JPS62106618A - 光化学気相成長装置 - Google Patents
光化学気相成長装置Info
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- JPS62106618A JPS62106618A JP24782485A JP24782485A JPS62106618A JP S62106618 A JPS62106618 A JP S62106618A JP 24782485 A JP24782485 A JP 24782485A JP 24782485 A JP24782485 A JP 24782485A JP S62106618 A JPS62106618 A JP S62106618A
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- JP
- Japan
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- microwave
- vapor deposition
- light
- source chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光化学気相成長装置の光源部に関するもので
ある。
ある。
近年、半導体の薄膜形成手段として、基板へのダメージ
や損失となる不必要な電子、イオンの発生を伴なわない
光化学気相成長方法が提案されている。とりわけ反応ガ
スに直接的に働きかけることか可能な、エネルギーの高
い真空紫外光を用いｆこものか有望視されている。第５
図は例えば特開昭６０−７４４２６号公報に示された従
来の光化学気相成長装置を示す概略部分断面構成図であ
り図において、（１）は光化学気相成長により薄膜を形
成する反応室、（２）は基板ホルダー、（３）はウェハ
基板、（４）は放電ガス導入口、（５）は透過窓、（６
）はり−クガス導入口、 （６＋）、（６２ンは自動
リーク弁、（７）はプロセスガス導入口、（８）は放電
ガス排出口、（９）はプロセスガス排出口、 Ｑｌ）は
マイクロ波放電装置。
や損失となる不必要な電子、イオンの発生を伴なわない
光化学気相成長方法が提案されている。とりわけ反応ガ
スに直接的に働きかけることか可能な、エネルギーの高
い真空紫外光を用いｆこものか有望視されている。第５
図は例えば特開昭６０−７４４２６号公報に示された従
来の光化学気相成長装置を示す概略部分断面構成図であ
り図において、（１）は光化学気相成長により薄膜を形
成する反応室、（２）は基板ホルダー、（３）はウェハ
基板、（４）は放電ガス導入口、（５）は透過窓、（６
）はり−クガス導入口、 （６＋）、（６２ンは自動
リーク弁、（７）はプロセスガス導入口、（８）は放電
ガス排出口、（９）はプロセスガス排出口、 Ｑｌ）は
マイクロ波放電装置。
αＤは導波管、 ａａは放電室で、上記反応室に、放電
により発生する光を照射−釘る光源室である。
により発生する光を照射−釘る光源室である。
次に動作について説明する。放電ガス排出口（８）。
プロセスガス排出口（９）よりそれぞれ所定の圧力まで
排気された。放電室Ｑ３と反応室（１）は各々放電ガス
導入口（４）、プロセスガス導入口（７）から放電ガス
。
排気された。放電室Ｑ３と反応室（１）は各々放電ガス
導入口（４）、プロセスガス導入口（７）から放電ガス
。
プロセスガスが導入される。この状態で導波管［１）よ
り導かれ１こマイクロ波は、放電ガス導入口（４）より
放電室ｑ３に導入され、マイクロ波放電を生じさせ、放
電光を発生する。こうして発生サワた放電光は、透過窓
（５）を通って反応室内（１）の反応ガスを分解し、ウ
ェハ基板（３）に薄膜を形成させる。
り導かれ１こマイクロ波は、放電ガス導入口（４）より
放電室ｑ３に導入され、マイクロ波放電を生じさせ、放
電光を発生する。こうして発生サワた放電光は、透過窓
（５）を通って反応室内（１）の反応ガスを分解し、ウ
ェハ基板（３）に薄膜を形成させる。
従来の光化学気相成長装置は以りのように構成されてお
り、光源室全体をマイクロ波により放電発光させ真空紫
外光を発光させる構造とｆｓっているので、放電プラズ
マ中での自己吸収により外部に放射される真空紫外光が
減ぜられ、光強度の高い真空紫外光を発生させるごとが
むずかしく、また、光源室全体を均一に放電発光させる
