JPH053737B2 - - Google Patents
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- JPH053737B2 JPH053737B2 JP59243899A JP24389984A JPH053737B2 JP H053737 B2 JPH053737 B2 JP H053737B2 JP 59243899 A JP59243899 A JP 59243899A JP 24389984 A JP24389984 A JP 24389984A JP H053737 B2 JPH053737 B2 JP H053737B2
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- film carrier
- lsi
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、長いフイルムの一駒ごとにリードフ
レームを形成し、フレームの端子にLSIチツプを
搭載するようなフイルムキヤリアの上を走る配線
によつて、LSIチツプ間が電気的に接続され、か
つ３次元的に配列されるようなLSIチツプの高密
度の実装構造及び実装方法に関するものである。
レームを形成し、フレームの端子にLSIチツプを
搭載するようなフイルムキヤリアの上を走る配線
によつて、LSIチツプ間が電気的に接続され、か
つ３次元的に配列されるようなLSIチツプの高密
度の実装構造及び実装方法に関するものである。
従来、この種のLSIチツプの実装構造では、チ
ツプを搭載したフイルムキヤリアをくり返しＳ字
状にわん曲させてゆく方法（IBM Technical
Dis−closure Bulletin、Vol.17、No.10、March
1975、pp3084〜3086、by K.R.Grebe）、あるい
は、LSIチツプを搭載したフイルムキヤリアをく
り返し垂直に折り曲げて、配線用ボードへ接続す
る方法（特願昭55−27461）がある。
ツプを搭載したフイルムキヤリアをくり返しＳ字
状にわん曲させてゆく方法（IBM Technical
Dis−closure Bulletin、Vol.17、No.10、March
1975、pp3084〜3086、by K.R.Grebe）、あるい
は、LSIチツプを搭載したフイルムキヤリアをく
り返し垂直に折り曲げて、配線用ボードへ接続す
る方法（特願昭55−27461）がある。
ところが、上述においては、LSIチツプがフイ
ルムキヤリアとの接続部のみで支えられているた
め、全体をケースの中に収めることによりパツケ
ージングを行なつた場合、衝撃に弱い、あるい
は、LSIチツプで発生した熱を放散しにくく、発
熱量の大きいLSIチツプが実装できない、と言つ
た欠点があつた。
ルムキヤリアとの接続部のみで支えられているた
め、全体をケースの中に収めることによりパツケ
ージングを行なつた場合、衝撃に弱い、あるい
は、LSIチツプで発生した熱を放散しにくく、発
熱量の大きいLSIチツプが実装できない、と言つ
た欠点があつた。
本発明は、これらの欠点を取り除くために、フ
イルムキヤリアを折りたたむと同時にフイルムキ
ヤリアに搭載されたLSIチツプの回路面と反対の
面を放熱兼支持用の支持板に取り付けるようにし
たものである。本発明の具体的構成及び作用につ
いて、以下、実施例を示して説明する。
イルムキヤリアを折りたたむと同時にフイルムキ
ヤリアに搭載されたLSIチツプの回路面と反対の
面を放熱兼支持用の支持板に取り付けるようにし
たものである。本発明の具体的構成及び作用につ
いて、以下、実施例を示して説明する。
第９図は本発明の一実施例に使用するそれ自体
既知のフイルムキヤリアでありａは平面図、ｂは
そのＡ−A′断面図である。図中１１はフイルム
キヤリア、１２はスプロケツトホール、１３は
LSIチツプが入り込むホール、１４はLSIチツプ、
１５はLSIチツプとフイルムキヤリアを接続する
リード、１６はフイルムキヤリアを走る配線であ
る。フイルムキヤリヤ１１へのLSIチツプ１４の
搭載は、通常のインナーリードボンデイング法に
て行なう。必要な個数のLSIチツプ１４が搭載さ
