JPS6085605A - 発振器回路 - Google Patents

発振器回路

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JPS6085605A
JPS6085605A JP59191431A JP19143184A JPS6085605A JP S6085605 A JPS6085605 A JP S6085605A JP 59191431 A JP59191431 A JP 59191431A JP 19143184 A JP19143184 A JP 19143184A JP S6085605 A JPS6085605 A JP S6085605A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高い周波数安定性および小さい発振振幅をも
って作動する対称かつ集積ｉ１能な発振器囲路に関する
。また本発明は、可変容量ダイオードを構成要素として
必要としな−ＦＭ変調可能な発振器囲路に関する。
〔従来の技術〕
これまで一般に知られているこ−の種の発憑器回路はた
とえばハートレイ回路、コルピッツ回路、クラップ回路
またはＥＣ０（電子結合発振）回路に基づいている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明が解決しようとする問題点は、公知の回路と異な
る構成により回路技術的費用を最小にとどめ得る集積可
能な発振器囲路を提供することである。
〔問題点を解決するだめの手段〕
上述の問題点は本発明によれ（社、同一伝導形式のトラ
ンジスタと抵抗とから構成されている集。
積可能なバイポーラ発振器囲路において、基準電位用の
端子に３つの定電流源のベース点が接続されており、第
１の定電流源の出力端が第１のトランジスタのエミッタ
と第２のトランジスタのベースとに、また第２の定電流
源の出力端が第３のトランジスタのエミッタと第４のト
ランジスタのベースとに接続されており、第２のトラン
ジスタのエミッタおよび第４のトランジスタのエミッタ
が第３の定電流源の出力端に接続されており、第１Ｉの
トランジスタのコレクタおよび第３のトランジスタのコ
レクタが直接に供給電位用の端子に接続されておシ、他
方部２のトランジスタＱコレクタおよび第４のトランジ
スタのコレクタは各１つの抵抗を介して供給電位用の端
子に接続されておシ、第１のトランジスタのベースが１
つの抵抗を介し・て第４　：／Ｊ　トランジスタのコレ
クタと、また第３のトランジスタのベースがもう１つの
抵抗を介して第２のトランジスタのコレクタと接続され
ており、第３のトランジスタのベースと第１のトランジ
スタのベースとの間に１つの周波数決定用回路たとえば
１つの共振回路が挿入可能であ！１１供給される発振器
電工が第コのトランジスタのエミッタと第３のトランジ
スタのエミッタとの間で取出し可能になっている仁とＫ
よって解決される。
〔実施例〕
本発明（てよる発振器の第１図に示されている回路では
、本発明り上記の定義に従って、第１のトランジスタＴ
Ｉがそのエミッタで第２のトラフ′　ジスタＴ２のベー
スと第１の定電流陶工１の出力端とに接続されてお）、
他方部３のトランジスタＴ３はその工εツタで第４７）
トランジスタＴ４７）ベースと第２の定電流］Ｉ２の出
力端とに接続されている。第２のトランジスタＴ２のエ
ミッタおよび第′１のトランジスタＴ４のエミッタは共
通に第３の定電流源■３の出力端に接続されている。