ことは現実的に困難であつ１こ。すなわち、導波管αＤ
に配設された放電ガス導入口（４）近傍のマイクロ波電
界が。
り、光源室全体をマイクロ波により放電発光させ真空紫
外光を発光させる構造とｆｓっているので、放電プラズ
マ中での自己吸収により外部に放射される真空紫外光が
減ぜられ、光強度の高い真空紫外光を発生させるごとが
むずかしく、また、光源室全体を均一に放電発光させる
ことは現実的に困難であつ１こ。すなわち、導波管αＤ
に配設された放電ガス導入口（４）近傍のマイクロ波電
界が。
光源室αり内のそれと較べて強くなるため、放電ガス導
入口（４）近傍のみが放電発光することになる。
入口（４）近傍のみが放電発光することになる。
さらに特開昭６０−３８８１２号公報に示されるように
、導波管から放電ガス導入口を経て光源室に専びかれる
マイクロ波を光源室の外部より供給する構成のものも提
案されている。すなわち、光源室の外部にマイク口数共
振器を配設し光源室内全体をマイクロ波放電発光させる
構造となっている。この構成のものにおいても、マイク
口数共振器により、光源室内にマイクロ波電力を注入で
き１ことしても、マイクロ波電界を光源室内全体にわ１
こり均一に形成することができずその結果不均一な放電
発光となる。
、導波管から放電ガス導入口を経て光源室に専びかれる
マイクロ波を光源室の外部より供給する構成のものも提
案されている。すなわち、光源室の外部にマイク口数共
振器を配設し光源室内全体をマイクロ波放電発光させる
構造となっている。この構成のものにおいても、マイク
口数共振器により、光源室内にマイクロ波電力を注入で
き１ことしても、マイクロ波電界を光源室内全体にわ１
こり均一に形成することができずその結果不均一な放電
発光となる。
従来の光化学気相成長装置は、以とのように光源室全体
をマイクロ波により放電発光させ、真空紫外光線を発生
させているので、マイクロ波電力を効率良く放電発光に
寄与させる０とがむずかしく、ま１こ、光源室全体を均
一に放電発光させることは現実的に困難であり、基板ｔ
に速く、均質に薄膜形成できない問題点かあった。
をマイクロ波により放電発光させ、真空紫外光線を発生
させているので、マイクロ波電力を効率良く放電発光に
寄与させる０とがむずかしく、ま１こ、光源室全体を均
一に放電発光させることは現実的に困難であり、基板ｔ
に速く、均質に薄膜形成できない問題点かあった。
この発明は北記のような問題点を解消する１こめになさ
れたもので、基板への堆積速度が速く、均一に薄膜形成
できる光化学気相成長装置を得ることを目的とする。
れたもので、基板への堆積速度が速く、均一に薄膜形成
できる光化学気相成長装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決する１こめの手段〕
この発明に係る光化学気相成長装置は、光化学気相成長
により薄Ｉ換を形成する反応室、上記反応室に光を照射
する光源室、上記光源室に形成されたマイクロ波空胴共
振器、上記マイクロ波空胴共振器にマイクロ波を給電す
るマイクロ波給電手段。
により薄Ｉ換を形成する反応室、上記反応室に光を照射
する光源室、上記光源室に形成されたマイクロ波空胴共
振器、上記マイクロ波空胴共振器にマイクロ波を給電す
るマイクロ波給電手段。
及び丘記マイクロ波空胴共振器内に設けられ、Ｊ：。
化マイクロ波給電手段より給電されるマイクロ波により
放電発光する放電ランプを備え、上記光源室内圧力を上
記放電ランプの放電前の圧力より高くしたものである。
放電発光する放電ランプを備え、上記光源室内圧力を上
記放電ランプの放電前の圧力より高くしたものである。
この発明における光化学気相成長装置は、光源室内の圧
力を放電ランプの放電面の圧力より高くして光源室に形
Ｊ戊されたマイクロ波空胴共振器内に配設された放電ラ
ンプのみをマイクロ波放電発光させているので、光強度
の高い均一な真空紫外光線が得られる。
力を放電ランプの放電面の圧力より高くして光源室に形
Ｊ戊されたマイクロ波空胴共振器内に配設された放電ラ
ンプのみをマイクロ波放電発光させているので、光強度
の高い均一な真空紫外光線が得られる。
以下、乙の発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例による光化学気相成長装置を示
