JPS6071942A - ガスセンサ構成材料の製法 - Google Patents
ガスセンサ構成材料の製法Info
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- JPS6071942A JPS6071942A JP59179474A JP17947484A JPS6071942A JP S6071942 A JPS6071942 A JP S6071942A JP 59179474 A JP59179474 A JP 59179474A JP 17947484 A JP17947484 A JP 17947484A JP S6071942 A JPS6071942 A JP S6071942A
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- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、実質的に少くとも7つの金属酸化法に関する
。
。
従′来技術
それらを調製するための材料および方法は既知のもので
ある。金属酸化物からなるn−型半導体はその表面で還
元ないし酸化性ガスを吸収し、その結果電気抵抗の変化
が起ることは既に長い間知られている。還元ないし酸化
性ガスに対する感度を高くするため成る種の触媒を加え
−tt>4f ることも行われてきた。この様にガス侠俸用物質の製造
方法は1例えばドイツ特許第 、2. ll2g、 ’I!;g 、/97j年/月年
目12日言えばその材料は基材として二酸化錫、触媒と
して白金を含有している。更にパラジウムは金属触媒と
して考慮され、酸化銅ω)又は酸化ニッケル(II)は
金属酸化物触媒として考えられている。
ある。金属酸化物からなるn−型半導体はその表面で還
元ないし酸化性ガスを吸収し、その結果電気抵抗の変化
が起ることは既に長い間知られている。還元ないし酸化
性ガスに対する感度を高くするため成る種の触媒を加え
−tt>4f ることも行われてきた。この様にガス侠俸用物質の製造
方法は1例えばドイツ特許第 、2. ll2g、 ’I!;g 、/97j年/月年
目12日言えばその材料は基材として二酸化錫、触媒と
して白金を含有している。更にパラジウムは金属触媒と
して考慮され、酸化銅ω)又は酸化ニッケル(II)は
金属酸化物触媒として考えられている。
公知の方法によれば、基材は、貴金属の塩類とその同類
1例えば6塩化白金酸又はダ塩化パラジウム酸ジナトリ
ウムの溶液、或は銅又はニッケルの塩類とその同類1例
えば塩化鋼又は硝酸ニッケルなどの溶液により金属酸化
物粉を含浸させ、乾燥、加熱して単独でドープ化させる
。
1例えば6塩化白金酸又はダ塩化パラジウム酸ジナトリ
ウムの溶液、或は銅又はニッケルの塩類とその同類1例
えば塩化鋼又は硝酸ニッケルなどの溶液により金属酸化
物粉を含浸させ、乾燥、加熱して単独でドープ化させる
。
乾燥過程で金属塩は小さな結晶の形で析出し、加熱中に
金属塩は分解して貴金属、白金又はパラジウムは金属の
形で、一方銅又はニッケルは金属酸化物の形で残留する
。
金属塩は分解して貴金属、白金又はパラジウムは金属の
形で、一方銅又はニッケルは金属酸化物の形で残留する
。
金属又は金属酸化物の粒子の直径は/θ−200nmの
範囲にある。乾燥中金属酸化物粉体上で局部的な溶液の
゛濃縮度の差が大きくでるので。
範囲にある。乾燥中金属酸化物粉体上で局部的な溶液の
゛濃縮度の差が大きくでるので。
部分的な分布状態は均一ではない。
発明が解決しようとする問題点
違った多様な感度となる。更にこの方法の欠点は、金属
塩の陰イオン又は金属錯化合物とその同類1例えば塩素
又は硝酸イオンが金属酸化物の空孔に結合し金属酸化物
粉の電気伝導度をこ制御できない程の影響を及ぼすこと
である。これに伴い個々の品の感度の間に変差を生ずる
結果となる。
塩の陰イオン又は金属錯化合物とその同類1例えば塩素
又は硝酸イオンが金属酸化物の空孔に結合し金属酸化物
粉の電気伝導度をこ制御できない程の影響を及ぼすこと
である。これに伴い個々の品の感度の間に変差を生ずる
結果となる。
いま述べた影響を少くとも一部でも減小させるには、前
記の陰イオンを駆送するのに、準備段階で金属酸化物を
少くとも40θ0−10θo ”0まで加熱する。然し
、斯かる高温で、金属酸化特許第1A3A2743号、
/91r:2年7.2月7日認可では金属とその酸化物
を、酸素を含む雰囲気中、減圧で蒸発させ絶縁物上に7
ないし数/ Onmの範囲の粒径の粒子の層をつくり、
これに電極をつけている。然しこの方法で得たガス諭ミ
ート用材料は、機械的強度が弱い。例えば二酸化錫から
なる酸化物に触媒としてパラジウムを添加しようとする
時、触媒を均一に分布させることはできず、多数の別個
の層として析出する。
記の陰イオンを駆送するのに、準備段階で金属酸化物を
少くとも40θ0−10θo ”0まで加熱する。然し
、斯かる高温で、金属酸化特許第1A3A2743号、
/91r:2年7.2月7日認可では金属とその酸化物
を、酸素を含む雰囲気中、減圧で蒸発させ絶縁物上に7
ないし数/ Onmの範囲の粒径の粒子の層をつくり、
これに電極をつけている。然しこの方法で得たガス諭ミ
ート用材料は、機械的強度が弱い。例えば二酸化錫から
なる酸化物に触媒としてパラジウムを添加しようとする
時、触媒を均一に分布させることはできず、多数の別個
の層として析出する。
金属酸化物粉上に金属を光化学的に析出させる方法が米
国特許第11.:tA41.l12/号、/9g7年ヶ
月2g日認可に記載され、触媒粉体の製造に利用されて
いる。その方法では酢酸イオンを使い。
国特許第11.:tA41.l12/号、/9g7年ヶ
月2g日認可に記載され、触媒粉体の製造に利用されて
いる。その方法では酢酸イオンを使い。
金属の析出を有効に行うのに反応温度を10℃まで上げ
ている。
ている。
以下更に述べる本発明による方法は基本的に前記米国特
許第1A、2A41.’1.2/号による公知の方法と
は異るものである。
許第1A、2A41.’1.2/号による公知の方法と
は異るものである。
問題点を解決するための手段
溶液中に懸濁させた金属酸化物粉に代えて。
本発明による方法は金属酸化物、金属酸化物の水和物又
は金属の水酸化物のコロイド溶液を用い、溶液を金属塩
の溶液と混合して、混合した溶液に照射する一方法であ
る。
は金属の水酸化物のコロイド溶液を用い、溶液を金属塩
の溶液と混合して、混合した溶液に照射する一方法であ
る。
光化学反応は室温ないしそれ以下で行う。照射したコロ
イド溶液の凝集は避けられる。米国特許第’1.:1A
II、4!l/号ζこよる効率的光化学反応をさせる酢
酸イオンはコロイド溶液を凝集させる。
イド溶液の凝集は避けられる。米国特許第’1.:1A
II、4!l/号ζこよる効率的光化学反応をさせる酢
酸イオンはコロイド溶液を凝集させる。
従って、光化学反応を促進させるには1本発明による方
法で以下更に述べるように、酢酸イオンを加えず、アル
コール、ケトン又はその他の還元剤を用いる。これらは
酸化中にイオン性生成物を発生せず又、照射したコロイ
ド溶液が殆んど凝集しない程度まで溶液中の水素イオン
濃度を変化させない。この米国特許第6:16号47−
7号に対して、本発明による方法の中の紫外線又は可視
光線による混合物の照射後は懸濁液はなくなり真のコロ
イド溶液になる。この溶液は固体を経て金属酸化物ゲル
の大きな断片番と加工される。米国特許第1A2tqy
si号に記載の様に金属酸化物懸濁物から出発するとき
は、どんな場要である。前記の溶液は凍結゛乾燥され微
細な粉体の形にもなる。この粉体は照射した溶液のコロ
イド粒子からなり、米国特許第各コA@4t、2/号で
用いられた金属酸化物粒子より遥に小さい粒径である。
法で以下更に述べるように、酢酸イオンを加えず、アル
コール、ケトン又はその他の還元剤を用いる。これらは
酸化中にイオン性生成物を発生せず又、照射したコロイ
ド溶液が殆んど凝集しない程度まで溶液中の水素イオン
濃度を変化させない。この米国特許第6:16号47−
7号に対して、本発明による方法の中の紫外線又は可視
光線による混合物の照射後は懸濁液はなくなり真のコロ
イド溶液になる。この溶液は固体を経て金属酸化物ゲル
の大きな断片番と加工される。米国特許第1A2tqy
si号に記載の様に金属酸化物懸濁物から出発するとき
は、どんな場要である。前記の溶液は凍結゛乾燥され微
細な粉体の形にもなる。この粉体は照射した溶液のコロ
イド粒子からなり、米国特許第各コA@4t、2/号で
用いられた金属酸化物粒子より遥に小さい粒径である。
非常に小さな金属酸化物粒子が用いられたときのみ、こ
\に記載の独特な品質のガ七′−ブ ス検句嗜が最終的に作れる。
