JPS609167A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶と組み合わせて画像表示装置を構成する半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
第１図はスイッチングＭＩＳ）ランジスタ１と液晶セル
２よりなる単位絵素を走査線４と信号線５で相互接続し
て２次元のマトリクスを構成した画像表示装置の等価回
路である。走査線４に走査パルスを印加して横方向にＭ
ＯＳトランジスタ１をｏｎさせ信号端子群Ｙｊ＋？、＋
１＋・・・・・）より映像信号電圧を液晶セル２に書き
込ませる。ついで縦方向（Ｘｉ、Ｘ□ ・・・）に走査
パルスを順次走＋１＋ 査して画像表示機能が与えられる。映像信号に対応して
液晶セル２に書き適寸れた電荷は次なる書込み時１でＭ
ＩＳ）ランジスタ１のｏｆｆ抵抗と液晶セルの抵抗を通
して放電していくが、その放電の時定数が書き込み速度
（１／６０秒）よシ十分長ければテレビ画像を表示でき
る。液晶セル２よりも十分大きな容量を有する補助容量
３をＭＩＳトランジスタ１の負荷として接地線６との間
に伺加することが多いのは上述の理由による。なお、共
通電極７を例えば６ｖに固定し、映像信号電圧を書き込
みの毎度にＱ〜６■と６〜１２Ｖで切換えることにより
液晶セル２は交流駆動となる。
２よりなる単位絵素を走査線４と信号線５で相互接続し
て２次元のマトリクスを構成した画像表示装置の等価回
路である。走査線４に走査パルスを印加して横方向にＭ
ＯＳトランジスタ１をｏｎさせ信号端子群Ｙｊ＋？、＋
１＋・・・・・）より映像信号電圧を液晶セル２に書き
込ませる。ついで縦方向（Ｘｉ、Ｘ□ ・・・）に走査
パルスを順次走＋１＋ 査して画像表示機能が与えられる。映像信号に対応して
液晶セル２に書き適寸れた電荷は次なる書込み時１でＭ
ＩＳ）ランジスタ１のｏｆｆ抵抗と液晶セルの抵抗を通
して放電していくが、その放電の時定数が書き込み速度
（１／６０秒）よシ十分長ければテレビ画像を表示でき
る。液晶セル２よりも十分大きな容量を有する補助容量
３をＭＩＳトランジスタ１の負荷として接地線６との間
に伺加することが多いのは上述の理由による。なお、共
通電極７を例えば６ｖに固定し、映像信号電圧を書き込
みの毎度にＱ〜６■と６〜１２Ｖで切換えることにより
液晶セル２は交流駆動となる。
さて第２図はアモルファスシリコン（以下ａ−３ｉと略
す）を半導体材料とするＭＩＳトランジスタをスイッチ
ング素子として集積化した場合の単位絵素の平面図を示
し、第３図は第２図のＡ−Ａ’線上の要部断面図を示す
。その製造方法は以下に述べる通シである。
す）を半導体材料とするＭＩＳトランジスタをスイッチ
ング素子として集積化した場合の単位絵素の平面図を示
し、第３図は第２図のＡ−Ａ’線上の要部断面図を示す
。その製造方法は以下に述べる通シである。
透明性絶縁基板例えばガラス板８の一生面−にに第１の
透明導電層９を全面に寸たけ選択的に形成し、ついで全
面に透明性絶縁層例えば酸化シリコン１０を被着する。
透明導電層９を全面に寸たけ選択的に形成し、ついで全
面に透明性絶縁層例えば酸化シリコン１０を被着する。
そしてＭＩＳ）ランジスタのゲートを構成するとともに
走査線をも構成し例えばモリブデンよシなる第１の金属
層４と、透明導電層よシなる絵素電極１１を酸化シリコ
ン層１０上に選択的に形成する。つぎにＳ Ｉ Ｈ４系
ガスを主成分とするグロー放電分解によって例えばＳ
ｌ、Ｎ。
走査線をも構成し例えばモリブデンよシなる第１の金属
層４と、透明導電層よシなる絵素電極１１を酸化シリコ
ン層１０上に選択的に形成する。つぎにＳ Ｉ Ｈ４系
ガスを主成分とするグロー放電分解によって例えばＳ
ｌ、Ｎ。
よりなるゲート絶縁層１２と不純物をほとんど含まない
ａ−３ｉ層を全面に堆積し、島状のａ−３ｉ層１３を形
成し、絵素電極１１上のＳ １ ｓｅ４層１２に開口部
１４を形成する。そして図示はしないが同時に絵素部よ
シ遠く離れだ領域で走査線４上のＳ ｉ３Ｎ４層にも開
口部を形成する。その後、島状のａ−８ｉ層１３上でゲ
ート金属層４と一部重なりあう一対の金属層を例えばア
ルミニウムで選択的に形成する。その一方は映像信号線
５を構成し、もう一方は前記開口部１４を含んで形成さ
れ、ＭＩＳトランジスタ１と絵素電極１１との接１続線
１５を構成する。図示はしないが第２の金属層５，１５
の形成時に先述したように走査線４への取出し電極も形
成される。
ａ−３ｉ層を全面に堆積し、島状のａ−３ｉ層１３を形
成し、絵素電極１１上のＳ １ ｓｅ４層１２に開口部
１４を形成する。そして図示はしないが同時に絵素部よ
シ遠く離れだ領域で走査線４上のＳ ｉ３Ｎ４層にも開
口部を形成する。その後、島状のａ−８ｉ層１３上でゲ
ート金属層４と一部重なりあう一対の金属層を例えばア
ルミニウムで選択的に形成する。その一方は映像信号線
５を構成し、もう一方は前記開口部１４を含んで形成さ
れ、ＭＩＳトランジスタ１と絵素電極１１との接１続線
１５を構成する。図示はしないが第２の金属層５，１５
の形成時に先述したように走査線４への取出し電極も形
成される。
画像表示装置を得るためには上記した半導体装置の表面