互いに等しくまた例えば電流源回路内の１つのトランジ
スタまたは１つの電流ミラーによシ形成されている定電
離係ＩＩ、Ｉ２および工３は基準電位用の端子４に接続
されている。使用されているトランジスタＴ１〜Ｔ４は
（定電流源内のトランジスタを同様に）第１図に示され
ている好ましい実施例ではｎｐｎトランジスタである。
第１のトランジスタＴ１のコレクタおよび第３のトラン
ジスタＴ３のコレクタは直接に供給゛世位Ｕ１３ａｔｔ
　用の端子３に接続されており、他方部２のトランジス
タＴ２のコレクタと端子３との問オよび第４のトランジ
スタＴ４のコレクタと端子３との間には各１つの抵抗Ｒ
ｕｔだはＲ２が挿入されている。両抵抗Ｒ１およびＲ２
け斤いに等しい。
さらに＄１のトランジスタＴ１のミーンは１つの端子１
に、また第３のトランジスタＴ３のベースはもう１つの
端子２に接続されている。端子１と端子２との間に周波
数決定用回路、すなわちこの例でＶまコンデンサＣ１お
よびインダクタンスＬ１の並列回路から成る１つの共振
回路が接続さ九ている。第２のトランジスタＴ２のコレ
クタと第３のトランジスタＴ３のベースとの間に１つの
抵抗Ｒ３が接続されてお９．１だ第４のトランジスタＴ
４のコレクタと第１のトランジスタＴ　Ｉ’（１）ベー
スどり間にもう１つの抵抗Ｒ４が接続されている。
対称性のだめに抵抗Ｒ３およびＲ４も互いに等しいこと
が好ましい。発振器信号は第１のｊ・ランジスタＴ１の
工εツタと第３のトランジスタＴ３のエミッタとり間す
なわち端子５と端子６との間からＪｙ出′すことができ
る。
こうして本発明による発掘器の増幅器部分は、エミッタ
で第２の定電流源工２に接続されている両トランジスタ
Ｔ２およびＴ４（すなわち＠２および第４のトランジス
タ）と両負荷抵抗ＲｉおよびＲ２とから成っている。第
３の定電流源工３はこの増幅器段にエミッタ電流を供給
する。エミ、ツタフォロワーを形成する両トランンスタ
Ｔ１およびＴ３が増幅器を形成するトランジスタＴ２．
Ｔ＝１のベース端子を制御して、この段の入力インピー
ダンスを高めるので、端子１および２に接続されている
共振回路ｃ　１　、Ｌ　Ｉ　Ｕ、　これらのトう／ジメ
タＴ１およびＴ３が存在しない場合にくらべて少なくダ
ンプ（ｄａｍｐ　）さｎる。
抵抗Ｒ３およびＲ１を弁して、＋−ランジスタＴＩおよ
びＴ３のベース端子により形成されている増幅器入力端
への対称同相の帰還が行なわれる。
端子１および２に共振回路ＣＩ、Ｌｌが接続されると、
上１１ピの回路・は、増幅器の位相回転を無祝し得るか
ぎシ、はぼ共振回路の中心周波数で発振する。共イ辰回
路のＱが十分に大きければ、ループゲインに≧１が得ら
れる。その後に発掘が持続される。最大発１屈振Ｉ’ｍ
　ｉ４差差動幅器の入力特性に３ける制限を介して定ま
る。端子５および６．がら、はとんど反作用なしに高調
波成分の少ない発］辰器信号を取出すことかできる。
しかし、発ＩＪｉ器信号は負荷抵抗Ｒ］、、Ｒ２と供給
電位ＵＢａｔｔ用の供給端子３との間のＷ：続トランジ
スタによ−っても取出すことができる。このｉｉＪ能性
ｐｉ後で第１ａ図により一層詳細に説明する。
第１図りてより説す］した対称な発振器構成を、共撤回
路と接続されている端子ｌまたは２をｆ択的に接地点（
すなわち端子４における基準電位）と容１１″Ｃ結合す
ることによって、非対称構成に変形することもできる。
これは、共振回路Ｃ１，Ｌｉの一方の端もしく（ｌま他
方の端と接地点との１ｉＪｌを１つの追加したコンデン
サ（図示せず）を介して接続することにより行なわれる