\に記載の独特な品質のガ七′−ブ ス検句嗜が最終的に作れる。
更に、そして再び米国特許第1Aコ4@4!、2/号に
対して、照射中、光で混合物は無色に変らず。
対して、照射中、光で混合物は無色に変らず。
一般に深い黒色となる。その理由は析出した金属が極め
て微細に分布しコロイド状金属酸化物上に極めて微細に
析出したからである。
て微細に分布しコロイド状金属酸化物上に極めて微細に
析出したからである。
従って、前記のことから本発明の第1の目的は、実質的
に少くとも7つの金属酸化物と、少くとも1つの触媒添
加物とからなるガス晶用構成材料を製造する、新しくか
つ改良した方t>f 法を提供することで、ガス僑無社に用いられた現在まで
の材料の欠点を除き、特に実質的に均一な感度をも゛つ
ガス晶の生産を可能にすることにある。
に少くとも7つの金属酸化物と、少くとも1つの触媒添
加物とからなるガス晶用構成材料を製造する、新しくか
つ改良した方t>f 法を提供することで、ガス僑無社に用いられた現在まで
の材料の欠点を除き、特に実質的に均一な感度をも゛つ
ガス晶の生産を可能にすることにある。
本発明の他のそして更に特別な目的は、実質気侭導度の
バラツキを除いた新しくかつ改良した方法を提供すると
とlこある。
バラツキを除いた新しくかつ改良した方法を提供すると
とlこある。
更にまた1本発明の重要な目的は、実質的に製造で、金
属酸化物素材の準備の過程で、乾燥中に多孔度が減少す
るため、加熱を避けるが感度が低下しない程度に加熱を
緩和する。新しくかつ改良した方法を提供することにあ
る。
属酸化物素材の準備の過程で、乾燥中に多孔度が減少す
るため、加熱を避けるが感度が低下しない程度に加熱を
緩和する。新しくかつ改良した方法を提供することにあ
る。
本発明の他のもう7つの重要な目的は、実質的に少くと
もlっの金属酸化物と、少くとも/構成材料を作るのl
こ、ガーヨ剪設備中での電流消費を軽減するため、室温
ないしそれよりゃ\高い温度で行う方法を提供するにあ
る。記述を続けて更に容易に明白になる本発明のこれら
の目的およびそれに加わる目的を遂行するのに。
もlっの金属酸化物と、少くとも/構成材料を作るのl
こ、ガーヨ剪設備中での電流消費を軽減するため、室温
ないしそれよりゃ\高い温度で行う方法を提供するにあ
る。記述を続けて更に容易に明白になる本発明のこれら
の目的およびそれに加わる目的を遂行するのに。
本発明の方法は1元素周期律表の1 b 、 II a
rllb、111a、I[Ib、IVa、lVb、V
a、Vb、VIa。
rllb、111a、I[Ib、IVa、lVb、V
a、Vb、VIa。
■b、■a、■b、■およびランタニド(希土類元素に
ランタン(La)を加えたグループ)およびアクチニド
のグループから選んだ少くとも1つの金属の酸化物又は
水酸化物から〜コロイド溶液Aを調製することを特徴と
することで明白になる。この溶液Aは、ランタン、クロ
〆ム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ルテニ
ウム、イリジウム、パラジウム、白金、ロジウム、オス
ミウム、銀、金、アンチモン、ビスマスおよびトリウム
のグループから選んだ少くとも1つの金属の塩又は錯化
合物の溶液Bと混合される。金属酸化物又は金属水酸化
物上に金属を微細に分布するよう光化学的に析出させる
ため、混合液に可視光線および紫外線の範囲の電磁波を
照射し、照射した溶液Cが得られる。これはコロイド状
金属酸化物又は水酸化物粒子の大きさに実質的な変化な
く固体りを生成するように加工される。固体りはガスさ
ンIツ計画稼動温度より脅i蕃酷返、最高700”Qま
で母1壜、本発明の方法の好ましい実施態様によれば。
ランタン(La)を加えたグループ)およびアクチニド
のグループから選んだ少くとも1つの金属の酸化物又は
水酸化物から〜コロイド溶液Aを調製することを特徴と
することで明白になる。この溶液Aは、ランタン、クロ
〆ム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ルテニ
ウム、イリジウム、パラジウム、白金、ロジウム、オス
ミウム、銀、金、アンチモン、ビスマスおよびトリウム
のグループから選んだ少くとも1つの金属の塩又は錯化
合物の溶液Bと混合される。金属酸化物又は金属水酸化
物上に金属を微細に分布するよう光化学的に析出させる
ため、混合液に可視光線および紫外線の範囲の電磁波を
照射し、照射した溶液Cが得られる。これはコロイド状
金属酸化物又は水酸化物粒子の大きさに実質的な変化な
く固体りを生成するように加工される。固体りはガスさ
ンIツ計画稼動温度より脅i蕃酷返、最高700”Qま
で母1壜、本発明の方法の好ましい実施態様によれば。
固体りは非常に慎重な処理ないしそれに類する方法で溶
液Oから生成される1例えば溶液Cの溶媒を7部蒸発さ
せるか又は凍結乾燥させる方法である。
液Oから生成される1例えば溶液Cの溶媒を7部蒸発さ
せるか又は凍結乾燥させる方法である。
この固体りはコロイド状金属酸化物、金属水酸化物又は
金属酸化物水和物粒子を含有する。
金属酸化物水和物粒子を含有する。
これは当初溶液Aの中で生成され金属と共に光化学反応
でつくられ、僅かに粒径が変化するだけでo、s5−5
oonの範囲となる。
でつくられ、僅かに粒径が変化するだけでo、s5−5
oonの範囲となる。
特に最高SOO℃まで、好ましくは最高300 ’Qま
で表曇ル高い温度に保つ。固体りは1例えば。
で表曇ル高い温度に保つ。固体りは1例えば。
溶剤含浸させたゲルの断片を構成し、金属付加金属酸化
物、金属水酸化物又は金属酸化物水和物が慎重な乾燥に
よって金属酸化物キソロゲルに転換される。
物、金属水酸化物又は金属酸化物水和物が慎重な乾燥に
よって金属酸化物キソロゲルに転換される。
本発明による他の方法によれば溶液Cを/部蒸発させて
固体りを構成する水含有ゲル片に変え、この水を非水溶
媒で置換した後、このゲル片を該非水溶媒の臨界圧及び
臨界温度より高い超臨界条件下にさらすことによって高
多孔性の金属酸化物エーロゲルを得ることができる。成
る時間経過後、圧力を常圧に戻し、つゾいて温度も室温
に下げる。
固体りを構成する水含有ゲル片に変え、この水を非水溶
媒で置換した後、このゲル片を該非水溶媒の臨界圧及び
臨界温度より高い超臨界条件下にさらすことによって高
多孔性の金属酸化物エーロゲルを得ることができる。成
る時間経過後、圧力を常圧に戻し、つゾいて温度も室温
に下げる。
本発明tこよる更に別の変形は、主として非水溶媒含有
の溶液0をゲル化させ、上述した超臨界温度と超臨界圧
で乾燥させて金属酸化物エーロゲルを生成させ、溶媒を
除去する方法である。
の溶液0をゲル化させ、上述した超臨界温度と超臨界圧
で乾燥させて金属酸化物エーロゲルを生成させ、溶媒を
除去する方法である。
本発明による方法の更に別の変形は、主として非水溶媒
を含有する溶液Cの7部を蒸発させて金属酸化物水和物
ゲル、金属水酸化物ゲル又は金属酸化物水和物ゲルの形
の固体りに転換すよりも最高り00℃まで、特に最高S
θθ℃まで、好ましくは最高3θθ°Cまでの高い温度
で大気圧力下で乾燥させる。
を含有する溶液Cの7部を蒸発させて金属酸化物水和物
ゲル、金属水酸化物ゲル又は金属酸化物水和物ゲルの形
の固体りに転換すよりも最高り00℃まで、特に最高S
θθ℃まで、好ましくは最高3θθ°Cまでの高い温度
で大気圧力下で乾燥させる。
前記の本発明の方法の変形した他の方法によって得られ
た金属酸化物キセロゲルならびに金属酸化物エーロゲル
または金属キセロゲルで構成されるこのガスセ/ブ材料
の形は、0./ −,2Mの厚さ、数偏までの直径の範
囲の円盤又はウェハースである。然し成型は、溶液Cの
注型によって固体りの様に所望の形ができ1例えば立方
体、四角形プリズム、棒、管等、外部の寸法で数センチ
メートル又は数デシメートルまでの成形品にできる。
た金属酸化物キセロゲルならびに金属酸化物エーロゲル
または金属キセロゲルで構成されるこのガスセ/ブ材料
の形は、0./ −,2Mの厚さ、数偏までの直径の範
囲の円盤又はウェハースである。然し成型は、溶液Cの
注型によって固体りの様に所望の形ができ1例えば立方
体、四角形プリズム、棒、管等、外部の寸法で数センチ
メートル又は数デシメートルまでの成形品にできる。
本発明による方法の好ましき実施態様では出発材料とし
て次のグループから選ばれた少くとも1つの金属の酸化
物又は水酸化物のコロイド溶液Aを用いる。即ちベリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バ
リウム、ランタン、セシウム、トリウム、チタニウム。
て次のグループから選ばれた少くとも1つの金属の酸化
