JPS59193130A - 光助勢表面化学反応装置 - Google Patents
光助勢表面化学反応装置Info
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- JPS59193130A JPS59193130A JP6703483A JP6703483A JPS59193130A JP S59193130 A JPS59193130 A JP S59193130A JP 6703483 A JP6703483 A JP 6703483A JP 6703483 A JP6703483 A JP 6703483A JP S59193130 A JPS59193130 A JP S59193130A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/123—Ultra-violet light
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ＣＶＤ反応装置やプラズマエツチング反応
装置のような薄膜加工に用いられる気固相間表面化学反
応装置に関するものである。一層特にこの発明は放電管
の発生する遠紫外放射を用いて気固相間表面化学反応速
度を助勢する手段を備−えた表面化学反応装置に関する
。
装置のような薄膜加工に用いられる気固相間表面化学反
応装置に関するものである。一層特にこの発明は放電管
の発生する遠紫外放射を用いて気固相間表面化学反応速
度を助勢する手段を備−えた表面化学反応装置に関する
。
Ｔ、 Ｆ、 Ｄｅｕｔｃｈ、 Ｊ、 Ｃ，Ｃ，Ｆａｎ、
Ｇ、Ｗ、 Ｔｕｒｎｅｒ、 ’Ｒ，Ｌ。
Ｇ、Ｗ、 Ｔｕｒｎｅｒ、 ’Ｒ，Ｌ。
Ｃｈａｐｍａｎ、 Ｄ、 Ｊ、 Ｅｈｒｌｉｃｈおよび
Ｒ，Ｍ、 Ｏｓｇｏｏｄ、 Ｊ ｒ。
Ｒ，Ｍ、 Ｏｓｇｏｏｄ、 Ｊ ｒ。
によってＡｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ３８．
１４４ （１９８１） に教示されているように、最
近ではボロンやリンのような金属の付着（沈着）および
内拡散の助勢にエキシマ−レーザが用いられてきた。こ
れらの光子助勢ＣＶＤのうちのあるものにおいては、付
着反応に瞬時的な温度上昇（または非平衡の格子振動励
起）が伴なう可能性がある。しかし用いられる光子はコ
ヒーレントな放射場の光子である必要はない。化学反応
に有用な波長範囲の十分な光子束が比較的小さな立体角
内に存在ずれば十分である（表面化学反応を用いた薄膜
加工に方向性をもたせるためには１０−３ステラジアン
の立体角で十分である）０通常、気体レーザのエネルギ
輝度は、その立体角が１０−６ステラジアンに達するほ
ど小さいということだけで、放電光源のエネルギ輝度よ
り太きい。このことは、１０−３ステラジアン程度の方
向性をもった光子源として用いるには、気体レーザに用
いられた放電の方がその放電で形成されるレーザより有
効であることを意味している。
１４４ （１９８１） に教示されているように、最
近ではボロンやリンのような金属の付着（沈着）および
内拡散の助勢にエキシマ−レーザが用いられてきた。こ
れらの光子助勢ＣＶＤのうちのあるものにおいては、付
着反応に瞬時的な温度上昇（または非平衡の格子振動励
起）が伴なう可能性がある。しかし用いられる光子はコ
ヒーレントな放射場の光子である必要はない。化学反応
に有用な波長範囲の十分な光子束が比較的小さな立体角
内に存在ずれば十分である（表面化学反応を用いた薄膜
加工に方向性をもたせるためには１０−３ステラジアン
の立体角で十分である）０通常、気体レーザのエネルギ
輝度は、その立体角が１０−６ステラジアンに達するほ
ど小さいということだけで、放電光源のエネルギ輝度よ
り太きい。このことは、１０−３ステラジアン程度の方
