DE2059888B2 - Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol - Google Patents

Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol

Info

Publication number
DE2059888B2
DE2059888B2 DE19702059888 DE2059888A DE2059888B2 DE 2059888 B2 DE2059888 B2 DE 2059888B2 DE 19702059888 DE19702059888 DE 19702059888 DE 2059888 A DE2059888 A DE 2059888A DE 2059888 B2 DE2059888 B2 DE 2059888B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
collector
circuit
base
pole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702059888
Other languages
English (en)
Other versions
DE2059888A1 (de
Inventor
Gunter 7831 Wasser Peltz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Priority to DE19702059888 priority Critical patent/DE2059888B2/de
Priority to FR7143194A priority patent/FR2116482B3/fr
Priority to GB5596170A priority patent/GB1334287A/en
Priority to CH1759671A priority patent/CH537667A/de
Publication of DE2059888A1 publication Critical patent/DE2059888A1/de
Publication of DE2059888B2 publication Critical patent/DE2059888B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1209—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/007—Generation of oscillations based on harmonic frequencies, e.g. overtone oscillators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006—Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0082—Lowering the supply voltage and saving power
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
    • H03B2201/011—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being an element with a variable capacitance

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft monolithisch integrierbare Oszillatorschaltungen, und zwar sowohl eine monolithisch integrierbare Oszülatorschaliung mit t'requcnzbestimmcndcm, in Parallelresonanz erregtem Zweipol und mit zwei Transistoren bzw. Transistor-Strukturen gleichen Leitungstyps, deren Emitter über einen gemeinsamen ohmschen Widerstand mit dem Schallungsnullpunkl verbunden sind, wobei dei Kollektor des zweiten Transistors über den in Parallelresonanz erregten Zweipol und der Kollektor des ersten Transistors direkt oder über eine Impedanz mit dem spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquclle verbunden ist. als auch eine monolithisch iniegrierbare Oszillatcisehaltung mit frequen/.bestimmemiem. in Serienresonan/ erregtem Zweipol und mit zwei Transistoren b/w. Trair-isioistrukturcn gleichen Leitungstyps, deren Emitter über einen gemeinsamen ohmschen Widerstand mit dem SchalUmgsnullpunkt verbunden sind, wobei die Basis des ersten mit dem Kollektor des zweiten Transistors über oen in Serienresonanz erregten Zweipol verbunden i: vow ic der Kollektor des ersten Transistors direkt oder über eine Impedanz und der Kollektor des zweiten Transistors über eine Impedanz mit dem spannungsführenden Pol der Bctriebsspannungsquelle verbunden ist.
3 4
In transistorisierter Form sind Schaltungen der Ausführungsformen und Weiterbildungen der er-
ersten Alternative aus der Zeitschrift »Electronics«, findungsgemäßen Oszillatorschaltung sind in den
Dez. 1954, Seiten 190 und 192. sowie aus der Patent- Unteransprüchen gekennzeichnet und werden im
schrift Nr. 47 429 des Amtes für Erfindungs- und folgenden an Hand der in der Zeichnung dargestell-
Patentwesen in Ost-Berlin bekannt. Schaltungen der 5 ten Figuren näher erläutert.
