JPS6092648A - バンプ形成用基板およびこれを用いたバンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成用基板およびこれを用いたバンプ形成方法Info
- Publication number
- JPS6092648A JPS6092648A JP58200282A JP20028283A JPS6092648A JP S6092648 A JPS6092648 A JP S6092648A JP 58200282 A JP58200282 A JP 58200282A JP 20028283 A JP20028283 A JP 20028283A JP S6092648 A JPS6092648 A JP S6092648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- bump
- film
- forming
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910003086 Ti–Pt Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 2
- 229910010977 Ti—Pd Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 101100440985 Danio rerio crad gene Proteins 0.000 description 1
- 101100440987 Mus musculus Cracd gene Proteins 0.000 description 1
- 101100467905 Mus musculus Rdh16 gene Proteins 0.000 description 1
- 208000025174 PANDAS Diseases 0.000 description 1
- 208000021155 Paediatric autoimmune neuropsychiatric disorders associated with streptococcal infection Diseases 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路の実装における転写バンプ方式
のバンプ形成用基板の構造に関するものである。
のバンプ形成用基板の構造に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子の電極端子にフィルムキャリアのリード端子
を接合する手段のひとつとして転写バンプ方式（特願昭
５６−３７４９９号）が提案されている０前記転写バン
ブ方式は、絶縁性基板上の半導体素子の電極と対応した
位置にＡｕの金属突起（バンプ）を形成しておき、まず
、前記バンプとフィルムキャリアのＳｎ メッキしたリ
ード端子とを位置合せし、ツールで加圧、加熱し、前記
リード端子に基板上のバンプをＡｕｅＳｎ 合金で接合
し、基板上から前記バンプを別離せしめ、リード端子に
転写させる。次いで、半導体素子の電極端子（ＡＩ）と
前記リード端子のバンプとを位置合せし、ツールで加圧
、加熱せしめ、Ａ ｕ −Ａ １ 合金で前記バンプと
半導体素子の電極端子を接合するものである。
を接合する手段のひとつとして転写バンプ方式（特願昭
５６−３７４９９号）が提案されている０前記転写バン
ブ方式は、絶縁性基板上の半導体素子の電極と対応した
位置にＡｕの金属突起（バンプ）を形成しておき、まず
、前記バンプとフィルムキャリアのＳｎ メッキしたリ
ード端子とを位置合せし、ツールで加圧、加熱し、前記
リード端子に基板上のバンプをＡｕｅＳｎ 合金で接合
し、基板上から前記バンプを別離せしめ、リード端子に
転写させる。次いで、半導体素子の電極端子（ＡＩ）と
前記リード端子のバンプとを位置合せし、ツールで加圧
、加熱せしめ、Ａ ｕ −Ａ １ 合金で前記バンプと
半導体素子の電極端子を接合するものである。
従来、前記転写用のバンプ形成用基板を用いたパンダ形
成方法は、第１図に示す構成であった。
成方法は、第１図に示す構成であった。
すなわち、絶縁性基板１例えばセラミック、ガラス板上
にＡｕ薄膜２を約１０００人程度蒸着せしめ（第１図ａ
）、Ａｕ薄膜２上に感光性樹脂３を塗布し、半導体素子
の電極と対応した位置に開孔部４を形成する（第１図ｂ
）。
にＡｕ薄膜２を約１０００人程度蒸着せしめ（第１図ａ
）、Ａｕ薄膜２上に感光性樹脂３を塗布し、半導体素子
の電極と対応した位置に開孔部４を形成する（第１図ｂ
）。
次いで、Ａｕ薄膜２をメッキ用の共通電極とし開孔部４
にＡｕによるバンプ６を２０／Ｌｍ程度形成させ（第１
図ｃ）、感光性樹脂３を有機溶剤で除去し、バンプ６の
下層のＡｕ薄膜！のみを残し、他を王水等の蝕刻液で除
去して、第１図（ｄ）の構成を得ていた。
にＡｕによるバンプ６を２０／Ｌｍ程度形成させ（第１
図ｃ）、感光性樹脂３を有機溶剤で除去し、バンプ６の
下層のＡｕ薄膜！のみを残し、他を王水等の蝕刻液で除
去して、第１図（ｄ）の構成を得ていた。
この第１図においては、バンプを形成するだめの工程が
多く複雑であシ、かつ、Ａｕ薄膜２およ（以 下 余
