JP3320017B2 - モジュール構造体 - Google Patents
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Description
り、特に、薄型半導体装置を用いたモジュール構造体に
関するものである。
として、タブ付きリードフレームとワイヤボンディング
方式を採用した1.2mm厚のTSOP(Thin Smoll
Out-line Packege)型が開発されている。これについ
ては、例えば(株)日立製作所発行のGINE83に記載
されている。
て、TSOP型の薄型半導体装置を両面実装し、実装効
率を最大にした大容量メモリカードが開発されている。
しかし、より薄いTSOP型の要求が強いために、TS
OP型と同じ外形サイズとした0.5mm厚のTCP
(Tape Carrier Packege)型が提案されている。これ
については、例えば、日経マイクロデバイス、1991
年2月号、65〜66頁に記載されている。このTCP
型の薄型半導体装置は、半導体チップを0.2mm程度
薄くし、TAB(Tape Autmated Bondenge)方式のボ
ンディングにより半導体チップとインナーリードとを電
気的に接続し、プラスチックモールドした構造で構成さ
れる。
一部、インナーリードの一部の夫々にポリイミドから成
形された薄型耐熱樹脂からなる素子保持体を接着固定す
ることによりパッケージの厚さを薄くするようにした半
導体装置が特開平4−106941号公報に記載されて
いる。この装置においては、半導体チップの電極とイン
ナーリードとをボンディングワイヤ(金属細線)で結線す
るとき、半導体チップの端部とボンディングワイヤとの
間隔をショート不良を起こさないように大きくし、また
半導体チップの主面とインナーリードの上面とを同一平
面にしている。
縁テープの上に配置し、該絶縁テープの一部の下面で半
導体チップの主面を支持するようにした半導体装置が特
開平3−261153号公報に記載されている。
ームのタブ部(ダイパッド部)を配置し、該タブ部で半導
体チップを支持するようにした半導体装置が特開平1−
286342号公報に記載されている。
TAB方式を採用するTCP型の薄型半導体装置を検討
した結果、次の問題点を見出した。
成されているため、アウターリードの強度が弱い。その
ため、リードが曲りコンタクト不良を発生する。
ソケットの選別が困難である。
ので、リードフレーム方式のボンディングに比較して高
価になる。
いては、半導体チップの主面とインナーリードの上面と
を同一平面にしているため、半導体チップの電極とイン
ナーリードとをボンディングワイヤで結線するとき、ボ
ンディングワイヤのループ高さ(半導体チップの主面か
ら垂直方向に向った頂点部までの高さ)が高くなり、薄
型のパッケージが得られない。更に、ボンディングワイ
ヤをワイヤリバースボンディングにより結線したとして
も、半導体チップの主面とインナーリードの上面とが同
一平面にあるため、パッケージを十分薄くできない。
いては、インナーリードの上面は半導体チップの主面よ
り上に位置するため、ボンディングワイヤのループ高さ
が高くなり、薄型のパッケージが得られない。
いては、樹脂テープより厚いダイパッド部が半導体チッ
プの主面上にあり、また、インナーリードの上面は半導
体チップの主面よりも上に位置する。従って、ボンディ
ングワイヤのループ高さが高くなり、薄型のパッケージ
が得られない。
半導体装置を用いたモジュール構造体を提供することに
ある。
たアウターリード強度が高い0.5mm厚程度の薄型半
導体装置を用いたモジュール構造体を提供することにあ
る。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
れた半導体チップと、この半導体チップの電極パッドに
ワイヤを介して電気的に接続される複数のインナーリー
ドと、前記半導体チップ、複数のインナーリード及びワ
イヤを封止する樹脂封止体と、前記インナーリードと一
体となり前記樹脂封止体から突出するアウターリードと
を有し、前記アウターリードは、前記樹脂封止体から突