zweiten Alternative sind in der Röhren-Schaltungs- Fig. 1 zeigt das Schaltbild einer erfindungstechnik unter dem Namen »Heegener«-Schaltung gemäßen Oszillatorschaltung mit einem Parallelbekannt., bei der die Anode einer ersten Röhre mit resonanzkreis als frequenzbestimmendem Zweipol, dem Gitter einer zweiten Röhre über einen frequenz- F i g. 2 zeigt eine erfindungsgemäße Oszillatorbestimmenden Zweipol, nämlich einen in seiner io schaltung mit einem Schwingquarz als frequenz-Serienresonanz erregten Quarzkristall, verbunden bestimmendem Zweipol,
ist. vgl. »Funktechnische Arbeitsblätter, Blatt Os 81«. Fig. 3 zeigt eine V/eiterbildung der Schaltungs-Mit Transistoren aufgebaute Schaltungen dieser anordnung nach F i g. 2 zur Frequenzvervielfachung, z\\ eiten Art sind aus der Zeitschrift »Radio-Electro- F i g. 4 zeigt eine Abwandlung der Schaltungsnics«, Febr. 1959, Seiten 58 und 59, sowie aus der 15 anordnung nach Fig. 2 zur Verwendung eines Oberfranzösischen Patentschrift 1 283 002 bekannt. Den tonquarzes,
!•.'kannten Schaltungen beider Alternativen ist ge- F i g. 5 zeigt eine andere Schaltungsanordnung zur
pieinsam, daß beide Transistoren einen gemeinsamen Verwendung eines Obertonquarzes,
!•!mischen Emitterwiderstand aufweisen und mindc- Fig. 6 zeigt eine Weiterbildung der Schaltungs-
r.ciiN die eine Basis lediglich kapazitiv mit dem 20 anordnungen nach den Fig. 4 und 5 zur Frequenz-
imderen Kollektor (Parallelresonanzkreis) oder dem Vervielfachung mittels eines Obertonquarzcb und
f. haltungsnullpunkt (Serienresonanzkreis) verbun- Fig. 7 zeigt eine Weiterbildung ler Schaltungs-
tkn ist. Kondensatoren sind jedoch bekanntlich nur anordnung nach Fig. 1 zur Verwendung als Prüf-
Kiiwer integrierbar. sender.
Ausgehend von diesen bekannten Schaltungen hat 25 ',\ Fi«. 1 ist da:» Schaltbild einer erfindungs-
•Λ!ι die Erfindung die Aufgabe gestellt, monolithisch gemäßen Oszillatorschaltung mit dem Parallel-
i'ü.'grierbare, d.h. also mit Transistoren oder Tran- schwingkreis K als frequenzbestimmendem Zweipol
.-.isiorstrukturen realisierbare Oszillalorschaltungen gezeichnet. Die Oszillatorschaltung besteht aus dem
t'er genannten beiden Alternativen anzugeben, die eisten Transistor 71 und dem zweiten Transistor 72,
e'.ienfalls mit einem frequenzbestimmenden Zweipol 30 die von gleichem Leitungstyp sind und deren beide
,ülxMten. Diese Forderung ist für die monolithische Emitter über den gemeinsamen ohmschen Widv
üuegricrbaikeit deshalb von Wichtigkeit, weil der stand Λ'3 mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden
recjuenzbesümmende Zweipol nicht monolithisch sind. Ferner sind die Basis des Transistors 71 und
iniegiierbar ist, besteht er doch entweder aus einem der Kollektor des Transistors T2 direkt miteinander
üblichen Parallel- oder Serienresonanzkreis mit 35 verbunden und liegen über den Parallelresonanz-
Npulen und Kapazitäten oder aus einem Ouarz- kreis K am spannungsführenden Pol der Betricbs-
krisiall. Der frequenzbestimmende Zweipol ist ck-hc Spannungsquelle T1 Die Basis des Transistors 7 2
\on außen an die monolithisch integrierbarc bzw. und der Kollektor des Transistors 71 sind ebenfalls,
integrierte Schaltung anzuschließen, was zwei äußere jedoch direkt mit dem spannungsführenden Pol der
Anschlußpunktc am Gehäuse der monolithisch inie- 40 Betriebsspannungsquelle Uy, verbunden. Die in der
Liieiten Schaltung nötig macht. Von diesem Ge- Oszillatorschaltung erzeugte Wechselspannung 11
sichtspunkt her sind also Oszillatorschaltungen mit kann um Kollektor des Transistors 7 2 abgenommen
dreipoligem Anschluß des frequenzbestimmenden werden.
