JPH071855Y2 - ダブルバランスミクサ - Google Patents
ダブルバランスミクサInfo
- Publication number
- JPH071855Y2 JPH071855Y2 JP1822588U JP1822588U JPH071855Y2 JP H071855 Y2 JPH071855 Y2 JP H071855Y2 JP 1822588 U JP1822588 U JP 1822588U JP 1822588 U JP1822588 U JP 1822588U JP H071855 Y2 JPH071855 Y2 JP H071855Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- balance mixer
- double balance
- constant
- semiconductor element
- voltage
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Superheterodyne Receivers (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この考案は、ダブルバランスミクサに関するものであ
り、特に局部発振信号により発生される逆バイアスを安
定化したダブルバランスミクサに関するものである。
り、特に局部発振信号により発生される逆バイアスを安
定化したダブルバランスミクサに関するものである。
[従来の技術] 従来、CATVコンバータ等に使用しているダブルバランス
ミクサの回路を別紙添付の第4図に示す。端子(1)か
ら入力した高周波信号(RF)は端子(2)からの局部発
振信号(LO)と混合され、端子(3)から中間周波数信
号(IF)として出力される。ダブルバランスミクサの特
性を向上させるには、ダイオード(4)(4)(4)
(4)により局部発振信号(LO)を整流し、抵抗(5)
及びコンデンサ(6)により端子(7)に電圧を発生さ
せ、各ダイオード(4)(4)(4)(4)に逆バイア
スを印加する手段がある。
ミクサの回路を別紙添付の第4図に示す。端子(1)か
ら入力した高周波信号(RF)は端子(2)からの局部発
振信号(LO)と混合され、端子(3)から中間周波数信
号(IF)として出力される。ダブルバランスミクサの特
性を向上させるには、ダイオード(4)(4)(4)
(4)により局部発振信号(LO)を整流し、抵抗(5)
及びコンデンサ(6)により端子(7)に電圧を発生さ
せ、各ダイオード(4)(4)(4)(4)に逆バイア
スを印加する手段がある。
[考案が解決しようとする課題] 前述したように、端子(7)に発生する電圧は、局部発
振信号(LO)を各ダイオード(4)(4)(4)(4)
によつて整流したものであり、局部発振信号(LO)のレ
ベルの大小によつて大きく変化し、ダイオード(4)
(4)……の特性を不安定にしていた。このため、歪み
等が発生してダブルバランスミクサの動作が安定せず、
ダブルバランスミクサとしての特性が低下することがあ
つた。そこで、この考案は局部発振信号(LO)により発
生する電圧または整流された電流を安定化させたダブル
バランスミクサを提供することを目的とする。
振信号(LO)を各ダイオード(4)(4)(4)(4)
によつて整流したものであり、局部発振信号(LO)のレ
ベルの大小によつて大きく変化し、ダイオード(4)
(4)……の特性を不安定にしていた。このため、歪み
等が発生してダブルバランスミクサの動作が安定せず、
ダブルバランスミクサとしての特性が低下することがあ
つた。そこで、この考案は局部発振信号(LO)により発
生する電圧または整流された電流を安定化させたダブル
バランスミクサを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] この考案は、上記目的を達成するために提案せられたも
のであり、ダブルバランスミクサ回路に於ける逆バイア
ス発生用抵抗に代えて、定電圧半導体素子或は定電流半
導体素子を設け、前記逆バイアスの電圧或は局部発振信
号による整流電流を一定にしたことを特徴とするダブル
バランスミクサを提供せんとするものである。
のであり、ダブルバランスミクサ回路に於ける逆バイア
ス発生用抵抗に代えて、定電圧半導体素子或は定電流半
導体素子を設け、前記逆バイアスの電圧或は局部発振信
号による整流電流を一定にしたことを特徴とするダブル
バランスミクサを提供せんとするものである。
[作用] この考案は、従来の逆バイアス発生用抵抗に代えて、定
電圧半導体素子或は定電流半導体素子を設けてある。定