れたフイルムキヤリア１１は、第９図の左右方向
に連続してつながつており、LSIからのリードは
フイルムキヤリア１１の上の配線１６によつて、
全てのLSIが接続されるようになつている。
既知のフイルムキヤリアでありａは平面図、ｂは
そのＡ−A′断面図である。図中１１はフイルム
キヤリア、１２はスプロケツトホール、１３は
LSIチツプが入り込むホール、１４はLSIチツプ、
１５はLSIチツプとフイルムキヤリアを接続する
リード、１６はフイルムキヤリアを走る配線であ
る。フイルムキヤリヤ１１へのLSIチツプ１４の
搭載は、通常のインナーリードボンデイング法に
て行なう。必要な個数のLSIチツプ１４が搭載さ
れたフイルムキヤリア１１は、第９図の左右方向
に連続してつながつており、LSIからのリードは
フイルムキヤリア１１の上の配線１６によつて、
全てのLSIが接続されるようになつている。
第１図がこのフイルムキヤリアを用いた本発明
の一実施例である。図はフイルムキヤリア１１上
のLSIチツプ１４の支持板２１を接着した構造を
示す。ａは断面図でありｂは側面図である。支持
板２１はLSIチツプ１４のヒートシンクの役割と
支持の役割を合せ持つており、材質としてはアル
ミ等の金属、あるいはSi等の半導体が適当であ
る。
の一実施例である。図はフイルムキヤリア１１上
のLSIチツプ１４の支持板２１を接着した構造を
示す。ａは断面図でありｂは側面図である。支持
板２１はLSIチツプ１４のヒートシンクの役割と
支持の役割を合せ持つており、材質としてはアル
ミ等の金属、あるいはSi等の半導体が適当であ
る。
第２図は、フイルムキヤリア１１上のLSIチツ
プ１４と支持板２１との接着工程の一例であり、
３１はローラである。第２図の工程は、以下のよ
うである。まず、図のようにフイルムキヤリア
１１のLSIチツプ１４を搭載した面と反対の面が
ローラ３１の最上面に接し、且つ２つのローラ３
１の中間点Ａとフイルムキヤリア１１上のLSIチ
ツプ１４間の中間点Ａが一致するようにセツトす
る。次に、LSIチツプ１４が接着されるべき面
に接着剤を塗つた支持板２１をＡ点に向つて下方
向に、その下端がＢの面になるまで移動させるこ
とによつて、先に第１図で示したような支持板２
１とLSIチツプ１４との接着構造が得られる。な
お、接着剤はLSIチツプ側に塗つても良い。そし
て、その後ローラ３１をその上端がＢの面に来
るまで下方向に移動させた後フイルムキヤリア全
体をA′点がＡ点に一致するまで右から左に送る。
次に、ローラ３１を図の位置まで戻し、再び上
記〜の工程をくり返すことによつて第１図で
示したような支持板２１とフイルムキヤリア１１
上のLSIチツプ１４との接着構造を連続的に作製
することが可能である。尚、本工程に於て、の
工程の際、フイルムキヤリア１１とLSIチツプ１
４との接続がはがれないように、ローラ３１の左
方に位置する、支持板２１に接着されたLSIチツ
プ１４の載つたフイルムキヤリア１１と、右方に
位置する支持板２１に接着される前のLSIチツプ
１４が載つたフイルムキヤリア１１を工程中の動
きに合せて治具等（図示せず）で支えながら行な
つていく必要がある。
プ１４と支持板２１との接着工程の一例であり、
３１はローラである。第２図の工程は、以下のよ
うである。まず、図のようにフイルムキヤリア
１１のLSIチツプ１４を搭載した面と反対の面が
ローラ３１の最上面に接し、且つ２つのローラ３
１の中間点Ａとフイルムキヤリア１１上のLSIチ
ツプ１４間の中間点Ａが一致するようにセツトす
る。次に、LSIチツプ１４が接着されるべき面
に接着剤を塗つた支持板２１をＡ点に向つて下方
向に、その下端がＢの面になるまで移動させるこ
とによつて、先に第１図で示したような支持板２
１とLSIチツプ１４との接着構造が得られる。な
お、接着剤はLSIチツプ側に塗つても良い。そし
て、その後ローラ３１をその上端がＢの面に来
るまで下方向に移動させた後フイルムキヤリア全
体をA′点がＡ点に一致するまで右から左に送る。
次に、ローラ３１を図の位置まで戻し、再び上
記〜の工程をくり返すことによつて第１図で
示したような支持板２１とフイルムキヤリア１１
上のLSIチツプ１４との接着構造を連続的に作製
