DE1238702B - Ultraschall-Generator zum Erregen eines piezoelektrischen Elementes - Google Patents
Ultraschall-Generator zum Erregen eines piezoelektrischen ElementesInfo
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Description
AUSLEGESCHRIFT Deutsche Kl.: 42 s -1/00
Nummer: 1238 702
Aktenzeichen: J 26703IX a/42 s
1 238 702 Anmeldetag: 15.Oktober 1964
Auslegetag: 13. April 1967
Die Erfindung bezieht sich auf einen Ultraschall-Generator zur elektrischen Erregung eines piezoelektrischen
Elementes, das einen elektrostriktiven oder magnetostriktiven Effekt aufweist. Sie betrifft insbesondere
diejenigen Elemente, die bestimmt und besonders geeignet sind zur Erzeugung von Ultraschall.
Dabei kommt der Erfindung besondere Bedeutung bei der Werkstoffprüfung, insbesondere bei dem Aufsuchen
von Homogenitätsfehlern in Werkstoffen, wie z. B. in Metallstücken, zu.
Der Erfindung liegt insbesondere die Aufgabe zugrunde, einen derartigen Ultraschall-Generator einfacher
und mit weniger Aufwand zu realisieren, insbesondere ihn so auszulegen, daß er mit verhältnismäßig
niedriger Spannung gespeist werden kann. Das Gerät soll vor allem auch tragbar und billig sein.
Erfindungsgemäß wird ein Transistor verwendet, dessen Kollektorstrom bei einer bestimmten Kollektorspannung
plötzlich auf einen hohen, praktisch nur durch den äußeren Stromkreis und die Gleichspannungsquelle
begrenzten Wert ansteigt, wobei die Kollektorspannung sehr schnell auf einen niedrigen Wert
springt, und daß dieser Spannungssprung zur Erregung des piezoelektrischen Elementes dient.
Bei Verwendung eines npn-Transistors wird vorzugsweise der Kollektor über einen ersten Widerstand
an den positiven Pol und der Emitter über einen zweiten Widerstand und die Basis dieses Transistors
unmittelbar an den negativen Pol einer Gleichspannungsquelle angeschlossen und das piezoelektrische
Element einerseits mit dem Kollektor, andererseits mit dem negativen Pol der Gleichspannungsquelle
verbunden. Der negative Pol kann dabei geerdet sein.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung, das ebenfalls mit einem npn-Transistor arbeitet,
ist das piezoelektrische Element zwischen dem Emitter und dem Minuspol der Gleichspannungsquelle angeschlossen und der Kollektor über einen
Widerstand mit dem positiven Pol der Gleichspannungsquelle und über einen Kondensator mit dem
negativen Pol der Gleichspannungsquelle verbunden. Die Kapazität dieses Kondensators ist dabei vorzugsweise
größer als die des piezoelektrischen Elementes.
Die zuletzt genannte Anordnung ist besonders vorteilhaft, wenn das piezoelektrische Element auch
als Empfänger dient und die von ihm erzeugten Signale über ein Koaxialkabel zu einem Auswertungssystem geleitet werden müssen. In diesem Fall kann
der Abschlußwiderstand des Koaxialkabels direkt als Löschwiderstand dienen, der dann zwischen dem
Mittelleiter des Kabels und dem negativen Pol der Ultraschall-Generator zum Erregen eines
piezoelektrischen Elementes
piezoelektrischen Elementes
Anmelder:
Institut de Recherches de la Siderurgie Frangaise, Saint Germain-en-Laye, Seine-et-Oise
(Frankreich)
(Frankreich)
Vertreter:
Dr.-Ing. Ε. Maier, Patentanwalt,
Stuttgart 1, Werastr. 24
Stuttgart 1, Werastr. 24
Als Erfinder benannt:
Marcel Cheques, Paris
Marcel Cheques, Paris
Beanspruchte Priorität:
Frankreich vom 24. Oktober 1963 (951686)
Gleichspannungsquelle liegt. Außerdem ist es vielfach zweckmäßig, die Basis des Transistors an einen veränderbaren
Abgriff eines Widerstandes zu legen, der einer zusätzlichen Gleichspannungsquelle so parallel
geschaltet ist, daß dieser Abgriff gegenüber dem Minuspol der Gleichspannungsquelle negativ ist.
