JPS6074426A - 光励起プロセス装置 - Google Patents
光励起プロセス装置Info
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- JPS6074426A JPS6074426A JP17927283A JP17927283A JPS6074426A JP S6074426 A JPS6074426 A JP S6074426A JP 17927283 A JP17927283 A JP 17927283A JP 17927283 A JP17927283 A JP 17927283A JP S6074426 A JPS6074426 A JP S6074426A
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- chamber
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光励起プロセス装置に関するものである。
祈忽、紹Ｔ、 ８ Ｔの金層と共にプロセス技術におい
ても、より基板損傷の少ない光励起プロセス（光励起Ｏ
ＶＤやエツチング）が要求されている。
ても、より基板損傷の少ない光励起プロセス（光励起Ｏ
ＶＤやエツチング）が要求されている。
このため、光励起プロセスの基礎研究が種々なされてお
９．装置としては例えばＨｇ−Ｘｅランゾやエキシマレ
ーザ−を光源として用い、光源からの光を適当な光学系
（ミラーやレンズ系）全弁して反応室へ導くように構成
されている。しかしながら、これらいずれの装置におい
ても光源は大気中にある。ところで一般に空気中の酸素
は柴外線を吸収してオゾンを発生することが知られてい
る。従って、光源全大気中に配置した構成のものでは、
光路中の酸素による光吸収が起るため、柴外光全反応室
内へ効率良く導入できず、そのため基板表面での反応速
度が遅く、プロセス装置として実用化できるまでに至っ
ていない。また反応室への導入用の光学窓に差圧が加わ
るため光照射面積を大きくできず、大きくすると光学窓
の厚みを増さなければならず、光透過率が悪くなる。従
って、大面積で基板反応を起させることは困難で必り、
基板の多数枚処理ができない。
９．装置としては例えばＨｇ−Ｘｅランゾやエキシマレ
ーザ−を光源として用い、光源からの光を適当な光学系
（ミラーやレンズ系）全弁して反応室へ導くように構成
されている。しかしながら、これらいずれの装置におい
ても光源は大気中にある。ところで一般に空気中の酸素
は柴外線を吸収してオゾンを発生することが知られてい
る。従って、光源全大気中に配置した構成のものでは、
光路中の酸素による光吸収が起るため、柴外光全反応室
内へ効率良く導入できず、そのため基板表面での反応速
度が遅く、プロセス装置として実用化できるまでに至っ
ていない。また反応室への導入用の光学窓に差圧が加わ
るため光照射面積を大きくできず、大きくすると光学窓
の厚みを増さなければならず、光透過率が悪くなる。従
って、大面積で基板反応を起させることは困難で必り、
基板の多数枚処理ができない。
そこで、この発明の目的は、上述のような従来の欠点や
問題点全解決して柴外から真空柴外にわたるエネルギー
の高い光を反応室内へ効率良く導入できしかも大＠な光
照射面積全可能にした光励起プロセス装置全提供するこ
とにある。
問題点全解決して柴外から真空柴外にわたるエネルギー
の高い光を反応室内へ効率良く導入できしかも大＠な光
照射面積全可能にした光励起プロセス装置全提供するこ
とにある。
この目的全達成するために、この発明による光励起プロ
セス装置は、高エネルギーの光を発生する高周波また（
、・よマイクロ波数７に装置金石し、この放電装置から
の放電光を、大気としゃ断された光路を通って反応室内
へ導入し、反応室内のガスを光分解させるように構）４
又したことを特徴としている。
セス装置は、高エネルギーの光を発生する高周波また（
、・よマイクロ波数７に装置金石し、この放電装置から
の放電光を、大気としゃ断された光路を通って反応室内
へ導入し、反応室内のガスを光分解させるように構）４
又したことを特徴としている。
以Ｆこの発明全添附図面全参照して幾つかの実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
全図面において同じ要素は同じ符号で示す。
第７図にはこの発明の第１実施例を示し、／は反応室で
、その内部に回転可能な基板ホルダーλが挿置されてお
シ、この基板ホルダーλ上に処理すべきウェハ基板３が
装着される。反応室／の上部にはベル型の高周波放電装
置グが結合されており、この高周波数電装：べ弘はベル
）ｉ、ｌ）、放電室オとその周囲に配置された画周波コ
イル２とから成り、放電室ｊｔよ放電ガス導入［コアを
備えている。反応室／と放電室３−との間には例λ−ｔ
Ｘ石英ガラスか１つ成る透過窓ｇが設けられている。Ｉ
力・尚芯どのＡ目）としては、一般には石英ガラスが用
いし７′１．／）が、代りにＯａＦ２ 、 ｌＶ４ ｇ