。共振回路ＣＩ、ＬＬを１つの水晶共娠子により頁侯す
ることもできる。
本発明にとって重要なことを列挙すると次のとおっであ
る。
ａ）共振回路が増幅器の高抵抗の入力端１，２に接続さ
れており、また信号帰童が同じく高抵抗の帰還抵抗Ｒ３
ふ・よびＲ４を介して実現されること。両帰還抵抗Ｒ３
およびＲ４の値を、共振回路の高いＱが不必要に強くダ
ンプされないように、他方負荷抵抗Ｒ［およびＲ２がそ
のつどの動作周波数にマンチした低い値に設定されるよ
う（で、選定することは目的にかなっている。
１〕）発振振幅が共Ｊ辰回路において比較的低い電し〕
五イ直、ずなわち約２Ｑ　Ｑ　＋＋＋　Ｖゆに１１川１
岐（されるこ七〇これは負荷抵抗Ｒ１，Ｒ２における発
イ辰振幅を高抵抗の保菌抵抗１１３．Ｒ４を介して分圧
することにより行なわれる。
Ｃ）高い周波数安定１１および無ひずみ性（高調波抑制
）が共振回路の高い動作時のＱにより得られること。
ｄ）発振器から供給される発振の周波数のＩＬ度依存性
が、定電流源から与えられる電流の相応の温度依存性に
よシ集績回路の通常の使用温度範囲内で補償されている
こと。
第１図に示した苑振器回路を、前記の、ように、第１ａ
図に示すよう（て部分的に補足することもできる。
そのためには、第２のトランジスタＴ２および帰還抵抗
Ｒ３と反対ｔ１１］の負荷抵抗Ｒ１の端が供給電位ＵＢ
ａｔｔ用の端子３に直接には接続されない。
同じことが第４のトランジスタＴ４および帰還抵抗Ｒ４
と反対側の負荷抵抗Ｒ２の端についてもあてはまる。そ
のかわシに、第１ａ図に示されているように、Ｒ１の上
記の端はトランジスタＴ　１〜Ｔ４と同一形式の１つの
縦続トランジスタｔのエミッタに接続されている。同じ
ことが、エミッタで仕方の負荷抵抗Ｒ２の上記の端に接
続されている縦続Ｉ・ランジスタｔ′についてもあては
まる。両トランジスタｔおよびｔ′のベース端子は１つ
の共通の参殿電位ＵＲｅｆを与えられておシ、他方それ
らのコレクタは各１つの抵抗ｒまだはｒ′を介して供給
端子３に接続されている。両縦続トランジスタｔまたは
ｔ′のコレクタはさらに各１つの出力端子９またけ１０
に接続されている。両出力端子９および１０から発振器
信号を同様に取出すことができる。
前記のように、本発明による発振器１ω路は、可変容量
ダイオードを用いずに変調可能なＦＭ発振器として拡張
可能である。そのために必要な補足を第１図（′ｉたは
第１ａ図）による回路に加えた回路が第２図に示されて
いる。次に、この回路訃よびその作動の仕方を説明する
。
先ず確認すべきこととして、第１図の回路と異なり、第
２のトランジスタＴ２のエミッタと第４のトランジスタ
Ｔ４のエミッタとの間の接続点と第３の定電流源工３の
出力端との間の接続が直接には行なわれて分らず、第５
のトランジスタＴ５のエミッターコレクタ区間を介して
行なわれて分り、第５のトランジスタＴ５のエミッタが
第３の定電流源■３の出力端に接続されておシ、さらに
第５の抵抗Ｒ５を介して第（３のトランジスタＴ６のエ
ミッタと第４の定電流源■４の出力端とに接続されてい
る。この回路でも定電流源のぴ−ス点は基準電位（接地
）用の端子４に接続されている。
第７の接続端子７はＮＦ（低周波）入力端であり、第７
のトランジスタＴ７のベース電極により形成されておシ
、そのコレクタは供給電位ＵＢａｔｔ用用の◇ＩＭ子３
に接続されており、またそのエミッタ１’ｌ：　ｄ４５
の定電流源工５の出力端と第５のトランジスタＴ５のベ
ースとに接続されている。参照電位Ｕｒｅｆを与えられ
