JPH04171720A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04171720A JPH04171720A JP29867490A JP29867490A JPH04171720A JP H04171720 A JPH04171720 A JP H04171720A JP 29867490 A JP29867490 A JP 29867490A JP 29867490 A JP29867490 A JP 29867490A JP H04171720 A JPH04171720 A JP H04171720A
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- Japan
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- microwave
- introduction window
- microwaves
- incidence
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Links
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Landscapes
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、さらに詳しくは半
導体製造装置におけるプラズマを利用したドライエツチ
ング装置の改良に関するものである。
導体製造装置におけるプラズマを利用したドライエツチ
ング装置の改良に関するものである。
従来例によるこの種のドライエツチング装置の概略構成
を第５図に示す。この図で、１は真空機密が保たれた反
応室、２はこの反応室１内に配置された基板ステージ、
３はこの基板ステージ２上に載置保持された半導体ウェ
ハ、４は前記反応室１の底面に設けられた排気路で、真
空ボノゴ（図示せず）を接続し反応室１内を真空排気す
る。また、反応室１上面にはエツチングガスを導入する
ガス導入路５が設けられている。６は前記反応室１の上
面に設けられた石英のマイクロ波導入窓で、マイクロ波
発生装置７から導波管８を介し伝搬されたマイクロ波を
反応室１内へ導入する。９は前記反応室１の外部に設け
られた磁場発生手段であるコイルであり、基板ステージ
２に載置された半導体ウェハ３面に垂直方向に磁界が発
生するように設計されている。
を第５図に示す。この図で、１は真空機密が保たれた反
応室、２はこの反応室１内に配置された基板ステージ、
３はこの基板ステージ２上に載置保持された半導体ウェ
ハ、４は前記反応室１の底面に設けられた排気路で、真
空ボノゴ（図示せず）を接続し反応室１内を真空排気す
る。また、反応室１上面にはエツチングガスを導入する
ガス導入路５が設けられている。６は前記反応室１の上
面に設けられた石英のマイクロ波導入窓で、マイクロ波
発生装置７から導波管８を介し伝搬されたマイクロ波を
反応室１内へ導入する。９は前記反応室１の外部に設け
られた磁場発生手段であるコイルであり、基板ステージ
２に載置された半導体ウェハ３面に垂直方向に磁界が発
生するように設計されている。
このように構成された装置においては、反応室１を真空
排気した後、ガス導入路５より所定流景のガスを流し、
所定の圧力者こするとともに、磁場とマイクロ波を導入
することによりプラズマを発生させ、エツチング処理を
施す。
排気した後、ガス導入路５より所定流景のガスを流し、
所定の圧力者こするとともに、磁場とマイクロ波を導入
することによりプラズマを発生させ、エツチング処理を
施す。
ととで、反応室１内へ導入されるマイクロ波電力の値は
、プラズマ生成に対し大きな影響を与え、通常マイクロ
波電力の増加に従いプラズマ密度が高くなり、エツチン
グ性能では同様にエツチングレートが増加する。そこで
、エラチングレー）−を高くするにはマイクロ波電力を
大きくすれば良いことになるが、実際にはマイクロ波発
生装置７から導波管８内の空間を伝搬されてくるマイク
ロ波は、比誘電率の異なる石英製のマイクロ波導入窓６
面において伺割かは第６図に示すように反射され、電力
が損失される。そのため、マイクロ波発生装Ｍ７からの
マイクロ波電力を増加させてもエツチングレートの増加
が少なく、つまり反応室１内へ導入するマイクロ波の入
射効率が悪いという不具合があった。
、プラズマ生成に対し大きな影響を与え、通常マイクロ
波電力の増加に従いプラズマ密度が高くなり、エツチン
グ性能では同様にエツチングレートが増加する。そこで
、エラチングレー）−を高くするにはマイクロ波電力を
大きくすれば良いことになるが、実際にはマイクロ波発
生装置７から導波管８内の空間を伝搬されてくるマイク
ロ波は、比誘電率の異なる石英製のマイクロ波導入窓６
面において伺割かは第６図に示すように反射され、電力
が損失される。そのため、マイクロ波発生装Ｍ７からの
マイクロ波電力を増加させてもエツチングレートの増加
が少なく、つまり反応室１内へ導入するマイクロ波の入
射効率が悪いという不具合があった。
［発明が解決しようとする課題］
このように従来例によるドライエ・ソチング装置におい
ては、マイクロ波発生装置７から導波管８内へ伝搬され
てくるマイクロ波がマイクロ波導入窓６血で何割かが反