電圧半導体素子を使用した場合には、各ダイオードに印
加される逆バイアス電圧は局部発振信号のレベルが変化
しても変動しない。従つて、ダイオードの逆バイアス特
性を均一化して、ダブルバランスミクサの特性を向上さ
せ、動作の安定化が計れるものである。又、定電流半導
体素子を使用した場合には、各ダイオードに流れる整流
電流は、局部発振信号レベルにより変化しない。従つ
て、ダイオードの順方向特性を均一化し、ダブルバラン
スミクサの特性を向上させ、動作の安定化が計れるもの
である。
電圧半導体素子或は定電流半導体素子を設けてある。定
電圧半導体素子を使用した場合には、各ダイオードに印
加される逆バイアス電圧は局部発振信号のレベルが変化
しても変動しない。従つて、ダイオードの逆バイアス特
性を均一化して、ダブルバランスミクサの特性を向上さ
せ、動作の安定化が計れるものである。又、定電流半導
体素子を使用した場合には、各ダイオードに流れる整流
電流は、局部発振信号レベルにより変化しない。従つ
て、ダイオードの順方向特性を均一化し、ダブルバラン
スミクサの特性を向上させ、動作の安定化が計れるもの
である。
[実施例] 以下、この考案の一実施例を別紙添付図面に従つて詳述
する。尚、第4図の従来型の説明に使用した符号に対す
る構成は、同一符号を使用するものとする。第1図はダ
ブルバランスミクサの回路図であり、高周波信号(RF)
は端子(1)から入力し、端子(2)からの局部発振信
号(LO)と混合され、端子(3)に変換された信号を出
力する。コンデンサ(8)(8)の後段にブリツジ結合
されたダイオード(4)(4)(4)(4)は、前記局
部発振信号(LO)を整流し、高周波信号阻止コイル
(9)(9)の片側を結線した端子(7)に電圧を生じ
る。この電圧は端子(7)に接続された定電圧半導体素
子(10)によつて、常時一定の負電圧に保持される。こ
の定電圧半導体素子(10)としては第1図のようにツエ
ナーダイオードを使用するか、或は、第2図に示すよう
にダイオード(D)の順方向電圧降下を利用する。尚、
設定する電圧により適宜ダイオード(D)を複数個使用
することを可とする。
する。尚、第4図の従来型の説明に使用した符号に対す
る構成は、同一符号を使用するものとする。第1図はダ
ブルバランスミクサの回路図であり、高周波信号(RF)
は端子(1)から入力し、端子(2)からの局部発振信
号(LO)と混合され、端子(3)に変換された信号を出
力する。コンデンサ(8)(8)の後段にブリツジ結合
されたダイオード(4)(4)(4)(4)は、前記局
部発振信号(LO)を整流し、高周波信号阻止コイル
(9)(9)の片側を結線した端子(7)に電圧を生じ
る。この電圧は端子(7)に接続された定電圧半導体素
子(10)によつて、常時一定の負電圧に保持される。こ
の定電圧半導体素子(10)としては第1図のようにツエ
ナーダイオードを使用するか、或は、第2図に示すよう
にダイオード(D)の順方向電圧降下を利用する。尚、
設定する電圧により適宜ダイオード(D)を複数個使用
することを可とする。
而して、端子(7)に生じた電圧によつてダイオード
(4)(4)(4)(4)を逆バイアスしダブルバラン
スミクサの特性を向上させている。ここで、前記定電圧
半導体素子(10)の電圧が一定に保持されていれば、ダ
イオード(4)(4)(4)(4)の逆方向特性(例え
ば容量値等)を一定化し、当該ダブルバランスミクサの
歪みを抑制してバツクトークを減少させる等作動の安定
化が計れ、高性能のダブルバランスミクサが供給でき
る。
(4)(4)(4)(4)を逆バイアスしダブルバラン
スミクサの特性を向上させている。ここで、前記定電圧
半導体素子(10)の電圧が一定に保持されていれば、ダ
イオード(4)(4)(4)(4)の逆方向特性(例え
ば容量値等)を一定化し、当該ダブルバランスミクサの
歪みを抑制してバツクトークを減少させる等作動の安定
化が計れ、高性能のダブルバランスミクサが供給でき
る。
尚、前記定電圧半導体素子(10)に代えて、第3図に示
す如く定電流半導体素子(11)を設けても良い。第3図
ではFETを使用しており、ソース側に抵抗(12)を接続
して整流電流を調整している。この場合は各ダイオード
(4)(4)(4)(4)を流れる電流が常時一定にな
り、ダイオードの順方向特性(例えば直列高周波抵抗
等)一定に維持することができダブルバランスミクサの
特性をより一層向上させることが可能である。
す如く定電流半導体素子(11)を設けても良い。第3図
ではFETを使用しており、ソース側に抵抗(12)を接続
して整流電流を調整している。この場合は各ダイオード
(4)(4)(4)(4)を流れる電流が常時一定にな