す断面構成図であり９図において。
図はこの発明の一実施例による光化学気相成長装置を示
す断面構成図であり９図において。
（１）は反応室、（３）はテーブル（２）に載置された
基板。
基板。
（４）は反応室（１）に反応ガスを入れるための反応ガ
ス尋人口、（５）は真空紫外光を透過する光透過窓、（
７）は光源室α４に置換ガスを等大するための置換ガス
尋人口、（８）は光源室ａ’ａを真空排気する光源室排
気口、（９）は反応室を所定の圧力まで排気する反応室
排気口、 ｆ１３は光源室Ｏｚ内に形成されたマイクロ
波空胴共振器（以下キャビティーと呼ぶ）で、椀形状で
あって内面が光を反射する空胴壁α！９（以下反射板上
記す）と、マイクロ波を遮断し、光を透過させる金属メ
ツシュ側で構成される。αｅはマイクロ波発振器で、マ
グネトロンであり、このマイクロ波発振器ｔｉｅと導波
管αυによりキャビティー＋１３にマイクロ波を給電す
るマイクロ波給電手段を構成する。σＤはキャビティー
α３内に設けられ、可電離媒体を封入した球形状の無電
極ランプである。
ス尋人口、（５）は真空紫外光を透過する光透過窓、（
７）は光源室α４に置換ガスを等大するための置換ガス
尋人口、（８）は光源室ａ’ａを真空排気する光源室排
気口、（９）は反応室を所定の圧力まで排気する反応室
排気口、 ｆ１３は光源室Ｏｚ内に形成されたマイクロ
波空胴共振器（以下キャビティーと呼ぶ）で、椀形状で
あって内面が光を反射する空胴壁α！９（以下反射板上
記す）と、マイクロ波を遮断し、光を透過させる金属メ
ツシュ側で構成される。αｅはマイクロ波発振器で、マ
グネトロンであり、このマイクロ波発振器ｔｉｅと導波
管αυによりキャビティー＋１３にマイクロ波を給電す
るマイクロ波給電手段を構成する。σＤはキャビティー
α３内に設けられ、可電離媒体を封入した球形状の無電
極ランプである。
以下動作について説明する。まず反応室（１）を反応室
排気口（９）から真空ポンプ（図示しない）により１０
ＪＴｏｒｒ）程度の圧力に真空排気する。次に反応
ガス導入口（７）から真空紫外光線により反応するガス
として例えばシランガスが入れられ、所定の圧力に設定
される。一方、光源室αりは光源室排気口（８）から真
空ポンプ（図示しない）により真空排気される。この時
光源室α２の圧力は、空気中の酸素による紫外光線の吸
収をなくす１こめ、１０−５（Ｔｏｒｒ）程度まで真空
排気される。排気か完了し１こならば光源室排気口（８
）を封じ（図示しない）た状態で置換ガス導入口（４）
より置換ガスとしてＨｅ等の希ガスあるいは窒素ガスを
導入する。この場合置換ガスによる光源室（ｌｚ内の圧
力は、キャビティーα４内に配設された無電極ランプａ
Ｄ内の放電面の圧力より高く設定される。
排気口（９）から真空ポンプ（図示しない）により１０
ＪＴｏｒｒ）程度の圧力に真空排気する。次に反応
ガス導入口（７）から真空紫外光線により反応するガス
として例えばシランガスが入れられ、所定の圧力に設定
される。一方、光源室αりは光源室排気口（８）から真
空ポンプ（図示しない）により真空排気される。この時
光源室α２の圧力は、空気中の酸素による紫外光線の吸
収をなくす１こめ、１０−５（Ｔｏｒｒ）程度まで真空
排気される。排気か完了し１こならば光源室排気口（８
）を封じ（図示しない）た状態で置換ガス導入口（４）
より置換ガスとしてＨｅ等の希ガスあるいは窒素ガスを
導入する。この場合置換ガスによる光源室（ｌｚ内の圧
力は、キャビティーα４内に配設された無電極ランプａ
Ｄ内の放電面の圧力より高く設定される。
以１の状態で、マイクロ波を発生するマグネトロンａ［
９へ電力を供給すれば（図示しない）、マイクロ波が発
生しマイクロ波が導波管内ｑυを伝ばんし、キャビティ
ーα３内に導ひかれる。このキャビティー１３は、金属
でできｆこ椀形の反射板α９と１反射板（ｌｓに取付ら
れた金属メツシュＩで構成され。
９へ電力を供給すれば（図示しない）、マイクロ波が発
生しマイクロ波が導波管内ｑυを伝ばんし、キャビティ
ーα３内に導ひかれる。このキャビティー１３は、金属
でできｆこ椀形の反射板α９と１反射板（ｌｓに取付ら
れた金属メツシュＩで構成され。
キャビティーα３内に配設された無電極ランプαＤにマ
イクロ波電力を効率よく注入すると同時に有効に真空紫
外光線を取り出す形状に選ばれる。したかつて反射板０
９は、マイクロ波の共振器としての機能と光反射板とし