射され、反応室１内への入射効率が悪いため、エツチン
グ処理（こ悪影響を与えていた。
ては、マイクロ波発生装置７から導波管８内へ伝搬され
てくるマイクロ波がマイクロ波導入窓６血で何割かが反
射され、反応室１内への入射効率が悪いため、エツチン
グ処理（こ悪影響を与えていた。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、マイクロ波導入窓面てのマイクロ波の反射
を少なくした半導体製造装置を得ることを目的とするも
のである。
れたもので、マイクロ波導入窓面てのマイクロ波の反射
を少なくした半導体製造装置を得ることを目的とするも
のである。
この発明に係る半導体製造装置は、マイクロ波導入窓の
マイクロ波入射面の形状を、マイクロ波入射面に入射し
たマイクロ波の反射波の位相をそれぞれずらして互いに
打ち消し合う形状としたものである。
マイクロ波入射面の形状を、マイクロ波入射面に入射し
たマイクロ波の反射波の位相をそれぞれずらして互いに
打ち消し合う形状としたものである。
この発明においては、マイクロ波の反射波が互いに打ち
消されるので、反応室内へ導入されるマイクロ波の入射
効率を向上させることができる。
消されるので、反応室内へ導入されるマイクロ波の入射
効率を向上させることができる。
以下、この発明に係る半導体製造装置、例えばドライエ
ツチング装置の一実施例を図面について説明する。
ツチング装置の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を適用（７たドライエツチ
ング装置の概略構成図である。この図において、１〜９
は第５図、第６図に示したものと同一部分を示す。６ａ
は底面がマイクロ波入射軸方向に対し垂直であり、マイ
クロ波入射面である上面が底面に対し数度傾けた傾斜面
を有する形状のマイクロ波導入窓である。
ング装置の概略構成図である。この図において、１〜９
は第５図、第６図に示したものと同一部分を示す。６ａ
は底面がマイクロ波入射軸方向に対し垂直であり、マイ
クロ波入射面である上面が底面に対し数度傾けた傾斜面
を有する形状のマイクロ波導入窓である。
第２図は、第１図のマイクロ波入射窓６ａ部分の拡大断
面図で、動作を説明するために示したモデル図である。
面図で、動作を説明するために示したモデル図である。
さて、上記のようぜζ構成されたマイクロ波導入窓６ａ
にあっては、導波管８内を伝搬してきた入射マイクロ波
Ａ、Ｂは反射波Ａ’ 、Ｂ’が光と同様に垂直軸に対し
傾き量αの方向に反射する。このとき反射波Ａ’ 、Ｂ
’は位相がずれ、このずれが１／２波長ずれた時に反射
波Ａ’ 、Ｂ’は互いに打ち消し合い、反射波Ａ’ 、
Ｂ’はな（なる。
にあっては、導波管８内を伝搬してきた入射マイクロ波
Ａ、Ｂは反射波Ａ’ 、Ｂ’が光と同様に垂直軸に対し
傾き量αの方向に反射する。このとき反射波Ａ’ 、Ｂ
’は位相がずれ、このずれが１／２波長ずれた時に反射
波Ａ’ 、Ｂ’は互いに打ち消し合い、反射波Ａ’ 、
Ｂ’はな（なる。
すなわち、従来の平面形状のマイクロ波入射窓６と較へ
ると反射を大きく減しることができ、反応室１への入射
効率向上が図れるわ 第３図（よこの発明の他の実施例を示し、６ｈは底面が
マイクロ波入射軸方向に対し垂直であり、マイクロ波入
射面である上面が円錐形状になっているマイクロ波導入
窓である１、この実施例においても、第１図の実施例と
同様に入射面が傾いているので、反射波の位相がずれ、
互いに打ち消（７合うことにより反射波を減じることが
できる。
ると反射を大きく減しることができ、反応室１への入射
効率向上が図れるわ 第３図（よこの発明の他の実施例を示し、６ｈは底面が
マイクロ波入射軸方向に対し垂直であり、マイクロ波入
射面である上面が円錐形状になっているマイクロ波導入
窓である１、この実施例においても、第１図の実施例と
同様に入射面が傾いているので、反射波の位相がずれ、
互いに打ち消（７合うことにより反射波を減じることが
できる。
第４図はこの発明のさらに他の実施例を示し、６Ｃは底
面がマイクロ波入射軸方向に対し垂直であり、マイクロ
波入射面である上面の半面を互いに軸方向にマイクロ波
の１７４波長だけずらした形状としたマイクロ波導入窓
である。このマイクロ波導入窓６Ｃによると、各入射面
での反射波の位相が１／２波長ずれるため、互い【ζ打
ち消１７合うことになり、反射波を減じることができる
、。
面がマイクロ波入射軸方向に対し垂直であり、マイクロ
波入射面である上面の半面を互いに軸方向にマイクロ波
の１７４波長だけずらした形状としたマイクロ波導入窓
である。このマイクロ波導入窓６Ｃによると、各入射面
での反射波の位相が１／２波長ずれるため、互い【ζ打
ち消１７合うことになり、反射波を減じることができる
、。
なお、上記実施例に示したマイクロ波導入窓を、上面と
底面反対に取り付けても上記実施例と同様の効果が得ら
れる。
底面反対に取り付けても上記実施例と同様の効果が得ら
れる。
また、上記実施例ではドライエツチング装置について説
明したが、プラズマＣＶＤ装置に適用しても同様の効果
が得られる。
明したが、プラズマＣＶＤ装置に適用しても同様の効果
が得られる。
以上説明したように、この発明は、マイクロ波導入窓の
マイクロ波入射面の形状を、マイクロ波入射面に入射し