Auch hat es sich als zweckmäßig erwiesen, in den Entladestromkreis des piezoelektrischen Elementes
eine Drossel zu schalten.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden an Hand der Figuren beschrieben, in denen einige Ausführungsbeispiele
der Erfindung dargestellt sind.
F i g. 1 zeigt die Abhängigkeit des Kollektorstromes von der Kollektorspannung eines Spezialtransistors,
der erfindungsgemäß zur Erzeugung von Ultraschallschwingungen herangezogen wird; in
F i g. 2 ist schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt;
F i g. 3, 4 und 5 zeigen Weiterbildungen dieses Ausführungsbeispiels;
F i g. 6 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Es ist bekannt, zur elektrischen Erregung eines piezoelektrischen Kristalls, der zur Emission von
Ultraschall, insbesondere zur diskontinuierlichen Emission bestimmt ist, Hochvakuum oder Gasentladungsröhren
zu verwenden, die mit sehr hohen Spannungen gespeist werden müssen, die in der Größenordnung von mehreren tausend Volt liegen.
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Es war daher notwendig, einen besonderen Hochspannungsgenerator zu verwenden, der von der
eigentlichen Ultraschallquelle getrennt war und mit ihr über ein spezielles Kabel verbunden werden
mußte. Diese Verbindung hatte eine Verzerrung des übertragenen Signals und eine Schwächung der
Energie zur Folge. Außerdem waren diese bekannten Apparate umfangreich, schwer und teuer.
Diese Nachteile lassen sich durch Anwendung der Erfindung vermeiden, deren Wesen in der Anwen- to
dung eines Mesatransistors zur Erzeugung einer plötzlichen Spannungänderung besteht, die auf das
piezoelektrische Element übertragen wird.
Bei einer großen Anzahl von Transistoren fehlt dieses Phänomen der plötzlichen Spannungsänderung.
Es tritt aber bei bestimmten Transistoren auf, die meist unter der Bezeichnung Mesatransistor bekanntgeworden
sind.
Zur Erläuterung dieses Phänomens wird auf F i g. 1 Bezug genommen, wo eine Kennlinie gezeigt
ist, die den Verlauf des Kollektorstromes abhängig von der Kollektorspannung wiedergibt. Dabei ist eine
Basis-Emitter-Spannung vorausgesetzt, deren Wert und Vorzeichen so gewählt ist, daß der Transistor in
einem Sperrzustand gehalten wird. Bei pnp-Transistören kann diese Spannung positive, leicht negative
Werte aufweisen oder auch Null sein. Bei npn-Transistoren kann die Spannung negativ, Null oder leicht
positiv sein.
Aus der Darstellung nach Fig. 1 erkennt man, daß der Differentialquozent der Kurve bei einem
Kollektorspannungswert V2 unendlich groß und anschließend sogar negativ wird. Das bedeutet, daß der
Kollektorstrom sehr hohe Werte, insbesondere mehrere Ampere, annehmen kann, sobald die Kollektorspannung
diesen Wert V2 erreicht, wobei gleichzeitig die Kollektorspannung ganz plötzlich auf einen
Wert V1 abfällt.
Diese plötzliche Spannungsänderung wird ganz oder teilweise, auf direktem oder indirektem Wege,
dem Kristall zur Erregung zugeführt.