出する第1の部分と、前記第1の部分から上方に折れ曲
がる第2の部分と、前記第2の部分から前記第1の部分
の延在方向と同一方向に延びる第3の部分と、前記第3
の部分から下方に折れ曲がる第4の部分と、前記第4の
部分から前記樹脂封止体に向かって延びる第5の部分と
を有し、さらに前記半導体チップの一主面は前記第2の
部分の折れ曲がる方向と同一の方向を向いている第1半
導体装置と、一主面に複数の電極パッドが形成された半
導体チップと、この半導体チップの電極パッドにワイヤ
を介して電気的に接続される複数のインナーリードと、
前記半導体チップ、複数のインナーリード及びワイヤを
封止する樹脂封止体と、前記インナーリードと一体とな
り前記樹脂封止体から突出するアウターリードとを有
し、前記アウターリードは、前記樹脂封止体から突出す
る第1の部分と、前記第1の部分から上方に折れ曲がる
第2の部分と、前記第2の部分から前記第1の部分の延
在方向と同一方向に延びる第3の部分と、前記第3の部
分から下方に折れ曲がる第4の部分と、前記第4の部分
から前記樹脂封止体に向かって延びる第5の部分とを有
し、さらに前記半導体チップの一主面は前記第2の部分
の折れ曲がる方向とは逆の方向を向いている第2半導体
装置とを有し、前記第1半導体装置及び第2半導体装置
は、夫々の同一ピン番号のアウターリードの第4の部分
同士を接続した状態で基板に実装されているモジュール
構造体である。
置の夫々の同一ピン番号のアウターリード同士、即ち同
一機能ピンのアウターリード同士を結ぶ際の配線長を短
くすることができるため、ノイズを低減できると共に、
データの高速化処理が可能になる。また、半導体装置の
高密度実装が可能になるので、従来と同一の空間におい
てメモリー容量を大きくできる。
細に説明する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
パッケージ構造を採用する薄型半導体装置のモールド樹
脂の上部を除去した状態の概略構成を示す平面図、図2
は、図1に示すII−II切断線で切った断面図、図3は、
図1に示すIII−III切断線で切った断面図、図4は、第
1実施例の絶縁フィルムテープによる支持形態を変えた
変形例を示す図、図5は、第1実施例の半導体チップの
主面上にアルミニウム箔等の光入射遮断手段を設けた変
形例の構成を示す断面図、図6は、第1実施例の半導体
チップの主面側が実装基板に対向するように実装された
状態を示す断面図、図7は、第1実施例の薄型半導体装
置を2段積み重ねた第2実施例による積層体を示す断面
図、図8は、第1実施例の薄型半導体装置を基板に実装
する方法を説明するための断面図、図9は、第1実施例
の薄型半導体装置を基板に2段実装する方法を説明する
ための断面図、図10は、本発明の薄型半導体装置を基
板に実装する他の例を説明するための断面図、図11
は、本発明の薄型半導体装置を基板に2段実装する他の
方法を説明するための断面図、図12は、本発明の薄型
半導体装置を用いたモジュール構造体の実施例を示す斜
視図、図13は、本発明の薄型半導体装置を用いたモジ
ュール構造体の他の実施例を示す斜視図である。
ケージ構造)は、図1及び図2に示すように、半導体チ
ップ1の周辺端部の近傍に、複数のインナーリード(リ
ード2のインナー部)2Aの夫々の先端部が平面状に配
設されている。半導体チップ1の主面にはストライプ状
に形成された絶縁フィルムテープ3の一部が接着剤4で
貼り付けられている。この絶縁フィルムテープ3の他の
部分は、複数本のインナーリード2Aのうちのいくつか
のインナーリード2Aに貼り付けられている。また、絶
縁フィルムテープ3の他の部分は、例えば吊りリード5
が設けられている場合、例えば少なくとも1つの吊りリ
ード5に接着剤4で貼り付けられている。半導体チップ
1の主面には複数の電極パッド1Aが配置され、この複
数の電極パッド1Aの夫々は、対応する複数のインナー
リード2Aの夫々とボンディングワイヤ6で夫々毎に電
気的に接続されている。これらの半導体チップ1、イン
ナーリード2A、絶縁フィルムテープ3及びボンディン