向性をもった光子源として用いるには、気体レーザに用
いられた放電の方がその放電で形成されるレーザより有
効であることを意味している。
さらに現在の技術ではレーザ発光によって得られる光子
のエネルギは６ ｅｖ 以下に限られる。ところか、よ
シ高いエネルギの光子を必要とする多くの興味ある光化
学反応が存在する。
のエネルギは６ ｅｖ 以下に限られる。ところか、よ
シ高いエネルギの光子を必要とする多くの興味ある光化
学反応が存在する。
例えばアルゴンイオンレーザによって助勢されたｃｔ２
ガスによるシリコンのエツチングについてり、Ｊ、 Ｅ
ｈｒｌｉｃｈ、 Ｒ，Ｍ、 Ｏｓｇｏｏｄ Ｊｒ、およ
びＴ、Ｆ、 Ｄｅｕ−ｔｃｈによってＡｐｐｌ、 Ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ３８．１０１８（１９８１）に教
示されている。この例の場合においても、用いられたレ
ーザの高エネルギ密度に起因する局所的かつ瞬時的加熱
効果以外にはコヒーレンスの必要はない。
ガスによるシリコンのエツチングについてり、Ｊ、 Ｅ
ｈｒｌｉｃｈ、 Ｒ，Ｍ、 Ｏｓｇｏｏｄ Ｊｒ、およ
びＴ、Ｆ、 Ｄｅｕ−ｔｃｈによってＡｐｐｌ、 Ｐｈ
ｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ３８．１０１８（１９８１）に教
示されている。この例の場合においても、用いられたレ
ーザの高エネルギ密度に起因する局所的かつ瞬時的加熱
効果以外にはコヒーレンスの必要はない。
ところで放電を１０用した多くの遠紫外照射光源が知ら
れている。特に、Ｓ、 ＨＡＴＴＯＲＩおよびＴ、ＧＯ
ＴＯによってＪｏｕｒ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ３
９．５９９Ｂ （１９６Ｂ）に発赤すれたパルスアルゴ
ンイオンレーザに用いられている環状放電は７０ｎｍ〜
１１００ｎのスペクトル範囲において優れた遠紫外照射
光源である。上述の文献にはまた、アルゴン圧力を下げ
放霜：電流を増すと、Ａｒ（Ｉ）のスペクトル強度が減
少すると同時にＡｒ（Ｉ［） 、 Ａｒ（ＩＩＦ）のス
はクトル強度が増加するととも開示されている。このこ
とは１０”Ａ／σ２以上の一２流密度では放電における
イオン北本がきわめて高いことを意味している。
れている。特に、Ｓ、 ＨＡＴＴＯＲＩおよびＴ、ＧＯ
ＴＯによってＪｏｕｒ、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ３
９．５９９Ｂ （１９６Ｂ）に発赤すれたパルスアルゴ
ンイオンレーザに用いられている環状放電は７０ｎｍ〜
１１００ｎのスペクトル範囲において優れた遠紫外照射
光源である。上述の文献にはまた、アルゴン圧力を下げ
放霜：電流を増すと、Ａｒ（Ｉ）のスペクトル強度が減
少すると同時にＡｒ（Ｉ［） 、 Ａｒ（ＩＩＦ）のス
はクトル強度が増加するととも開示されている。このこ
とは１０”Ａ／σ２以上の一２流密度では放電における
イオン北本がきわめて高いことを意味している。
従って、この発明の目的は、パルス放電管で得られる遠
紫外放射を表面光化学付幅やエツチング反応用の光子源
として用いることにある。このため、イオン化率が高く
従って全イオン密反においで２価の名ガスイオンが和尚
な割合を占めている借存ガス圧中で市電流密度のパルス
放電が必要である。このような高電流密展のパルス放電
を得るためには、高電流密度に耐え得るカソード構造が
要求される。そこでこの発明による装置においては、高
周波無電極放電手段によって初期持続放電を得るように
した電磁誘導励起（１０’ｄΦ／ｄｔの電圧で励起）型
の環状放′単管が設けられる。
紫外放射を表面光化学付幅やエツチング反応用の光子源
として用いることにある。このため、イオン化率が高く
従って全イオン密反においで２価の名ガスイオンが和尚