り、ダイオードの順方向特性(例えば直列高周波抵抗
等)一定に維持することができダブルバランスミクサの
特性をより一層向上させることが可能である。
又、図示はしないが、シングルバランスミクサに於て
も、その特性を向上させるために逆バイアスを印加する
場合には、同様に対応可能である。
も、その特性を向上させるために逆バイアスを印加する
場合には、同様に対応可能である。
[考案の効果] この考案は、上記一実施例に詳述したように、逆バイア
ス発生用抵抗に代えて、定電圧半導体素子或は定電流半
導体素子を設けたことによつて、前記半導体素子の結合
部の電圧或は電流を一定にしている。依つて、局部発振
信号のレベルが変動しても、前記結合部の電圧或は電流
は変化せず、常時一定の値となる。而して、ダイオード
の逆方向特性及び順方向特性の変化を良好にし、歪みが
低下し、バツクトークを減少させる等ダブルバランスミ
クサの動作を安定化させることができるものである。
ス発生用抵抗に代えて、定電圧半導体素子或は定電流半
導体素子を設けたことによつて、前記半導体素子の結合
部の電圧或は電流を一定にしている。依つて、局部発振
信号のレベルが変動しても、前記結合部の電圧或は電流
は変化せず、常時一定の値となる。而して、ダイオード
の逆方向特性及び順方向特性の変化を良好にし、歪みが
低下し、バツクトークを減少させる等ダブルバランスミ
クサの動作を安定化させることができるものである。
第1図及び第3図は本考案の一実施例を示したものであ
る。第1図は定電圧半導体素子(ツエナーダイオード)
を使用した場合のダブルバランスミクサの回路図、第2
図は第1図の変形例になる要部回路図、第3図は定電流
半導体素子を使用した場合の同回路図である。第4図は
従来のダブルバランスミクサの回路図である。 (4)(D)……ダイオード (5)……抵抗 (10)……定電圧半導体素子(ツエナーダイオード) (11)……定電流半導体素子
る。第1図は定電圧半導体素子(ツエナーダイオード)
を使用した場合のダブルバランスミクサの回路図、第2
図は第1図の変形例になる要部回路図、第3図は定電流
半導体素子を使用した場合の同回路図である。第4図は
従来のダブルバランスミクサの回路図である。 (4)(D)……ダイオード (5)……抵抗 (10)……定電圧半導体素子(ツエナーダイオード) (11)……定電流半導体素子
Claims (1)
- 【請求項1】ダブルバランスミクサ回路に於ける逆バイ
アス発生用抵抗に代えて、定電圧半導体素子或は定電流
半導体素子を設け、前記逆バイアスの電圧或は該ダブル
バランスミクサ回路のダイオードに流れる整流電流を一
定にしたことを特徴とするダブルバランスミクサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1822588U JPH071855Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | ダブルバランスミクサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1822588U JPH071855Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | ダブルバランスミクサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01122615U JPH01122615U (ja) | 1989-08-21 |
JPH071855Y2 true JPH071855Y2 (ja) | 1995-01-18 |
Family
ID=31232677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1822588U Expired - Lifetime JPH071855Y2 (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | ダブルバランスミクサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH071855Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP1822588U patent/JPH071855Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01122615U (ja) | 1989-08-21 |
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