JPS6075579A - 金色装飾品 - Google Patents
金色装飾品Info
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- JPS6075579A JPS6075579A JP18039383A JP18039383A JPS6075579A JP S6075579 A JPS6075579 A JP S6075579A JP 18039383 A JP18039383 A JP 18039383A JP 18039383 A JP18039383 A JP 18039383A JP S6075579 A JPS6075579 A JP S6075579A
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- gaseous
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/38—Borides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は表面が炭化タンタル（ＴａＣ）と同等の金色光
沢をもつ装飾品に関する。
沢をもつ装飾品に関する。
ＴａＣの焼結体は、色相が金色に近く彩度が弱く淡い金
色であって、高貴なイメージを与えるので金色装飾品と
しての価値が高い。
色であって、高貴なイメージを与えるので金色装飾品と
しての価値が高い。
しかしながら、ＴａＣ焼結体は硬く脆いので研削加工、
穴あけ加工などが困難である。
穴あけ加工などが困難である。
とのようなことから、既に所望の加工を施しである基材
に各種の薄膜形成法を適用してＴａＣの薄膜を被覆形成
し上記した色調を出そうといり試みがなされているが、
しかし、いまだ成功した事例はない。
に各種の薄膜形成法を適用してＴａＣの薄膜を被覆形成
し上記した色調を出そうといり試みがなされているが、
しかし、いまだ成功した事例はない。
例えば、物理蒸着法（ＰＶＤ法）の場合、Ｔａはその融
点が高い（約３０００℃）ためＴ’ａをイオン化するこ
とが困難であシ、また、化学蒸着法（ｃｖＤ法）又はプ
ラズマ化学蒸着法（ＰＣＶＤ法）の場合でも、これら方
法に適合するＴ＆のハロダン化物がないのである。
点が高い（約３０００℃）ためＴ’ａをイオン化するこ
とが困難であシ、また、化学蒸着法（ｃｖＤ法）又はプ
ラズマ化学蒸着法（ＰＣＶＤ法）の場合でも、これら方
法に適合するＴ＆のハロダン化物がないのである。
本発明は、ＴａＣと同等の金色光沢をもつ金色装飾品の
提供を目的とする。
提供を目的とする。
本発明者らは、ＴａＣと色調が類似する薄膜の形成に関
し鋭意研究を重ねた結果、従来から行なわれている窒化
チタン（ＴｉＮ ）の薄膜形成時に、ホウ素（Ｂ）を微
量添加していくと、その薄膜表面は金色から無色の金属
色に色調が変化し、その過程でＴａＣに酷似した色調に
なるという事実を見出し、本発明の装飾品を開発するに
到った。すなわち、本発明の金色装飾品は、その表面が
ホウ窒化チタン（ＴｉＢＮ ）薄膜で被覆されているこ
とを特徴とする。
し鋭意研究を重ねた結果、従来から行なわれている窒化
チタン（ＴｉＮ ）の薄膜形成時に、ホウ素（Ｂ）を微
量添加していくと、その薄膜表面は金色から無色の金属
色に色調が変化し、その過程でＴａＣに酷似した色調に
なるという事実を見出し、本発明の装飾品を開発するに
到った。すなわち、本発明の金色装飾品は、その表面が
ホウ窒化チタン（ＴｉＢＮ ）薄膜で被覆されているこ
とを特徴とする。
本発明の装飾品において、基材の表面を被覆するＴ１８
Ｎ薄膜は、ＪＩＳＺ ８１０５−２０６８で規定する（
ＣＩＥ １９７６ ）Ｌ＊、 ａ” 、 ｂ＊色空間
において、Ｌ’Ｉ’ 、 ＩＬ ＊ 、 ｂ＊はそれぞ
れ、４０チ≦い≦８０チ。
Ｎ薄膜は、ＪＩＳＺ ８１０５−２０６８で規定する（
ＣＩＥ １９７６ ）Ｌ＊、 ａ” 、 ｂ＊色空間
において、Ｌ’Ｉ’ 、 ＩＬ ＊ 、 ｂ＊はそれぞ
れ、４０チ≦い≦８０チ。
４９≦（ａ ） ＋（ｂ ） ≦６２５．３≦ｂ／−≦
８の関係を満足する色調を有していることを特徴とする
。
８の関係を満足する色調を有していることを特徴とする
。
この色調のとき、ＴＩＢＮ薄膜はＴａＣに酷似した淡い
金色の光沢をもって輝いている。ピが小さすぎると薄膜