グワイヤ6等はモールド樹脂7で封止されている。つま
り、薄型半導体装置はTOCパッケージ構造で構成され
る。
縁フィルムテープ3は、モールド時に半導体チップ1が
ひねられたり(傾いたり)、動いたりしないように、好
ましくは4点以上で、又は少なくとも3点でインナーリ
ード2Aを支持する。即ち、4点で支持する場合は、図
4に実線及び点線で示した例えば十字状の絶縁フィルム
テープ3を用い、その4つの先端部でインナーリード2
Aを支持して良く、また、3点で支持する場合は、図4
に実線で示した例えばT字状の絶縁フィルムテープ3を
用い、その3つの先端部でインナーリード2Aを支持し
ても良い。この場合、少なくとも1つの吊りリード5が
設けられている場合は、前記絶縁フィルムテープ3の少
なくとも1つの先端部で吊りリード5を支持しても良
い。
ば、ポリイミド系樹脂が使用され、接着剤4としては、
例えば、ポリイミド系樹脂もしくはエポキシ系樹脂が使
用される。そして、絶縁フィルムテープ3の厚さは、半
導体チップ1の主面からボンディングワイヤ6の頂部ま
での高さ(以下、ループ高さと称す)以下の厚さであ
り、例えば、図2に示すように、接着剤4の厚さも含め
て0.05mmである。前記絶縁フィルムテープ3以外
の各部の厚さ寸法は、例えば、モールド樹脂7の下面
(裏面)から半導体チップ1までの厚さ0.10mm、半
導体チップ1の厚さ0.28mm、半導体チップ1の主
面からモールド樹脂7の上面までの厚さ0.12mmで
あり、実装基板面とモールド樹脂7の下面との間隔は
0.03mmである。
図るため、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフ
ィラーが添加されたエポキシ系樹脂を使用する。
は、ボールボンディング法を用い、ボンディングワイヤ
6のボール側がインナーリード2Aに設けられ、非ボー
ル側が半導体チップ1に設けられている。このように逆
ボンディングすることにより、ボンディングワイヤ6上
のモールド樹脂7の量が多くなるので、同一厚さであれ
ば、信頼性の向上がはかれ、また、信頼性の点で問題が
なければ、ボンディングワイヤ6上のモールド樹脂7の
量を減らすことができるので、さらに薄くすることが可
能である。したがって、このように逆ボンディングにす
るか、通常ボンディングにするかは、薄型半導体装置の
厚さの要求に応じて選択すればよい。
リード2Aのボンディング面(上面)は半導体チップ1の
主面より下に位置し、かつインナーリード2Aのボンデ
ィング面に対向するその裏面(下面)は半導体チップ1の
主面に対向するその裏面より上に位置している。これに
よりボンディングワイヤ6のループ高さをより低くで
き、また、ボンディングワイヤ6のワイヤ長をより短く
できる。
ち、絶縁フィルムテープ3が貼り付けられるインナーリ
ード2Aの先端部は折り曲げられ、図3に示すように、
半導体チップ1の主面と同じ高さの位置に配置されてい
るため、絶縁フィルムテープ3の貼り付けがし易い。
ールド樹脂7、即ちパッケージの厚さ方向のほぼ中央部
から突出している。
の厚さ方向のほぼ中央部から半導体チップ1の主面にほ
ぼ平行に突出した部分2B1と、その後、半導体チップ
1の主面側に折れ曲がった部分2B2と、その後、半導
体チップ1の主面側のパッケージ表面とほぼ同一面を成
す部分2B3と、その後、半導体チップ1の主面と反対
側に折れてほぼ半導体チップ1の主面と垂直になる部分
2B4と、その後、パッケージに向かい、半導体チップ
1の主面と反対側の面側のパッケージの表面とほぼ同じ
高さを成す部分2B5とで形成される。尚、好ましく
は、アウターリード2Bの部分2B5の下面はモールド
樹脂(パッケージ)7の下面に対して約0.03mm程度
突出している。これにより、薄型半導体装置の基板への
実装時の半田付けの際に、基板が反ったり、歪んだりし
てもアウターリード2Bの部分2B5を基板に確実に半
田付けできる。
置を基板上に半田付けして上方に積層した場合には、ア
ウターリード2Bの部分2B4は、主面とほぼ垂直を成
す必要はなく、半導体チップ1の主面に垂直な面より傾
いて良い。