Kreises (Dreipunkt-Sclialtungen. Meissner-Schaltun- In 1 i g. 2 ist eine erfindungsgemäße Oszillatorgen usw.) ungünstiger als Schaltungen mit einem 45 schaltung gezeigt, bei der der frequenzbestimmende frequenzbestimmenden Zweipol. Auf Grund der Zweipol aus dem Schwingquarz Ω besteht, zu dem Tatsache, daß monolithisch integrierbare Schaltun- der abstimmbare Kondensator C in Serie geschaltet gen immer mehr Eingang finden in trockenbatterie- ist. Die Oszillatorschaltung umfaßt wieder die beiden betriebene Geräte, in denen dann unter Umstanden Transistoren 71 und 72. Die Schaltung entspricht nur die Spannung einer Monozelle zur Verfügung 50 bezüglich der beiden Emitter und des ohmschen steht, ist es ferner Aulgabe der Erfindung, eine Widerstandes R 3 sowie bezüglich des Kollektors des Oszillatorschaltung anzugeben, die selbst bei Be- Transistors 71 und der Basis des Transistors 72 der triebsspannungen in der Größenordnung von 1 Volt Schaltung nach Fig. 1. Die Basis des Transistors 71 noch betriebsfähig ist. und der Kollektor des Transistors 72 sind jedoch Die Nachteile der Anordnungen nach dem Stand 55 im Gegensatz zur Schallungsanordnung nach Fig. 1 der Technik werden beseitigt und die geschilderte über je einen ohmschen Widerstand R 1 und R 2 mit Aufgabe der monolithischen Integrierbarkeil und iVm spannungsführenden Pol der Betriebsspan-Betriebsfähigkeit bei Spannungen um 1 Volt wird nungsquellc Uy, verbunden. Die Serienschaltung aus von den eingangs angegebenen Oszillatorschaltungen Schwingquarz <> und abstimmbarem Kondensator C ernndungsoemäß einerseits dadurch tielöst. daß die 60 ist zwischen die Basis des Transistors 71 und den Basis des ersten Transistors direkt mit dem Kollck- Kollektor des Transistors 72 geschaltet. Die erzeugte tor des zweiten Transistors und die Basis des zweiten Wechselspannung it kann am Kollektor des Tran-Transistors direkt mit dem spannungsführenden Pol sistors 72 abgenommen werden. Der Schwingder Betriebsspannungsquelle verbunden ist und quarz ü schwingt in dieser Schaltungsanordnung auf andererseits dadurch, "daß die Basis des ersten Tran- 65 der durch seine Abmessungen und durch den gesistors über eine Impedanz und die Basis des zweiten gebcnenfalls vorgesehenen (abstimmbaren) Konden-Transistors direkt mit dem spannungsführenden Pol sator C bestimmten Serienresonanz-Grundfrequenz /. der Betriebsspannungsquelle verbunden ist. In Fig. 3 ist eine vorteilhafte Weiterbildung der
Schaltungsanordnung nach F i g. 2 gezeigt, die zur Frequenzvervielfachung dienen kann. Zu diesem Zweck ist der Kollektor des Transistors 71 nicht direkt mit dem spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle, sondern über einen Parallelresonanzkreis mit diesem verbunden, dessen Resonanzfrequenz m/ auf ein ganzzahliges Vielfaches der Schwingfrequenz f des Schwingquarzes Ω abgestimmt ist, wobei der Faktor m dieses ganzzahlige Vielfache angibt. Die weiteren einzelnen Bauelemente der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 entsprechen denjenigen der F i g. 2, wobei jedoch die Wechselspannung κ der vervielfachten Frequenz mf am Kollektor des Transistors 71 abgegriffen wird.
Die Schaltungsanordnung nach F i g. 4 zeigt eine weitere vorteilhafte Weiterbildung der Schaltungsanordnung nach Fig. 2, die zur Verwendung eines sogenannten Obertonquarzes geeignet ist. Als Obertonquarze werden bekanntlich solche Schwingquarze bezeichnet, bei denen nicht die ihren mechanischen Abmessungen entsprechende Grundfrequenz /. sondern ein Oberton nf dieser Grundfrequenz elektrisch ausgenutzt wird. Damit solche Obertonquarze in der" erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung nach F i g. 2 verwendet werden können, ist anstatt des ohmschen Widerstandes R 2 ein Parallelrcsonanzkrcis vorgesehen, der auf den Oberton nf abgestimmt ist: dieser Parallelresonanzkreis ist also zwischen den Kollektor des Transistors 72 und den spannunasführenden Pol der Bctriebsspannungsquelle Ur, «schaltet. Die erzeugte Wechselspannung u kann am Kollektor des Transistors 72 abgegriffen werden.
Vm den Einfluß der durch das Abgreifen der erzeugten Wechselspannung μ hervorgerufenen Bclastune des AbgrifTpunktes zu verhindern, ist es besonders vorteilhaft, in den Kollektorkreis des Transistors 71 den ohmschen Widerstand R 4 einzufügen und dann am Kollektor die erzeugte Wechselspannung abzunehmen. In diesem Falle wird die Schwingfrequenz der Oszillatorschaltung durch die die erzeugte Wechselspannung weiiei-vorarbeitende Schaltung praktisch nicht beeinflußt. Dies ist in F i g. 4 durch den die Wechselspannung u liefernden Pfeil angedeutet.