することが可能である。尚、本工程に於て、の
工程の際、フイルムキヤリア１１とLSIチツプ１
４との接続がはがれないように、ローラ３１の左
方に位置する、支持板２１に接着されたLSIチツ
プ１４の載つたフイルムキヤリア１１と、右方に
位置する支持板２１に接着される前のLSIチツプ
１４が載つたフイルムキヤリア１１を工程中の動
きに合せて治具等（図示せず）で支えながら行な
つていく必要がある。
第３図は、フイルムキヤリア１１上のLSIチツ
プ１４と支持板２１との接着構造をケーシングし
た一例であり、ａ，ｃ，ｄは断面図、ｂ，ｅ，
ｆ，ｇは他の側面からの断面図である。なお、各
図においてフイルムキヤリアや支持板を実線で、
ケースその他を破線で示した。図ａ，ｂにおいて
４１はケース、４１１はケースに刻まれた支持板
２１をはめこむための溝、４２はフタ、４２１は
フタに付けられた突起である。図ｂはａの矢印方
向を見た図であり、ａ，ｂに示すようにケース４
１に刻まれた溝４１１に支持板２１の両側端部を
はめこみ、フタ４２を、溝４１１に突起４２１が
はまりこむように、かぶせることによりケーシン
グが完了する。これによつてフイルムキヤリア１
１によつて電気的に接続されたLSIチツプ１４が
支持板２１によつて固定され、かつ、チツプから
の熱が支持板の端部から放熱されるような、実装
構造が得られる。
プ１４と支持板２１との接着構造をケーシングし
た一例であり、ａ，ｃ，ｄは断面図、ｂ，ｅ，
ｆ，ｇは他の側面からの断面図である。なお、各
図においてフイルムキヤリアや支持板を実線で、
ケースその他を破線で示した。図ａ，ｂにおいて
４１はケース、４１１はケースに刻まれた支持板
２１をはめこむための溝、４２はフタ、４２１は
フタに付けられた突起である。図ｂはａの矢印方
向を見た図であり、ａ，ｂに示すようにケース４
１に刻まれた溝４１１に支持板２１の両側端部を
はめこみ、フタ４２を、溝４１１に突起４２１が
はまりこむように、かぶせることによりケーシン
グが完了する。これによつてフイルムキヤリア１
１によつて電気的に接続されたLSIチツプ１４が
支持板２１によつて固定され、かつ、チツプから
の熱が支持板の端部から放熱されるような、実装
構造が得られる。
さらに、チツプの冷却効率を高めるためには、
第３図ｃあるいはｄに示すように、支持板２１の
中に冷媒を流すための液路４３を設ける方法、あ
るいは、第２図ｅに示すように、支持板２１の一
部をケース４１の外に出すことにより、放熱フイ
ンの効果をもたせることが有効である。第３図ｆ
は第３図ｃの矢印方向を見た断面を示しており、
支持板２１とハーメチカリに接触し、液路４３同
志を結ぶための液路接続体８１を備える。そして
複数の支持体間において液路８１Ａ，８１Ｂは共
通接続（直列もしくは並列）される。第３図ｇは
第３図ｄの矢印方向を見た図であり、液路接続体
８２が設けられている。ただし、この場合、図示
のごとくケース４１に液路接続体８２を通すため
の穴８３が必要になる。
第３図ｃあるいはｄに示すように、支持板２１の
中に冷媒を流すための液路４３を設ける方法、あ
るいは、第２図ｅに示すように、支持板２１の一
部をケース４１の外に出すことにより、放熱フイ
ンの効果をもたせることが有効である。第３図ｆ
は第３図ｃの矢印方向を見た断面を示しており、
支持板２１とハーメチカリに接触し、液路４３同
志を結ぶための液路接続体８１を備える。そして
複数の支持体間において液路８１Ａ，８１Ｂは共
通接続（直列もしくは並列）される。第３図ｇは
第３図ｄの矢印方向を見た図であり、液路接続体
８２が設けられている。ただし、この場合、図示
のごとくケース４１に液路接続体８２を通すため
の穴８３が必要になる。
第４図は、フイルムキヤリア１１上のLSIチツ
プ１４と支持板２１との接着構造を配線用ボード
へ接続した一例であり、５１は配線用ボード、５
２は電気接続部である。支持板２１の直下のフイ
ルムキヤリサ上に電極バツドを設け、これに対し
て支持板２１の配列のピツチに合せて電極パツド
が設けられた配線ボード５１を接触させる。
プ１４と支持板２１との接着構造を配線用ボード
へ接続した一例であり、５１は配線用ボード、５
２は電気接続部である。支持板２１の直下のフイ