表面の明度が低くなって光沢が不満足となシ、またＬｌ
が大きすぎると、明度が高くなシすぎて徒らにキラキラ
するばかりとなシ、ヒは４０チ以上８０チ以下であるこ
とが好ましい。更に、好ましくは、５０ｑ６≦ピ≦７（
ｌである。
金色の光沢をもって輝いている。ピが小さすぎると薄膜
表面の明度が低くなって光沢が不満足となシ、またＬｌ
が大きすぎると、明度が高くなシすぎて徒らにキラキラ
するばかりとなシ、ヒは４０チ以上８０チ以下であるこ
とが好ましい。更に、好ましくは、５０ｑ６≦ピ≦７（
ｌである。
また、薄膜表面の色調において、ｂ／、＊が小さすぎる
と赤つぼくなシすぎ、また逆に大きすぎると黄色が強く
なりすぎるし、（ＩＬ）＋（ｂ） が小さすぎると色彩
がぼんやシしすぎるし、逆に大きいとはつきシしすぎる
ようになるので、したがって（ａ＊ゾ＋（ｂ＊）２及び
ｂ／＊は、それぞれ４９≦（ａ ） ＋（ｂ ）≦６２
５．３≦ｂ ／、率≦８の関係を満足するのが好ましく
更に、１００≦（ａ ）＋（ｂ ）≦３２４．３．５≦
ｂ／＊≦６の関係を満足するととが好ましい。
と赤つぼくなシすぎ、また逆に大きすぎると黄色が強く
なりすぎるし、（ＩＬ）＋（ｂ） が小さすぎると色彩
がぼんやシしすぎるし、逆に大きいとはつきシしすぎる
ようになるので、したがって（ａ＊ゾ＋（ｂ＊）２及び
ｂ／＊は、それぞれ４９≦（ａ ） ＋（ｂ ）≦６２
５．３≦ｂ ／、率≦８の関係を満足するのが好ましく
更に、１００≦（ａ ）＋（ｂ ）≦３２４．３．５≦
ｂ／＊≦６の関係を満足するととが好ましい。
本発明にがかるＴｉＢＮ薄膜は、模式図として例示した
以下の処理装置を用いたプラズマ化学蒸着法（ＰＣＶＤ
法）によって形成することができる。
以下の処理装置を用いたプラズマ化学蒸着法（ＰＣＶＤ
法）によって形成することができる。
図で、１は反応室で、室内にはヒータ用電源２に接続し
たヒータ３、その上には放電用直流電源４に接続した負
電極５．負電極５と対向して正電極６が配置されている
。負電極５は表面処理すべき基体７の支持台の機能も兼
ねている。
たヒータ３、その上には放電用直流電源４に接続した負
電極５．負電極５と対向して正電極６が配置されている
。負電極５は表面処理すべき基体７の支持台の機能も兼
ねている。
反応室１には、原料である反応ガスの供給系（図示した
右側の系）が連結されていて、ここから、所定の流量で
各原料が導入される。反応ガスは水素（Ｎ２）と四塩化
チタン（ＴＩＣ４４）と三塩化ホウ素（５Ｃｔ３）と窒
素（Ｎ２）の４種類の混合がスである。図で、８はＮ２
の供給ボンベである。
右側の系）が連結されていて、ここから、所定の流量で
各原料が導入される。反応ガスは水素（Ｎ２）と四塩化
チタン（ＴＩＣ４４）と三塩化ホウ素（５Ｃｔ３）と窒
素（Ｎ２）の４種類の混合がスである。図で、８はＮ２
の供給ボンベである。
９はＢＣｌ、のパゾラー恒温槽で、ここに収納されてい
るＳＣｔ、は水素ボンベ１０から送入されるＮ２でバブ
リングされ、該恒温槽の温度に相当する蒸気圧のＢＣ／
、３がＮ２とともに反応室１内に導入される。
るＳＣｔ、は水素ボンベ１０から送入されるＮ２でバブ
リングされ、該恒温槽の温度に相当する蒸気圧のＢＣ／
、３がＮ２とともに反応室１内に導入される。
このとき、槽９の温度はＢＣｌ、の供給量との関係から
決められるが、通常−１００〜１０℃の範囲の温度であ
る。
決められるが、通常−１００〜１０℃の範囲の温度であ
る。
１１はＴｉＣｌ２のパゾラー恒温槽で、ここに収納され
ているＴｉＣｌ４は、上記したＢＣｌ、の場合と同様に
、水素ボンベ１０′から送入されるＮ２でバブリングさ
れ、該恒温槽の温度に相当する蒸気圧のＴｉＣｌ２がＮ
２とともに反応室１内に導入される。このときの槽１１
の温度はＴｉＣｌ２の供給量との関係から決められるが
、通常は２０〜８０℃の範囲内にある。
ているＴｉＣｌ４は、上記したＢＣｌ、の場合と同様に
、水素ボンベ１０′から送入されるＮ２でバブリングさ
れ、該恒温槽の温度に相当する蒸気圧のＴｉＣｌ２がＮ
２とともに反応室１内に導入される。このときの槽１１
の温度はＴｉＣｌ２の供給量との関係から決められるが
、通常は２０〜８０℃の範囲内にある。
１２のアルゴンボンベは基体７０表面にＴｉＢＮ薄膜を
形成するに先立って該基体表面を清浄化するタメのアル