Ｆ２或いはザファイヤ′＝！Ｊ一台−用いることかで
きる。これらの窓（〕を用いた場けＶｃ （、ｉ、 、
１：９波長の短かい光を灰過きせることかＣさる。また
反応室／および放電部Ｓ（′Ｌはリークガス導入１」り
からそれぞれ自Ｎｂリーク弁ｉｏ、／／γ介し−Ｃリー
クガスが供給はれる。さらに第１ ｌ；４１ ＆ておい
で、／ −２ｉｊ 反応￥／へのプロセスガス導入１１
であり、／３ 、 ／４／−はそ〕し・ぞれ放放電ガス
導入」、プロセスガス」ＪＦ出口である。
、その内部に回転可能な基板ホルダーλが挿置されてお
シ、この基板ホルダーλ上に処理すべきウェハ基板３が
装着される。反応室／の上部にはベル型の高周波放電装
置グが結合されており、この高周波数電装：べ弘はベル
）ｉ、ｌ）、放電室オとその周囲に配置された画周波コ
イル２とから成り、放電室ｊｔよ放電ガス導入［コアを
備えている。反応室／と放電室３−との間には例λ−ｔ
Ｘ石英ガラスか１つ成る透過窓ｇが設けられている。Ｉ
力・尚芯どのＡ目）としては、一般には石英ガラスが用
いし７′１．／）が、代りにＯａＦ２ 、 ｌＶ４ ｇ
Ｆ２或いはザファイヤ′＝！Ｊ一台−用いることかで
きる。これらの窓（〕を用いた場けＶｃ （、ｉ、 、
１：９波長の短かい光を灰過きせることかＣさる。また
反応室／および放電部Ｓ（′Ｌはリークガス導入１」り
からそれぞれ自Ｎｂリーク弁ｉｏ、／／γ介し−Ｃリー
クガスが供給はれる。さらに第１ ｌ；４１ ＆ておい
で、／ −２ｉｊ 反応￥／へのプロセスガス導入１１
であり、／３ 、 ／４／−はそ〕し・ぞれ放放電ガス
導入」、プロセスガス」ＪＦ出口である。
このように４１イ成ｒることＶＣよって、放ｊｌ埴室ｊ
ｊ７ｉで高周波放電によって発生ネれた放ｄｆ、元は
反応菟／の実質的に全面にわたってひろがる秀【静態ｇ
４二通って大気に接触することなしに基４μボルダー！
上の多数の基板３の全域に照射される。
ｊ７ｉで高周波放電によって発生ネれた放ｄｆ、元は
反応菟／の実質的に全面にわたってひろがる秀【静態ｇ
４二通って大気に接触することなしに基４μボルダー！
上の多数の基板３の全域に照射される。
第１，３図にはこの発明の第２実施例金示し、この第ス
実施例は放′「こ装置弘の構造全除いて第１図に示す第
１実施例の場合と実質的に同じである。
実施例は放′「こ装置弘の構造全除いて第１図に示す第
１実施例の場合と実質的に同じである。
すなわち放電装置グは第３図の配置図で概略的に示すよ
うに五つの放電部／ｊ、／乙、／７．／ざ／りから成り
、それぞれ上端は放置ガス導入コアＶＣ連通し、−また
下端は共通の放′「ｄ室２Ｑに連通している。各放電部
（／夕〜／２）（はそれぞれ放′屯管状体（／！ａ〜／
９ａ）と、その周囲に配置、された高周波コイル（、／
ｊｂ〜／りｂ）と、この高周波コイルをじゃへいする筒
状７一ルド部材（／、５′ｃ〜１５ｉ’Ｃ）とから成っ
ている。
うに五つの放電部／ｊ、／乙、／７．／ざ／りから成り
、それぞれ上端は放置ガス導入コアＶＣ連通し、−また
下端は共通の放′「ｄ室２Ｑに連通している。各放電部
（／夕〜／２）（はそれぞれ放′屯管状体（／！ａ〜／
９ａ）と、その周囲に配置、された高周波コイル（、／
ｊｂ〜／りｂ）と、この高周波コイルをじゃへいする筒
状７一ルド部材（／、５′ｃ〜１５ｉ’Ｃ）とから成っ
ている。
第ｔ、３′図にはこの発明の第３実施例をボし、このＷ
Ｔ ３実施例では高周波放電装置ｙは第５図に示すよう
に円環状陽極２／とその中心に位置した円柱状陰極２２
とから成っており、両電極！／。
Ｔ ３実施例では高周波放電装置ｙは第５図に示すよう
に円環状陽極２／とその中心に位置した円柱状陰極２２
とから成っており、両電極！／。
２２は同角＼してない高周波電源に接続され、丑た両ｌ
ｌ１ｔｔ極間に両ボされた放電室−２３の下端は透過窓
ｇ？介して反応室／に結合されている。
ｌ１ｔｔ極間に両ボされた放電室−２３の下端は透過窓
ｇ？介して反応室／に結合されている。
例を示し、この実施例では第１〜ｊ図に示ず茜周波放電
の代！１ｌＶＣマイクロ波放市装置−２ｙが用いられ、
この装置はマイクロ波人カケ受けるｚＬＩ波６４＜ ２
よを有し、この導波管−２ｊからのマイクロ波は放′ｊ
ｉテガス導入ロアからの放電ガスと共に放７？＜ ＊、
−２乙内に導入され、マイクロ波数を起さぜ、ノ〃市光
を発生する。こうして発生された放電光ｔｊ、透過ｊ？
￥、ｔ’−１通って反応室／内の基板３の全域に照射さ
れイ〕。
の代！１ｌＶＣマイクロ波放市装置−２ｙが用いられ、
この装置はマイクロ波人カケ受けるｚＬＩ波６４＜ ２
よを有し、この導波管−２ｊからのマイクロ波は放′ｊ
ｉテガス導入ロアからの放電ガスと共に放７？＜ ＊、
−２乙内に導入され、マイクロ波数を起さぜ、ノ〃市光
を発生する。こうして発生された放電光ｔｊ、透過ｊ？
￥、ｔ’−１通って反応室／内の基板３の全域に照射さ
れイ〕。
第７．ｒ図には第ｊ実施例を示し、この実施例に第を図
に示すものの変形であり、分岐回路ケ備えた導波管−２