ての配光制御機能を兼ねる形状で構成され、金属メツシ
ュ０４１は、キャビティーＤ内のマイクロ波をキャビテ
ィー外へ洩らすことなく紫外光線を透過させる１こめに
用いられる。さて、キャビティー０３内に導入されたマ
イクロ波は。
イクロ波電力を効率よく注入すると同時に有効に真空紫
外光線を取り出す形状に選ばれる。したかつて反射板０
９は、マイクロ波の共振器としての機能と光反射板とし
ての配光制御機能を兼ねる形状で構成され、金属メツシ
ュ０４１は、キャビティーＤ内のマイクロ波をキャビテ
ィー外へ洩らすことなく紫外光線を透過させる１こめに
用いられる。さて、キャビティー０３内に導入されたマ
イクロ波は。
面述のとおりキャビティー１３内の圧力すなわち光源室
α２内の圧力が、あらかじめ無電極ランプση内の放電
前圧力より高く設定されているので、キャビティー内の
雰囲気を放電させることなく無電極ランプαＤの可電離
媒体のみを放電発光させる。そして可電離媒体として水
銀を添加し、可電離媒体を封入するガラス材として合成
石英を用いれば１８５（ｎｍ）の真空紫外光線が得られ
、又ガラス材としてＬｉＦやＭｇＦ２を用い、可電離媒
体として希ガスを封入すれば、希ガスの共鳴線のさらに
波長の短い真空紫外光線か得られる。なお、前記無電極
ランプ（１７）を連続して放電発光させる場合は、放電
による無電極ランプの発熱をとりのぞくために、光源室
ａＺ内の圧力を置換ガスで大気圧にして無電極ランプを
風冷あるいは強制風合すればよい。次にマイクロ波放電
発光により得られた真空紫外光線は、その大部分が金属
メツシュα乃をとおりぬけ、光源室ａ２と反応室（１）
の間に設けられた透過窓（５）を透過して反応室（１）
内に照射される。この場合の透過窓（５）もＥ＋ｉ述し
た無電極ランプσＤのガラス材と同様に、真空紫外光線
の波長により９合成石英やＬｉＦ、 ＭｇＦ２が用いら
れる。照射された真空紫外光線は反応室＋１＋内の反応
ガスを反応させ。
α２内の圧力が、あらかじめ無電極ランプση内の放電
前圧力より高く設定されているので、キャビティー内の
雰囲気を放電させることなく無電極ランプαＤの可電離
媒体のみを放電発光させる。そして可電離媒体として水
銀を添加し、可電離媒体を封入するガラス材として合成
石英を用いれば１８５（ｎｍ）の真空紫外光線が得られ
、又ガラス材としてＬｉＦやＭｇＦ２を用い、可電離媒
体として希ガスを封入すれば、希ガスの共鳴線のさらに
波長の短い真空紫外光線か得られる。なお、前記無電極
ランプ（１７）を連続して放電発光させる場合は、放電
による無電極ランプの発熱をとりのぞくために、光源室
ａＺ内の圧力を置換ガスで大気圧にして無電極ランプを
風冷あるいは強制風合すればよい。次にマイクロ波放電
発光により得られた真空紫外光線は、その大部分が金属
メツシュα乃をとおりぬけ、光源室ａ２と反応室（１）
の間に設けられた透過窓（５）を透過して反応室（１）
内に照射される。この場合の透過窓（５）もＥ＋ｉ述し
た無電極ランプσＤのガラス材と同様に、真空紫外光線
の波長により９合成石英やＬｉＦ、 ＭｇＦ２が用いら
れる。照射された真空紫外光線は反応室＋１＋内の反応
ガスを反応させ。
その結果テーブル（２）に載置され１こ基板（３１ｋに
堆積物を形成させる。
堆積物を形成させる。
なお可電離媒体を封入した無電極ランプ（１７）の形状
を球形で示したが、照射面の形状・大きさに対応して管
形状にしてもよい。又、無電極ランプσηにマイクロ波
を注入するキャビティーａ３を金属でできた椀形の反射
板αコと金属メツシュα乃で構成したが、第２図に示す
様にキャビティー全体を円筒の金属メツシュＩで構成し
、その外側に光反射仮置を配置してもよい。この場合キ
ャビティーはマイクロ波共振器としての機能を満足すれ
ばよく配光制御機能を分離することかでき設計がたやす
い。
を球形で示したが、照射面の形状・大きさに対応して管
形状にしてもよい。又、無電極ランプσηにマイクロ波
を注入するキャビティーａ３を金属でできた椀形の反射
板αコと金属メツシュα乃で構成したが、第２図に示す
様にキャビティー全体を円筒の金属メツシュＩで構成し
、その外側に光反射仮置を配置してもよい。この場合キ
ャビティーはマイクロ波共振器としての機能を満足すれ
ばよく配光制御機能を分離することかでき設計がたやす
い。
さらに上記実施例では放電ランプαＤにマイクロ波を注