な割合を占めている借存ガス圧中で市電流密度のパルス
放電が必要である。このような高電流密展のパルス放電
を得るためには、高電流密度に耐え得るカソード構造が
要求される。そこでこの発明による装置においては、高
周波無電極放電手段によって初期持続放電を得るように
した電磁誘導励起（１０’ｄΦ／ｄｔの電圧で励起）型
の環状放′単管が設けられる。
またこの発明は、微細加工技術にとって有用な光化学的
な付着またはエツチング反応に優れた方向性を与えるこ
とのでさるυ、エネルキ輝度光子源を実現することにあ
る。従ってこの発明においてはくびれだ直線状部分を備
え、この直線状部分内を元放射軸がのびまたこの光放射
釉上に化学反応容器に向って光子束を通す小さなオリフ
ィスを備えた扇状放電管が設けられる。これにょシ、光
化学反応の行なわれる基板表面において１０−２〜１ｏ
−６ステラジアンの十分な方向性をもつ光子束を得るこ
とができる。
な付着またはエツチング反応に優れた方向性を与えるこ
とのでさるυ、エネルキ輝度光子源を実現することにあ
る。従ってこの発明においてはくびれだ直線状部分を備
え、この直線状部分内を元放射軸がのびまたこの光放射
釉上に化学反応容器に向って光子束を通す小さなオリフ
ィスを備えた扇状放電管が設けられる。これにょシ、光
化学反応の行なわれる基板表面において１０−２〜１ｏ
−６ステラジアンの十分な方向性をもつ光子束を得るこ
とができる。
放電紫外光源および光化学反応容器はそれぞれ個有の最
適気体環状をもっている。特に、放電管中の遠紫外放射
は低イオン化エネルギ粒子の存在に敏感である。従って
この発明では光放射放電管の一端に、光放射放電管と反
応容器の両方に対して独立に排気できる中間気体容器が
設けられる。
適気体環状をもっている。特に、放電管中の遠紫外放射
は低イオン化エネルギ粒子の存在に敏感である。従って
この発明では光放射放電管の一端に、光放射放電管と反
応容器の両方に対して独立に排気できる中間気体容器が
設けられる。
この中間気体容器は光放射軸上の二つのオリフィスを介
して放電紫外光源と光化学反応容器とに連結される。
して放電紫外光源と光化学反応容器とに連結される。
またこの発明による光助勢表面化学反応装置は光化学付
着、光化学エツチング、光化学プラズマ刺着、または光
化学プラズマエツチングに用いるようにされる。
着、光化学エツチング、光化学プラズマ刺着、または光
化学プラズマエツチングに用いるようにされる。
以下この発明を、添附図面を参照して幾つかの実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第１図にはこの発明の光助勢表面化学反応装協を光助勢
ＣＶＤに片いた場合のこの発明の第１実施例を示す。
ＣＶＤに片いた場合のこの発明の第１実施例を示す。
直径０．６ｏｎ、長さ１０ｃＩｎの紫外光放射放電管１
直径１．６ｃｍの側方放電路２を備え、これにより環状
放電路を形成している。この環状放出１路の一部に対し
て弱い高周波放電を励起し維持するだめの外部電極３が
設けられておシ、この電極３にはブロック４で示すＲＦ
電源から周波数１３．５６ ＭＨｚの高周波出力が供給
される。光放射放電、管１と側方放電路２とから成る環
状放電路には断面私５０ ｃｍ２のパルス変圧器用コア
５が設けられておシ、このコア５には２巻回から成るコ
イル６が巻かれている。このコイル乙にはパルス電源７
から２０ ＤＡ。
直径１．６ｃｍの側方放電路２を備え、これにより環状
放電路を形成している。この環状放出１路の一部に対し
て弱い高周波放電を励起し維持するだめの外部電極３が
設けられておシ、この電極３にはブロック４で示すＲＦ
電源から周波数１３．５６ ＭＨｚの高周波出力が供給
される。光放射放電、管１と側方放電路２とから成る環
状放電路には断面私５０ ｃｍ２のパルス変圧器用コア
