JPS61120481A - 膜集積回路 - Google Patents

膜集積回路

Info

Publication number
JPS61120481A
JPS61120481A JP59242121A JP24212184A JPS61120481A JP S61120481 A JPS61120481 A JP S61120481A JP 59242121 A JP59242121 A JP 59242121A JP 24212184 A JP24212184 A JP 24212184A JP S61120481 A JPS61120481 A JP S61120481A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photocoupler
coupler
emitter
current
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59242121A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Sueno
末野 実
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP59242121A priority Critical patent/JPS61120481A/ja
Publication of JPS61120481A publication Critical patent/JPS61120481A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトカップラを搭載した膜集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のホトカップラを搭載した膜集積回路はホ
トカップラの電流伝達効率のバラツキが大きいという特
性を有していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
そのため、入力電流に対した出力電圧の変動が大きく、
線形変換回路としては使えないという欠点があつ九。
又、線形変換回路を実現しようとすれば、電流伝達率を
選別して実現しなければならず、しかも個々の素子のバ
ラツキを完全に吸収出来ないという欠点があった。
本発明はホトカップラの電流伝達率のバラツキ−を吸収
できるようにした膜集積回路を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はホトカップラのエミッタに抵抗を接続し、該エ
ミッタの抵抗を、ホトカップラの1次側入力電流に応じ
て該ホトカップラの出力電圧が一定に出力されるように
、ファンクショントリミングし、ホトカップラの電流伝
達率を一定にしたことを特徴とする膜集積回路である。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図を参照して説明する。
第1図において、ホトカップラ1はコレクタが第1の電
位2に接続され、抵抗4はホトカップラ1のエミッタに
接続されてお9、ホトカップラ1の1次側アノードとカ
ソードに直列に電流制限抵抗5が接続されている。
ホトカップラの1次側電流を一定にした場合、ホトカッ
プラlの出力電圧はホトカップラの電流伝達率のバラツ
キによシ変動する。そこで、本発明はエミッタ抵抗4の
ファンクショントリミングを行なうことによってホトカ
ップラの電流伝達率のバラツキを吸収し、一定の出力電
圧を得ることができる線形の電流電圧変換回路を実現す
るものである。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ホトカップラのエミッタ
に接続されたエミッタ抵抗をファンクショントリミング
してホトカップラの電流伝達率のバラツキを吸収でき、
したがって線形変換回路を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ホトカップラのエミッタに抵抗を接続し、該エミ
    ッタの抵抗を、ホトカップラの1次側入力電流に応じて
    該ホトカップラの出力電圧が一定に出力されるように、
    ファンクショントリミングし、ホトカップラの電流伝達
    率を一定にしたことを特徴とする膜集積回路。
JP59242121A 1984-11-16 1984-11-16 膜集積回路 Pending JPS61120481A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59242121A JPS61120481A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 膜集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59242121A JPS61120481A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 膜集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61120481A true JPS61120481A (ja) 1986-06-07

Family

ID=17084607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59242121A Pending JPS61120481A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 膜集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61120481A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147079A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置
CN106568999A (zh) * 2016-11-09 2017-04-19 中国航天标准化研究所 一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009147079A (ja) * 2007-12-13 2009-07-02 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置
CN106568999A (zh) * 2016-11-09 2017-04-19 中国航天标准化研究所 一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法
CN106568999B (zh) * 2016-11-09 2019-06-04 中国航天标准化研究所 一种提高光电耦合器电流传输比温度稳定性的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62104314A (ja) レベル変換回路
JPS61120481A (ja) 膜集積回路
JPH06283937A (ja) 信号変換器
JPH0233385Y2 (ja)
SU922797A1 (ru) Функциональный преобразователь
JP2735542B2 (ja) 光電変換装置
JPH0348522A (ja) 光受信回路
JPH03154411A (ja) 電圧変換回路
JPS5930630Y2 (ja) インバ−タの出力安定化回路
JPH057614Y2 (ja)
JPS63228809A (ja) Apdバイアス電圧制御方式
JPS62118624A (ja) リミツタ回路
JPH02228059A (ja) 非直線形温度補償回路
JPH071855Y2 (ja) ダブルバランスミクサ
JPH04172820A (ja) 差動回路
JPH0535447B2 (ja)
JPH0580168B2 (ja)
JPH02223292A (ja) 極性検出回路
JPH09130153A (ja) ダミー負荷回路
JPS6197577A (ja) 電流比較回路
JPH11225471A (ja) スイッチング電源のパルス幅変調回路
JPS61220507A (ja) レベルシフト回路
JPS63174560A (ja) Dc/dcコンバ−タ
JPS59122018A (ja) バイポ−ラ/ユニポ−ラ変換回路
JPS60189125U (ja) 信号制御回路