ルムキヤリサ上に電極バツドを設け、これに対し
て支持板２１の配列のピツチに合せて電極パツド
が設けられた配線ボード５１を接触させる。
電極パツドとしてハンダバンプを用いれば、加
熱することによつて電気接続部５２をハンダバン
プ同士を結合させる、いわゆるCCB接続法で形
成することができる。
熱することによつて電気接続部５２をハンダバン
プ同士を結合させる、いわゆるCCB接続法で形
成することができる。
第５図は、フイルムキヤリア１１上のLSIチツ
プ１４と支持板２１との接着構造を配線用ボード
５１上へ接続した他の一例であり、第４図との違
いは、フイルムキヤリア１１が１つの支持板２１
毎に切りはなされＵ字状になつている点である。
このようにすれば、例えば第３図で示したケース
４１の溝４１１に支持板２１をはめこむ際１つず
つ行なうことが可能である。配線用ボード５１へ
の接続は第４図と同様の方法で、行なうことによ
つて、各LSIチツプ１４が、配線ボード５１によ
り電気的に接続された実装構造を得ることができ
る。
プ１４と支持板２１との接着構造を配線用ボード
５１上へ接続した他の一例であり、第４図との違
いは、フイルムキヤリア１１が１つの支持板２１
毎に切りはなされＵ字状になつている点である。
このようにすれば、例えば第３図で示したケース
４１の溝４１１に支持板２１をはめこむ際１つず
つ行なうことが可能である。配線用ボード５１へ
の接続は第４図と同様の方法で、行なうことによ
つて、各LSIチツプ１４が、配線ボード５１によ
り電気的に接続された実装構造を得ることができ
る。
第６図は、本発明の実施例に使用する、第９図
とは異なるそれ自体既知のLSIをフエイスダウン
で搭載したフイルムキヤリアであり、ａは平面
図、ｂは断面図である。図中、７１は電気接続部
である。フイルムキヤリア１１へのLSIチツプ１
４のフエイスダらンでの搭載は、前述のCCB法
にて電気接続部７１を形成することにより行な
う。第９図と同様に、必要な個数のLSIチツプ１
４が搭載されたフイルムキヤリア１１は、図の左
右方向へ連続してつながつており、全てのLSIが
フイルムキヤリア１１の上の配線１６によつて電
気的に接続されるようになつている。
とは異なるそれ自体既知のLSIをフエイスダウン
で搭載したフイルムキヤリアであり、ａは平面
図、ｂは断面図である。図中、７１は電気接続部
である。フイルムキヤリア１１へのLSIチツプ１
４のフエイスダらンでの搭載は、前述のCCB法
にて電気接続部７１を形成することにより行な
う。第９図と同様に、必要な個数のLSIチツプ１
４が搭載されたフイルムキヤリア１１は、図の左
右方向へ連続してつながつており、全てのLSIが
フイルムキヤリア１１の上の配線１６によつて電
気的に接続されるようになつている。
第７図は、第６図のフイルムキヤリアを用いた
本発明の実施例であり、第６図で示したフイルム
キヤリア１１上のフエイスダウンのLSIチツプ１
４と支持板２１を接着した構造の断面図である。
この構造の製作は、先に第２図で示した方法と同
様の方法にて行なうことができる。第７図の構造
の第１図との相違はフイルムキヤリア１１上の配
線面が支持板２１に接することである。このた
め、第７図の構造では、フイルムキヤリア１１と
支持板２１が接する部分で、シヨートが起きぬよ
うにフイルムキヤリア１１と支持板２１が接する
部分の配線の表面を絶縁化するか、あるいはフイ
ルムキヤリア１１と支持板２１が接する部分の支
持板２１の表面を絶縁化しておく。又、第７図の
構造は第３図で示した方法と同様の方法にてケー
シングが可能である。
本発明の実施例であり、第６図で示したフイルム
キヤリア１１上のフエイスダウンのLSIチツプ１
４と支持板２１を接着した構造の断面図である。
この構造の製作は、先に第２図で示した方法と同
様の方法にて行なうことができる。第７図の構造
の第１図との相違はフイルムキヤリア１１上の配
線面が支持板２１に接することである。このた
め、第７図の構造では、フイルムキヤリア１１と
支持板２１が接する部分で、シヨートが起きぬよ
うにフイルムキヤリア１１と支持板２１が接する
部分の配線の表面を絶縁化するか、あるいはフイ
ルムキヤリア１１と支持板２１が接する部分の支
持板２１の表面を絶縁化しておく。又、第７図の
