JPS61107783A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61107783A JPS61107783A JP22993384A JP22993384A JPS61107783A JP S61107783 A JPS61107783 A JP S61107783A JP 22993384 A JP22993384 A JP 22993384A JP 22993384 A JP22993384 A JP 22993384A JP S61107783 A JPS61107783 A JP S61107783A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- resistor
- laser device
- heat sink
- protective circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、コンパクトディスクプレーヤやビデオディス
クプレーヤ等に用いることのできる半導体レーザ装置に
関する。
クプレーヤ等に用いることのできる半導体レーザ装置に
関する。
従来の技術
半導体レーザ装置は、コンパクトディスクプレーヤやビ
デオディスクプレーヤなどに需要が多く、装置の簡素化
と共に、高い信頼性が要求されている。
デオディスクプレーヤなどに需要が多く、装置の簡素化
と共に、高い信頼性が要求されている。
第４図は従来の半導体レーザ装置の一例の斜視図である
。同図において、ｌは半導体レーザ素子、２は全表面に
融着金属を付着したヒートシンクで、その表面に半導体
レーザ素子ｌのマイナス側電極が接着されている。３は
半導体レーザ素子ｌのプラス側電極に接続された導線、
４はヒートシンク２を接着したステムである。一般に半
導体レーザ素子は第３ｒｌ！Ｊに示すように、Ｐ型基板
５上にｐ型りラッド層６、活性層７、ｎ型クラッド層８
、ｎ型キャップ層９がこの順序に重ねて形成されており
、その一方の面にプラス側金属電極１０、他方の面にマ
イナス側金属電極１１が設けられている。
。同図において、ｌは半導体レーザ素子、２は全表面に
融着金属を付着したヒートシンクで、その表面に半導体
レーザ素子ｌのマイナス側電極が接着されている。３は
半導体レーザ素子ｌのプラス側電極に接続された導線、
４はヒートシンク２を接着したステムである。一般に半
導体レーザ素子は第３ｒｌ！Ｊに示すように、Ｐ型基板
５上にｐ型りラッド層６、活性層７、ｎ型クラッド層８
、ｎ型キャップ層９がこの順序に重ねて形成されており
、その一方の面にプラス側金属電極１０、他方の面にマ
イナス側金属電極１１が設けられている。
第４図に示すように構成された半導体レーザ装置を回路
に組込む場合には、許容値以上の電流がレーザ素子ｌに
流れないように第５図に示すような保護回路１２が必要
である２通常、抵抗Ｉ３は約１０Ω、コンデンサ１４は
約ＩＦの程度である。このように従来の半導体レーザ装
置では、これを使用する場合、保護回路を外部に別に設
ける必要があり、機器に組込む場合、回路が複雑になる
という欠点がある。
に組込む場合には、許容値以上の電流がレーザ素子ｌに
流れないように第５図に示すような保護回路１２が必要
である２通常、抵抗Ｉ３は約１０Ω、コンデンサ１４は
約ＩＦの程度である。このように従来の半導体レーザ装
置では、これを使用する場合、保護回路を外部に別に設
ける必要があり、機器に組込む場合、回路が複雑になる
という欠点がある。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、上述のような欠点に鑑み、保護回路を外部に
設けることを必要としないでサージに強い半導体レーザ
装置を提供することを目的とするものである。
設けることを必要としないでサージに強い半導体レーザ
装置を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
上述の問題を解決するため本発明は、抵抗と容量素子か
ら成る保護回路を集積化して形成したシリコンのヒート
シンク基板上に半導体レーザ素子を接着し、保護回路の
抵抗を半導体レーザ素子に直列に接続し、保護回路の容
量素子を並列に半導体レーザ素子に接続するものである
。このようにして外部に保護回路を必要としないで、サ
ージ電圧に対して強い半導体レーザ装置を提供すること
ができる。
ら成る保護回路を集積化して形成したシリコンのヒート
シンク基板上に半導体レーザ素子を接着し、保護回路の
抵抗を半導体レーザ素子に直列に接続し、保護回路の容
量素子を並列に半導体レーザ素子に接続するものである
。このようにして外部に保護回路を必要としないで、サ
ージ電圧に対して強い半導体レーザ装置を提供すること
ができる。
実施例
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の斜視図
である０図において、ｌは半導体レーザ素子、２はシリ
コンから成るヒートシンクで、ステム４上に乗り、半導
体レーザ装置ｌはヒートシンク２上の融着金属１５を付