ゴン（Ａｒ ）スパッタ用である。１３は反応室１内を
所定のガス圧に調節するための真空ポンプ、１４は真空
ポンプの油逆流防止、 ＴＩＢＮ薄膜形成時に副生ずる
塩化物を捕捉するためのトラップであシ、これら全体で
排気系が構成されている。
形成するに先立って該基体表面を清浄化するタメのアル
ゴン（Ａｒ ）スパッタ用である。１３は反応室１内を
所定のガス圧に調節するための真空ポンプ、１４は真空
ポンプの油逆流防止、 ＴＩＢＮ薄膜形成時に副生ずる
塩化物を捕捉するためのトラップであシ、これら全体で
排気系が構成されている。
図の装置を用いて、まず、供給系からＡｒガスを適尚量
導入しながら真空ポンプ１３で排気し反応室１内を約０
．０５ ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気に圧力調節し、基体７の
表面を電流密度的０．５ｍＡ／−でスパツタして清浄化
する。
導入しながら真空ポンプ１３で排気し反応室１内を約０
．０５ ＴｏｒｒのＡｒ雰囲気に圧力調節し、基体７の
表面を電流密度的０．５ｍＡ／−でスパツタして清浄化
する。
その後、反応ガス供給系を切替え反応ガス（Ｈ２十Ｔ
１ｃｔ４＋ＢＣｌ３＋ Ｎ２）を反応室１内に導入しな
がら排気し反応ガスの全体圧力を所定の値に調節し、ヒ
ータ３で基体７を加熱して両電極５，６間に電圧印加し
反応室１内にグロー放電を発生させる。
１ｃｔ４＋ＢＣｌ３＋ Ｎ２）を反応室１内に導入しな
がら排気し反応ガスの全体圧力を所定の値に調節し、ヒ
ータ３で基体７を加熱して両電極５，６間に電圧印加し
反応室１内にグロー放電を発生させる。
室内のガス圧が０．０５ Ｔｏｒｒ未溝の場合にはグロ
ー放電が発生せず、また５ Ｔｏｒｒを超えるとグロー
放電が安定しないばかりではなくアーク放電が発生し始
める。好ましくは０．５〜２ Ｔｏｒｒである。
ー放電が発生せず、また５ Ｔｏｒｒを超えるとグロー
放電が安定しないばかりではなくアーク放電が発生し始
める。好ましくは０．５〜２ Ｔｏｒｒである。
基体の加熱温度は１００〜１０００℃、好ましくは３０
０〜７００℃、最も好ましくは５００℃である。
０〜７００℃、最も好ましくは５００℃である。
また、放電時、基体の単位面積当りに流す電流の電流密
度は０．０１〜１ ｍｋｌｃｔ＆ 、好ましくは０．０
５〜０．５ｍＡ／ｃｒｌである。
度は０．０１〜１ ｍｋｌｃｔ＆ 、好ましくは０．０
５〜０．５ｍＡ／ｃｒｌである。
装置を運転するに当シ必要な他のパラメータ。
例えば放電維持電圧５反応ガスの流量などは、反応室の
大きさ、基体の表面積が変動すると上記した３つの条件
の変動に対応して変化させなければならないので一義的
には決められない。
大きさ、基体の表面積が変動すると上記した３つの条件
の変動に対応して変化させなければならないので一義的
には決められない。
本発明にかかるＴｉＢＮ薄膜の形成時における重要な問
題は、反応ガス中のＮ２とＢＣｔ、の合量に対すに制御
することである。
題は、反応ガス中のＮ２とＢＣｔ、の合量に対すに制御
することである。
るように制御される。このような制御は槽９および１１
の温度を調節することによって可能である。
の温度を調節することによって可能である。
この比が小さすぎると、形成されたＴｉＢＮ薄膜はその
彩度が大きくな如すぎて金色に近くなシ望ましい色調が
得られにくくなり、またこの比が大きすぎると、彩度は
適正であってもＴｉＢＮ薄膜と基材との密着性が低下し
て該薄膜の剥離現象が発生し４０チが好ましい。本発明
にあっては１０〜２０チであることが更に好ましい。
彩度が大きくな如すぎて金色に近くなシ望ましい色調が
得られにくくなり、またこの比が大きすぎると、彩度は
適正であってもＴｉＢＮ薄膜と基材との密着性が低下し
て該薄膜の剥離現象が発生し４０チが好ましい。本発明
にあっては１０〜２０チであることが更に好ましい。
また、ＴｉＢＮ薄膜が実用的な硬度を得るためには、そ
の膜厚は０１１μｍ以上形成されることが好ましい。
の膜厚は０１１μｍ以上形成されることが好ましい。
なお、表面処理する基材としては、時計の側。
メガネの枠など装飾品の基材となシ得るもので、かつ、
上記した薄膜形成における温度に耐え得るものであれば
いかなるものであってもよい。例えば、金属、セラミッ
ク（含ガラス）等があるが、基材が金属であれば導電性