るもう１つの端子８は第８のトランジスタＴ８のベース
に接続されて訃シ、そりコレクタは同じく直接に供給電
位用の端子３に接ツタは第６のトランジスタＴ６のベー
スと第６の定電流源工６の出力端とに接続されている。
第６のトランジスタＴ６のコレクタは２つの別のトラン
ジスタＴ９およびＴＩＯのエミッタに直接に接続さｎて
おり、第９のトランジスタＴ９のベースは第１■トラン
ジスタＴ１のエミッタに、また第１０のトランジスタＴ
　ｉ　Ｏのベースハ第３のトランジスタＴ３のエミッタ
に接続されている。
さらに、第９のトランジスタＴ９のコレクタと供給電位
ＵＢａｔｔ用の端子３との間は１つの負ホエ抵抗１１６
を介して接続されており、また第１０のトランジスタＴ
ＩＯのコレクタと供給電位用の端子：３との間Ｖよもづ
】つの負荷抵抗Ｒ７を介して接続されている。両トラン
ジスタＴ９およびＴＩＯはコレクタ同士を図示の例では
１つのコンデンサＣ２から成る少くとも］つの容量結合
によシ接続されている。第９７）トランジスタＴ９のコ
レクタと第３のトランジスタＴ３のベースとの間は１つ
の抵抗Ｒ８を介して接続されており、また第［０のトラ
ンジスタＴＩＯのコレクタと第１のトランジスタＴ］の
ベースとの間はもう１つの抵抗Ｒ９を介して接続されて
いる。さらに、第２のトランジスタＴ２のコレクタと第
４のトランジスタＴ４のコレクタとの間は第１０の抵抗
Ｒ１，０を介して接続されている。
第２図に示されている回路図から直ち、にわかるように
、本来の発振器はトランジスタＴｌ、Ｔ’２゜Ｔ９．Ｔ
ＩＯ，Ｔ４およびＴ３と抵抗Ｒ１〜Ｒ４およびＲ６−Ｒ
９と、端子１．　２の間の共振回路のインダクタ７スＬ
１およびコンデンサＣ１とトランジスタＴ９およびＴ　
１．０のコレクタ同士を容量結合するキヤパンタンスＣ
２とから成っている。
いま端子？（＝Ｎ？入力端）が参照点（端子８）よりも
実質的に正の電位にあり、かつ前記トランジスタが１図
示されている場合のように、すべてｎｐｎ型であれば、
定電流源Ｉ３．Ｉ’ｌからＴ５およびＴ６に与えられる
電流はすべてＴ５のコレクタを介してエミッタ結合差動
増幅器段を形成すルトランジスタＴ２．Ｔ４のエミッタ
に流れる。
こうしてこの段は最大の増幅率で作動する。端子１＄−
よび２には本来の周波数決定用素子ｃｉ、ｒ、ｉ動する
両トランジスタＴＩ、Ｔ３のエミッタを介してＴ２およ
びＴ９またはＴ４およびＴＩＯのベース端子が駆動され
、その際に上記の関係のもとに両トランジヌタＴ２およ
びＴ４のみがアクティブである。増幅された信号は抵抗
ＲＩＯおよびＲ１またはＲＩＯおよびＲ２にかかる。抵
抗Ｒ３およびＲ４を介してこの信号は同相で増幅器の入
力端１および２に、従ってまた共振回路０１．ＬＸで帰
還される。増幅器がとるに足るほどの固有の位相回転を
有していなければ、発振器は共振回路Ｌｌ、（！ｌの中
心周波数で発振し、七の際に発振像幅は差動増幅器の入
力特性の割１浪と共振回路のＱとによシ定まる。
端子５および６、すなわちトランジスタＴ１およびＴ３
のエミッタから、発掘器から供給される信号が反作用な
しに、また高い無ひずみ性で取う出すことができる。な
ぜならば、信号は直接に共振回路Ｌｉ、ｃ、１から導き
出されているからであいま、他方において、ＮＦ入力端
子７の電位が参照入力端８の電位よりも実質的に負であ
れば、定電流源工３．工４からの電流はすべて、トラン
ジスタＴＩＯのコレクタを介して第２のエミッタ結合差
動増幅器段を形成するトランジスタＴ９．Ｔ１０に流れ
る。この差動増幅段Ｔ９．ＴＩＯの複合負荷インピーダ