物又は水酸化物のコロイド溶液Aを用いる。即ちベリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バ
リウム、ランタン、セシウム、トリウム、チタニウム。
ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル。
クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅、銀、亜鉛、カドミウム、アルミ
ニウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、鉛、
アンチモン、およびビスマスである。
バルト、ニッケル、銅、銀、亜鉛、カドミウム、アルミ
ニウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、鉛、
アンチモン、およびビスマスである。
本発明による方法を実施するに要するコロイド状金属酸
化物、金属酸化物水和物又は金属水酸化物の溶液Aは、
水素イオン濃度の変化により行われる金属塩の加水分解
で生成される。コロイド溶液Aはまた非水溶媒中の金属
アルコラードに水を添加して加水分解によっても生成さ
れる。好ましい方法には金属塩又は金属アルコラードの
加水分解前にキレート化剤が加えられ。
化物、金属酸化物水和物又は金属水酸化物の溶液Aは、
水素イオン濃度の変化により行われる金属塩の加水分解
で生成される。コロイド溶液Aはまた非水溶媒中の金属
アルコラードに水を添加して加水分解によっても生成さ
れる。好ましい方法には金属塩又は金属アルコラードの
加水分解前にキレート化剤が加えられ。
更に粒径の小さい生成物が得られる。
更に本発明による方法の好ましき実施態様では、マグネ
シウム、ランタン、セリウム、チタ;− /ラム。ジルコニウム、バナジウム、クロム。
シウム、ランタン、セリウム、チタ;− /ラム。ジルコニウム、バナジウム、クロム。
鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、アルミニウム、イ
ンジウム、アンチモン、錫のグループから選んだ少くと
も7つの金属の酸化物又は水酸化物のコロイド溶液Aと
、ランタン、クロム。
ンジウム、アンチモン、錫のグループから選んだ少くと
も7つの金属の酸化物又は水酸化物のコロイド溶液Aと
、ランタン、クロム。
マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ルテニウム、
イリジウム、パラジウム、白金、ロジウム、オスミウム
、銀、金、アンチモン、ビスマス、トリウムのグループ
から選んだ少くとも1つの金属の塩化物、硝酸塩、硫酸
塩、酢酸塩、ギ酸塩、アセチルアセトン酸塩又はサリチ
ル酸塩の溶液Bとを混合し、溶液Bの金属含有量が金属
として、少、くとも30%、特にAOq6.好ましくは
りθ俤に析出するまで光を照射する。
イリジウム、パラジウム、白金、ロジウム、オスミウム
、銀、金、アンチモン、ビスマス、トリウムのグループ
から選んだ少くとも1つの金属の塩化物、硝酸塩、硫酸
塩、酢酸塩、ギ酸塩、アセチルアセトン酸塩又はサリチ
ル酸塩の溶液Bとを混合し、溶液Bの金属含有量が金属
として、少、くとも30%、特にAOq6.好ましくは
りθ俤に析出するまで光を照射する。
還元剤を金属酸化物又は金属水酸化物のコロイド溶液A
と金属塩溶液Bに加えると、光化学反応中に還元剤は最
大1000倍の水素イオン濃度を変化させる。光化学反
応による金属の析出は空気中の酸素のない状態で行われ
るのが望ましい。これは溶液を照射前に外ζこ取り出し
、照射中は保護ガスの下に置けばできる。
と金属塩溶液Bに加えると、光化学反応中に還元剤は最
大1000倍の水素イオン濃度を変化させる。光化学反
応による金属の析出は空気中の酸素のない状態で行われ
るのが望ましい。これは溶液を照射前に外ζこ取り出し
、照射中は保護ガスの下に置けばできる。
空気中の酸素はまた。照射前に保護ガスで溶液Aおよび
Bをフラッシングして除去できる。
Bをフラッシングして除去できる。
この保護ガスの雰囲気は照射中保たれる。保護ガスとし
ては窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、
キセノン、水素又は二酸化炭素が好ましい。光分解の前
には溶液Aと溶液Bの二液混合物にキレート化剤を加え
るのが好ましい。この方法で溶液Aに使うキレート化剤
は、シュウ酸、酒石酸、くえん酸、アセチルアセトン酸
、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸又はサリチ
ル酸が好ましい。
ては窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、
キセノン、水素又は二酸化炭素が好ましい。光分解の前
には溶液Aと溶液Bの二液混合物にキレート化剤を加え
るのが好ましい。この方法で溶液Aに使うキレート化剤
は、シュウ酸、酒石酸、くえん酸、アセチルアセトン酸
、エチレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸又はサリチ
ル酸が好ましい。
本発明による方法の特に好ましい実施態様ではキレート
化剤は光化学反応において、同時にまた還元剤としても
作用するものが選ばれる。
化剤は光化学反応において、同時にまた還元剤としても
作用するものが選ばれる。
特に溶液Aおよび/又は照射された溶液0を透析又は電
気透析で更に精製すると格別好ましい結果が得られる。
気透析で更に精製すると格別好ましい結果が得られる。
本発明による方法の更に好ましい実施態様では光照射さ
れた溶液Cを凍結乾燥することができる。これで得られ
た粉末はそれ自体で或は焼結添加剤との混合物にして電
極を備えた基材に施し、基材ζこ焼結される。この得ら
れた粉末はまた溶媒を除去するために加熱し、加圧成型
され板となしてもよい。強度を向上させるために。
れた溶液Cを凍結乾燥することができる。これで得られ
た粉末はそれ自体で或は焼結添加剤との混合物にして電
極を備えた基材に施し、基材ζこ焼結される。この得ら
れた粉末はまた溶媒を除去するために加熱し、加圧成型
され板となしてもよい。強度を向上させるために。
凍結乾燥した粉末を、溶媒を除去するため加熱し、加圧
成型して板となし、そこでケイ素、チタン、アルミニウ
ム又は錫の有機化合物の溶液を含浸させその後で得られ
た粉末を更に溶媒除去のために二度目の加熱を行う。
成型して板となし、そこでケイ素、チタン、アルミニウ
ム又は錫の有機化合物の溶液を含浸させその後で得られ
た粉末を更に溶媒除去のために二度目の加熱を行う。
加圧(プレス)した粉末からなり、場合により添加剤で
機械的に強化されているこれらの板。
機械的に強化されているこれらの板。
または上述した金属酸化物のより大きいキセロゲルまた
は板または金属酸化物のエーロゲルまたは板から所望の
形状のより小さい切片が切り出される。この処理の前に
、必要あるときは電極が装着される。これらの切片の寸
法は約O0OS龍から数龍の範囲でガス佃に!”yに製
作される。
は板または金属酸化物のエーロゲルまたは板から所望の
形状のより小さい切片が切り出される。この処理の前に
、必要あるときは電極が装着される。これらの切片の寸
法は約O0OS龍から数龍の範囲でガス佃に!”yに製
作される。
これらの小さい切片は溶液Cを最初に適当な小さな型に
注入してもつくることもできることは自′明のことであ
る。然しこれらの所望の寸法の切片を造るには溶液Cの
乾燥中の体積収縮を考慮する必要がある。溶液0°の凍
結乾燥で得た粉末をまた直接所望の寸法の小片に加圧成
型できる。
注入してもつくることもできることは自′明のことであ
る。然しこれらの所望の寸法の切片を造るには溶液Cの
乾燥中の体積収縮を考慮する必要がある。溶液0°の凍
結乾燥で得た粉末をまた直接所望の寸法の小片に加圧成
型できる。
本発明による方法で、裁断し、研磨し、みがき、エツチ
ングし、電極を取りつけ、かつ如何なる所望の方法によ
っても加工できるガスセンサ用の安定した材料が得られ
る。得られた材料の粒径は金属酸化物の場合7マイクロ
メードル(μm)より小さく、触媒添加物の場合O0S
μmよりも小さい。この材料は極めて均質で、これで製
作したガスセンサは極めて狭い許容範囲内にあるそれぞ
れ比電導度及び還元性又は酸化性ガスの作用の下での電
気伝導度変化および/又は吸光度の変化をもつ。
ングし、電極を取りつけ、かつ如何なる所望の方法によ
っても加工できるガスセンサ用の安定した材料が得られ
る。得られた材料の粒径は金属酸化物の場合7マイクロ
メードル(μm)より小さく、触媒添加物の場合O0S
μmよりも小さい。この材料は極めて均質で、これで製
作したガスセンサは極めて狭い許容範囲内にあるそれぞ