In Fic. 5"ist eine Variante der Schaltungsanordnung nach F i g. 4 gezeigt, die ebenfalls zur Verwendung von Öbertonquarzen geeignet ist. Der auf den Oberton nf abgestimmte ParallelresonanzkreK ist an Stelle des ohmschen Widerstandes R 1 von Fig. 4 zwischen die Basis des Transistors 71 und den spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle Vv, geschaltet. Andererseits ist der Kollektor des Transistors 72 über den ohmschen Widerstand R 2 mit der Bctricbsspannungsquelle verbunden. Auch in dieser Schaltung ist im Kollcktorkreis des Transistors 71 der ohmsche Widerstand R 4 vorgesehen, so daß am Kollektor dieses Transistors ein mit u bezeichneter Abcriffpunkt gegeben ist, durch den die Schwingfrequenz praktisch nicht beeinflußt wird.
In Fig. 6 ist gezeigt, daß die Obcrtonov/iliatorschaltung nach Fig. 4 ebenfalls zur Frequenzvervielfachung benutzt werden kann, und zwar nach dem gleichen Prinzip, wie es in Fig. 3 gezeigt ist. Die Schaltung enthält somit zwei Parallclresonanzkreisc. wovon der im Kollcktorkreis des Transistors 72 angeordnete Parallclresonanzkrcis auf den Oberion nf de«, auf der Frequenz nf schwingenden Obertonquarzes Ω abgestimmt ist. Im Kollektorkreis des Transistors 71 ist der zweite Parallelresonanzkreis angeordnet, dessen Resonanzfrequenz ein dem Faktor m entsprechendes Vielfaches der Obertonfrequenz nf beträgt, d. h. dieser Parallelresonanzkreis ist auf die Frequenz mnf abgestimmt. Die Wechselspannung mit der vervielfachten Frequenz mnf wird am Kollektor des Transistors 71 abgenommen. Die übrige Schaltungsanordnung entspricht den Schaltungen nach den F i g. 3 und 4.
In Fig. 7 ist eine Abwandlung der Schaltungsanordnung nach Fig. 1, die als frequenzbestimmenden Zweipol einen Parallelresonanzkreis enthält, gezeigt, die als Prüfsender für batteriebetriebene Signalgeber usv. verwendet weiden kann. Hierzu ist der Parallelresonanzkreis K durchstimmbar gemacht, indem sowohl die Kreisinduktivität als auch die Kreiskapazität einstellbar bzw. umschaltbar sind. Ferner ist in den Kollektorkreis des Transistors T1 das Potentiometer P eingeschaltet, an dessen Abgriff die erzeugte Wechselspannung abgegriffen und in ihrer Amplitude je nach Abgriffstellung eingestellt werden kann. Hierbei ist es zweckmäßig, den in den F i g. 1 bis 6 als spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle l'Y bezeichneten Schaltungspol als Schaltungsnullpunkt zu verwenden und das in den F i g. 1 bis 6 als Schaltungsnullpunkt vorgesehene emitterabgewandte Ende des ohmschen Widerstandes R 3 mit der negativen Betriebsspannung fin zu speis-on.
Bei monolithischer Integrierung können jeweils zwei der in den Schaltungen nach den Fig. 2 bis 6 enthaltenen Widerstände in Form von transistorisierten Konstantstromquellen realisiert werden, um den Flächenbedarf von insbesondere hochohmiuen Widerstanden zu verringern. Hierbei ist der gemeinsame Emitterstand R 3 und einer der Widerstände R 1. R 2. R 3 ersetzbar. Aus dem gleichen Grund ist in den Beispielen nach den Fig. 1 und 7 derEmitterstand /\ 3 durch eine solche Konstantstromquellc ersetzbar. Als Konstantstromqucllcn können auch als Dioden oder Transistoren wirkende Feldettektbauclcmente oder -strukturen verwendet werden.