白） び感光性樹脂３はバンプ６を形成するごとに新たに形成
する必要がある。すなわち、第１図（ｄ）ののち、バン
プ５は基板１から離脱してリードに転写されるが、新た
に基板１にバンプを形成する場合、新たにムｕ２．樹脂
３を形成する必要がある。したがってバンプ形成のコス
トが著るしく高価になシ、転写バンプ方式を用いた実装
方法のコストも引上げる結果になっていた。
多く複雑であシ、かつ、Ａｕ薄膜２およ（以 下 余
白） び感光性樹脂３はバンプ６を形成するごとに新たに形成
する必要がある。すなわち、第１図（ｄ）ののち、バン
プ５は基板１から離脱してリードに転写されるが、新た
に基板１にバンプを形成する場合、新たにムｕ２．樹脂
３を形成する必要がある。したがってバンプ形成のコス
トが著るしく高価になシ、転写バンプ方式を用いた実装
方法のコストも引上げる結果になっていた。
発明の目的
本発明はこのような従来の問題に鑑み、複数回のメッキ
形成、再生ができる耐久性およびバンプの剥離、転写性
の良好な安価なバンプ形成用基板およびこれを用いたバ
ンプ形成方法を提供することを目的とする。
形成、再生ができる耐久性およびバンプの剥離、転写性
の良好な安価なバンプ形成用基板およびこれを用いたバ
ンプ形成方法を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、絶縁基板上に金属層とＩＴＯ層を形成せしめ
、前記Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｃｌｕｉｍ ｔｈｉｎ ｏｘ：
Ｌａ１ｅ）層上に絶縁物質をマスクとしてメッキ法等に
よりバンプを形成する事により、耐久性のある安価なバ
ンプ形成を実現するものである。
、前記Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎｃｌｕｉｍ ｔｈｉｎ ｏｘ：
Ｌａ１ｅ）層上に絶縁物質をマスクとしてメッキ法等に
よりバンプを形成する事により、耐久性のある安価なバ
ンプ形成を実現するものである。
実施例の説明
第２図は本発明の一実施例の転写バンプ形成用基板を示
すものである。平滑な面を有するセラミックあるいはガ
ラス基板等の絶縁基板１０上に金属膜１１およびＩＴＯ
膜１膜上２層され、ＩＴＯ膜１膜上２上絶縁性物質層に
よるメッキ用マスクパターン１３が設けられた構成であ
る。金属膜１１はＴｉ−Ｐｔ、ＴニーＰａ 、 Ｍｏ
、 Ｐｔ 、 Ｐｄ等の如く比較的酸化性が弱く、絶縁
基板１ｏに対し、付着力の強い材料で構成されるもので
、電解メッキ用の陰極電極の電流経過として用いるもの
であるから、電気抵抗が充分に低い事が望ましい。ＩＴ
Ｏ膜１膜上２属膜１１上にスパッター法または電子ビー
ム法で形成される。ＩＴＯ膜１膜上２実験の結果、それ
自体の比抵抗は、通常の金属膜に対し著しるしく大きい
にもかかわらず、メッキ性も良く、かつ、フィルムリー
ドへの転写・剥離性も著しるしく良好であった。さらに
また、ＩＴＯ膜１膜上２フィルムリードヘバンプを転写
する際に加わる加圧！加熱の数秒間のストレスに対し３
００回以上も耐久性があり、変質、変形をきたす事がな
く、安定なメッキ形成、再生を繰返すことができた０ メッキ用マスクパターン１３は、比較的耐熱性。
すものである。平滑な面を有するセラミックあるいはガ
ラス基板等の絶縁基板１０上に金属膜１１およびＩＴＯ
膜１膜上２層され、ＩＴＯ膜１膜上２上絶縁性物質層に
よるメッキ用マスクパターン１３が設けられた構成であ
る。金属膜１１はＴｉ−Ｐｔ、ＴニーＰａ 、 Ｍｏ
、 Ｐｔ 、 Ｐｄ等の如く比較的酸化性が弱く、絶縁
基板１ｏに対し、付着力の強い材料で構成されるもので
、電解メッキ用の陰極電極の電流経過として用いるもの
であるから、電気抵抗が充分に低い事が望ましい。ＩＴ
Ｏ膜１膜上２属膜１１上にスパッター法または電子ビー
ム法で形成される。ＩＴＯ膜１膜上２実験の結果、それ
自体の比抵抗は、通常の金属膜に対し著しるしく大きい
にもかかわらず、メッキ性も良く、かつ、フィルムリー
ドへの転写・剥離性も著しるしく良好であった。さらに
また、ＩＴＯ膜１膜上２フィルムリードヘバンプを転写
する際に加わる加圧！加熱の数秒間のストレスに対し３
００回以上も耐久性があり、変質、変形をきたす事がな
く、安定なメッキ形成、再生を繰返すことができた０ メッキ用マスクパターン１３は、比較的耐熱性。
機械的強度を有したＳｉｎ、 Ｓｉ３Ｎ４． Ａｌ、Ｏ
，あるいは混合されたガラス膜等の無機物質やポリイミ
ド系等の有機物質で数１０００人〜数μｍの厚さに半永
久的に形成されており、開孔部１４は半導体素子の電極
（パッド）と対応した位置に形成される。無機物質や有
機物質は、メッキ物が直接形成されるＩＴＯ膜１膜上２
して強い密着力をもっておシ、フィルムリードヘバンプ
を転写する際に開孔部１４が破損することがなかった。
，あるいは混合されたガラス膜等の無機物質やポリイミ
ド系等の有機物質で数１０００人〜数μｍの厚さに半永
久的に形成されており、開孔部１４は半導体素子の電極
（パッド）と対応した位置に形成される。無機物質や有
機物質は、メッキ物が直接形成されるＩＴＯ膜１膜上２
して強い密着力をもっておシ、フィルムリードヘバンプ
を転写する際に開孔部１４が破損することがなかった。