に例えばポリイミド薄膜を塗布し、キュアした後に配向
処理を行ない、−主面上に透明導電層７を被着されたガ
ラス板１６と」二記半導体装置との間に液晶１７を充填
し、さらに上下に偏光板１８を配置すればよい。
に例えばポリイミド薄膜を塗布し、キュアした後に配向
処理を行ない、−主面上に透明導電層７を被着されたガ
ラス板１６と」二記半導体装置との間に液晶１７を充填
し、さらに上下に偏光板１８を配置すればよい。
ａ−３ｉ層１３とソース・ドレイン配線６．１５との間
のオーミック性を改善するためにはドナ捷たはアクセプ
タとなる例えば燐あるいは硼素を含んだａ−３ｉＮをそ
れらの間に介在させれば十分である。
のオーミック性を改善するためにはドナ捷たはアクセプ
タとなる例えば燐あるいは硼素を含んだａ−３ｉＮをそ
れらの間に介在させれば十分である。
さて」二連した半導体装置においてゲート金層層４とし
てモリブデンを取上げたが、この他にもクロム、ニクロ
ムなどを用いた例が公知である。ゲート金属層４は走査
線をも兼用するので抵抗値は低い程」：＜、１５００人
の膜厚では被着方法にもよるが上述した金属では１〜１
０Ω／口の抵抗値が得られ実用上支障ない。しかしなが
らモリブデンは酸化性の酸１例えば硝酸には極めて溶は
易く、モリブデンを導入した以降の工程ではレジスト除
去や洗浄工程には発煙硝酸が使えない制約が生じる。た
とえモリブデンが露出していない工程でもゲート絶縁層
１２のピンホールを通してモリブデンが局所的に消失す
るので画像表示装置としては致命的な線欠陥の原因とな
る欠点がある。まだクロムやニクロムは表面に薄い酸化
膜が生じ易く不働態として作用するので化学的に安定で
ある。しかしこの安定な酸化膜の存在が外部への取シ出
し配線形成時に大きな支障をきたす。
てモリブデンを取上げたが、この他にもクロム、ニクロ
ムなどを用いた例が公知である。ゲート金属層４は走査
線をも兼用するので抵抗値は低い程」：＜、１５００人
の膜厚では被着方法にもよるが上述した金属では１〜１
０Ω／口の抵抗値が得られ実用上支障ない。しかしなが
らモリブデンは酸化性の酸１例えば硝酸には極めて溶は
易く、モリブデンを導入した以降の工程ではレジスト除
去や洗浄工程には発煙硝酸が使えない制約が生じる。た
とえモリブデンが露出していない工程でもゲート絶縁層
１２のピンホールを通してモリブデンが局所的に消失す
るので画像表示装置としては致命的な線欠陥の原因とな
る欠点がある。まだクロムやニクロムは表面に薄い酸化
膜が生じ易く不働態として作用するので化学的に安定で
ある。しかしこの安定な酸化膜の存在が外部への取シ出
し配線形成時に大きな支障をきたす。
先述したように絵素部より遠く離れた領域で走査線４上
の５１３Ｎ４Ｎに開口部を形成する工程で走査線４の表
面は、５ｉ３Ｎ４０食刻液あるいは食亥１ガスおよびレ
ジストを除去するだめの発煙硝酸もしくは０２プラズマ
にさらされる結果、不働態としての薄い酸化膜が形成さ
れる。したがって取シ出し電極を構成する金属は、この
薄い酸化膜を経由してクロム、ニクロムなどの走査線に
接触することになる。そのため４００〜５００°Ｃ以上
の加熱処理を施さない限り接触抵抗は不安定でがっ高ぐ
なり１Ｖ１１Ｓトランジスタの動作が不確実となり画像
表示装置としての機能が得られない。一方、グロー放電
堆積によるａ−８ｉは作製条件にもよるが概ね３００”
Ｃ以上の加熱を行なうとダングリングボンドを補償する
水素が離脱して半導体材料としての膜厚が大幅に低下す
る。
の５１３Ｎ４Ｎに開口部を形成する工程で走査線４の表
面は、５ｉ３Ｎ４０食刻液あるいは食亥１ガスおよびレ
ジストを除去するだめの発煙硝酸もしくは０２プラズマ
にさらされる結果、不働態としての薄い酸化膜が形成さ
れる。したがって取シ出し電極を構成する金属は、この
薄い酸化膜を経由してクロム、ニクロムなどの走査線に
接触することになる。そのため４００〜５００°Ｃ以上
の加熱処理を施さない限り接触抵抗は不安定でがっ高ぐ
なり１Ｖ１１Ｓトランジスタの動作が不確実となり画像
表示装置としての機能が得られない。一方、グロー放電
堆積によるａ−８ｉは作製条件にもよるが概ね３００”
Ｃ以上の加熱を行なうとダングリングボンドを補償する
水素が離脱して半導体材料としての膜厚が大幅に低下す
る。
発明の目的
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、走査腺゛−
取シ出し配線との接触抵抗を加熱処理なしで低く確実な
ものとすることを目的とする。また本発明の別の目的は
走査線の抵抗を低くならしめることにある。
取シ出し配線との接触抵抗を加熱処理なしで低く確実な
ものとすることを目的とする。また本発明の別の目的は
走査線の抵抗を低くならしめることにある。
発明の構成
本発明の要点は、半導体素子の特性を決定するゲート電
極材としての金属シリサイドと、低抵抗化のだめの走査
線材としてのアルミニウムの導入にあり、第４図ととも
に本発明の実施例について説明する。
極材としての金属シリサイドと、低抵抗化のだめの走査
線材としてのアルミニウムの導入にあり、第４図ととも
に本発明の実施例について説明する。
実施例の説明
第４図は本発明にかかる画像表示装置の要部断面図を示