ンスは抵抗Ｒ（＋、Ｒ７およびコンデンサＣ２から成っ
ている。この負荷インピーダンスばそれを構成する個別
素子の相応の設定により、トランジスタＴ２およびＴ４
によシ形成される差動増幅器段の負荷インピーダンスと
同一の大角さを有するように選定されている。しかし、
位相角ｉｄコン゛ｊ′／すＣ２の存在のために一定、た
とえば−４５°、に設定されている。発掘器の発振条件
は、発掘器回路の閉ループ内で伝達位相が零゛　に等し
い値を有しかつ正規化撮幅値が１以上の１区を有するこ
とである。全位相が０°に等しくなるためには、発振周
波数は、並列共振回路が位相応答において４５°の大き
さだけ共感周波数の下側に位置するように整定しなけれ
ばならない。上記の関係に基づいて、端子７に与える直
流電圧または交流電圧により発振器周波数の変更、従っ
てまたＦＭ変調がｎ」能である。
第１図または第２図に示されている回路中の抵抗の値は
たとえば下記のように設定することができる。
Ｒ１＝２　ｋΩ；　Ｒ２＝２にΩ；　Ｒ３＝１０艙；　
Ｒ４＝１０にΩ；Ｒ５＝４　ｋΩ：　Ｒ６−２にΩ；　
Ｒ７＝２　ｋΩ；　Ｒ８＝１０にΩ；Ｒ９＝１０Ｍｌ　
；　Ｒ１０＝４に、Ｑ；　ｒ−＝ｒ’＝２にΩ；コンデ
ンサＣ２（′ｉ、たとえば５．５　Ｍ）１ｚに対してＣ
２−（ω・Ｒ１０）−１＝’？　ｐＦのキャパシタ／ス
値に設定するのがよい。
ｎｐｎ　）ランジスタのかわシにｐｎｐ）ランジスタを
用いることもできよう。しかし、公知の理由から、ｎｐ
ｎトラ／ジスタを用いる上記の実施例のを１９が良好で
ある。
′　第２図に示されている本発明による発振器回路で重
要なことを次に列挙する。
１）発振器が２つの増幅器段Ｔ２．．Ｔ４およびＴ９．
ＴＩＯを有する（それに対して第１図に示されている本
発明の基本形態は１つの増幅器段すなわちＴ２．Ｔ４Ｌ
か有していない）。それにより第２図の発振器回路では
周波数変更がこれらの２つの段における電流制御によシ
可能である。
２）ＮＦ信号供給がＨＦ信号経路内に位置していないの
で、ＨＦ経路とＨＦ経路との間の影響が生じない。
３）ＦＭ変調されたＨＦ信号がほとんど反作用なしに端
子５，６または（９，１０）から、高調波成分の少ない
信号として取出すことができる。
４）変調に伴う変調ひずみ率が非常に小さい。
第１図による回路および第２図による回路が（たかだか
共娠回ｈ￥ＩＬ１．Ｃ！ｌを例外として）困難なしにモ
ノリシック集積可能であることは容易に理解されよう。
回路中に用いられているトランジスタを電界効果トラン
ジスタ、特ｔｔＣたとえばｎチャネル形式の自己阻止性
ＭＯ８電界効果トランジ′スタによジ置換することもで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の接続図、第１ａ図は第１図
の発］辰器回路に補足賽れる回路の接続南、第２図は本
発明の異なる実施例の接続図である。 １．２　共振回路接続端子、３・・供給電位用端子、４
・・・基準電位用端子、５，６・・・出力端子、７・・
低周波信号端子、８・・参照電圧用端子、９．１０−・
・出力端子、０１．Ｌｌ・・・共１辰回路、■１〜工６
・・定電流源。 ＩＧＩ ＩＧＩＱ Ｒｅｆ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）同−伝ｉｌ　Ｔ１ｅ式のトランジスタと抵抗とから
    構成されている集積可能なパイポー２発振器回路におい
    て、基準電位用の端子（１）に３つの定電流源（工］、