れ比電導度及び還元性又は酸化性ガスの作用の下での電
気伝導度変化および/又は吸光度の変化をもつ。
本発明による方法により造られるガスセンサ用構成材料
から従来のガスセンサより搗かに優れている新規なガス
センサが製造される。これらの新規なガスセンサは1例
えば、室温でも又室温より僅かに高い温度でも動作する
。従来のガスセンサの電力消費量が7台当り約7ワツト
の範囲であるのを本発明によるセンサの電力消費量は7
台当り/ 00 mW以下である。
から従来のガスセンサより搗かに優れている新規なガス
センサが製造される。これらの新規なガスセンサは1例
えば、室温でも又室温より僅かに高い温度でも動作する
。従来のガスセンサの電力消費量が7台当り約7ワツト
の範囲であるのを本発明によるセンサの電力消費量は7
台当り/ 00 mW以下である。
従来既知のガスセンサの電気伝導度は被検知ガス濃度の
平方根に比例する。これに対して本発明による方法で造
った構成材料で製作したガスセンサは、検知するガス濃
度に正比例する電気伝導度を極めて広いガス濃度の範囲
で示す。
平方根に比例する。これに対して本発明による方法で造
った構成材料で製作したガスセンサは、検知するガス濃
度に正比例する電気伝導度を極めて広いガス濃度の範囲
で示す。
このことは従来のガスセンサに非常に大きな進歩をもた
らしたことになる。本発明による上述の結果は、金属酸
化物粒子上に析出した触媒粒が従来既知のガスセンサ材
料におけるよりもかなり小さく、また遥かに均一に分布
していることに基くことから生ずるものと理解できるが
。
らしたことになる。本発明による上述の結果は、金属酸
化物粒子上に析出した触媒粒が従来既知のガスセンサ材
料におけるよりもかなり小さく、また遥かに均一に分布
していることに基くことから生ずるものと理解できるが
。
本発明はこの理論に限定されるものではない。
触媒をドープしたかかる微細度と均一性は従来の方法で
は達成できなかったものである。金属酸化物の平均粒径
はX−線回折によれば!f−10nmである。これは粒
径5θ−700nmの範囲の従来のガスセイサの公知の
二酸化錫の粒径の///(11である。
は達成できなかったものである。金属酸化物の平均粒径
はX−線回折によれば!f−10nmである。これは粒
径5θ−700nmの範囲の従来のガスセイサの公知の
二酸化錫の粒径の///(11である。
本発明は前述の記載に加えτ以下の詳細な実施例により
更によく理解できよう。触媒をドープした金属酸化物を
造る従来の方法では触媒先駆体は通常、金属塩又は金属
錯化合物の溶液の形で金属酸化物中に導入された。本発
明の方法では全く新しい原理が触媒の析出に使われてい
る。金属から成る触媒は、必ずコロイド状金属酸化物、
金属酸化物水和物又は金属水酸化物の溶液中で光化学的
に発生する。
更によく理解できよう。触媒をドープした金属酸化物を
造る従来の方法では触媒先駆体は通常、金属塩又は金属
錯化合物の溶液の形で金属酸化物中に導入された。本発
明の方法では全く新しい原理が触媒の析出に使われてい
る。金属から成る触媒は、必ずコロイド状金属酸化物、
金属酸化物水和物又は金属水酸化物の溶液中で光化学的
に発生する。
この目的のために元素周期律表中のlb、la。
選ばれた少くとも1つの金属の酸化物、水酸化物、又は
酸化物水和物のコロイド溶液Aをつくる。このコロイド
溶液Aは、キレート化剤を含有したり含有せずに、ラン
タン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅
、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、白金、ロジウ
ム、オスミウム、銀、金、アンチモン、ビスマスおよび
トリウムからなる群から選ばれた触媒を形成する少くと
も1つの金属の塩又は錯化合物を液Bの混合物を室温で
数時間水銀蒸気灯で照射し、コロイド状金属酸化物、金
属水酸化物又は金属酸化物水和物粒子上に触媒金属が極
めて微細に分布した形で析出する。こ\で少くとも7つ
の触媒金属を付与したコロイド状金属酸化物、金属水酸
化物又は金属酸化物水和物を含有する溶液Cが得られる
。この光化学反応による触媒金属の析出は照射した各金
属酸化物粒子上で行われ、触媒金属の分布は従来のガス
センサ用に造った材料の触媒ドープ化法によるものより
も遥かに微細である。触媒ドープ化の濃度は二つの溶液
Aと溶液Bの混合比を調節する従来と異った方法又は照
射後溶液Aを溶液Cに添加する方法で調節できる。
酸化物水和物のコロイド溶液Aをつくる。このコロイド
溶液Aは、キレート化剤を含有したり含有せずに、ラン
タン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅
、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、白金、ロジウ
ム、オスミウム、銀、金、アンチモン、ビスマスおよび
トリウムからなる群から選ばれた触媒を形成する少くと
も1つの金属の塩又は錯化合物を液Bの混合物を室温で
数時間水銀蒸気灯で照射し、コロイド状金属酸化物、金
属水酸化物又は金属酸化物水和物粒子上に触媒金属が極
めて微細に分布した形で析出する。こ\で少くとも7つ
の触媒金属を付与したコロイド状金属酸化物、金属水酸
化物又は金属酸化物水和物を含有する溶液Cが得られる
。この光化学反応による触媒金属の析出は照射した各金
属酸化物粒子上で行われ、触媒金属の分布は従来のガス
センサ用に造った材料の触媒ドープ化法によるものより
も遥かに微細である。触媒ドープ化の濃度は二つの溶液
Aと溶液Bの混合比を調節する従来と異った方法又は照
射後溶液Aを溶液Cに添加する方法で調節できる。
触媒金属の光化学的析出を促進させるのに。
溶液Aと溶液Bの混合物に還元剤1例えばアルコール、
ケトンなどを添加することができる。
ケトンなどを添加することができる。
この混合物は有機溶媒のみ又は無機溶媒のみ又は有機及
び無機間溶媒を含む。溶液AおよびBの中の金属化合物
が、得られた固体りから除去しにく□い有機又は無機イ
オンを含有するときは、光化学反応で得られた溶液Cを
透析してこれらのイオンを除去できる。必要あれば溶液
Aだけを透析してもよい。透析に代って電気透析で精製
してもよい。
び無機間溶媒を含む。溶液AおよびBの中の金属化合物
が、得られた固体りから除去しにく□い有機又は無機イ
オンを含有するときは、光化学反応で得られた溶液Cを
透析してこれらのイオンを除去できる。必要あれば溶液
Aだけを透析してもよい。透析に代って電気透析で精製
してもよい。
このようにして生成した。そして必要に応じ精製した溶
液Cは、触媒金属が析出したコロイド状金属酸化物、金
属水酸化物水和物又は金属水酸化物のみを含有し、型に
注入し1部分的に溶媒を蒸発させればゲル化して固体り
となる。
液Cは、触媒金属が析出したコロイド状金属酸化物、金
属水酸化物水和物又は金属水酸化物のみを含有し、型に
注入し1部分的に溶媒を蒸発させればゲル化して固体り
となる。
これは次後のガスセンサの動作温度よりも最高700℃
未満、特にs’oθ℃未満、好ましくは30θ℃未満の
高い温度に、70067時間の加熱速度で昇温しで最終
的に乾燥させる。このようにして触媒をドープした金属
酸化物キセロゲルが得られ、このゲルは予め計画した多
孔度と粒径とを有する。かかる材料は最初に対照して引
用した米国特許[検知素子を内蔵するガス曳イ1茗によ
る空気中のガス汚染の検知装置及びその検知素子の製造
方法J(DEIV工OE F’ORDETF!0TIN
GGASF!O’[T13 0ONTAM工NANT8
工NA工RBY MHtAN8 0F’ AGA13
S]1iN80R工N0LITD工NG A Ell
!lN5ORFiIJM]1IINT ANDM]]1
THOD OF RODUOING BTJOH81!
lN5OR]!:L]ll!MENT )と題する米国
特許願(出願人事件番号7291I)に記載のような型
のガス検知器にその構成材料として使用できる。
未満、特にs’oθ℃未満、好ましくは30θ℃未満の
高い温度に、70067時間の加熱速度で昇温しで最終
的に乾燥させる。このようにして触媒をドープした金属
酸化物キセロゲルが得られ、このゲルは予め計画した多
孔度と粒径とを有する。かかる材料は最初に対照して引
用した米国特許[検知素子を内蔵するガス曳イ1茗によ
る空気中のガス汚染の検知装置及びその検知素子の製造
方法J(DEIV工OE F’ORDETF!0TIN
GGASF!O’[T13 0ONTAM工NANT8
工NA工RBY MHtAN8 0F’ AGA13
S]1iN80R工N0LITD工NG A Ell
!lN5ORFiIJM]1IINT ANDM]]1
THOD OF RODUOING BTJOH81!