に、パッケージの厚さ方向のほぼ中央から半導体チップ
1の裏面側に折れ曲がるように形成しても良い(図6参
照)。このようなアウターリード2Bをここでは逆曲げ
アウターリード2Bと称し、図2に示すものを正曲げア
ウターリード2Bと称する。
ベンド状に湾曲させているため、アウターリード2Bの
全長を長くし、かつ弾力性をもたせることができる。こ
のような構成にすることにより、アウターリード2Bの
弾力性により、基板実装時の半田付け時等の温度サイク
ルによる応力を吸収するので、実装基板上の配線パッド
との接続部の半田にクラックが発生するのを防止するこ
とができる。
2Bの夫々は、切断成形工程前においてリードフレーム
に一体に構成される。このリードフレームは、例えばF
e−Ni(例えばNi含有率42又は50〔%〕)合
金、Cu等で形成される。
程を簡単に説明する。
は、次の工程順で行う。 (1)リードフレームに支持された複数のインナーリード
2Aのうちのいくつかのインナーリード2Aに絶縁フィ
ルムテープ3を熱可塑性接着剤4により貼着固定する。 (2)前記絶縁フィルムテープ3に半導体チップ1を熱可
塑性接着剤4により貼着固定する(ペレット付け)。 (3)下台を真空引きして半導体チップ1を固定し、ワイ
ヤボンディングを行う。 (4)全体を樹脂(レジン)でモールドして封止する。 (5)各アウターリード2Bに半田メッキ処理を施し、ア
ウターリード2Bの全体に例えば厚さ約10μm程度の
半田メッキ層を設ける。 (6)リードフレームからアウターリード2Bを切断する
切断加工を行う。 (7)各アウターリード2Bを前述の様にほぼJベンド状
に成形加工する。この加工の工数は5工程である。 (8)マークを付け、選別を行う。
よれば、リードとしてリードフレームを使用しているの
で、アウターリード2Bの強度を強くすることができ
る。また、半導体チップ1の主面に絶縁フィルムテープ
3の一部が接着剤4で貼り付けられ、該絶縁フィルムテ
ープ3の他の部分が複数のインナーリード2Aのうちの
いくつかに若しくは吊りリード5に接着剤4で貼り付け
られ、前記半導体チップ1の主面に設けられている電極
パッド1Aとインナーリード2Aの先端部とがボンディ
ングワイヤ6で電気的に接続され、これらの半導体チッ
プ1、インナーリード2A、絶縁フィルムテープ3及び
ボンディングワイヤ6等がモールド樹脂7で封止され、
前記絶縁フィルムテープ3の厚さをボンディングワイヤ
6のループ高さ以下としているので、0.5mm厚程度
のTOCパッケージの薄型半導体装置を得ることができ
る。
ディング法を用い、ボンディングワイヤ6のボール側が
インナーリード2Aに設けられ、非ボール側が半導体チ
ップ1に設けられている逆ボンディングワイヤ構造にな
っている。更に、インナーリード2Aのボンディング面
(上面)は半導体チップ1の主面より下に位置しているこ
とにより、ボンディングワイヤ6の上側に設けられるモ
ールド樹脂7を減らすことができるので、さらに薄い超
薄型半導体装置を得ることができる。
2を有するように湾曲させてアウターリード2Bの全長
を長くし、かつ弾力性をもたせることにより、温度サイ
クルによる応力を吸収することができるので、実装時の
半田にクラックが発生するのを防止することができる。
うに、前記半導体チップ1の主面にアルミニウム箔10
等の光入射遮断手段を設けるか、あるいは、図6に示す
ように、半導体チップ1の主面が、実装基板11に対向
するように実装して半導体チップ1の主面への光入射を
遮断するようにする。このように光入射遮断手段を設け
ることにより、半導体チップ1の主面への光の入射を防
止することができるので、超薄型半導体装置にしても光
によるデータリテンション等の特性劣化を防止すること
ができる。
説明する。
前記第1実施例のTOCパッケージの薄型半導体装置を
2段に重ねた構造になっている。
導体装置ともボンディングワイヤ6のボール側がインナ
ーリード2Aに設けられ、非ボール側が半導体チップ1
に設けられている逆ボンディングワイヤになっている
が、下段の薄型半導体装置のボンディングワイヤ6は、