構造は第３図で示した方法と同様の方法にてケー
シングが可能である。
第８図は、フイルムキヤリア上のフエイスダウ
ンのLSIチツプと放熱板との接着構造（第７図）
を配線用ボードへ接続した一例である。第４図と
の相違は、フイルムキヤリア１１上の電極パツド
を図の最上部のフイルムキヤリアの部分に設ける
点である。フイルムキヤリア上の電極パツドに向
つて配線ボード５１の電極パツドを合わせ、前述
のCCB接続を行なうことによつて、電気接続部
５２を形成する。又、この構造では、たとえば、
第３図に示すケース４１の溝４１１に支持板２１
をはめこんだ場合、はめこむ工程の後にＳ字をく
り返してたたまれているフイルムキヤリアの上に
配線ボード５１をのせて、電気接続を行なうこと
が可能である。
ンのLSIチツプと放熱板との接着構造（第７図）
を配線用ボードへ接続した一例である。第４図と
の相違は、フイルムキヤリア１１上の電極パツド
を図の最上部のフイルムキヤリアの部分に設ける
点である。フイルムキヤリア上の電極パツドに向
つて配線ボード５１の電極パツドを合わせ、前述
のCCB接続を行なうことによつて、電気接続部
５２を形成する。又、この構造では、たとえば、
第３図に示すケース４１の溝４１１に支持板２１
をはめこんだ場合、はめこむ工程の後にＳ字をく
り返してたたまれているフイルムキヤリアの上に
配線ボード５１をのせて、電気接続を行なうこと
が可能である。
なお、以上の各実施例において１枚の支持板に
は２枚のLSIチツプを接着した例を示したが、も
つと多数枚のLSIチツプを接着しても良いことは
もちろんである。
は２枚のLSIチツプを接着した例を示したが、も
つと多数枚のLSIチツプを接着しても良いことは
もちろんである。
以上説明したように、本発明によればフイルム
キヤリアに搭載されたLSIチツプをその裏面を支
持板に接続し、LSIチツプを３次元的に配列する
ような構造が得られ、LSIチツプの固定が確実
であるため衝撃に強い、支持板によつてLSIチ
ツプからの熱を充分に吸収できるため、発熱量の
大きいLSIチツプが搭載できる、といつた利点を
有する高密度LSIチツプ実装構造及び実装方法が
提供される。
キヤリアに搭載されたLSIチツプをその裏面を支
持板に接続し、LSIチツプを３次元的に配列する
ような構造が得られ、LSIチツプの固定が確実
であるため衝撃に強い、支持板によつてLSIチ
ツプからの熱を充分に吸収できるため、発熱量の
大きいLSIチツプが搭載できる、といつた利点を
有する高密度LSIチツプ実装構造及び実装方法が
提供される。
第１図ａは本発明の第１の実施例におけるフイ
ルムキヤリアと平行な断面構造を示す図、図ｂは
フイルムキヤリアと直交する方向の断面構造を示
す図、第２図は本発明のLSIチツプ実装方法のフ
イルムキヤリア上のLSIチツプと支持板との接着
工程の一例を示す図、第３図ａは本発明の第１の
実施例のLSI実装構造のケーシング例を示す横断
面図、及び図ｂはその縦断面図、図ｃは本発明の
第２の実施例の横断面図、図ｄは本発明の第３の
実施例の横断面図、図ｅは本発明の第４の実施例
の縦断面図、図ｆは本発明の第２の実施例（図
ｃ）の縦断面図、図ｇは本発明の第３の実施例
（図ｄ）の縦断面図、第４図は本発明の第１の実
施例のフイルムキヤリア上のLSIチツプと支持板
との接着構造を配線用ボードへ接続した第１例を
示す横断面図、第５図は本発明のフイルムキヤリ
ア上のLSIチツプと支持板との接着構造を配線用
ボードへ接続した第２例の横断面図、第６図ａ，
ｂはそれ自体既知の本発明の実施例に用いるLSI
をフエイスダウンで搭載したフイルムキヤリアの
それぞれ平面図、及び横断面図、第７図はLSIを
フエイスダウンで搭載したフイルムキヤリアの本
発明の適用例を示す横断面図、第８図は第７図の
構造を配線用ボードへ接続した例の横断面図、第
９図ａ，ｂはそれ自体既知の本発明の実施例に用
いるLSIを搭載したフイルムキヤリアのそれぞれ
平面図及び横断面図。 １１……フイルムキヤリア、１２……スプロケ
ツトホール、１３……ホール、１４……LSIチツ
プ、１５……（LSIチツプとフイルムキヤリアを
接続する）リード、１６……（フイルムキヤリア