着させた部分に接着されている；ＩＢはヒートシンク２
上に集積回路で形成された保護回路で、抵抗１７と容量
素子１８で構成され、抵抗１７はレーザ素子ｌに直列に
、又容量素子１８は抵抗１７を介してレーザ素子ｌに並
列にそれぞれ導線３及び１８で接続されており、全体は
図示せざるパッケージ内に収納されている。
である０図において、ｌは半導体レーザ素子、２はシリ
コンから成るヒートシンクで、ステム４上に乗り、半導
体レーザ装置ｌはヒートシンク２上の融着金属１５を付
着させた部分に接着されている；ＩＢはヒートシンク２
上に集積回路で形成された保護回路で、抵抗１７と容量
素子１８で構成され、抵抗１７はレーザ素子ｌに直列に
、又容量素子１８は抵抗１７を介してレーザ素子ｌに並
列にそれぞれ導線３及び１８で接続されており、全体は
図示せざるパッケージ内に収納されている。
次に上述の半導体レーザ装置の更に具体的構成の一例を
第２図を参照して説明する。同図は第１図の保護回路１
Ｂの部分の断面図である。保護回路を構成する抵抗１７
は、シリコンのヒートシンク２に不純物を打ち込み、濃
度の高いｎ型領域にすることによって作られ°る。その
上にシリコンの酸化［４２０を設ける。又、容量素子１
Ｂの領域には、シリコンのヒートシンク２上に不純物を
打ち込み、？領域を作り、この♂領域１８から離れた所
にシリコン酸化物２０を薄く付け、その上にアルミニウ
ム層 ・２１を付着させ、このアルミニウム層２１を抵
抗１７の一端に接続させる。更に抵抗１７の他端にＡＫ
Ｌのゲート２２を、又、容量素子１８のもう一方の端部
に’７’−ト２３を設け、このゲート２３をヒートシン
クｚ上の融着金属１５に接続させる。半導体レーザ素子
ｌは、そのマイナス側電極１１（第３図）がシリコンの
ヒートシンク２の融着金属１５を付した部分に接着され
ており、従って抵抗１７に設けたゲート２２を導線３で
レーザ素子ｌのプラス側電極１０に接続することにより
、抵抗１７がレーザ素子１に直列に、そして容量素子１
８が抵抗１７を介してレーザ素子の両電極に並列に接続
された回路が構成される。
第２図を参照して説明する。同図は第１図の保護回路１
Ｂの部分の断面図である。保護回路を構成する抵抗１７
は、シリコンのヒートシンク２に不純物を打ち込み、濃
度の高いｎ型領域にすることによって作られ°る。その
上にシリコンの酸化［４２０を設ける。又、容量素子１
Ｂの領域には、シリコンのヒートシンク２上に不純物を
打ち込み、？領域を作り、この♂領域１８から離れた所
にシリコン酸化物２０を薄く付け、その上にアルミニウ
ム層 ・２１を付着させ、このアルミニウム層２１を抵
抗１７の一端に接続させる。更に抵抗１７の他端にＡＫ
Ｌのゲート２２を、又、容量素子１８のもう一方の端部
に’７’−ト２３を設け、このゲート２３をヒートシン
クｚ上の融着金属１５に接続させる。半導体レーザ素子
ｌは、そのマイナス側電極１１（第３図）がシリコンの
ヒートシンク２の融着金属１５を付した部分に接着され
ており、従って抵抗１７に設けたゲート２２を導線３で
レーザ素子ｌのプラス側電極１０に接続することにより
、抵抗１７がレーザ素子１に直列に、そして容量素子１
８が抵抗１７を介してレーザ素子の両電極に並列に接続
された回路が構成される。
このようにして半導体レーザ装置を収納したパッケージ
外に保護回路を接続する必要がなく、サージ電圧に対し
て強い半導体レーザ装置が得られる。
外に保護回路を接続する必要がなく、サージ電圧に対し
て強い半導体レーザ装置が得られる。
尚、上述の実施例では、半導体レーザ素子としてＰ型基
板上に成長したものを使用した例を示したが、本発明は
これに限定されるものではなく、ｎ型基板上に成長した
半導体レーザ素子を用いることもできる。又、ヒートシ
ンクにシリコンを利用した例を示したけれども他の半導
体材料を使用することもできる。
板上に成長したものを使用した例を示したが、本発明は
これに限定されるものではなく、ｎ型基板上に成長した
半導体レーザ素子を用いることもできる。又、ヒートシ
ンクにシリコンを利用した例を示したけれども他の半導
体材料を使用することもできる。
発明の効果
以上のように本発明は、パッケージ内のヒートシンク上
に、抵抗と容量素子を集積化した保護回路部分と、融着
金属を付着した部分を設け、この融着金属を付着した部
分に半導体レーザ素子を接着することにより、パッケー
ジ外に保護回路を別に設ける必要がなく、サージに強い
半導体レーザ装置を提供することができて、機器の組立
を簡素化することができる。
に、抵抗と容量素子を集積化した保護回路部分と、融着
金属を付着した部分を設け、この融着金属を付着した部
分に半導体レーザ素子を接着することにより、パッケー
ジ外に保護回路を別に設ける必要がなく、サージに強い
半導体レーザ装置を提供することができて、機器の組立
を簡素化することができる。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例の斜視図
、第２図は更にその具体的構成例を示す断面図、第３図
は一般の半導体レーザ素子の断面図、第４図は従来の半
導体レーザ装置の斜視図、第５図はその保護回路の接続