５が設けられておシ、このコア５には２巻回から成るコ
イル６が巻かれている。このコイル乙にはパルス電源７
から２０ ＤＡ。
ａｏｏｖの７セルス電圧が供給される。この７？：ルス
亀圧の持続時間およびパルス繰返し数はそれぞれ例えは
１５μｓ（３ミリボルト秒巻回）および５００ｐｐｓで
あシ倚る。
亀圧の持続時間およびパルス繰返し数はそれぞれ例えは
１５μｓ（３ミリボルト秒巻回）および５００ｐｐｓで
あシ倚る。
放電ガス例えばアルゴンは環状放電路に第１のガス人口
８を介して第１のガス容器９から供給さレル。この場合
アルゴンのガス圧は圧力計１０でモニタされ、そして第
１のマスフロー制御装置１１で制御される。
８を介して第１のガス容器９から供給さレル。この場合
アルゴンのガス圧は圧力計１０でモニタされ、そして第
１のマスフロー制御装置１１で制御される。
光放射放電管１はＡｒ（ＩＩ）スはクトル、６７．１
ｎｍ。
ｎｍ。
６７．２ ｎ１Ｔｌｌ ７１．８ ｎｍ、 ７２．３
ｎｍｌ ７２．６ ｎｍｌ ９２．０ ｎｍおよび９３
．２ｎｍの強い遠紫外放射を光放射ｎｔ１．ｌ＋ １２
の方向ＶＣ放出する。
ｎｍｌ ７２．６ ｎｍｌ ９２．０ ｎｍおよび９３
．２ｎｍの強い遠紫外放射を光放射ｎｔ１．ｌ＋ １２
の方向ＶＣ放出する。
光放射放電管１は光放射軸１２に涜って設けられた範１
のオリフィス１３を通って中間気体容器１４の一端に連
結されている。この中間気体容器１４の他端は反応容器
１５に０リングシール１６によシ密封挿置されている。
のオリフィス１３を通って中間気体容器１４の一端に連
結されている。この中間気体容器１４の他端は反応容器
１５に０リングシール１６によシ密封挿置されている。
光放射放・電管１からの紫外放射は第１のオリフィス１
５、中間気体容器１４および直径３■の第２のオリフィ
ス１７を通って反応容器１５内に導入される。
５、中間気体容器１４および直径３■の第２のオリフィ
ス１７を通って反応容器１５内に導入される。
反応器１５ｒｆｉ第１の回転真空ポンプ１８および拡散
ポンプ１９によって最初に排気され、そして第１の回転
真空ポンプ１８を用いて排気状態を維持して、第２のガ
ス人口２０を介して第２のガス容器２１から第２のマス
フロー制御装置２２によって制御されて供給されるメタ
クリル酸メチルの圧力をＯ５２Ｔｏｒｒの一定値に保つ
ようにする。
ポンプ１９によって最初に排気され、そして第１の回転
真空ポンプ１８を用いて排気状態を維持して、第２のガ
ス人口２０を介して第２のガス容器２１から第２のマス
フロー制御装置２２によって制御されて供給されるメタ
クリル酸メチルの圧力をＯ５２Ｔｏｒｒの一定値に保つ
ようにする。
光放射軸１２上で第２のオリフィス１７から１５６ｎの
位筋゛に設けられた基板台２乙に基板２４が装着される
０基板２４０表面はメタクリル酸メチルモノマー分子の
単分子膜でぬらされる。光放射放電管１からの光子束は
メタクリル酸メチルのラジカルを生成させ、このラジカ
ルによって上記モノマー分子の表面重合が始まる。こう
して基板２４上に形成されていくメタクリル龜メチルの
重合膜の厚さが増加していく。
位筋゛に設けられた基板台２乙に基板２４が装着される
０基板２４０表面はメタクリル酸メチルモノマー分子の
単分子膜でぬらされる。光放射放電管１からの光子束は
メタクリル酸メチルのラジカルを生成させ、このラジカ
ルによって上記モノマー分子の表面重合が始まる。こう
して基板２４上に形成されていくメタクリル龜メチルの
重合膜の厚さが増加していく。
また中間ガス容器１４は第２の回転真空ポンプ２５によ
って連続して釧“気され、反応容器１５内で発生するま
たはそこに油入される気体分子が光放射放電管１内に入
るのを阻止するようにされる。
って連続して釧“気され、反応容器１５内で発生するま
たはそこに油入される気体分子が光放射放電管１内に入
るのを阻止するようにされる。