１６Ｆｉ、開孔部１４に形成される金属突起電極（バン
プ）を示す０ 以上のように本実施例によれば、メッキ性および前記メ
ッキ物の剥離性が良好でかつ、耐久性のあるバンプ形成
用基板が実現できた。
プ）を示す０ 以上のように本実施例によれば、メッキ性および前記メ
ッキ物の剥離性が良好でかつ、耐久性のあるバンプ形成
用基板が実現できた。
次に他の実施例について第３図で説明する。金属基板２
０は、ステンレス、Ｓｉ、Ｍｏ等の４１ＪＬ性を有する
薄板であって、半導体素子のパッドに対応する位置が凸
部状に形成され、ＩＴＯ膜１２は基板２０の全面に形成
されている。メッキ用マスクパターン１６は基板２ｏの
メッキ処理をしない領域の四部に埋設された構造である
。金属基板２゜はＩＴＯ膜１２と密着性が良く、電気抵
抗が低い方が好ましく、メッキ用マスクパターン１６は
有機物質又は無機物質のいづれでも良い。
０は、ステンレス、Ｓｉ、Ｍｏ等の４１ＪＬ性を有する
薄板であって、半導体素子のパッドに対応する位置が凸
部状に形成され、ＩＴＯ膜１２は基板２０の全面に形成
されている。メッキ用マスクパターン１６は基板２ｏの
メッキ処理をしない領域の四部に埋設された構造である
。金属基板２゜はＩＴＯ膜１２と密着性が良く、電気抵
抗が低い方が好ましく、メッキ用マスクパターン１６は
有機物質又は無機物質のいづれでも良い。
第３図の如くの構成では、バンプ１５はメッキ用マスク
パターン１６の開化部すなわち金属基板２ｏの凸部に形
成されるものである。この様な実施例にあっては、フィ
ルムリードヘバンプ１６を転写して基板から剥離させる
際に、加圧力が金属基板２０の凸部のみに加わり、メッ
キ用マスクパターン１６にははとんど作用しないから、
メッキ用マスクパターン１６の損傷が皆無になり、結果
的にバンプ形成用基板としての寿命を著しるしく伸ばす
ことになる。
パターン１６の開化部すなわち金属基板２ｏの凸部に形
成されるものである。この様な実施例にあっては、フィ
ルムリードヘバンプ１６を転写して基板から剥離させる
際に、加圧力が金属基板２０の凸部のみに加わり、メッ
キ用マスクパターン１６にははとんど作用しないから、
メッキ用マスクパターン１６の損傷が皆無になり、結果
的にバンプ形成用基板としての寿命を著しるしく伸ばす
ことになる。
次に第４図で本発明の基板を用いフィルムリードヘバン
プを転写し、半導体素子のパッドに前記バンプを接合す
る方法を説明する。
プを転写し、半導体素子のパッドに前記バンプを接合す
る方法を説明する。
絶縁基板１０上のＩＴＯ膜１膜上２上導体素子のパッド
に対応した位置にバンプ１５が形成されており、バンプ
１６とフィルムキャリヤ２１のリード２２とを位置合せ
しく第４図ａ）、ボンディングツール２３で加圧加熱す
る。リード２２下のバンプ１５は、リード２２にメッキ
処理されているＳｎによって、バンプ１５と部分的にＡ
ｕ−５ｎの合金を形成し、ＩＴＯ膜１膜上２上ンプは容
易に剥離し、リード２２側に転写されるものである（第
４図ｂ）。
に対応した位置にバンプ１５が形成されており、バンプ
１６とフィルムキャリヤ２１のリード２２とを位置合せ
しく第４図ａ）、ボンディングツール２３で加圧加熱す
る。リード２２下のバンプ１５は、リード２２にメッキ
処理されているＳｎによって、バンプ１５と部分的にＡ
ｕ−５ｎの合金を形成し、ＩＴＯ膜１膜上２上ンプは容
易に剥離し、リード２２側に転写されるものである（第
４図ｂ）。
次にバンプ１５を形成したリード２２と半導体素子２４
のパッド２５とを位置合せしく第４図Ｃ）、ボンディン
グツール２６によって、加圧加熱せしめる。この工程に
よってリード２２」二のバンプブ１６は、半導体素子の
パッド２６の表面に押し広げられ、パッドの材質である
Ａ１とＡＩ・ムＵの合金を形成し、第４図（ｄ）の如く
接合され、リード２２と、Ｃラド２６との電気的接続が
なされる０ また、バンプ１５を形成していた基板１ｏは、基板１ｏ
上のバンプ１５を全てリード２２側に転写したあと、繰
返し何回もメッキ処理を行ない、バンプを形成できるも
のである。すなわち、ＩＴＯ膜１２はバンプをリードに
転写後も剥れず、同一の工１゛０膜１２を用いて何回も
バンプ形成およびリードへのバンプ転写を繰返すことが
できるものである。
のパッド２５とを位置合せしく第４図Ｃ）、ボンディン
グツール２６によって、加圧加熱せしめる。この工程に
よってリード２２」二のバンプブ１６は、半導体素子の
パッド２６の表面に押し広げられ、パッドの材質である
Ａ１とＡＩ・ムＵの合金を形成し、第４図（ｄ）の如く
接合され、リード２２と、Ｃラド２６との電気的接続が
なされる０ また、バンプ１５を形成していた基板１ｏは、基板１ｏ
上のバンプ１５を全てリード２２側に転写したあと、繰
返し何回もメッキ処理を行ない、バンプを形成できるも
のである。すなわち、ＩＴＯ膜１２はバンプをリードに
転写後も剥れず、同一の工１゛０膜１２を用いて何回も
バンプ形成およびリードへのバンプ転写を繰返すことが
できるものである。
発明の効果
以上の様に、本発明はＩＴＯ膜をメッキを形成するため
の層とし、メッキ用の電流経過をＩＴＯ膜の下層に設け
て金縞層とし、更にまた半永久的に形成したメッキ用マ
スクパターンを設けた構成とすることにより、 ■形成したバンプのフィルムリードへの転写、剥離性が