たマイクロ波の反射波の位相をそれぞれずらして互いに
打ち消し合う形状としたので、反射波を大きく減少させ
る乙とができ、反応 。
マイクロ波入射面の形状を、マイクロ波入射面に入射し
たマイクロ波の反射波の位相をそれぞれずらして互いに
打ち消し合う形状としたので、反射波を大きく減少させ
る乙とができ、反応 。
室内へのマイクロ波の入射効率が高くなる。このため、
高密度のプラズマが生成でき、エツチングレートが著し
く向上するという優れた特徴を有するものである。
高密度のプラズマが生成でき、エツチングレートが著し
く向上するという優れた特徴を有するものである。
゛ 第１図はこの発明に係るドライエツチング装置の一
実施例を示す概要構成図、第２図はマイクロ波の伝搬を
示したモデル図、第３図、第４図はそれぞれこの発明の
他の実施例を示す要部の断面図、第５図、第６図はドラ
イエツチング装置の従来例を示す概要構成図である。 図において、１は反応室、２は基板ステージ、３は半導
体ウェハ、４は排気路、５はガス導入路、６ａ〜６Ｃは
マイクロ波導入窓、７はマイクロ波発生装置、８は導波
管、９はコイルである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第３図 ６ｂ：マイクロ液導入他・ 第５図 第４図 ６Ｃ：１イクｃ７ｉｐ、べ侶・・ 第６図
実施例を示す概要構成図、第２図はマイクロ波の伝搬を
示したモデル図、第３図、第４図はそれぞれこの発明の
他の実施例を示す要部の断面図、第５図、第６図はドラ
イエツチング装置の従来例を示す概要構成図である。 図において、１は反応室、２は基板ステージ、３は半導
体ウェハ、４は排気路、５はガス導入路、６ａ〜６Ｃは
マイクロ波導入窓、７はマイクロ波発生装置、８は導波
管、９はコイルである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第３図 ６ｂ：マイクロ液導入他・ 第５図 第４図 ６Ｃ：１イクｃ７ｉｐ、べ侶・・ 第６図
Claims (1)
- マイクロ波発生装置と、このマイクロ波発生装置と導
波管とマイクロ波導入窓とを介して連結された反応室と
、この反応室の外側に配設された磁場発生手段とからな
り、前記反応室内に配設された基板ステージを有し、前
記磁場発生手段による磁場と前記マイクロ波発生装置に
よるマイクロ波とが印加される前記反応室内で放電ガス
をプラズマ化して、前記基板ステージに載置保持された
基板を処理する半導体製造装置において、前記マイクロ
波導入窓のマイクロ波入射面の形状を、前記マイクロ波
入射面に入射したマイクロ波の反射波の位相をそれぞれ
ずらして互いに打ち消し合う形状としたことを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29867490A JPH04171720A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29867490A JPH04171720A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171720A true JPH04171720A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17862805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29867490A Pending JPH04171720A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669161A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5306985A (en) * | 1992-07-17 | 1994-04-26 | Sematech, Inc. | ECR apparatus with magnetic coil for plasma refractive index control |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29867490A patent/JPH04171720A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306985A (en) * | 1992-07-17 | 1994-04-26 | Sematech, Inc. | ECR apparatus with magnetic coil for plasma refractive index control |
| US5466991A (en) * | 1992-07-17 | 1995-11-14 | Sematech, Inc. | Optimized ECR plasma apparatus with varied microwave window thickness |
| JPH0669161A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
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