７が使用されているへ 第り図には第２実施例を示し、この実施ｉ’ＡＪでもマ
イクロ波放電装置が用いしれており、、２１１−Ｊ、導
波管であり、導波管−２ｇと放電室２ｚとの間に真空シ
ールされたマイクロ波窓２９が設けられており、寸だ３
０（ｒＪマグネットである。
に示すものの変形であり、分岐回路ケ備えた導波管−２
７が使用されているへ 第り図には第２実施例を示し、この実施ｉ’ＡＪでもマ
イクロ波放電装置が用いしれており、、２１１−Ｊ、導
波管であり、導波管−２ｇと放電室２ｚとの間に真空シ
ールされたマイクロ波窓２９が設けられており、寸だ３
０（ｒＪマグネットである。
上記穴つの図示実施ｊ９ＨＪにおいて自動リークｊｒ／
０ 。
０ 。
／／は光源と反応室ｌとの間に位置した透１１噴；心ｇ
に差圧が加わらないように連動１〜で作用ｒる。このよ
うに透過窓ＪｖＣ善［Ｆ充カｎ召ム７） ｌへｌ・Ｆ
Ｗ手１ことによって、透過窓Ｉｆ太きくしかも比較的薄
く構成できるので、反応室ｌ内の光照射面積？大きくで
きしかも良好な光透過率を保証することができる。
に差圧が加わらないように連動１〜で作用ｒる。このよ
うに透過窓ＪｖＣ善［Ｆ充カｎ召ム７） ｌへｌ・Ｆ
Ｗ手１ことによって、透過窓Ｉｆ太きくしかも比較的薄
く構成できるので、反応室ｌ内の光照射面積？大きくで
きしかも良好な光透過率を保証することができる。
また光源部の圧力は０．００ ／〜／ Ｔｏｒｒ伺近で
用いられ、一方反応室／の圧力は／ Ｏ’Ｔｏｒｒから
常圧まで適宜選定され伯る。
用いられ、一方反応室／の圧力は／ Ｏ’Ｔｏｒｒから
常圧まで適宜選定され伯る。
以上説明してきたようにこの発明によれば、高周波放電
またはマイクロ波放電により紫外から真空紫外にわたる
エネルギーの高い光を発生させ、これを従来のように大
気と接触させることなく効率良く反応室へ導入するよう
じ構成しているので、光分解の効率を高めることができ
、その結果基板反応が促進される。また光源部と反応室
との間に設けられた透過窓に差圧が加わらないように構
成したことにより透過窓を大きく取ることができ、従っ
て大面積のエツチングやＯＶＤ ’ｉ行かうことができ
る。
またはマイクロ波放電により紫外から真空紫外にわたる
エネルギーの高い光を発生させ、これを従来のように大
気と接触させることなく効率良く反応室へ導入するよう
じ構成しているので、光分解の効率を高めることができ
、その結果基板反応が促進される。また光源部と反応室
との間に設けられた透過窓に差圧が加わらないように構
成したことにより透過窓を大きく取ることができ、従っ
て大面積のエツチングやＯＶＤ ’ｉ行かうことができ
る。
従って、この発明の装置全利用することによって、基板
損傷の少ないＯＶＤやエツチングが可能となる。
損傷の少ないＯＶＤやエツチングが可能となる。
第１図はこの発明の第１実が、（例全庁す概１洛部分断
面図、第１図はこの発明の第λ実施例全丞す第１図と同
様な図、第３図は第一２１ン１に示す放電部の配（ロ）
Ｉ全庁す概略図、第７図はこの発明の第”′；！コアｉ
ｉ１例？示す概略部分断面図、第５図１は第Ｖ図に示す
放電πを極の配置を示す概略図、第６図（ζじこの発明
の第Ｖ実施例を示す概略部分断面図、第７図はこの発ゾ
］の第！実施例を示す概略部分断面図、第２図は第７図
の要ＨｆＢの配置をンＪ−す概略図、第７図はこの発１
．ｌＩ］の第６ブイ施例介示す４１）”（１略部分断面
図である。 図中、／：反応室、ｌ／−：高周波数［，１：装置Ｉ′
１″、ｇ：透過窓、２：リークガスタ！￥入口、１０．
／／ ：自動リーク弁、）４ｔ：マイクロ波数′ｆ程装
置。 第４図 第５図 第６図 第７図 第９図
面図、第１図はこの発明の第λ実施例全丞す第１図と同
様な図、第３図は第一２１ン１に示す放電部の配（ロ）
Ｉ全庁す概略図、第７図はこの発明の第”′；！コアｉ
ｉ１例？示す概略部分断面図、第５図１は第Ｖ図に示す
放電πを極の配置を示す概略図、第６図（ζじこの発明
の第Ｖ実施例を示す概略部分断面図、第７図はこの発ゾ
］の第！実施例を示す概略部分断面図、第２図は第７図
の要ＨｆＢの配置をンＪ−す概略図、第７図はこの発１
．ｌＩ］の第６ブイ施例介示す４１）”（１略部分断面
図である。 図中、／：反応室、ｌ／−：高周波数［，１：装置Ｉ′
１″、ｇ：透過窓、２：リークガスタ！￥入口、１０．
／／ ：自動リーク弁、）４ｔ：マイクロ波数′ｆ程装
置。 第４図 第５図 第６図 第７図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ａ 高エネルギーの光音発生する高周波またはマイクロ
波放電装置を有し、この放電装置からの放電光を、大気
としゃ断された光路全通って反応室内へ導入し、反応室
内のガス全党分解させるように構成したこと全特徴とす
る光励起プロセス装置。 λ、 高エネルギーの光を発生する高周波またはマイク
ロ波放電装置ヲ刹し、この放電装置から反応室へ通じる
光路に比較的大きな光導入窓を設け、また光導入窓の両
側や差圧の生じるのを防止する装置を有することを特徴