逆ボンディングワイヤ構造とし、上段の薄型半導体装置
のボンディングワイヤ6は、通常ボンディングワイヤ構
造としてもよい。
よれば、超薄型半導体装置を重ね合せても、1mm程度
の薄い積層体を得ることができる。
に積み重ねた構造の積層体について説明したが、さらに
多段に積み重ねた構造の積層体にすることができること
は、容易に予測することができるであろう。
蔽手段が設けられた薄型半導体装置を多段に積み重ねて
も良い。
積層体を基板に実装してモジュール構造体を構成する方
法について説明する。
基板に実装する方法について、図8を参照して説明す
る。
板)11の実装面Lのうち、薄型半導体装置のアウター
リード2BのM部に対応する部分(領域)に半田ペースト
を塗布する。
実装面L上に搭載し、半田付け(例えば半田リフロー)
を行う。こうして、薄型半導体装置を基板に実装する。
合について、図9を参照して簡単に説明する。
された薄型半導体装置(A)のアウターリード2BのN部
に半田ペーストを塗布する。
別の薄型半導体装置(B)を搭載し、半田付けを行う。こ
のような工程を繰り返し行うことにより、基板11の実
装面L上に薄型半導体装置を2段以上に積層することが
可能となる。
置(B)を搭載してN部を半田付けした後に、これら一体
化された薄型半導体装置(積層体)を基板11の実装面L
上に実装しても良い。
すように、アウターリード2Bの全体に例えば厚さ20
μm程度の半田メッキ層12A、12Bが設けられた薄
型半導体装置を基板に実装する方法について説明する。
の実装面L上に薄型半導体装置を搭載し、その後、半田
メッキ層12A、12Bが溶ける程度の温度(例えば1
95℃以上)で加熱することでアウターリード2BのM
部が溶け、半田付けが行われる。尚、半田メッキ層12
A、12Bの厚さは、アウターリード2Bの成形が容易
に行われるように20μm程度が好ましい。
12A、12Bが設けられた薄型半導体装置を2段に積
層する場合について、図11を参照して説明する。
体装置(A)上に薄型半導体装置(B)を積層した2段重ね
の薄型半導体装置を基板11の実装面L上に搭載し、そ
の後、前述の温度で加熱することでN部、M部の半田メ
ッキ層12Bが溶け、半田付けがなされる。このような
方法においては、薄型半導体装置の段数に無関係で半田
付けの工程を1回で行うことができる。尚、薄型半導体
装置を積層する際、薄型半導体装置を基板に搭載した
後、190℃程度の温度で予備加熱を行って半田メッキ
層をわずかに溶かし、これら薄型半導体装置と基板11
とを固定した後、195℃程度の温度で加熱するように
しても良い。
Mを搭載した薄型半導体装置を2段積層する場合には、
チップセレクト用のリードピンが各薄型半導体装置に対
して2本づつ増える(追加される)。従って、メモリとし
て各実施例の薄型半導体装置をN段積層した場合には、
チップセレクト用のリードピンが各薄型半導体装置に対
してN本増える。
た図2、図3、図5乃至図9においても、図10、図1
1に示すのと同様に各アウターリード2Bには約10μ
m程度の厚さでメッキ層が設けられているが、図示は省
略している。
ド2Bのメッキ層は、アウターリード2Bの半田付けが
行われる部分のみに設けてもよく、また、アウターリー
ド2Bの外側にのみ設けても良い。
ド2Aのボンディングがなされる部分に、図10、図1
1に示すように銀メッキ層12Cを設けてもよい。
度に基板に実装したモジュール構造体のいくつかの実施
例について説明する。
体装置を横に例えば2列に配置した場合のモジュール構
造体の実施例である。
(A)、(B)の夫々は、図9又は図11に示すように、正
曲げアウターリード2Bを持ち、他方の列の薄型半導体
装置(C)、(D)の夫々は、図6に示すように、逆曲げア
ウターリード2Bを持つ。この場合、薄型半導体装置
(A)、(B)の夫々のアウターリード2Bとそれに対向す
る薄型半導体装置(C)、(D)の夫々のアウターリード2
Bのピン番号は、例えば共に1Pin〜10Pinが同一に
なる。従って、例えば薄型半導体装置(A)、(B)の夫々
の1Pinと薄型半導体装置(C)、(D)の夫々の1Pinと
