構成するためのエレメント形成方法 |
| US6172418B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2007258711A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 結合装置を有するコンパクトなパワー半導体モジュール |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59243899A patent/JPS61121449A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02113543A (ja) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH0538880U (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-25 | 船井電機株式会社 | 半導体の実装構造 |
| JPH06120285A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-04-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路デバイスの入力／出力ポイント再構成装置及び方法、並びに入力／出力ポイントを再構成するためのエレメント形成方法 |
| US6172418B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-01-09 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2007258711A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 結合装置を有するコンパクトなパワー半導体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053737B2 (ja) | 1993-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6479322B2 (en) | Semiconductor device with two stacked chips in one resin body and method of producing | |
| JP3329073B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| EP0179577B1 (en) | Method for making a semiconductor device having conductor pins | |
| JPH0550134B2 (ja) | ||
| JPH1092983A (ja) | 基板の構造要素への効果的なヒートシンク接触を可能にする装置および方法 | |
| JPH077121A (ja) | 多層リードフレームアセンブリを有する半導体デバイスおよびそのパッケージ方法 | |
| JP3301355B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置用ｔａｂテープ及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| US5057907A (en) | Method and structure for forming vertical semiconductor interconnection | |
| JPH0513504A (ja) | 垂直半導体相互接続方法及び構成体 | |
| JPS61121449A (ja) | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 | |
| JP2871636B2 (ja) | Ｌｓｉモジュールとその製造方法 | |
| US4736882A (en) | Thermode design for tab and method of use | |
| JPH0322544A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1084011A (ja) | 半導体装置及びこの製造方法並びにその実装方法 | |
| JP2986661B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02244661A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2934119B2 (ja) | 半導体装置、積層体及びモジュール構造体 | |
| JP3320017B2 (ja) | モジュール構造体 | |
| JP3288973B2 (ja) | 半導体装置、積層体及びモジュール構造体 | |
| JPH06291248A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08125118A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR100721274B1 (ko) | 반도체 칩 조립체의 형성 방법 | |
| JPS613497A (ja) | 異種複合プリント板の電気接続構造 | |
| JPS5927537A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6262533A (ja) | 半導体素子の高密度実装方法 |