し、従来例である第３図との違いはＭＩＳトランジスタ
のゲート電極を構成するとともに走査線をも構成する金
属層がアルミニウム１９とモリブデンシリサイド２００
２層で置き換えられていることであυ、その他の構造な
らびに製造法は第３図で述べたとおシである。耐酸性、
耐弗酸性を有する金属シリサイド、例えばモリブデン、
タンタルあるいはタングステンシリサイドは主としてス
パッタ蒸着で形成されるが１０００°Ｃ程度の熱処理を
与えなければ膜厚５００人で１００〜２００Ω／口のシ
ート抵抗値を有する。しかしながら１０００への膜厚を
有するアルミニウム１９上に６００人の膜厚を有するモ
リブデンシリサイド２０を被着するとシート抵抗値は０
．３〜０．５０膜口と２桁以上低下するので、走査線の
抵抗値は従来の単層金属の場合よりもさらに低くなる。
し、従来例である第３図との違いはＭＩＳトランジスタ
のゲート電極を構成するとともに走査線をも構成する金
属層がアルミニウム１９とモリブデンシリサイド２００
２層で置き換えられていることであυ、その他の構造な
らびに製造法は第３図で述べたとおシである。耐酸性、
耐弗酸性を有する金属シリサイド、例えばモリブデン、
タンタルあるいはタングステンシリサイドは主としてス
パッタ蒸着で形成されるが１０００°Ｃ程度の熱処理を
与えなければ膜厚５００人で１００〜２００Ω／口のシ
ート抵抗値を有する。しかしながら１０００への膜厚を
有するアルミニウム１９上に６００人の膜厚を有するモ
リブデンシリサイド２０を被着するとシート抵抗値は０
．３〜０．５０膜口と２桁以上低下するので、走査線の
抵抗値は従来の単層金属の場合よりもさらに低くなる。
なおアルミニウムもクロムと同様に不働態を生じ易いの
でアルミニウムの被着後ただちに、好ましくは連続蒸着
で金属シリサイドを被着すべきである。
でアルミニウムの被着後ただちに、好ましくは連続蒸着
で金属シリサイドを被着すべきである。
またａ−３ｉ 層１３とソース、ドレイン配線５゜１５
との間にシリコンを主成分としドナまたはアクセプタと
なる不純物を含む非晶質半導体層を介在させオーミック
性を改善してもよい。さらに透明導電層９と絵素電極１
１とが全面に形成された透明絶縁層１０を介して補助容
量３を形成することもできる。走査線あるいは信号線６
との間で形成される付遊容量を減少すしめるためには透
明導電層９は全面ではなく選択的にパターン出しするの
が１い。なおこの場合、透明導電層９は第１図の接地線
６に対応する。
との間にシリコンを主成分としドナまたはアクセプタと
なる不純物を含む非晶質半導体層を介在させオーミック
性を改善してもよい。さらに透明導電層９と絵素電極１
１とが全面に形成された透明絶縁層１０を介して補助容
量３を形成することもできる。走査線あるいは信号線６
との間で形成される付遊容量を減少すしめるためには透
明導電層９は全面ではなく選択的にパターン出しするの
が１い。なおこの場合、透明導電層９は第１図の接地線
６に対応する。
発明の効果
以上の説明からも明らかなように本発明では、走査線の
抵抗値は従来の単層金属の場合よりも約１桁小さい。し
だがって高密度化、大画面化すなわち走査線のパターン
幅が小さくなるほど、丑だパターン長が長くなるほどそ
の効果は大である。
抵抗値は従来の単層金属の場合よりも約１桁小さい。し
だがって高密度化、大画面化すなわち走査線のパターン
幅が小さくなるほど、丑だパターン長が長くなるほどそ
の効果は大である。
まだ、金属シリサイドは弗酸系の食刻液にも耐え、また
酸素プラズマや発煙硝酸などを用いたレジスト除去工程
において薄いＳ ｚ ０２膜が形成されても稀釈弗酸で
除去が容易である。したがって走査線への取シ出し電極
形成時に、走査線すなわち金属シリサイドと取り出し電
極材との間に障壁ができる恐れは皆無で低い接触抵抗が
得られる。また加熱処理も不用となるなど本発明はａ−
９ｉに適した製造方法である。
酸素プラズマや発煙硝酸などを用いたレジスト除去工程
において薄いＳ ｚ ０２膜が形成されても稀釈弗酸で
除去が容易である。したがって走査線への取シ出し電極
形成時に、走査線すなわち金属シリサイドと取り出し電
極材との間に障壁ができる恐れは皆無で低い接触抵抗が
得られる。また加熱処理も不用となるなど本発明はａ−
９ｉに適した製造方法である。
第１図はＭＩＳ）ランジスタと液晶セルの組合せよりな
る画像表示装置の等価回路図春木牛、第２図は同装置の
単位絵素の平面図、第３図は単位絵素の要部断面図、第
４図は本発明の一実施例にかかる単位絵素の要部断面図
である。 １・・・・・・ｈｉ Ｉ Ｓ ）ランジス′り、２・・
・液晶セル、３・・・・補助容量、４・・・・・・走査
線、５・・・・・信号線、１９・・・・・アルミニウム
、２ｏ・−・・金属シリサイド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ８
る画像表示装置の等価回路図春木牛、第２図は同装置の
単位絵素の平面図、第３図は単位絵素の要部断面図、第
４図は本発明の一実施例にかかる単位絵素の要部断面図
である。 １・・・・・・ｈｉ Ｉ Ｓ ）ランジス′り、２・・
・液晶セル、３・・・・補助容量、４・・・・・・走査
線、５・・・・・信号線、１９・・・・・アルミニウム