とする光励起プロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17927283A JPS6074426A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 光励起プロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17927283A JPS6074426A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 光励起プロセス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074426A true JPS6074426A (ja) | 1985-04-26 |
| JPH0241900B2 JPH0241900B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=16062937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17927283A Granted JPS6074426A (ja) | 1983-09-29 | 1983-09-29 | 光励起プロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074426A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106618A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学気相成長装置 |
| JPH01292811A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長方法及びその装置 |
| WO2007088817A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Limited | 光源装置、基板処理装置、基板処理方法 |
| JP2011054993A (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054172A (ja) * | 1973-08-22 | 1975-05-13 | ||
| JPS5482876A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Fluorescent lamp without electrode |
-
1983
- 1983-09-29 JP JP17927283A patent/JPS6074426A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5054172A (ja) * | 1973-08-22 | 1975-05-13 | ||
| JPS5482876A (en) * | 1977-12-15 | 1979-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | Fluorescent lamp without electrode |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62106618A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光化学気相成長装置 |
| JPH01292811A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 気相成長方法及びその装置 |
| JP2011054993A (ja) * | 1996-02-22 | 2011-03-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 誘導結合プラズマ・リアクタ |
| WO2007088817A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Limited | 光源装置、基板処理装置、基板処理方法 |
| JP2007207915A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 光源装置、基板処理装置、基板処理方法 |
| KR100945316B1 (ko) * | 2006-01-31 | 2010-03-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 광원 장치, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241900B2 (ja) | 1990-09-19 |
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