Es sei hervorgehoben, daß der Parallelresonanzkreis K nach den Schallungsanordnungcn der F i g. 1 und 7 eine prinzipiell andere Funktion erfüllt, als die Parallelresonanzkreise der Fig. 3 bis 6. Der Par allelresonanzkreis K 'Lr F i g. 1 und 7 ist der für du Schwincfähigkcit der Schaltung \eraniworthchc um die Schwingungen aufrechterhaltende Kreis. In dci Schaltungen der Fig.: bis 6 dagegen ist der du Schwingungen aufrechterhaltende Kreis durch dci Schwingkreis <) gegeben, während die in den F i c. '. bis h vorgesehenen Parallelresonanzkreise lediclwl für die Art der Schwingschaltung (Grundwellen oszillator. Ohcrtonoszillator. Frcquenzvcrviei fachunc) verantwortlich sind. Die Auscangswechsel spannung η kann in allen Ausführungsbeispiclen m Ausgangs-Parallelresonanzkreis nicht nur am heiße Ende des Kreises (Kollektor), sondern auch über ein Koppelwicklung entnommen werden
Der Vorteil der crfindungsgem; ßen Os: illatoi schaltung ist insbesondere darin zu ohcn. daß dt Spitzc-Spitze-Wert der erzeiigtcn Wechselspannung begrenzt und dadurch stabilisiert ist. und zwar .11 einen von der Betriebsspannung iV unabh.uvjij-i. Wer!, der der Differenz aus der Basis-l nr.tu Sclmcllspannung de*- Transistors 71 und il
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung des Tran- tem XY- und //-Schnitt zutrifft. Auf Grund der sistors Tl entspricht. An den Parallelschwingkreisen Tatsache, daß die Basis des Transistors Tl entweder selbst tritt eine ebenfalls stabilisierte und sinus- über den ohmschen Widerstand R 1 oder über einen förmige Wechselspannung auf, deren Spitze-Spitze- Parallelresonanzkreis mit dem spannungsführenden . Wert dem Doppelten der genannten Differenz ent- 5 Pol der Betriebsspannungsquelle UK verbunden ist, Spricht. Ferner kann die Anzahl der zu verwenden- ist der Eingangswiderstand des Transistors Tl hochden passiven Bauelemente sehr niedrig gehalten ohmig und bei kleinen Betriebsströmen (5 ... 20 /iA) werden; so beansprucht etwa die Schaltung nach praktisch gleich dem ohmschen Widerstand R 1 bzw. F i g. 2 lediglich drei ohmsche Widerstände und dem ohmschen Resonanzwiderstand des Parallel- §egebenenfalls einen abstimmbaren Kondensator. io resonanzkreises. Diese Eigenschaft, auch mit Diese Schaltung hat bei .monolithisch integrierter Schwingquarzen hohen ohmschen Serienresonanz-Realisierung außerdem nur vier äußere Anschlüsse, Widerstandes schwingfähig zu sein, macht die ernämlich zwei für die Belriebsspannungsquelle und findungsgemäße Schaltung anderen Transistorschalzwei für den Quarz bzw. dessen Serienschaltung mit tungen, bei denen der Schwingquarz in seiner Seriendem abstimmbaren Kondensator C. Dies ist beson- 15 resonanz erregt wird, überlegen· ders vorteilhaft, da für diese Schaltung somit handeis- Außer der oben schon an Kand der Fig. 7 erübliche vierpolige Transistorgehäuse verwendet läuterten Verwendung der erfindungsgemäßen Oszilwerden können. latorschaltung für Signalgeber usw. können insbeson-Ein weiterer wesentlicher Vorteil der erfindungs- dere die Schaltungen mit Schwingquarz nach den gemäßen Schaltungsanordnung besteht darin, daß 10 F i g. 2 bis 6 als Generatorschaitung zum Betrieb die für Serienresonanz-Zweipole vorgesehenen von Frequenzteilern benutzt werden, die beispiels-Schaltungen nach den F i g. 2 bis 6 insbesondere weise die als Zeitnormal dienende Schwingfrequens auch für Schwingquarze geeignet sind, die einen des Quarzes so untersetzen, daß mit Impulsen dei hohen ohmschen Scrienresonanzwiderstand auf- untersetzten Frequenz zeithaltende Geräte gesteuer weisen, was insbesondere für Quarze mit sogenann- »5 werden können.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (10)

Patentansprüche:
1. Monolithisch integrierbare Oszillatorschaltung mit frequenzbestimmendem, in Parallel- resonanz erregtem Zweipol und mit zwei Transistoren bzw. Transistorstrukturen gleichen Leitungstyps, deren Emitter über einen gemeinsamen ohmschen Widerstand mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden sind, wobei der Kollektor des zweiten Transistors über den in Parallelresonanz erregten Zweipol und der Kollektor des ersten Transistors direkt oder über eine Impedanz mit dem spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten Transistors (71) direkt mit dem Kollektor des zweiten Transistors (T 2) und die Basis des zweiten TiatiMslüis (72) direkt mit dem spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle (Uv) verbunden ist.