入するマイクロ波給電手段を光源室ａ３内に配設したか
、第３図に示す様にキャビティー側のみを光源室ｕ内に
配し、導波管ｑυとマグネトロンｕｅを光源室α２外に
配置する構成とし９導波管αυ内に大気を遮へいするた
めのマイクロ波透過材例えばアルミナセラミックからな
るシール板ｕ３を取付ければ、冷却を要するマグネトロ
ンｔｉｅを大気で動作させることができるので構成が簡
単になる。又。
入するマイクロ波給電手段を光源室ａ３内に配設したか
、第３図に示す様にキャビティー側のみを光源室ｕ内に
配し、導波管ｑυとマグネトロンｕｅを光源室α２外に
配置する構成とし９導波管αυ内に大気を遮へいするた
めのマイクロ波透過材例えばアルミナセラミックからな
るシール板ｕ３を取付ければ、冷却を要するマグネトロ
ンｔｉｅを大気で動作させることができるので構成が簡
単になる。又。
第４図に示すようにキャビティーａｌ内をキャビティー
排気口（８）より直接真空排気した後、置換ガス導入口
（４）より置換ガスを入れ、キャビティー＋１３内の圧
力を前記実施例と同様に放電ランプｒ１７）の放電面圧
力より高く設定してマイクロ波放電させる構成にしても
よい。この場合キャビティーｕ３が光源室αりを兼ねる
ことになり装置が小形になる。
排気口（８）より直接真空排気した後、置換ガス導入口
（４）より置換ガスを入れ、キャビティー＋１３内の圧
力を前記実施例と同様に放電ランプｒ１７）の放電面圧
力より高く設定してマイクロ波放電させる構成にしても
よい。この場合キャビティーｕ３が光源室αりを兼ねる
ことになり装置が小形になる。
以上のように、この発明によれば光化学気相成長装置を
光化学気相成長により薄膜を形成する反応室、上記反応
室に光を照射する光源室、上記光源室に形成されたマイ
クロ波空胴共振器、Ｊ：、記マイクロ波空胴共振器にマ
イクロ波を給電するマイクロ波給電手段、及び上記マイ
クロ波空胴共振器内に設けられ、を記マイクロ波給電手
段より給電されるマイクロ波により放電発光する放電ラ
ンプを備え、上記光源室内圧力か、Ｊ：、記放電ランプ
の放電ｎ１ｆの圧力より高くなるように構成しｔこので
。
光化学気相成長により薄膜を形成する反応室、上記反応
室に光を照射する光源室、上記光源室に形成されたマイ
クロ波空胴共振器、Ｊ：、記マイクロ波空胴共振器にマ
イクロ波を給電するマイクロ波給電手段、及び上記マイ
クロ波空胴共振器内に設けられ、を記マイクロ波給電手
段より給電されるマイクロ波により放電発光する放電ラ
ンプを備え、上記光源室内圧力か、Ｊ：、記放電ランプ
の放電ｎ１ｆの圧力より高くなるように構成しｔこので
。
光源室内を放電させることなく放電ランプだけを放電発
光でき、光強度の高い均一な真空紫外光線か得られ、そ
の結果堆積速度の速い膜質の良好な薄膜を形成できる効
果かある。
光でき、光強度の高い均一な真空紫外光線か得られ、そ
の結果堆積速度の速い膜質の良好な薄膜を形成できる効
果かある。
第１図はこの発明の一実施例による光化学気相成長装置
を示す概略断面構成図、第２図はこの発明の他の実施例
に係るマイクロ波空胴共振器を示す概略断面構成図、第
３図及び第４図は各々この発明の他の実施例による光化
学気相成長装置を示す概略断面構成図、並びに第５図は
従来の光化学気相成長装置を示す概略断面構成図である
。 （１）・・・反応室、αυ・・・導波管、α４・・・光
源室、Ｕ・・・マイクロ波空胴共振器、α４・・・金属
メツシュ、α９・・・空胴壁、 ｈｅ・・・マイクロ波
発振器、 ａｎ・・・放電ランプ。 α訃・・光反射板。 なお９図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
を示す概略断面構成図、第２図はこの発明の他の実施例
に係るマイクロ波空胴共振器を示す概略断面構成図、第
３図及び第４図は各々この発明の他の実施例による光化
学気相成長装置を示す概略断面構成図、並びに第５図は
従来の光化学気相成長装置を示す概略断面構成図である
。 （１）・・・反応室、αυ・・・導波管、α４・・・光
源室、Ｕ・・・マイクロ波空胴共振器、α４・・・金属
メツシュ、α９・・・空胴壁、 ｈｅ・・・マイクロ波
発振器、 ａｎ・・・放電ランプ。 α訃・・光反射板。 なお９図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (9)