があυ、ＴＩＢＮが付着しやすく、一方基材がセラミッ
クであると、基体が硬い為、圧痕ができにくい装飾品を
提供できる。
上記した薄膜形成における温度に耐え得るものであれば
いかなるものであってもよい。例えば、金属、セラミッ
ク（含ガラス）等があるが、基材が金属であれば導電性
があυ、ＴＩＢＮが付着しやすく、一方基材がセラミッ
クであると、基体が硬い為、圧痕ができにくい装飾品を
提供できる。
実施例１〜４
図に示した装置を用いかつ表示した条件でＮ１基硬質合
金グロックおよび時計側の鏡面仕上げした表面に薄膜を
形成した。この薄膜につき、硬度をマイクロヴイツカー
ス計で測定し、まだ膜厚は薄膜をシャドウィングしその
とき形成された段差を表面粗さ計で測定した。更に、各
薄膜表面の色調は、ＪＩＳ Ｚ ８１０５−２０１４
で規定する標準の光Ｃを用いてＪＩＳＺ ８１０５−１
０１３で規定すル分光反射率をめ、この値を（ＣＩＥ
１９７６ ）Ｌ” 、 ａ＊。
金グロックおよび時計側の鏡面仕上げした表面に薄膜を
形成した。この薄膜につき、硬度をマイクロヴイツカー
ス計で測定し、まだ膜厚は薄膜をシャドウィングしその
とき形成された段差を表面粗さ計で測定した。更に、各
薄膜表面の色調は、ＪＩＳ Ｚ ８１０５−２０１４
で規定する標準の光Ｃを用いてＪＩＳＺ ８１０５−１
０１３で規定すル分光反射率をめ、この値を（ＣＩＥ
１９７６ ）Ｌ” 、 ａ＊。
ｂ＊色空間に変換して定量化した。また、色調について
は肉眼観察を行ない、ＴａＣと比較検討した。
は肉眼観察を行ない、ＴａＣと比較検討した。
以上の結果を一括して表に示した。
以上の説明で明らかなように、本発明の金色装飾品はそ
の表面色調がＴａＣの色調と酷似した淡い金色であシ、
シかも硬度は適正な値である。したがって、従来は困難
であったＴａＣ被覆に代ってＴａＣと同等の色調の創造
が可能であるので、時計。
の表面色調がＴａＣの色調と酷似した淡い金色であシ、
シかも硬度は適正な値である。したがって、従来は困難
であったＴａＣ被覆に代ってＴａＣと同等の色調の創造
が可能であるので、時計。
メガネなどの高級な金色装飾品を製造することが可能と
なυその価値は高い。
なυその価値は高い。
図は、本発明の装飾品を製造する際に用いる装置例の模
式図である。 １・・・反応室、２・・・ヒータ用電源、３・・・ヒー
タ、４・・・グロー放電用直流電源、５・・・負電極兼
支持台、６・・・正電極、７・・・基材、８・・・窒素
ガスはンベ、９・・・三塩化ホウ素パゾラー恒温槽、１
０，１０／・・・水素ガス？ンベ、１１・・・四塩化チ
タンパゾラー恒温槽、１２・・・アルゴン？ンベ、１３
・・・真空デンジ、１４・・・トラップ。
式図である。 １・・・反応室、２・・・ヒータ用電源、３・・・ヒー
タ、４・・・グロー放電用直流電源、５・・・負電極兼
支持台、６・・・正電極、７・・・基材、８・・・窒素
ガスはンベ、９・・・三塩化ホウ素パゾラー恒温槽、１
０，１０／・・・水素ガス？ンベ、１１・・・四塩化チ
タンパゾラー恒温槽、１２・・・アルゴン？ンベ、１３
・・・真空デンジ、１４・・・トラップ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面がホウ窒化チタン主体で被覆されていることを
特徴とする金色装飾品。 ２、該ホウ窒化チタンの表面が、ＪＩＳＺ８１０５−２
０６８で規定する（ ＣＩＥ １９７６ ） Ｌ” ｒ
ａ” ｔ ｂ＊色空間において、Ｌ” ｅ ＆” ＊
ｂ”はそれぞれ、４゜チ≦Ｌ＊≦８０％、４９≦（ａ
＊）２＋（ｂ＊）２≦６２５゜３≦ｂ／、＊≦８の関係
を満足する色調を有している特許請求の範囲第１項記載
の金色装飾品。 ３、ｌ＊ホウ窒化チタンがプラズマ化学蒸着法で形成さ
れた特許請求の範囲第１項又は第２項記載の金色装飾品
。 ４、該ホウ窒化チタンの厚みが０．１μｍ以上である特
許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の金色装
飾品。 ５、′該７’ラズマ化学蒸着法において、反応がスとし
て使用されるＢＣｌ、及びＮ２が、５チ≦−ＢＣｌ、−
Ｎ２＋ＢＣ２３ ≦４０チの関係を満足する特許請求の範囲第３項に記載