lN5OR]!:L]ll!MENT )と題する米国
特許願(出願人事件番号7291I)に記載のような型
のガス検知器にその構成材料として使用できる。
溶液Cはまた固体りをつくるのに凍結乾燥されて極めて
微細な粉体となり、焼結剤を入れたり入れないで型によ
り加圧成型する通常の方法で加工し、それぞれその上に
電極をつけるか。
微細な粉体となり、焼結剤を入れたり入れないで型によ
り加圧成型する通常の方法で加工し、それぞれその上に
電極をつけるか。
検知素子に焼結してから電極をつける。このようにして
従来の公知のガスセンサより遥に高感度で検知すべきガ
スに反応して検知するガスセンサ構成材料が得られる。
従来の公知のガスセンサより遥に高感度で検知すべきガ
スに反応して検知するガスセンサ構成材料が得られる。
触媒金属は、光化学的に析出して得られた乾燥したゲル
の切片中に又は冷凍乾燥粉末中にその電子親和度に左右
されて多少酸化した状態で存在する。
の切片中に又は冷凍乾燥粉末中にその電子親和度に左右
されて多少酸化した状態で存在する。
こ\lこ記載の照射された溶液Cの次後の処理のいずれ
の工程中にも照射された溶液Cの含有する粒子と比較し
て粒子の大きさが変っていない粒子からなる固体りが得
られる。固体りは高純度の金属酸化物、金属酸化物水和
物又は金属水酸化物のゲルである。乾燥後この材料を裁
断などによりガスセンサ用検知素子の構成材料lこ仕上
げると、このガスセンサは電気的および/又は光学的性
状の変化で空気中の酸化性又は還元性ガスの存在に鋭敏
に感応する。
の工程中にも照射された溶液Cの含有する粒子と比較し
て粒子の大きさが変っていない粒子からなる固体りが得
られる。固体りは高純度の金属酸化物、金属酸化物水和
物又は金属水酸化物のゲルである。乾燥後この材料を裁
断などによりガスセンサ用検知素子の構成材料lこ仕上
げると、このガスセンサは電気的および/又は光学的性
状の変化で空気中の酸化性又は還元性ガスの存在に鋭敏
に感応する。
本発明を更によく理解するために以下に実施例を掲げる
。
。
実施例1
S、ざgの塩化錫(工V ) (5nOA4・A; H
IO)をig。
IO)をig。
gの水に溶解し、室温で濃アンモニア水でpH7に調節
する。生成した二酸化部水和物(SnO,・XH,O)
の沈殿を濾過し、数回水洗し、続いてS3−の水中に濃
アンモニア水lざ―を加えた溶液中で数時間強く攪拌す
る。二酸化部水和物(SnO,# XI、O)の透明な
コロイド水溶液Aが生成し、これを数日間透析する。
する。生成した二酸化部水和物(SnO,・XH,O)
の沈殿を濾過し、数回水洗し、続いてS3−の水中に濃
アンモニア水lざ―を加えた溶液中で数時間強く攪拌す
る。二酸化部水和物(SnO,# XI、O)の透明な
コロイド水溶液Aが生成し、これを数日間透析する。
32ダの塩化白金酸(Ha(P十〇’a〕・AH,O)
をグ6ゴの水に溶解し、炭酸ソーダ(Na、003)を
加えてpHをg、sに調節する。 この溶液Bを先に生
成した二酸化部のコロイド溶液Aに加える。
をグ6ゴの水に溶解し、炭酸ソーダ(Na、003)を
加えてpHをg、sに調節する。 この溶液Bを先に生
成した二酸化部のコロイド溶液Aに加える。
光反応を促進するため還元剤として、7m7!のイソプ
ロパツールを加える。得られた混合物に、200±3℃
で一〇〇ワット高圧水銀灯の光を6時間照射する。得ら
れた深黒色の溶液Cを数日間透析する。
ロパツールを加える。得られた混合物に、200±3℃
で一〇〇ワット高圧水銀灯の光を6時間照射する。得ら
れた深黒色の溶液Cを数日間透析する。
得られた溶液を型に注形し、好ましくは室温で数日間蒸
発させる。得られた白金をドープした深黒色の板状ゲル
をゆっくり9時間かけて、100′Cまで加熱し、 こ
の温度にダ時間保った後室温まで冷却する。得られた金
属酸化物キセロゲルの板状物を研磨して、真空蒸着によ
り板の側面に電極を施す。板は/X/XO0jmi”
の寸法に裁断する。これらの切片は加熱可能な基体に塗
布され、適宜電極を装着し、これにより約50℃で極め
て鋭敏に一酸化炭素に反応するガスセンサが得られる。
発させる。得られた白金をドープした深黒色の板状ゲル
をゆっくり9時間かけて、100′Cまで加熱し、 こ
の温度にダ時間保った後室温まで冷却する。得られた金
属酸化物キセロゲルの板状物を研磨して、真空蒸着によ
り板の側面に電極を施す。板は/X/XO0jmi”
の寸法に裁断する。これらの切片は加熱可能な基体に塗
布され、適宜電極を装着し、これにより約50℃で極め
て鋭敏に一酸化炭素に反応するガスセンサが得られる。
これらのガスセンサの電気伝導度は一酸化炭素濃度と正
比例関係にあり。
比例関係にあり。
\σlノ
現在まで多様な市販センサ製品の何れにも見られなかっ
た関係である。
た関係である。
更に、90−の水に、?A、lI9の塩化パラジウム(
II)を溶解した溶液Bをアンモニア水でpH9に調節
する。この溶液Bを溶液AJこ加え、得られた混合液を
前ζこ述べたように処理すれば正−ブタンの検知に極め
て鋭敏なガスセンサが得られる。
II)を溶解した溶液Bをアンモニア水でpH9に調節
する。この溶液Bを溶液AJこ加え、得られた混合液を
前ζこ述べたように処理すれば正−ブタンの検知に極め
て鋭敏なガスセンサが得られる。
更に別の実験では、100−の水中に3g■の硝酸銅(
Ou (Nos)2−3 H,O)を溶解した溶液、2
0−からなる溶液Bをアンモニア水で調整してpH/
0とする。 この溶液Bを溶液Aに加え。
Ou (Nos)2−3 H,O)を溶解した溶液、2
0−からなる溶液Bをアンモニア水で調整してpH/
0とする。 この溶液Bを溶液Aに加え。
混合物を上述のように処理するとアルコール蒸気を極め
て鋭敏に検知するガスセンサが得られる。
て鋭敏に検知するガスセンサが得られる。
一゛−
/″−
//
(3コ)
実施例ユ
実施例1で行った如く、二酸化部(sno、・XH,O
)コロイド溶液1ooyを調整する。−〇 mlの水に
jJIIllpの塩化ロジウム(創(Rhα1.7H,
O)を溶解しアンモニア水でpIl(jに調節する。こ
)溶液Bを二酸化錫コロイド溶液人に還元剤を加えずに
混合し、全溶液を実施例/に記載のようにJダ時間照射
する。得られた深黒色の溶液Cを数時間透析し、型に注
形して室温で数日間蒸発させる。ロジウムをドープした
二酸化部の黒色ゲル板状物が得られ、これを3時間以内
に3200まで加熱し、同温変音こ7時間保って再び室
温まで冷却する。得られた金属酸化物キセロゲル板を研
磨して、スクリーン印刷で電極をつけ、コX / X
Ootm ’の寸法に裁断する。これらの切片から水素
濃度と直線関係で変化する電気伝導度を示す優れたガス
センサが得られる。
)コロイド溶液1ooyを調整する。−〇 mlの水に
jJIIllpの塩化ロジウム(創(Rhα1.7H,
O)を溶解しアンモニア水でpIl(jに調節する。こ
)溶液Bを二酸化錫コロイド溶液人に還元剤を加えずに
混合し、全溶液を実施例/に記載のようにJダ時間照射
する。得られた深黒色の溶液Cを数時間透析し、型に注
形して室温で数日間蒸発させる。ロジウムをドープした
二酸化部の黒色ゲル板状物が得られ、これを3時間以内
に3200まで加熱し、同温変音こ7時間保って再び室
温まで冷却する。得られた金属酸化物キセロゲル板を研
磨して、スクリーン印刷で電極をつけ、コX / X
Ootm ’の寸法に裁断する。これらの切片から水素
濃度と直線関係で変化する電気伝導度を示す優れたガス
センサが得られる。
実施例3
/重量−の白金を含有する二酸化部のコロイド溶液C!