Bei einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung, das in F i g. 2 dargestellt ist, wird dieser Spannungsimpuls
in voller Größe und unmittelbar dem Kristall 1 zugeführt, der zwischen dem Kollektor 2
und dem negativen Pol der einen Gleichspannungsquelle 4 liegt. Der Kollektor 2 ist über einen Widerstand
5 mit dem positiven Pol dieser Gleichspannungsquelle verbunden. Die Basis 6 des npn-Transistors
3 liegt unmittelbar an dem negativen Pol dieser Gleichspannungsquelle. Der Emitter 7 ist dagegen
über einen Widerstände mit diesem negativen Pol verbunden.
Zunächst ist der Transistor vollkommen gesperrt, da seine Basis direkt und sein Emitter über einen
Widerstand mit dem negativen Pol der Gleichspannungsquelle verbunden sind. Die Spannung der
Quelle 4 lädt zunehmend den Kondensator, der durch den Kristall gebildet wird, auf. Sobald die Spannung
an dem Kristall, die ja zugleich auch an der Kollektorstrecke des Transistors liegt, den Wert V2 erreicht,
wird der Transistors voll leitend, und der "von dem Kristall gebildete Kondensator entlädt sich über die
Emitter-Kollektor-Strecke, und, wenn die Zunahme des Kollektorstromes größer als die Abnahme der
Emitter-Kollektor-Spannung ist, dann wächst der Strom schlagartig sehr stark an und wird nur noch
durch den Widerstand 8 begrenzt, wobei diese Ent-
ladung außerordentlich schnell vor sich geht. Dabei vermindert sich die Spannung an den Klemmen des
Kristalls von dem Wert V2 auf den Wert V1 in außerordentlich
kurzer Zeit, die in der Größenordnung von Nanosekungen (10~9 Sekunden) liegt.
Dieser plötzliche Spannungssprung erregt in dem Kristall Schwingungen, deren Frequenz in dem Ultraschallbereich
liegt.
Nach Entladung wird der Strom wieder sehr klein, und der Transistor sperrt erneut. Diesem Zustand
entspricht in F i g. 1 der Arbeitspunkt B. Damit beginnt erneut die Aufladung des Kristalls aus der
Spannungsquelle 4 über den Widerstand 5, und das zuvor geschilderte Spiel wiederholt sich periodisch.
Mitunter soll der Kristall Ultraschallimpulse von kurzer Dauer liefern, so z. B. wenn es darum geht,
sehr genaue Ultraschallschweißungen durchzuführen. In solchen Fällen kann man die Schwingungen des
Kristalls auslöschen, z. B. mit mechanischen Hilfsmitteln beliebiger Form, aber auch auf elektrische
Weise, indem man parallel zum Kristall einen Löschstromkreis legt. Ausführungsbeispiele solcher Löschstromkreise
sind in den F i g. 3 und 4 abgebildet.
Der erste dieser Stromkreise, in F i g. 3 dargestellt, besteht lediglich aus einem Widerstand 11, der mit
einem Kondensator 12 in Serie geschaltet ist, dessen Kapazität viel kleiner als die des Kristalls 1 ist und
eine sehr kleine Impedanz bei seiner Resonanzfrequenz aufweist.
Der zweite in F i g. 4 dargestellte Löschstromkreis enthält außer dem Widerstand 11 und dem Kondensator
12 noch eine Drossel 13, wobei alle diese Elemente in der Serie geschaltet sind und auf die Resonanzfrequenz
des Kristalls abgestimmt sind.
Wenn man den Kristall 1 nicht nur zur Schwingungserzeugung sondern auch als Empfänger für
Ultraschallschwingungen benutzen will, dann kann man den Kristall über Koaxialkabel an ein der Verstärkung
und Auswertung dienendes System anschließen, wobei das Kabel zweckmäßig in geeigneter
Weise mit seinem Wellenwiderstand abgeschlossen ist. Eine solche Anordnung ist in F i g. 5 gezeigt, wobei
das Verstärkersystem mit 14, das Koaxialkabel mit 15 und der Abschlußwiderstand mit 16 bezeichnet
ist. Letzterer muß mit einem Kondensator 17 in Serie geschaltet werden, damit durch ihn die Wiederaufladung
des Kristalls über den Widerstand 5 nicht beeinträchtigt wird. Dieser Widerstand 16 spielt hierbei
vorzugsweise auch die Rolle eines Löschstromkreises, wie er in F i g. 3 oder 4 dargestellt ist.