を結ぶ際の配線長を短くすることができるので、ノイズ
を低減できると共に、データの高速化処理が可能にな
る。また、薄型半導体装置の高密度実装が可能になるの
で、従来と同一の空間においてメモリー容量を大きくで
きる。
法について説明する。
が図8、図9に示すように通常のものである場合につい
て述べる。
組み立て方法と同様にして一方の列の薄型半導体装置
(A)、(B)同士を半田付けし、その後、同様の方法で他
方の列の薄型半導体装置(C)、(D)同士を半田付けし、
これら2列の積層体を基板11に半田付けすると共に、
2列の薄型半導体装置の互いに対向するアウタリード2
Bの夫々の部分2B4同士を半田付けする。この場合、
図8に示す面P部に半田ペーストを塗布して半田付けを
行う。
(A)、(C)を基板に半田付けした後に、この薄型半導体
装置(A)上に薄型半導体装置(B)、薄型半導体装置(C)
上に薄型半導体装置(D)の夫々を積層して半田付けする
ようにしても良い。
2Bが図10に示すように半田メッキ層12A、12B
を有している場合は、図11の実施例の場合と同様に、
すベての薄型半導体装置(A)〜(D)を図12のように配
置した後に一括して半田付けを行うことができる。
積層体を2列に配置したが、単体の薄型半導体装置を横
方向に複数列配置したものに本実施例を適用しても良
く、その場合は正曲げ、逆曲げアウターリード2Bを持
つ薄型半導体装置を交互に配置すれば良い。また、3つ
以上の薄型半導体装置を積層した積層体を複数列配置し
た場合にも本実施例は適用でき、その場合も正曲げ、逆
曲げアウターリード2Bを持つ積層体を交互に横方向に
配置すれば良い。
体装置を縦に例えば2列に配置したモジュール構造体の
実施例である。
(D)、(E)〜(H)の夫々のアウターリード2Bは、基板
21、31に半田付けされる。好ましくは、各薄型半導
体装置(A)〜(D)、(E)〜(H)のアウターリード2Bは
全て正曲げ又は逆曲げである。この場合、薄型半導体装
置(A)〜(D)のアウターリード2Bの1Pin〜10Pin
が各薄型半導体装置(E)〜(H)のアウターリード2Bと
同一基板、例えば基板31に半田付けされるようにすれ
ば、例えば各薄型半導体装置(A)〜(D)の1Pinと各薄
型半導体装置(E)〜(H)の1Pinとを結ぶ際の配線長を
短くできる。従って、図12の実施例と同様にノイズを
低減できると共に、データの高速化処理が可能になる。
また、薄型半導体装置の高密度実装が可能になり、従っ
て従来と同一の空間においてメモリー容量を大きくでき
る。
造体の組み立て方法について説明する。
2Bが図8、図9のように通常のものである場合につい
て述べる。
組み立て方法と同様にして一方の列の薄型半導体装置
(A)〜(D)同士を半田付けし、その後、同様の方法で他
方の列の薄型半導体装置(E)〜(H)同士を半田付けし、
これら2列の積層体を基板21、31にそれぞれ半田付
けする。基板21、31への半田付けの際は、図8に示
すアウターリード2Bの面P部に半田ペーストを塗布し
て半田付けを行う。
2Bが図10に示すように半田メッキ層12A、12B
を有している場合は、図11の実施例の場合と同様に、
すベての薄型半導体装置(A)〜(H)を図13のように配
置した後に一括して半田付けを行うことができる。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
On Chip)パッケージ構造の薄型半導体装置、それを
用いたモジュール構造体、及びそれを基板に実装する実
装方法を提供できる。
ード強度が高い0.5mm厚程度の薄型半導体装置、そ
れを用いたモジュール構造体、及びそれを基板に実装す
る実装方法を提供できる。
ールド樹脂を設けることが可能なので、さらに薄い超薄
型半導体装置を提供できる。
るインナーリードの一部の上面が半導体チップの主面と
同じ面に位置するので、インナーリードに絶縁フィルム
テープを容易に貼り付けることができる。
脂から突出するので、基板ヘの半田付けの際、基板に反
り等が生じても良好に半田付けを行うことができる。
ーリードの全長を長くし、かつ弾力性をもたせることに