redを実施例Xと同様にして調製する。この溶液C,
211tlを実施例1により生成した二酸化錫のコロイ
ド溶液A410ydと混合し、型に注入して、室温で数
日間蒸発させる。これにより0005重量−の白金を含
有する二酸化錫からなる透明褐色のゲル板状物を得る。
redを実施例Xと同様にして調製する。この溶液C,
211tlを実施例1により生成した二酸化錫のコロイ
ド溶液A410ydと混合し、型に注入して、室温で数
日間蒸発させる。これにより0005重量−の白金を含
有する二酸化錫からなる透明褐色のゲル板状物を得る。
板は1時間以内にj!θ℃まで加熱して、同温度に3時
間保ち再び室温まで冷却する。この板を研磨し、高反射
電極装着し、コ×コ×OJm*”の寸法の切片に裁断す
る。電極を備えるこれらのゲルの切片は加熱可能な基体
に取付ければ還元性又は酸化性ガスの電気的検知ならび
に光学的検知にも使用できるガスセンサが得られる。
間保ち再び室温まで冷却する。この板を研磨し、高反射
電極装着し、コ×コ×OJm*”の寸法の切片に裁断す
る。電極を備えるこれらのゲルの切片は加熱可能な基体
に取付ければ還元性又は酸化性ガスの電気的検知ならび
に光学的検知にも使用できるガスセンサが得られる。
実施例病
ダ6゜3gのメタノール中にxilのダブタノール化チ
タン(Ti(0(CHI\へCH,)4 )を溶解した
溶液を!/Illの水と混合して100rxlの酸化チ
タン水和物の水性懸濁液を得た。この水性懸濁液は、/
2!riの水中の無水シュウ酸/λ、71を溶解した溶
液/θO―と共に攪拌してコロイド溶液人を造る。rO
mlのメタノール中に19t 3よ) ダの酢酸パラジウム(1)を含有する溶液B10ynl
を透明なコロイド溶液人に加えて、実施例/の如く水銀
灯による照射をする。これにより溶液Cが得られ、これ
を数時間透析して屋に注入する。この溶液を室温で一部
蒸発させればゲルが残り、パラジウムをドープした二酸
化チタンからなる深黒色のゲル板状物が得られる。この
板を30分以内にコ!θ℃まで加熱した後冷却する。か
くして得られた金属酸化物キセロゲル板は研磨し電極を
付して寸法o、、2y<o、コ×O,コIIIIl の
切片に裁断する。これらの切片から水素検知に極めて鋭
敏な優れたガスセンサが得られる。
タン(Ti(0(CHI\へCH,)4 )を溶解した
溶液を!/Illの水と混合して100rxlの酸化チ
タン水和物の水性懸濁液を得た。この水性懸濁液は、/
2!riの水中の無水シュウ酸/λ、71を溶解した溶
液/θO―と共に攪拌してコロイド溶液人を造る。rO
mlのメタノール中に19t 3よ) ダの酢酸パラジウム(1)を含有する溶液B10ynl
を透明なコロイド溶液人に加えて、実施例/の如く水銀
灯による照射をする。これにより溶液Cが得られ、これ
を数時間透析して屋に注入する。この溶液を室温で一部
蒸発させればゲルが残り、パラジウムをドープした二酸
化チタンからなる深黒色のゲル板状物が得られる。この
板を30分以内にコ!θ℃まで加熱した後冷却する。か
くして得られた金属酸化物キセロゲル板は研磨し電極を
付して寸法o、、2y<o、コ×O,コIIIIl の
切片に裁断する。これらの切片から水素検知に極めて鋭
敏な優れたガスセンサが得られる。
実施例よ
3.7gのlブタノール化チタニウム(Ti(。
(CHm)sCHs )4 )をりyのメタノール中に
溶解し、これをso、4tiの水中にi、qgのアセチ
ルアセトンを溶解した溶液中に加える。アセチルアセト
ンがキレート化剤であるため、徐々に濁った溶液Aが生
成され、これはへ71の濃ギ酸を加えると完全に透明に
なる。λ0rnlのメタノール中に3omgの酢酸パラ
ジウム(11)を含有する溶液Bjdを溶液Aに加え、
混合物を実施例ダにおける如く水銀灯で照射する。かく
して得られた暗褐色溶液を透析せず直接型に注入し、厘
の中で好ましくは室温で部分的に蒸発させるとゲルが残
る。かくして得られたパラジウムをドープした二酸化チ
タンからなる黒色ゲル板状物は実施例ダにおける如く加
熱すればよ?体積−の多孔度をもつ金属酸化物キセロゲ
ル板が得られる。
溶解し、これをso、4tiの水中にi、qgのアセチ
ルアセトンを溶解した溶液中に加える。アセチルアセト
ンがキレート化剤であるため、徐々に濁った溶液Aが生
成され、これはへ71の濃ギ酸を加えると完全に透明に
なる。λ0rnlのメタノール中に3omgの酢酸パラ
ジウム(11)を含有する溶液Bjdを溶液Aに加え、
混合物を実施例ダにおける如く水銀灯で照射する。かく
して得られた暗褐色溶液を透析せず直接型に注入し、厘
の中で好ましくは室温で部分的に蒸発させるとゲルが残
る。かくして得られたパラジウムをドープした二酸化チ
タンからなる黒色ゲル板状物は実施例ダにおける如く加
熱すればよ?体積−の多孔度をもつ金属酸化物キセロゲ
ル板が得られる。
この板から寸法/×1xO0tl111の切片が裁断さ
れる。この切片で製作されたガスセンサは非常に鋭敏に
一酸化炭素および水素の存在を検出する。
れる。この切片で製作されたガスセンサは非常に鋭敏に
一酸化炭素および水素の存在を検出する。
実施例ム
パラジウムを負荷したコロイド状二酸化錫の深黒色溶液
ctsstを実施例/の如く調製し、透析する。この溶
液を凍結乾燥して淡褐白色の非常に微細な粉末を得た。
ctsstを実施例/の如く調製し、透析する。この溶
液を凍結乾燥して淡褐白色の非常に微細な粉末を得た。
この粉末を直径10■×厚さ11mの薄板にプレス成型
し、その上に電極を装着させ、板を/X/X/m”の寸
法の切片とする。これらの切片から得られるガスセンサ
(J6) は−酸化炭素と水素が室温で既に検知できる。
し、その上に電極を装着させ、板を/X/X/m”の寸
法の切片とする。これらの切片から得られるガスセンサ
(J6) は−酸化炭素と水素が室温で既に検知できる。
本実施例は、特にガスセンサ素子の好ましい動作性状が
、本発明による方法によって得られたガス検知構成材料
からもたらされることを示している。これはガスセンサ
素子の構成々分をプレス成型した場合でも同様である。
、本発明による方法によって得られたガス検知構成材料
からもたらされることを示している。これはガスセンサ
素子の構成々分をプレス成型した場合でも同様である。
更に、パラジウムを光化学的に析出させた二酸化チタン
粒子を含有する二酸化チタンコロイド溶液C/10−を
実施例ダにおける如く調製する。この溶液を凍結乾燥し
て得られた褐色系粉末を直径:2S■×厚さθ、xmの
円盤にプレス成臘する。これらの円盤に、オルソケイ酸
エチルエステル(si(oEt、)+ )のアルコール
r液をt浸させ、約、yoo℃でダ時間乾燥する。これ
によって非常に安定で、多孔度の高い円盤が得られ、こ
れlとスクリーン印刷で電極をっけコ×λxo、twx
”の寸法の切片に裁断する。この切片から製作されたガ
スセンサは水素及び−酸化炭素を極めて鋭敏に検知する
。
粒子を含有する二酸化チタンコロイド溶液C/10−を
実施例ダにおける如く調製する。この溶液を凍結乾燥し
て得られた褐色系粉末を直径:2S■×厚さθ、xmの
円盤にプレス成臘する。これらの円盤に、オルソケイ酸
エチルエステル(si(oEt、)+ )のアルコール
r液をt浸させ、約、yoo℃でダ時間乾燥する。これ
によって非常に安定で、多孔度の高い円盤が得られ、こ
れlとスクリーン印刷で電極をっけコ×λxo、twx
”の寸法の切片に裁断する。この切片から製作されたガ
スセンサは水素及び−酸化炭素を極めて鋭敏に検知する
。
一改変態様では照射した溶液Cを凍結乾燥して得られる
粉末は板にプレス成型する前に加熱処理される。
粉末は板にプレス成型する前に加熱処理される。
実施例7
極めて微細に分布したロジウムを負荷した二酸化錫のコ
ロイド溶液CAOtdを実施例コにおける如く調製する
。この溶液を凍結乾燥すると褐色の非常に微細な粉末が
得られる。この粉末を少量のメタノールと共に攪拌して
スラリーをつくり、このスラリーを酸化アルミニウムか
らなる平らな電気絶縁物上に薄い層として塗布して電極
をつける。塗布したスラリーは約50℃で乾燥し、オル
ソケイ酸メチルエステル〔81(oMe)41)のメタ
ノール溶液を含浸させて約300℃でダ時間乾燥させる
。こうして生成したシリカにより微細な二酸化錫粒子が
相互に接合し、しかも多孔質な層が得られる。これで製
作したガスセンサはtO℃で一酸化炭素の検知−こ優れ
た性能を示す。別法では、乾燥した粉末を焼結剤と混合
し、混合物は基体lこ塗布して焼結される。
ロイド溶液CAOtdを実施例コにおける如く調製する