    、Ｉ２．ｉ３）のベース点が接続されており、第［の定
    電流源（Ｔ１）の出力端が第１のトランジスタ（Ｔ１）
    のエミッタと第２のトラン）スタ（Ｔ２）のベースとに
    、まだ第２の定電流源（工２）の出力端が第：３のトラ
    ンジスタ（Ｔ３）のエミッタと第１のトランジスタ（１
    ゛７Ｉ）のベーストニ接続さ；ｌ’しており、第２のト
    ランジスタ（Ｔ２）リエミッタおよび第４のトランジス
    タ（Ｔ４）υエミッタが第３の定電流ｉ＆（Ｔ３）υ出
    力端に接続されており、第］のトランジスタ（ＴＩ）の
    コレクタおよび第３ｖトランジスタ（Ｔ３）のコレクタ
    が直接に供虐電位（ＵＥａｔゎ）用の端子（３）に接続
    されてお９、他方第２のトランジスタ（Ｔ２）のコレク
    タおよび第４のトランジスタ（Ｔ４）のコレクタは各１
    つの抵抗（Ｒ１，Ｒ２）を介して供継電位（ＵＢａｔｔ
    ）用の端子（３）に接続されて訃り、第１のトランジス
    タ（Ｔ　１．　）のベースが１つの抵抗（Ｒ４）を介し
    て第４０トランジスタ（Ｔ４）のコレクタと、寸だ第；
    ）のトランジスタ（Ｔ３）のベースがもう１つの抵抗（
    ８３）を介して第２のトランジスタ（Ｔ２）のコレクタ
    と接続されて訃シ、第３のトう／ジスタ（Ｔ　３　）の
    ベースと第１のトランジスタ（Ｔ１〕のベースとの間に
    １つの周波数決定用回路たとえば１つ（Ｑ共振回路が挿
    入可能であり、供１治される発振器電工が第１のトラン
    ジスタ（ＴＩ）のエミッタと第３のトランジスタ（Ｔ３
    ）υエミッタとの間で取出し可能であることを特徴とす
    る発ｊ辰器回路。 ２）第２のトランジスタ（Ｔ２）のエミッタと第４のト
    ランジスタ（Ｔ４）の工εツタとの間の接続点から第３
    の定電流源（工３）■出力端への接続が第５のトランジ
    スタ（Ｔ５）を介して行なわれておシ、そのエミッタが
    第；３の定電流源（工３）の出力端に接続されており、
    またそのコレクタは第２のトランジスタ（Ｔ２）のエミ
    ッタおよび第４のトランジスタ（Ｔ　４　）　ｖエミッ
    タに接続されて訃り、さらに第５の１ランジスタ（Ｔ５
    ）■エミツ壷夕はＷ、５の抵抗（Ｒ５）を介して一方で
    は第６のトランジスタ（Ｔ６）の工εツタに、また他方
    ではベース点で基準電位用の端子（４）に接続されてい
    る第４ｖ定電流源（Ｔ４）の出力端に接続されており、
    ＮＦ（低周波）信号を与えられる入力端（７）が第７の
    トランジスタ（Ｔ７）のベースにより、また参照電圧（
    Ｕ□、。ｆ）を与えられる端子（８）が第８のトランジ
    スタ（Ｔ８）のベースにより形成されておシ、第７のト
    ランジスタ（Ｔ７）のエミッタはベース点で基準電位用
    の端子（４）に接続されている第５の定電流源（１５）
    の出力端に、また第８のトランジスタ（Ｔ８）のエミッ
    タはベース点で基準電位用の端子（４）に接続されてい
    る第６の定電流Ｊ（工０）の出力Ａ品に（妾続されてか
    り、さらに第７のトランジスタ（Ｔ７）のエミッタは第
    １５のトランジスタ（Ｔ５）のベースＱて、また第８の
    トランジスタ（Ｔ８）のエミッタは第６のトランジスタ
    （Ｔ６）のベースに接続されており、さらに第７のトラ
    ンジスタ（Ｔ７）のコレクタおよび第８のトランジスタ