上を走る）配線、２１……支持板、３１……ロー
ラ、４１……ケース、４１１……（ケースに刻ま
れた支持板をはめこむための）溝、４２……フ
タ、４２１……（フタに付けられた）突起、４３
……（支持板中に冷媒を流すための）液路、５１
……配線用ボード、５２……電気接続部、７１…
…電気接続部。
ルムキヤリアと平行な断面構造を示す図、図ｂは
フイルムキヤリアと直交する方向の断面構造を示
す図、第２図は本発明のLSIチツプ実装方法のフ
イルムキヤリア上のLSIチツプと支持板との接着
工程の一例を示す図、第３図ａは本発明の第１の
実施例のLSI実装構造のケーシング例を示す横断
面図、及び図ｂはその縦断面図、図ｃは本発明の
第２の実施例の横断面図、図ｄは本発明の第３の
実施例の横断面図、図ｅは本発明の第４の実施例
の縦断面図、図ｆは本発明の第２の実施例（図
ｃ）の縦断面図、図ｇは本発明の第３の実施例
（図ｄ）の縦断面図、第４図は本発明の第１の実
施例のフイルムキヤリア上のLSIチツプと支持板
との接着構造を配線用ボードへ接続した第１例を
示す横断面図、第５図は本発明のフイルムキヤリ
ア上のLSIチツプと支持板との接着構造を配線用
ボードへ接続した第２例の横断面図、第６図ａ，
ｂはそれ自体既知の本発明の実施例に用いるLSI
をフエイスダウンで搭載したフイルムキヤリアの
それぞれ平面図、及び横断面図、第７図はLSIを
フエイスダウンで搭載したフイルムキヤリアの本
発明の適用例を示す横断面図、第８図は第７図の
構造を配線用ボードへ接続した例の横断面図、第
９図ａ，ｂはそれ自体既知の本発明の実施例に用
いるLSIを搭載したフイルムキヤリアのそれぞれ
平面図及び横断面図。 １１……フイルムキヤリア、１２……スプロケ
ツトホール、１３……ホール、１４……LSIチツ
プ、１５……（LSIチツプとフイルムキヤリアを
接続する）リード、１６……（フイルムキヤリア
上を走る）配線、２１……支持板、３１……ロー
ラ、４１……ケース、４１１……（ケースに刻ま
れた支持板をはめこむための）溝、４２……フ
タ、４２１……（フタに付けられた）突起、４３
……（支持板中に冷媒を流すための）液路、５１
……配線用ボード、５２……電気接続部、７１…
…電気接続部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数のLSIチツプをフイルムキヤリアを用い
て１つのケースに実装する構造において、複数の
LSIチツプが搭載されたフイルムキヤリアと、
表・裏にLSIチツプの取り付け面を備える支持板
とを備え、該複数のLSIチツプが搭載されたフイ
ルムキヤリアの隣接したLSIチツプ間が折れ曲が
りＵ字、Ｓ字又は繰り返したＳ字状に形成され、
該LSIチツプの回路面と反対の面がそれぞれ該支
持板の表・裏に接着されており、かつ該複数の
LSIチツプがフイルムキヤリア上の配線によつて
電気的に接続されていることを特徴とするLSIチ
ツプ実装構造。 ２ 前記支持板の中に冷媒を流すための液路を有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のLSIチツプ実装構造。 ３ 複数のLSIチツプが搭載されたフイルムキヤ
リアと、表・裏にLSIチツプの取り付け面を備え
る支持板とを備え、該複数のLSIチツプが搭載さ
れたフイルムキヤリアの隣接したLSIチツプ間が
折れ曲がりＵ字、Ｓ字又は繰り返しＳ字状に形成
され、該LSIチツプの回路面と反対の面がそれぞ
れ該支持板の表・裏に接着されており、かつ該複
数のLSIチツプがフイルムキヤリア上の配線によ
つて電気的に接続されてなり、さらに配線用ボー
ドが備えられるとともに前記フイルムキヤリアの
曲げられた部分に電気接続端子を有し、該電気接
続端子を介して前記フイルムキヤリアと配線用ボ
ード間が電気的に接続されていることを特徴とす
るLSIチツプ実装構造。 ４ 前記電気接続端子が支持板の下端面に接する
前記フイルムキヤリアの折り曲げ部上に形成さ
れ、前記配線用ボードに該電気接続端子が接続す
ると共に、表・裏にLSIチツプを接着した前記支
持板を配線用ボードに垂直に並べて実装したこと
を特徴とする前記特許請求の範囲第３項記載の
LSIチツプ実装構造。 ５ 前記フイルムキヤリアが交互に複数回折り曲