光放射放電管１から後方に放出されるスはクトル成分の
うぢの一部は分光フィルタ２６を透過して光検出ダイオ
ード２７で検出され、そして指示器２８で表示され、こ
の指示器２８の出力信号は基板２４における表面化学反
応を制御するのに用いられ得る。
うぢの一部は分光フィルタ２６を透過して光検出ダイオ
ード２７で検出され、そして指示器２８で表示され、こ
の指示器２８の出力信号は基板２４における表面化学反
応を制御するのに用いられ得る。
第２図には光助・勢プラズマ化学刺着に用いた場合のこ
の発明の第２の実施例を示す。
の発明の第２の実施例を示す。
第２図において符号１〜２４で示される部分は第１図に
示すものと実質的に同じであシ、同じ機能をもっている
。
示すものと実質的に同じであシ、同じ機能をもっている
。
第２のガス容器２１内のシランガスは第２のマスフロー
制御装置２２の制御のもとで第２のガス人口２０を介し
て反応容器１５に供給される。
制御装置２２の制御のもとで第２のガス人口２０を介し
て反応容器１５に供給される。
反応容器１５には図示しだように反応用プラズマ管２９
が連結されておシ、このプラズマ管２９の周囲には高周
波コイル３０が設けられ、このコイル６０は周波数１３
．５６ ＭＨｚの高周波電流源６１に接続されている。
が連結されておシ、このプラズマ管２９の周囲には高周
波コイル３０が設けられ、このコイル６０は周波数１３
．５６ ＭＨｚの高周波電流源６１に接続されている。
従ってプラズマ管２９内において高周波電流源６１から
高周波電流の供給されるコイル′５０によって放電が励
起される。またこのプラズマ管’ ２９ ＩＣは第６の
ガス入口３２金介して第６のガス容器６６に蓄えられた
０２ガスが第６のマスフロー制御装置ろ４の制御のもと
で供給される。
高周波電流の供給されるコイル′５０によって放電が励
起される。またこのプラズマ管’ ２９ ＩＣは第６の
ガス入口３２金介して第６のガス容器６６に蓄えられた
０２ガスが第６のマスフロー制御装置ろ４の制御のもと
で供給される。
動作において、反応容器１５内の基板台２６に装着され
た基板２４０表面に生長したばかシの５ｉ０２膜に吸収
されるシラン分子は励起０２分子または励起Ｏ原子と反
応して５ｉ０２分子を作り、この５ｉ０２分子は続いて
基板２４上の５ｉ０７膜に取シ込まれる。このようにし
て基板２４上に形成される５ｉ０２ 膜の純度は光放
射放電４管１からの光子束によって著しく改善される。
た基板２４０表面に生長したばかシの５ｉ０２膜に吸収
されるシラン分子は励起０２分子または励起Ｏ原子と反
応して５ｉ０２分子を作り、この５ｉ０２分子は続いて
基板２４上の５ｉ０７膜に取シ込まれる。このようにし
て基板２４上に形成される５ｉ０２ 膜の純度は光放
射放電４管１からの光子束によって著しく改善される。
次に第６図を参照すると、光助勢プラズマエツチングに
用いた場合のこの発明の第６の実施例が示され、第１，
２図に相応した部分は同じ符号で示す。
用いた場合のこの発明の第６の実施例が示され、第１，
２図に相応した部分は同じ符号で示す。
周波数１５．５６ ＭＨｚ （Ｄ電流が高周波電源６１
から供給される高ＭＩＩ波コイル３０１／ｊよって内部
に放電の励起される反応用プラズマ管２９には、第６の
マスフロー制御装置６４によって制御された第６のガス
容器６６からの０２ガスと第４のマスフロー制御装置６
６によって制御された第４のガス容器′５５からのｃｔ
２ガスとの混合ガスが第６のガス人口６２を通って供給
される。
から供給される高ＭＩＩ波コイル３０１／ｊよって内部
に放電の励起される反応用プラズマ管２９には、第６の
マスフロー制御装置６４によって制御された第６のガス
容器６６からの０２ガスと第４のマスフロー制御装置６
６によって制御された第４のガス容器′５５からのｃｔ
２ガスとの混合ガスが第６のガス人口６２を通って供給
される。