    （Ｔ８）■コレクタは直接に供給電位用の端子（３）に
    接続されておシ、他方第６のトランジスタ（Ｔ６）のコ
    レクタは直接に第９のトランジスタ（Ｔ９）のエミッタ
    と第１０のトランジスタ（ＴＩ［Ｊ）のエミッタとに接
    続されておシ、さらに第９のトランジスタ（Ｔ９）のコ
    レクタおよび第１０のトランジスタ（Ｔ　１．０　）の
    コレクタばど各１つの負荷抵抗（Ｒ６またはＲ７）を介
    して供給電位用の端子（３）に接続されておシ、さらに
    第９のトランジスタ（Ｔ９）のコレクタはもう１つの抵
    抗（Ｒ８）を介して塵３のトランジスタ（Ｔ３）７）ベ
    ースに、また第１０のトランジスタ（ＴＩＯ）のコレク
    タはもう１つの抵抗（Ｒ９）を介して第１のトランジス
    タ（Ｔ１）のベースに接続されておシ、第９のトランジ
    スタ（Ｔ９）のコレクタと第１０のトランジスタ（Ｔ　
    １．０　）のコレクタとの間が少なくとも１つのコンデ
    ／す（Ｃ２）により容量結合されており、また第２のト
    ランジスタ（Ｔ２）のコレクタと第４／Ｊ）トランジス
    タ（Ｔ４）ｖコレクタとの間がもう１つり抵抗（ＲＩＯ
    ）により抵抗結合されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の発振器回路。 ３）定′亀流源が回路同に用いられている他のトランジ
    スタと同一の形式の各１つのトランジスタにより形成さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
    第２項記載の発振器回路。 ４）用いられているトランジスタがｎｐｎ型であること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３頃のいず
    れかに記載の発振器回路。 ５）１．ＩＩのＢｈｔ　ｌ’ランジスタ（１）がそのエ
    ミッタで第［のトランジスタ（Ｔ１）に属する負荷抵抗
    （Ｒ１）の第２のトランジスタ（Ｔ２）と反対側の端に
    接続されており、まだ第２の縦続トランジスタ（ｔ′）
    がそのエミッタで第３１’）　ｌ−ランジスタ（Ｔ３）
    に属する負荷抵抗（Ｒ２）の第１１のトランジスタ（Ｔ
    ４）と反対１則の端に接続されておシ、こうして単一の
    接続が負荷抵抗（Ｒ１まだは［（２）と供給電位用の端
    子（３）とり間に形成されておシ、まだ両縦続トランジ
    スタ（ｔ、ｔ’）のベース端子が１つの共通の参照電位
    （ＵＲｅｆ　）に、またそれらのコレクタが各１つの抵
    抗（ｒ＋ｒ′）を介して供給電位用の端子（３）に接続
    されておう、それによ９両縦続トランジスタのコレクタ
    の間に取出すべき発振器信号が生ずることを特徴とする
    特許請求の範囲第、１項ないし第４項のいずれかに記載
    の発］辰器回路。 ６）用いられているトランジスタが各１つの電界効果ト
    ランジスタ、特に自己阻止性ＭＯ８電界効果トランジス
    タによシ置換されていることを特徴とする特許請求の範
    囲第１項ないし第５頃のいずれかに記載の発振器囲路。
JP59191431A 1983-09-15 1984-09-12 発振器回路 Granted JPS6085605A (ja)

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