を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子 ２・・・ヒートシンク３
．１８・・・導線 ４・・・ステム １５・・・融
着金属１Ｂ・・・保護回路 １７・・・抵抗 １Ｂ
・・・容量素子。 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
、第２図は更にその具体的構成例を示す断面図、第３図
は一般の半導体レーザ素子の断面図、第４図は従来の半
導体レーザ装置の斜視図、第５図はその保護回路の接続
を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子 ２・・・ヒートシンク３
．１８・・・導線 ４・・・ステム １５・・・融
着金属１Ｂ・・・保護回路 １７・・・抵抗 １Ｂ
・・・容量素子。 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治第１図 第２図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 抵抗と容量素子から成る保護回路が集積化されて形成さ
れた基板上に、半導体レーザ素子が接着され、前記半導
体レーザ素子に対して前記抵抗が直列に、前記容量素子
が並列に接続されていることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993384A JPS61107783A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993384A JPS61107783A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107783A true JPS61107783A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16900000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22993384A Pending JPS61107783A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107783A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122293A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-26 | サムサン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
| JPH04102381A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Sharp Corp | 半導体レーザの駆動回路 |
| US6894880B2 (en) | 2000-08-01 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Protection circuit for semiconductor laser device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186383A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5818988A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22993384A patent/JPS61107783A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186383A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
| JPS5818988A (ja) * | 1981-07-28 | 1983-02-03 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122293A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-26 | サムサン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
| JPH04102381A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-03 | Sharp Corp | 半導体レーザの駆動回路 |
| US6894880B2 (en) | 2000-08-01 | 2005-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Protection circuit for semiconductor laser device |
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