。この溶液を凍結乾燥すると褐色の非常に微細な粉末が
得られる。この粉末を少量のメタノールと共に攪拌して
スラリーをつくり、このスラリーを酸化アルミニウムか
らなる平らな電気絶縁物上に薄い層として塗布して電極
をつける。塗布したスラリーは約50℃で乾燥し、オル
ソケイ酸メチルエステル〔81(oMe)41)のメタ
ノール溶液を含浸させて約300℃でダ時間乾燥させる
。こうして生成したシリカにより微細な二酸化錫粒子が
相互に接合し、しかも多孔質な層が得られる。これで製
作したガスセンサはtO℃で一酸化炭素の検知−こ優れ
た性能を示す。別法では、乾燥した粉末を焼結剤と混合
し、混合物は基体lこ塗布して焼結される。
実施例よ
(3デ )
表面に非常に微細にパラジウムを分散させた直径数nm
の二酸化錫粒子を含有する二酸化錫コロイド溶液Cを実
施例/における如く調製し凍結乾燥する。かくして得ら
れた微粉末を300℃で7時間加熱し、プレス成型して
外部寸法λ×コ×コn2で直径θ、ざamの中央円形孔
をもつ立方体をつくる。かかる立方体の外部の二面のそ
れぞれ−と関連した電極をつける。この立方体は、二酸
化錫からなり且つ中央の孔を持つが、パラジウム以外の
他の媒触でドープした多くの類似の立方体を備えた多重
ガスセンサに使用される。
の二酸化錫粒子を含有する二酸化錫コロイド溶液Cを実
施例/における如く調製し凍結乾燥する。かくして得ら
れた微粉末を300℃で7時間加熱し、プレス成型して
外部寸法λ×コ×コn2で直径θ、ざamの中央円形孔
をもつ立方体をつくる。かかる立方体の外部の二面のそ
れぞれ−と関連した電極をつける。この立方体は、二酸
化錫からなり且つ中央の孔を持つが、パラジウム以外の
他の媒触でドープした多くの類似の立方体を備えた多重
ガスセンサに使用される。
パラジウムをドープした二酸化錫粒子体は110℃の動
作温度で一酸化炭素に極めて感応的である。更に詳細は
「検知素子を内蔵するガスセンサによる空気中のガス状
汚染物の検知装置及びその検知素子の製造方法」と題す
る同時係属米国特許層 号(代理人事件整理番号7コタ
ダ)iζ記載されている。
作温度で一酸化炭素に極めて感応的である。更に詳細は
「検知素子を内蔵するガスセンサによる空気中のガス状
汚染物の検知装置及びその検知素子の製造方法」と題す
る同時係属米国特許層 号(代理人事件整理番号7コタ
ダ)iζ記載されている。
一改変態様では乾燥した粉末を加熱しプレス加工し、得
られる板状物を次に焼結する。
られる板状物を次に焼結する。
実施例9
;tofi/lの二酸化チタンコロイド水溶液Aを実施
例/のようにして調製する。lt、7■の六塩化ルテニ
ウム酸ジアンモニウムと/7.4tQの四塩化白金酸ジ
アンモニウムを30−の水に溶解する。得られた溶液B
を二酸化錫コロイド水溶液Aに加え1合体した溶液をコ
ダ時間1こわたり実施例1における如く水銀灯で照射す
る0深黒褐色の溶液Oが得られ、これを数日間透析して
型に注入する。溶液は室温で一部蒸発させればゲルが残
る。かくして得られた白金とルテニウムとをドープした
二酸化錫のゲルの黒色板状物を30分以内にsaz”c
まで加熱した後再び冷却する。この板は白金およびルテ
ニウムとそれらの酸化物でドープ化された二酸化錫キセ
ロゲルになり、これを研磨しスクリーン印刷で電極をつ
けて寸法l×/×θ、コ■3の切片に裁断する。これら
の切片から得られたガスセンサは、動作温度/14℃に
おいて水素と一酸化炭素を極めて鋭敏lこ検出する。
例/のようにして調製する。lt、7■の六塩化ルテニ
ウム酸ジアンモニウムと/7.4tQの四塩化白金酸ジ
アンモニウムを30−の水に溶解する。得られた溶液B
を二酸化錫コロイド水溶液Aに加え1合体した溶液をコ
ダ時間1こわたり実施例1における如く水銀灯で照射す
る0深黒褐色の溶液Oが得られ、これを数日間透析して
型に注入する。溶液は室温で一部蒸発させればゲルが残
る。かくして得られた白金とルテニウムとをドープした
二酸化錫のゲルの黒色板状物を30分以内にsaz”c
まで加熱した後再び冷却する。この板は白金およびルテ
ニウムとそれらの酸化物でドープ化された二酸化錫キセ
ロゲルになり、これを研磨しスクリーン印刷で電極をつ
けて寸法l×/×θ、コ■3の切片に裁断する。これら
の切片から得られたガスセンサは、動作温度/14℃に
おいて水素と一酸化炭素を極めて鋭敏lこ検出する。
(%LO)
実施例IQ
パラジウムをドープした二酸化チタンのコロイド溶液C
を実施例5のように造り、水の含有量が僅かSO体積優
になるようにメタノールで希釈する。この溶液を型に注
入し、好ましくは室温で数日間蒸発させるとゲルができ
る。かくして得たゲルの板をメタノール中に入れ、メタ
ノールを数回数、りかえ、次いでメタノールの過剰とな
る臨界圧力と臨界温度を越える圧力下でメタノールと共
に最低30分加熱する。次いで圧力を常圧に下げ、温度
も室温まで下げる。かくして得た金属酸化物エーロゲル
を研磨し電極をつけ、裁断して切片とすれば、これによ
って約3jθ℃で水素を非常に鋭敏に検知できるガスセ
ンサが得られる。
を実施例5のように造り、水の含有量が僅かSO体積優
になるようにメタノールで希釈する。この溶液を型に注
入し、好ましくは室温で数日間蒸発させるとゲルができ
る。かくして得たゲルの板をメタノール中に入れ、メタ
ノールを数回数、りかえ、次いでメタノールの過剰とな
る臨界圧力と臨界温度を越える圧力下でメタノールと共
に最低30分加熱する。次いで圧力を常圧に下げ、温度
も室温まで下げる。かくして得た金属酸化物エーロゲル
を研磨し電極をつけ、裁断して切片とすれば、これによ
って約3jθ℃で水素を非常に鋭敏に検知できるガスセ
ンサが得られる。
実施例1I
ダ、コIのダブタノール化チタニウム(Ti(。
(CH置)i CH,)番〕とノ、ダ9のキレート化剤
としてのアセチルアセトンとをt、9 gのメタノ−、
ルに溶解し、それIc / dの水を攪拌しながら加え
て二酸化チタンコロイド溶液Aを造る。/Jmのメタノ
ール中に2.S′■のパラジウム(1)を含有するJ、
J flの溶液Bを上記の二酸化チタニウムコロイド溶
液人!こ加え、実施例/における如くこれに水銀灯を照
射する。この溶液を透析せずiこ型に注入し、好ましく
は室温で7部を蒸発させて数日後ゲルを生成する。かく
して得たゲル板状物を10時間以内をこ3OO℃まで加
熱し、同温度にy時間保って再び室温まで冷却する。か
くして得た金属酸化物キセロゲル板を研磨し、電極をつ
けて、寸法/X/X/m”の切片に裁断すると、これで
約300℃で非常に鋭敏に水素を検知できるガスセンサ
ができる。
としてのアセチルアセトンとをt、9 gのメタノ−、
ルに溶解し、それIc / dの水を攪拌しながら加え
て二酸化チタンコロイド溶液Aを造る。/Jmのメタノ
ール中に2.S′■のパラジウム(1)を含有するJ、
J flの溶液Bを上記の二酸化チタニウムコロイド溶
液人!こ加え、実施例/における如くこれに水銀灯を照
射する。この溶液を透析せずiこ型に注入し、好ましく
は室温で7部を蒸発させて数日後ゲルを生成する。かく
して得たゲル板状物を10時間以内をこ3OO℃まで加
熱し、同温度にy時間保って再び室温まで冷却する。か
くして得た金属酸化物キセロゲル板を研磨し、電極をつ
けて、寸法/X/X/m”の切片に裁断すると、これで
約300℃で非常に鋭敏に水素を検知できるガスセンサ
ができる。
実施例/ユ
メタノール中の二酸化チタンコロイド溶液Aを実施例1
/と同様につくり、それにメタノール中酢酸パラジウム
(II)の溶液Bを加える。実施例1の如く紫外線照射
によりコロイド状二酸化チタンの素面にパラジウムが析
出する。かくして得た溶液Cを型に注入し、好ましくは
室温で〆 4.? ) 1部を蒸発させれば数日後にゲルを生成する。
/と同様につくり、それにメタノール中酢酸パラジウム
(II)の溶液Bを加える。実施例1の如く紫外線照射
によりコロイド状二酸化チタンの素面にパラジウムが析
出する。かくして得た溶液Cを型に注入し、好ましくは
室温で〆 4.? ) 1部を蒸発させれば数日後にゲルを生成する。
有機溶剤であるメタノールを含む得られたゲルの板をメ
タノールの臨界圧力と臨界温度を越える圧力下でメタノ
ールと共に加熱する。圧力を常圧に戻し、次いで温度を
室温に下げる。かくして得た二酸化チタンエーロゲルの
板を研磨し電極をつけ、裁断して切片とする。これらの
切片で、温度約コ10℃で極めて鋭敏に水素、メタンお
よび二酸化炭素を検知するガスセンサが得られる。
タノールの臨界圧力と臨界温度を越える圧力下でメタノ
ールと共に加熱する。圧力を常圧に戻し、次いで温度を