げられ、支持板の下端面に接する折り曲げ部と反
転折り曲げ部とを有する繰り返しＳ字状に形成さ
れ、該反転折り曲げ部に電気接続端子が形成さ
れ、該電気接続端子が配線用ボードに接続されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
のLSIチツプ実装構造。 ６ 多数のLSIチツプをフイルムキヤリアを用い
て１つのケースに実装する方法において、該フイ
ルムキヤリアのLSIチツプを搭載した面と反対の
面に、所定の間隔を置いて配された２本のローラ
を当接せしめ、該２本のローラの中間点とフイル
ムキヤリア上の隣接するLSIチツプ間の中間点と
を一致させ、支持板を該フイルムキヤリアのLSI
チツプを搭載した面の前記中間点に当接して該フ
イルムキヤリアと垂直方向に移動させて前記２本
のローラ間を通過せしめ、前記LSIチツプの裏面
または支持板の表・裏面に塗布した接着剤により
該支持板の表・裏にLSIチツプを接着することを
特徴とするLSIチツプの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243899A JPS61121449A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243899A JPS61121449A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121449A JPS61121449A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH053737B2 true JPH053737B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=17110653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59243899A Granted JPS61121449A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Ｌｓｉチツプ実装構造及び実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121449A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682707B2 (ja) * | 1988-10-21 | 1994-10-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0810192Y2 (ja) * | 1991-10-22 | 1996-03-27 | 船井電機株式会社 | 半導体の実装構造 |
| US5229916A (en) * | 1992-03-04 | 1993-07-20 | International Business Machines Corporation | Chip edge interconnect overlay element |
| JP3186700B2 (ja) | 1998-06-24 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| DE102006013078B4 (de) * | 2006-03-22 | 2008-01-03 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Kompaktes Leistungshalbleitermodul mit Verbindungseinrichtung |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59243899A patent/JPS61121449A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61121449A (ja) | 1986-06-09 |
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