光放射軸１２上で反応容器１５内に設けた基板台２５に
装着されたシリコンウェー・２４′の表面には最終的に
は５ｉＣ７４分子か作られ、これらの揮発性分子は基板
から飛び去シ、その結果ウエノ・はエツチングされるこ
とになる。詳しい化学反応様楢は不明ではあるが、光放
射放電管１からの紫外光子東によってＳｉ ウェハの
表面におけるＳｔ ＡＸ子の塩素化が著しく増強される
。
装着されたシリコンウェー・２４′の表面には最終的に
は５ｉＣ７４分子か作られ、これらの揮発性分子は基板
から飛び去シ、その結果ウエノ・はエツチングされるこ
とになる。詳しい化学反応様楢は不明ではあるが、光放
射放電管１からの紫外光子東によってＳｉ ウェハの
表面におけるＳｔ ＡＸ子の塩素化が著しく増強される
。
以上説明してきたこの発明の三つの実施例に示されるよ
うに、環状放電紫外光源を備えた表面化学反応装置は、
各種の反応ガス供給手段および各種の基板材料との組合
せによって反応ガスの動起種を作るだめの反応用プラズ
マ管のある場合およびない場合を含めて各種の付着また
はエツチング反応に用いることができる。また一層良好
な結果を得るため、基板加熱手段を組合せることもでき
る。
うに、環状放電紫外光源を備えた表面化学反応装置は、
各種の反応ガス供給手段および各種の基板材料との組合
せによって反応ガスの動起種を作るだめの反応用プラズ
マ管のある場合およびない場合を含めて各種の付着また
はエツチング反応に用いることができる。また一層良好
な結果を得るため、基板加熱手段を組合せることもでき
る。
また上述の環状放電紫外光子源は光放射軸方向に向けて
増勢された高いエネルギ輝度（単位立体角当りの光子束
）をもち、そして第２のオリフィスによって制限された
狭い光源面積をもつので、光放射軸方向に向って表面化
学反応に方向性を与えることができる。
増勢された高いエネルギ輝度（単位立体角当りの光子束
）をもち、そして第２のオリフィスによって制限された
狭い光源面積をもつので、光放射軸方向に向って表面化
学反応に方向性を与えることができる。
第１図は光助勢ＣＶＤに実施したこの発明の装置を示す
概略ブロック線図、第２図は光助勢プラズマ化学付着に
実施したこの発明の装置４を示す第１図と同様な図、第
６図は光助勢プラズマエツチングに実施したこの発明の
装置を示す第１図と同様な図である。 図中、１：光放射放電管、 ２：側方放電路。 ３：外部電極、 ４：高周波電源、 ５：コア。 ６：コイル、 ７：パルス電源、 ８：第１のガス入口
、 ｌｉｌのガス容器、 １４：中間気体容器、 １
５：反応容器、 ２４：基板。 ゛手続補正書（
方式） 昭和５８年５月２０日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第 ６７０３４ 号２、発明の
名称 光助勢表面化学反応装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許°出願人 住 所 愛知県愛知郡長久手町大字長鍬字武蔵塚４２の
１４、代理人
概略ブロック線図、第２図は光助勢プラズマ化学付着に
実施したこの発明の装置４を示す第１図と同様な図、第
６図は光助勢プラズマエツチングに実施したこの発明の
装置を示す第１図と同様な図である。 図中、１：光放射放電管、 ２：側方放電路。 ３：外部電極、 ４：高周波電源、 ５：コア。 ６：コイル、 ７：パルス電源、 ８：第１のガス入口
、 ｌｉｌのガス容器、 １４：中間気体容器、 １
５：反応容器、 ２４：基板。 ゛手続補正書（
方式） 昭和５８年５月２０日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第 ６７０３４ 号２、発明の
名称 光助勢表面化学反応装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許°出願人 住 所 愛知県愛知郡長久手町大字長鍬字武蔵塚４２の