In dem in F i g. 6 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Kristall 1 nicht mehr der Emitter-Kollektor-Strecke
des Transistors parallel geschaltet, sondern er liegt zwischen dem Emitter 7 und dem negativen
Pol der Gleichspannungsquelle 4. Zwischen dem Kollektor des Transistors 3 und dem negativen
Pol der Gleichspannungsquelle 4 liegt ein zusätzlicher Kondensator 18. Auch hier ist der Kollektor 2
des Transistors über einen Widerstand 5 mit dem positiven Pol dieser Gleichspannungsquelle 4 verbunden.
Außerdem ist auch hier ein Koaxialkabel 15 vorhanden, das mit seinem charakteristischen Widerstand
16 abgeschlossen ist und zur Übertragung der von dem Kristall erzeugten elektrischen Signale zu
einer Auswerteinrichtung 14 dient, sofern der Kristall als Empfänger arbeitet.
Die Basis 6 des Transistors ist hierbei nicht direkt mit dem negativen Pol der Gleichspannungsquelle 4,
Claims (8)
1. Ultraschall-Generator zum elektrischen Erregen eines piezoelektrischen Elementes, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Schalttransistor (3) verwendet wird, dessen Kollektorstrom
bei einer bestimmten Kollektorspannung plötzlich auf einen hohen, praktisch nur durch
den äußeren Stromkreis und die Gleichspannungsquelle begrenzten Wert ansteigt, wobei die
Kollektorspannung sehr schnell auf einen niedrigeren Wert springt, und daß dieser Spannungssprung zur Erregung des piezoelektrischen Elementes
(1) dient.
2. Generator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß — bei Verwendung eines npn-Transistors
(3) — der Kollektor (2) über einen ersten Widerstand (5) an den positiven Pol und
der Emitter (7) über einen zweiten Widerstand (8) und die Basis (6) unmittelbar an den negativen
Pol einer Gleichspannungsquelle (4) angeschlossen sind und daß das piezoelektrische Element
(1) einerseits mit dem Kollektor (2) andererseits mit dem negativen Pol der Gleichspannungsquelle
(4) verbunden ist.
3. Generator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß — bei Verwendung eines npn-Transistors
— das piezoelektrische Element (1) zwischen dem Emitter (7) und dem negativen Pol
der Gleichspannungsquelle (4) angeschlossen ist,
daß der Kollektor (2) über einen Widerstand (5) mit dem positiven Pol der Gleichspannungsquelle
(4) und über einen Kondensator (18) mit dem Minuspol der Gleichspannungsquelle (4) verbunden
ist.
4. Generator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität des Kondensators
(18) größer als die des piezoelektrischen Elementes (1) ist.
5. Generator nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß dem piezoelektrischen Element
(1) ein ohmscher Löschwiderstand (16) parallel geschaltet ist, der insbesondere als Abschlußwiderstand
eines Koaxialkabels (15) ausgebildet ist, das zur Übertragung der von dem
piezoelektrischen Element erzeugten Signale zu einem Empfänger (14) dient.
6. Generator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Basis (6)
des Transistors (3) an einem veränderbaren Abgriff eines Widerstandes (19) liegt, der einer zusätzlichen
Gleichspannungsquelle (20) so parallel geschaltet ist, daß der Abgriff negativ gegenüber
dem Minuspol der Gleichspannungsquelle (4) ist.
7. Generator nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Drossel
(23) in den Entladestromkreis des piezoelektrischen Elementes geschaltet ist.
8. Generator nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Impulsgenerator
über einen Entkopplungsgenerator (21) an die Basis (6) des Transistors (3) angeschlossen
ist, der periodisch Synchronisierungsimpulse liefert.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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