- （１）光化学気相成長により薄膜を形成する反応室、上
記反応室に光を照射する光源室、上記光源室に形成され
たマイクロ波空胴共振器、上記マイクロ波空胴共振器に
マイクロ波を給電するマイクロ波給電手段、及び上記マ
イクロ波空胴共振器内に設けられ、上記マイクロ波給電
手段より給電されるマイクロ波により放電発光する放電
ランプを備え、上記光源室内圧力が、上記放電ランプの
放電前の圧力より高い光化学気相成長装置。 - （２）マイクロ波給電手段はマイクロ波発振器と導波管
で構成される特許請求の範囲第１項記載の光化学気相成
長装置。 - （３）マイクロ波空胴共振器は光源室内に設けた特許請
求の範囲第１項又は第２項記載の光化学気相成長装置。 - （４）マイクロ波給電手段は光源室内に設けた特許請求
の範囲第３項記載の光化学気相成長装置。 - （５）マイクロ波給電手段は光源室外に設けた特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の光化学気
相成長装置。 - （６）光源室はマイクロ波空胴共振器を兼ねる特許請求
の範囲第１項、又は第２項記載の光化学気相成長装置。 - （７）マイクロ波空胴共振器は、椀形状であつて内面が
光を反射する空胴壁と、マイクロ波を遮断し、光を透過
させる金属メッシュで構成される特許請求の範囲第１項
ないし第６項のいずれかに記載の光化学気相成長装置。 - （８）マイクロ波空胴共振器は、マイクロ波を遮断し、
光を透過させる金属メッシュで構成され、上記マイクロ
波空胴共振器の外部に光反射板を設けた特許請求の範囲
第１項ないし第５項のいずれかに記載の光化学気相成長
装置。 - （９）放電ランプは、可電離媒体を封入した無電極ラン
プである特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれか
に記載の光化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60247824A JPH07105347B2 (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 光化学気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60247824A JPH07105347B2 (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 光化学気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62106618A true JPS62106618A (ja) | 1987-05-18 |
| JPH07105347B2 JPH07105347B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17169208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60247824A Expired - Lifetime JPH07105347B2 (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 光化学気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105347B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006031650A2 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrodeless lamp for emitting ultraviolet and/or vacuum ultraviolet radiation |
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1985
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| JPH07105347B2 (ja) | 1995-11-13 |
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