１４、代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 内部に表面化学反応すべき基板を収容し、光化学
反応を行なうようにした化学反応容器と、初期持続放電
用の放電励起手段を備え上記化学反応容器内での光化学
反応に方向性を与える高エネルギ輝度の光子束を発生す
る電磁詞導励起型の光放射放電管装置とを治し、上記化
学反応容器内の気体分子が光放射放電管装置に入シ込む
のを阻止する装置を介して化学反応容器と光放射放電管
装置とを詰合したことを特徴とする光助勢表面化学反応
装置。 ２、光放射放電管装置が環状放電路と、この環状放電路
に対してパルス磁束を励起する電磁誌導励起装誇と、光
放出放電気体を供給する装イ簸とから成る特許請求の範
囲第１項に記載の装置。 五 化学反応容器内の気体分子が光放出放電気体ｆｆｆ
に入り込むのを阻止する装置が、上記化学反応容器と光
放射放電管装置との間に配置され上記光放射放電管装置
からの光放出放電気体と化学反応容器からの気体を排出
する手段を備えた中間気体容器から成る特許請求の範囲
第１項に記載の装置０ ４、 化学反応容器がその中の気圧を表面光化学反応に
適した値に保つ排気手段を備える特許請求の範囲第１項
に記載の装置。 ５、化学反応容器内で行なわれる表面光化学反応が固体
薄膜の付着反応である慣許り求の範囲第１項に記載の装
置。 ６、化学反応容器内での表面光化学反応が基板（９料の
一部をエツチングすることから成る特許請求の範囲８１
項に記載の装置。 Ｚ 化学反応容器が光化学プラズマ反応を行なうのに必
要なプラズマ装置を備える特許請求の範囲第１項に記載
の装置。 ８、光化学プラズマ反応が光化学プラズマ何泊である特
許請求の範囲第７項に記載の装置。 ９ 光化学プラズマ反応が光化学プラズマエツチングで
ある特許請求の範囲第７項に記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6703483A JPS59193130A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光助勢表面化学反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6703483A JPS59193130A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光助勢表面化学反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59193130A true JPS59193130A (ja) | 1984-11-01 |
| JPS6334779B2 JPS6334779B2 (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=13333180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6703483A Granted JPS59193130A (ja) | 1983-04-18 | 1983-04-18 | 光助勢表面化学反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59193130A (ja) |
-
1983
- 1983-04-18 JP JP6703483A patent/JPS59193130A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334779B2 (ja) | 1988-07-12 |
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