2. Monolithisch integrierbare Oszillatorschaltung mit frequt*nzbeslimmendem, in Scrienrcsonanz erregtem Zweipol und mit zwei Transistoren bzw. Transistorstrukturen gleichen ! eituntjstyps. deren Emitter über einen gemeinsamen ohmschen Widerstand mit dem Sehaltungsnullpunkt verbunden sind, wobei die Basis des eisten mit dem Kollektor des zweiten Transistors über den in Serienresoiiuiiz erregten Zweipol verbunden ist sowie der Kollektor des ersten Transistors direkt oder über eine Impedanz, und der Kollektor des zweiten Transistors üler eine Impedanz mit dem spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle verbunden ist. dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten Transistors (71) über eine Impedanz und die Basis des zweiten Transistors (T2) direkt mit dem spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle (LV.) verbunden ist.
3. Osziilatorschakung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten Transistors (71) und der Kollektor des /weiten Transistors (72) einerseits über je einen ohmschen Widerstand (71, R 2) mit dem spannungs- 4,-führenden Pol der Betriebsspannungsquclle (Uy) und andererseits über einen Schwingquarz (Ω) miteinander verbunden sind.
4. Oszillaiorsehaluing nach den Ansprüchen 2 und 3. dadurch gekennzeichnet, daß der Kollcktor des ersten Transistors (71) über einen auf eine Oberschwingung (ml) der Quarzgrundfrequenz (/) abgestimmten Parallelrcsonanzkreis am spannungsführenden Pol der Betricbsspanmingsquelle (Vy) angeschlossen ist.
5. Oszillatorschaltung nach Anspruch 2. dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des eisten Transistors (71) und der Kollektor des /weiten Transistors (7'2) über einen auf einem Oberton (/?/) seiner Grundfrequenz (/) schwingenden fio Schwingquarz (Ω) miteinander verbunden sind und daß die Basis und der Kollektor des ersten Transistors (71) über je einen ohmschen Widerstand (7? 1, R 4) und der Kollektor des zweiten Transistors (72) über einen auf den Oberton (/;/) f>s abgestimmten Parallelresonanzkreis am spannungsführenden Pol der Betriebsspar.nungsquelle (Uu) angeschlossen sind.
6 Oszillatorschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis des ersten Transistors (Tl) und der Kollektor des zweiten Transistors (72) über einen auf einem Oberton (nf) seiner Grundfrequenz (/) schwingenden Schwingquarz (.Q) miteinander verbunden sind und daß die Kollektoren der beiden Transistoren (71, 72) über je einen ohmschen Widerstand (R 2 R 4) und die Basis des ersten Transistors übeT einen auf den Oberton (nf) abgestimmten Parailelresonanzkreis am spannungsführenden Pol der Betriebsspannungsquelle (Vy) angeschlossen sind.
7. Oszillatorschaltung nach den Ansprüchen 4 und 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektonviderstand (/?*4) des ersten Transistors (71) durch einen auf eine Oberschwingung (mnf) <V ■■. auf einem Oberton (;.·/) schwingenden Schwin;-"uarzes (o) abgestimmten Parallelresonanzkre:
ersetzt ist.
8. Oszülatorschaliung nach einem der :>sprüche 3 bis 7. dadurch gekennzeichnet, dal.' ip Serie mit dem Schwingquarz (Ω) ein abgkicl·- barer Kondensator (C) oder ein Festkondensa:.-:
geschaltet ist.
9. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, i'.,-durch gekennzeiehne:. dnB in der Kollektorzuleitung des ersten Transistors (71) ein IV tiomctcr"(/') angeordnet ist. und daß der 1\ . alleiresonanzkreis i/O durchstimmbar ist.