の金色装飾品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18039383A JPS6075579A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 金色装飾品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18039383A JPS6075579A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 金色装飾品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075579A true JPS6075579A (ja) | 1985-04-27 |
| JPH0442469B2 JPH0442469B2 (ja) | 1992-07-13 |
Family
ID=16082448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18039383A Granted JPS6075579A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 金色装飾品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06330295A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Nippon Laser Denshi Kk | プラズマ製膜装置 |
| FR2726834A1 (fr) * | 1994-11-07 | 1996-05-15 | Neuville Stephane | Procede de depot sur au moins une piece d'un revetement protecteur de grande durete |
| WO1996014448A1 (fr) * | 1994-11-07 | 1996-05-17 | Neuville Stephane | Procede de depot d'un revetement protecteur de grande durete |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841770A (ja) * | 1971-09-27 | 1973-06-18 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18039383A patent/JPS6075579A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841770A (ja) * | 1971-09-27 | 1973-06-18 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06330295A (ja) * | 1993-05-24 | 1994-11-29 | Nippon Laser Denshi Kk | プラズマ製膜装置 |
| FR2726834A1 (fr) * | 1994-11-07 | 1996-05-15 | Neuville Stephane | Procede de depot sur au moins une piece d'un revetement protecteur de grande durete |
| WO1996014448A1 (fr) * | 1994-11-07 | 1996-05-17 | Neuville Stephane | Procede de depot d'un revetement protecteur de grande durete |
| US5846613A (en) * | 1994-11-07 | 1998-12-08 | Neuville; Stephane | Method for depositing a hard protective coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0442469B2 (ja) | 1992-07-13 |
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