良好で、転写バンプ方式におけるこの工程の転写率が著
じるしく向上する。
の層とし、メッキ用の電流経過をＩＴＯ膜の下層に設け
て金縞層とし、更にまた半永久的に形成したメッキ用マ
スクパターンを設けた構成とすることにより、 ■形成したバンプのフィルムリードへの転写、剥離性が
良好で、転写バンプ方式におけるこの工程の転写率が著
じるしく向上する。
■また、ＩＴＯ膜の下層に金属層が形成されているので
、バンプ形成用基板が大型の面積になっても、メッキ時
の基板表面の電圧分布をどの位置においても一定に保て
るから、基板内でのバンプの高さを均一に形成できるも
のである。このことにより、半導体素子のパッドへバン
プを接合する時に、バンプの高さが均一であるから加圧
力がどのバンプに対しても、均一に作用するとともに、
温度も均一に作用する。したがって半導体素子の各パッ
ドにおいて、ムＵ・ムｌの合金の形成が一応に同じ状態
で形成されるので接合強度が高く、信頼性の高い半導体
装置を得ることができる。
、バンプ形成用基板が大型の面積になっても、メッキ時
の基板表面の電圧分布をどの位置においても一定に保て
るから、基板内でのバンプの高さを均一に形成できるも
のである。このことにより、半導体素子のパッドへバン
プを接合する時に、バンプの高さが均一であるから加圧
力がどのバンプに対しても、均一に作用するとともに、
温度も均一に作用する。したがって半導体素子の各パッ
ドにおいて、ムＵ・ムｌの合金の形成が一応に同じ状態
で形成されるので接合強度が高く、信頼性の高い半導体
装置を得ることができる。
■１１°０膜およびメッキ用マスクパターンが耐久性を
有した構成であるので、本発明の基板を繰返し、メッキ
形成、剥離、再生を行なうことができ、バンプ形成用基
板の製造コストが著しるしく安価になり、実装コストも
低下する。
有した構成であるので、本発明の基板を繰返し、メッキ
形成、剥離、再生を行なうことができ、バンプ形成用基
板の製造コストが著しるしく安価になり、実装コストも
低下する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は従来の転写バンプ用基板の製造
工程断面図、第２図、第３図は本発明の一実施例を示す
転写バンプ用基板の断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は転
写バンプ方式のリード接続を示す工程断面図である。 １０・・・・・・絶縁基板、１１・・・・・・金属膜、
１２・・・・・・ＩＴＯ膜、１３．１６・・・・・・メ
ッキ用マスクパターン、１６・・・・・・バンプ、２０
・川・金属基板、２１・・・・・・フィルムキャリヤ、
２２・・・・・・リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ｆ、ｓ 第３図 ／、５”
工程断面図、第２図、第３図は本発明の一実施例を示す
転写バンプ用基板の断面図、第４図（ａ）〜（ｄ）は転
写バンプ方式のリード接続を示す工程断面図である。 １０・・・・・・絶縁基板、１１・・・・・・金属膜、
１２・・・・・・ＩＴＯ膜、１３．１６・・・・・・メ
ッキ用マスクパターン、１６・・・・・・バンプ、２０
・川・金属基板、２１・・・・・・フィルムキャリヤ、
２２・・・・・・リード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ｆ、ｓ 第３図 ／、５”
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に金属層が形成され、前記金属層上に
ＩＴＯ層が形成され、前記ＩＴＯ層上の半導体素子の電
極に対応した位置に開孔部を有する絶縁性物質が形成さ
れていることを！１に徴とするバンプ形成用基板。 - （２）絶縁基板の凸部上にＩＴＯ層が形成され、前記凸
部以外の部分に絶縁性物質が形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のバンプ形成用基板。 - （３）表面に金属層およびＩＴＯ層が形成された絶縁基
板を用い、前記ＩＴＯ層上に開孔部を有する絶縁性物質
を形成し、前記開孔部のＩＴＯ層上に電解メッキ法によ
り金属突起を形成することを特徴とするバンプ形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200282A JPS6092648A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | バンプ形成用基板およびこれを用いたバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200282A JPS6092648A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | バンプ形成用基板およびこれを用いたバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092648A true JPS6092648A (ja) | 1985-05-24 |