、２ｏ・−・・金属シリサイド。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）絶縁性透明基板上に透明導電層と、アルミニウム
と金属シリサイドの２層よシなる第１の金属層が選択的
に形成され、前記第１の金属層上には第１の透明絶縁層
を介してシリコンを主成分とする島状の非単結晶半導体
層が形成され、前記透明導電層上に形成された第１の透
明絶縁層には開口部が形成され、前記島状の非単結晶半
導体層上で前記第１の金属層と一部上なり合うように選
択的に形成された一対の第２の金属層の一方が前記開口
部を介して前記透明導電層と電気的接触をしてなること
を特徴とする半導体装置。 ？）金属シリサイドを構成する金属がタンタル。 タングステン、モリブデンの少なくとも１つを含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置
。 （３）島状の非単結晶半導体層と第２の金属層との間に
シリコンを主成分としドナまたはアクセプタとなる不純
物を含む非単結晶半導体層が介在することを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 （４）絶縁性透明基板として透明導電層が全面まだは選
択的に形成され、第２の透明絶縁層が全面に被着された
ものを用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の半導体装置。 （５）絶縁性透明基板上に透明導電層を選択的に形成す
る工程と、アルミニウムと金属シリサイドの２層よシな
る第１の金属層を選択的に形成する工程と、全面に透明
絶縁層を形成後前記第１の金属層の一部上にシリコンを
主成分とする島状の非単結晶半導体層を選択的に形成す
る工程と、前記透明導電層上の前記透明絶縁層に開口部
を形成する工程と、前記島状の非単結晶半導体層上で前
記第１の金属層の一部と重なりあうとともにその一方が
前記開口部を介して前記透明導電層と接触する第２の金
属層を選択的に形成する工程を有し、前記金属シリサイ
ド層の被着が前記アルεニウム層の被着後ただちになさ
れることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117610A JPS609167A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58117610A JPS609167A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609167A true JPS609167A (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0376589B2 JPH0376589B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=14716018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58117610A Granted JPS609167A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609167A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110165A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS6435421A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Sharp Kk | Thin film transistor array |
| JPS6484668A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
| JPH01155023U (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-25 | ||
| US4892844A (en) * | 1986-05-02 | 1990-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Making a low resistance three layered contact for silicon devices |
| JPH02151835A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタアレイ |
| US5210045A (en) * | 1987-10-06 | 1993-05-11 | General Electric Company | Dual dielectric field effect transistors for protected gate structures for improved yield and performance in thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays |
| US5686326A (en) * | 1985-08-05 | 1997-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making thin film transistor |
| WO2000054339A1 (fr) * | 1999-03-10 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transistors a couches minces, flan, et procedes de production de ceux-ci |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58117610A patent/JPS609167A/ja active Granted
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0673379B2 (ja) * | 1983-11-21 | 1994-09-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS60110165A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5686326A (en) * | 1985-08-05 | 1997-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making thin film transistor |
| US4892844A (en) * | 1986-05-02 | 1990-01-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Making a low resistance three layered contact for silicon devices |
| JPH061314B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1994-01-05 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPS6435421A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-06 | Sharp Kk | Thin film transistor array |
| JPS6484668A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Casio Computer Co Ltd | Thin film transistor |
| US5210045A (en) * | 1987-10-06 | 1993-05-11 | General Electric Company | Dual dielectric field effect transistors for protected gate structures for improved yield and performance in thin film transistor matrix addressed liquid crystal displays |
| JPH01155023U (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-25 | ||
| JPH02151835A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-11 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタアレイ |
| WO2000054339A1 (fr) * | 1999-03-10 | 2000-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transistors a couches minces, flan, et procedes de production de ceux-ci |
| GB2354882A (en) * | 1999-03-10 | 2001-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film transistor,panel and methods for producing them |
| GB2354882B (en) * | 1999-03-10 | 2004-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film transistor panel and their manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376589B2 (ja) | 1991-12-05 |
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