10. Oszillatorschaltimg nach einem der Λ;: Sprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß de gemeinsame Emitierwiderstand (R 3) und eine· der Basis- bzw. Kollektorwiderstände (Rl. /'2 (R 4) durch eine Konstantstromquelle eiset/; sind.
DE19702059888 1970-12-05 1970-12-05 Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol Pending DE2059888B2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702059888 DE2059888B2 (de) 1970-12-05 1970-12-05 Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol
FR7143194A FR2116482B3 (de) 1970-12-05 1971-12-02
GB5596170A GB1334287A (en) 1970-12-05 1971-12-02 Oscillator circuit
CH1759671A CH537667A (de) 1970-12-05 1971-12-03 Monolithisch integrierbare Oszillatorschaltung mit frequenzbestimmendem Zweipol

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702059888 DE2059888B2 (de) 1970-12-05 1970-12-05 Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2059888A1 DE2059888A1 (de) 1972-06-22
DE2059888B2 true DE2059888B2 (de) 1973-04-19

Family

ID=5790076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702059888 Pending DE2059888B2 (de) 1970-12-05 1970-12-05 Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH537667A (de)
DE (1) DE2059888B2 (de)
FR (1) FR2116482B3 (de)
GB (1) GB1334287A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3102929A1 (de) * 1981-01-29 1982-09-02 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Oszillatorschaltung mit einem piezoelektrischen resonator
DE19541929C2 (de) * 1995-11-10 2001-10-31 Atmel Germany Gmbh Integrierte Oszillatorschaltung

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3333402A1 (de) * 1983-09-15 1985-04-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierbare oszillatorschaltung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3102929A1 (de) * 1981-01-29 1982-09-02 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Oszillatorschaltung mit einem piezoelektrischen resonator
DE19541929C2 (de) * 1995-11-10 2001-10-31 Atmel Germany Gmbh Integrierte Oszillatorschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
FR2116482A3 (de) 1972-07-13
GB1334287A (en) 1973-10-17
CH537667A (de) 1973-05-31
DE2059888A1 (de) 1972-06-22
FR2116482B3 (de) 1974-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2633512B2 (de) Spannungsvervielfacher für elektronische Zeitmeßgeräte
DE1007809B (de) Elektrische Kippanordnung
DE2323858C3 (de) Monolithisch integrierbare Quarzoszillatorschaltung
DE3101848A1 (de) &#34;schalt-leistungsversorgung fuer durchdringungsphosphor-kathodenstrahlbildroehren&#34;
DE2059888B2 (de) Monolithisch integrierbare oszillatorschaltung mit freuqenzbestimmendem zweipol
DE2604873A1 (de) Taktimpulsgeber
DE2310314B2 (de) Regelschaltung zur Erzeugung eines Signals konstanter Frequenz für einen elektronischen Zettgeber
DE959022C (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Untervielfachen einer gegebenen Frequenz
DE1954068B2 (de) OsziUatorschaltung mit einem Parallelresonanzquarz
DE1238702B (de) Ultraschall-Generator zum Erregen eines piezoelektrischen Elementes
DE890065C (de) Roehrengenerator
DE3021890C2 (de)
DE3420915A1 (de) Frequenzaenderungsvorrichtung
DE2024568A1 (de) Multiphkationsschaltung fur zwei elektrische Großen
DE2611439A1 (de) Schaltantrieb hohen wirkungsgrades fuer resonanz-leistungs-transformator
DE1941973B2 (de) Symmetrisches festkoerper-spannungsversorgungssystem
DE1157648B (de) Vertikalablenkschaltung
DE2364187A1 (de) Gesteuerter oszillator
DE959927C (de) Oszillatorschaltung mit Frequenzstabilisierung durch mehrere gleichzeitig auf die erzeugte Frequenz einwirkende elektromechanische Schwinger
DE523193C (de) Elektrisches Kopplungssystem fuer den Anodenkreis einer dreielektrodigen Entladungsroehre
DE1058108B (de) Modulierende Generatorschaltung mit Transistoren
DE2034990C (de) Monolithisch lntegnerbare Kristall Oszillatorschaltung
DE2520721C3 (de) Aperiodischer Generator
DE2921511C2 (de) Frequenzteilerschaltung
DE844310C (de) Roehrengenerator mit Schwingkristall