| JPH0158867B2 JPH0158867B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=16421720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200282A Granted JPS6092648A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | バンプ形成用基板およびこれを用いたバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092648A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383327B1 (en) * | 1986-12-24 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive pattern producing method |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP58200282A patent/JPS6092648A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6383327B1 (en) * | 1986-12-24 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive pattern producing method |
| US7288437B2 (en) | 1986-12-24 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conductive pattern producing method and its applications |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158867B2 (ja) | 1989-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4494688A (en) | Method of connecting metal leads with electrodes of semiconductor device and metal lead therefore | |
| IE52529B1 (en) | Method of simultaneously manufacturing multiple electrical connections between two elements | |
| JP2000082723A (ja) | 機能素子及び機能素子搭載用基板並びにそれらの接続方法 | |
| JPS6092648A (ja) | バンプ形成用基板およびこれを用いたバンプ形成方法 | |
| JP2001056347A (ja) | コンタクト部品及びその製造方法 | |
| JP3698223B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2748530B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0350734A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPH03101233A (ja) | 電極構造及びその製造方法 | |
| JP2600161B2 (ja) | 転写バンプ用基板 | |
| JP3051617B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2874184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2847954B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3645095B2 (ja) | バーンインボード、バンプ付きメンブレンリング及びその製造方法 | |
| JP2879159B2 (ja) | 電気的接続部材及び金属バンプの形成方法 | |
| JP2600669B2 (ja) | 転写バンプ用金属突起 | |
| JP3267422B2 (ja) | バンプ転写体および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP3232805B2 (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JPH0443418B2 (ja) | ||
| JPS6091656A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01112741A (ja) | 集積回路の接続方法 | |
| JPS6086854A (ja) | 突起電極形成用基板及びその製造方法 | |
| JPS5890754A (ja) | 実装体の製造方法 | |
| JPH0745664A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPH01215047A (ja) | 半導体チップのバンプ形成方法 |