より、温度サイクルによる応力を吸収することができる
ので、実装部の半田にクラックが発生するのを防止する
ことができる。
き、特に、薄型半導体装置を複数積層した場合に半田付
け工程を一度に行えるので、組立工程を大幅に減少でき
る。
防止することができるので、超薄型半導体装置において
も光によるデータリテンション等の特性劣化を防止する
ことができる。(9)モジュール構造体において、ノイズを低減できる
と共に、データの高速化処理が可能になる。また、超薄
型半導体装置の高密度実装が可能になるので、従来と同
一の空間においてメモリー容量を大きくできる。
造を採用する薄型半導体装置のモールド樹脂の上部を除
去した状態の概略構成を示す平面図。
態を変えた変形例を示す図。
ウム箔等の光入射遮断手段を設けた変形例の構成を示す
断面図。
に対向するように実装された状態を示す断面図。
第2実施例による積層体を示す断面図。
方法を説明するための断面図。
する方法を説明するための断面図。
の例を説明するための断面図。
る他の方法を説明するための断面図。
構造体の実施例を示す斜視図。
構造体の他の実施例を示す斜視図。
A…インナーリード、2B…アウターリード、3…絶縁
フィルムテープ、4…接着剤、5…吊りリード、6…ボ
ンディングワイヤ、7…モールド樹脂、10…アルミニ
ウム箔、11…実装基板。
Claims (3)
- 【請求項1】 一主面に複数の電極パッドが形成された
半導体チップと、この半導体チップの電極パッドにワイ
ヤを介して電気的に接続される複数のインナーリード
と、前記半導体チップ、複数のインナーリード及びワイ
ヤを封止する樹脂封止体と、前記インナーリードと一体
となり前記樹脂封止体から突出するアウターリードとを
有し、前記アウターリードは、前記樹脂封止体から突出
する第1の部分と、前記第1の部分から上方に折れ曲が
る第2の部分と、前記第2の部分から前記第1の部分の
延在方向と同一方向に延びる第3の部分と、前記第3の
部分から下方に折れ曲がる第4の部分と、前記第4の部
分から前記樹脂封止体に向かって延びる第5の部分とを
有し、さらに前記半導体チップの一主面は前記第2の部
分の折れ曲がる方向と同一の方向を向いている第1半導
体装置と、 一主面に複数の電極パッドが形成された半導体チップ
と、この半導体チップの電極パッドにワイヤを介して電
気的に接続される複数のインナーリードと、前記半導体
チップ、複数のインナーリード及びワイヤを封止する樹
脂封止体と、前記インナーリードと一体となり前記樹脂
封止体から突出するアウターリードとを有し、前記アウ
ターリードは、前記樹脂封止体から突出する第1の部分
と、前記第1の部分から上方に折れ曲がる第2の部分
と、前記第2の部分から前記第1の部分の延在方向と同
一方向に延びる第3の部分と、前記第3の部分から下方
に折れ曲がる第4の部分と、前記第4の部分から前記樹
脂封止体に向かって延びる第5の部分とを有し、さらに
前記半導体チップの一主面は前記第2の部分の折れ曲が
る方向とは逆の方向を向いている第2半導体装置とを有
し、 前記第1半導体装置及び第2半導体装置は、夫々の同一
ピン番号のアウターリードの第4の部分同士を接続した
状態で基板に実装されていることを特徴とするモジュー
ル構造体。 - 【請求項2】 半導体チップと、この半導体チップの側
面に対向する先端部を有する複数のインナーリードと、
前記半導体チップの一主面に形成された複数の電極パッ
ドと、前記複数のインナーリードと複数の電極パッドと
を接続する複数のワイヤと、前記半導体チップの一主面
に接続されるチップ支持手段と、前記半導体チップ、複
数のインナーリード、ワイヤ及びチップ支持手段を封止
する樹脂封止体と、前記インナーリードと一体となり前
記樹脂封止体から突出するアウターリードとを有し、前
記アウターリードは、前記樹脂封止体から突出する第1
の部分と、前記第1の部分から上方に折れ曲がる第2の
部分と、前記第2の部分から前記第1の部分の延在方向
と同一方向に延びる第3の部分と、前記第3の部分から
下方に折れ曲がる第4の部分と、前記第4の部分から前
記樹脂封止体に向かって延びる第5の部分とを有し、さ
らに前記半導体チップの一主面は前記第2の部分の折れ
曲がる方向と同一の方向を向いている第1半導体装置
と、 半導体チップと、この半導体チップの側面に対向する先
端部を有する複数のインナーリードと、前記半導体チッ
プの一主面に形成された複数の電極パッドと、前記複数
のインナーリードと複数の電極パッドとを接続する複数
のワイヤと、前記半導体チップの一主面に接続されるチ
ップ支持手段と、前記半導体チップ、複数のインナーリ
ード、ワイヤ及びチップ支持手段を封止する樹脂封止体
と、前記インナーリードと一体となり前記樹脂封止体か
ら突出するアウターリードとを有し、前記アウターリー
ドは、前記樹脂封止体から突出する第1の部分と、前記
第1の部分から上方に折れ曲がる第2の部分と、前記第
2の部分から前記第1の部分の延在方向と同一方向に延
びる第3の部分と、前記第3の部分から下方に折れ曲が
る第4の部分と、前記第4の部分から前記樹脂封止体に
向かって延びる第5の部分とを有し、さらに前記半導体
チップの一主面は前記第2の部分の折れ曲がる方向とは
逆の方向を向いている第2半導体装置とを有し、 前記第1半導体装置及び第2半導体装置は、夫々の同一
ピン番号のアウターリードの第4の部分同士を接続した
状態で基板に実装されていることを特徴とするモジュー
ル構造体。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のモジュー
ル構造体において、前記第1半導体装置及び第2半導体
装置は、夫々の同一ピン番号のアウターリードの第4の
部分同士を接続し、かつ上側の半導体装置のアウターリ
ードの第5の部分と下側の半導体装置の同一ピン番号の
アウターリードの第3部分とを接続した状態で複数積層
されていることを特徴とするモジュール構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18436298A JP3320017B2 (ja) | 1992-05-25 | 1998-06-30 | モジュール構造体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP13228792 | 1992-05-25 | ||
JP4-132287 | 1992-05-25 | ||
JP18436298A JP3320017B2 (ja) | 1992-05-25 | 1998-06-30 | モジュール構造体 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JPH1174441A JPH1174441A (ja) | 1999-03-16 |
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ID=26466906
Family Applications (1)
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JP18436298A Expired - Fee Related JP3320017B2 (ja) | 1992-05-25 | 1998-06-30 | モジュール構造体 |
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---|---|---|---|---|
JP2007250645A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Daikin Ind Ltd | 基板及び装置 |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP18436298A patent/JP3320017B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH1174441A (ja) | 1999-03-16 |
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