室温に下げる。かくして得た二酸化チタンエーロゲルの
板を研磨し電極をつけ、裁断して切片とする。これらの
切片で、温度約コ10℃で極めて鋭敏に水素、メタンお
よび二酸化炭素を検知するガスセンサが得られる。
本発明の好ましき実施態様が記載されたが本発明はこの
記載に限定されるものでなく特許請求の範囲内で多様に
実施し具体化されることを明確にしておきたい。
記載に限定されるものでなく特許請求の範囲内で多様に
実施し具体化されることを明確にしておきたい。
発明の効果
本発明による方法で製造したガス検知用素子を構成材料
として製作したガスセンサは、検知すべきガスと直接比
例する電気的・光学的性質の変化を鋭敏に感知し、従来
のガスセンサを遥に凌駕する広範囲でかつ高感度のガス
センサの製作を可能にした。
として製作したガスセンサは、検知すべきガスと直接比
例する電気的・光学的性質の変化を鋭敏に感知し、従来
のガスセンサを遥に凌駕する広範囲でかつ高感度のガス
センサの製作を可能にした。
L%チ フ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l 周期律表のIb族、la族、ub族、lea族、B
ib族、■a族、■b族、Va族、■b族、■a族、V
Ib族、■a族、■b族、■族及びランタニド族及びア
クチニド族の1種からなる金属の少くともl′mの金属
酸化物、金属酸化物水和物、または水酸化物のコロイド
溶液Aを造り。 溶液Aを、ランタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト
、ニッケル、銅、ルテニウム。 イリジウム、パラジウム、白金、ロジウム。 オスミウム、銀、金、アンチモン、ビスマスまたはトリ
ウムの金属の塩または錯化合物の少くとも7種の溶液B
と混合し、 得られた混合物を電磁線で可視光及び紫外光領域で放射
して金属を前記金属酸化物または金属水酸化物上に微細
に分割された形態で光化学的に析出させて光を照射され
た溶液Cを造り。 得られた溶液Cを金属酸化物または金属水酸化物のコロ
イド粒子の大きさを実質上変えることなしに固体物質り
に作用させ。 この固体物質りを次後のガスセンサ動作温度より最高1
00℃高く、特に最高SOθ℃。 好ましくは最高300”Q高い温度で乾燥することを特
徴とする。触媒を添加した金属酸化物からなるガスセン
サ構成材料の製法。 ユ コロイド溶液Aがベリリウム、マグネシウム、カル
シウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウ
ム、トリウム、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニ
オブ、タンタル。 クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅、銀、亜鉛、カドミウム、アルミ
ニウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、亜鉛、鉛
、アンチモンまたはビスマスの少くとも7種の酸化物ま
たは水酸化物を含む特許請求の範囲第1項記載の製法。 3 コロイド溶液Aを、水溶液中の金属塩MXg5(式
中5Mは元素周期律表Ib族、la族、Ilb族、le
a族、Jib族、■a族、■’b族。 va族、Vb族、 ■a族、■b族、■a族、■b族、
■族、ランタニド族、アクチニド族の金属の少くとも7
種で、Xは対応する陰イオンであり、2はMの原子価で
ある)を、該水溶液中の水素イオン濃度変化による加水
分解によって行う特許請求の範囲第1項または第2項記
載の製法。 侶 コロイド溶液Aを、溶液中の金属アルコラードM(
OR)x(式中、Mは元素周期律表Ib族、la族、n
b族、IIIa族、l[b族、■a族、■b族、Va族
、■b族、■a族、■b族、■a族、■b族、■族、ラ
ンタニド族及びアクチニド族から選ばれた少くとも/8
iの金属で、 ORはアルコール残基であり、XはMの
原子価である)に水を添加することにより加水分解して
造ったものである特許請求のぷ 金属塩または金属アル
コラードの加水分解の前ζこ溶液にキレート化剤を添加
してなる特許請求の範囲第3項または第7項記載の製法
。 ム マグネシウム、ランタン、セリウム、チタン、ジル
コニウム、バナジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケ
ル、銅、亜鉛、アルミニウム、インジウムまたはスズの
酸化物もしくは水酸化物の少くとも1種のコロイド溶液
(A+と、ランタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト
、ニッケル、銅、ルテニウム、イリジウム、パラジウム
、白金、ロジウム、オスミウム、銀、金、アンチモン、
ビスマスまたはトリウムから選ばれた金属の少くとも7
種の塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、アセチ
ルアセトン酸塩、またはサリチル酸塩の溶液(B)と混
合する特許請求の範囲第7項記載の製法。 7 溶液(0)を造るに際して、溶液Aと溶液Bとの混
合液に溶液Bの金属含量の少くとも30チ、好ましくは
少くともる0チまたは少くと 。 も90%が金属に還元されるような光強度及び光照射期
間光照射を行う特許請求の範囲第1項記載の製法。 g 溶液Aと溶液Bとの混合液に、光化学的析出の際に
水素イオン濃度の上昇を約3以下にする還元剤を添加す
る特許請求の範囲第1項または第7項記載の製法。 9 光照射前に溶液Aと溶液Bとの混合液にキレート化
剤を添加する特許請求の範囲第7項または第7項に記載
の製法。 /θ キレート化剤が光化学的金属析出の際化還元剤と
して作用する特許請求の範囲第7項または第7項記載の
製法。 //、キレート化剤がシュウ酸、酒石酸、クエン酸、ア
セチルアセトン酸、エチレンジアミン四酢酸、二l−I
J口三酢酸およびサリチル酸から選ばれる特許請求の範
囲第3項または第9項または第1θ項記載の製法。 lユ 光化学的金属析出が実質上保護ガス下で行われ、
前記保護ガスがN、、Hθ、Ar、Nθ。 Kr、 Xs、 H,、Co、から選ば−れる。特許請
求の範囲第1項、第7項ないし第1/項のいずれかに記
載の製法。 13 調製したコロイド溶液または光照射した溶液0ま
たはそれら両者を透析または電解透析で精製する特許請
求の範囲第1項ないし第1コ項のいずれかに記載の製法
。 llA 光照射した溶液0を凍結乾燥し、得られた粉末
を乾燥し、電極を備えた基材上で焼結助剤と混合して焼
結することからなる特許請求の範囲第1項ないし第13
項のいずれかに記載の製法。 /j: 光照射した溶液Cを凍結乾燥し、得られた粉末
を加熱して溶媒を除去し、次いで圧縮し/ム 光照射し
た溶液Oを凍結乾燥し、得られた粉末を加熱して溶媒を
除去し、圧縮して板となし、得られた板を有機ケイ素化
合物、有機チタン化合物、有機アルミニウム化合物また
は有機スズ化合物で含浸し、第一回目の加熱を行って溶
媒を除去して板の強度を高めることからなる特許請求の
範囲第1項ないし第73項のいずれかに記載の製法。 /7.fa) 金属酸化物、水和金属酸化物、金属水酸
化物の少くともl′mのコロイド溶液Cをある形に注形
し、何日間も室温で、高純度の金属酸化物ゲル、水和金
属酸化物のゲルまたは金属水酸化物のゲルからなる固体
りが生成するまで乾燥し。 (b) 固体りを常圧でガスセンサの次後の動作時に使
用するガスセンサ動作温度より高くても7θO℃、特に
高くてもSOO℃或は有利には高くても3θO℃高い温
度に最高100℃/時間の昇温速度で加熱することによ
って所定の気孔率と粒度をもつ金属酸化物キセロゲルを
造ることからなる特許請求の範囲第1項記載の製法。 /& (a) 金属酸化物、水和金属酸化物または金属
水酸化物の少くとも1種のコロイド溶液0をある形に注
形し、何日間も室温で、高純度の金属酸化物ゲル、水和
金属酸化物ゲルまたは金属酸化物ゲルからなる固体(D
Jが生成するまで乾燥し。 fb) 固体りに常圧及び室温で何週間もの間有機溶媒
を繰返し添加して有機溶媒中に固体りを含有移行させ1
次いで少くとも半時間使用した溶媒の臨界温度−臨界圧
以上の圧力及び温度にもたらした後圧力を常圧に戻し、
最後に温度を室温に戻すこと薯こよって金属酸化物のエ
アロゲルとなすことからなる特許請求の範囲第1項記載
の製法。 15! (a) 有機溶媒中の金属酸化物、金属酸化物
水和物または金属水酸化物の少くとも/fiiのコロイ
ド溶液Cをある形に注形し、高純度の金属酸化物ゲル、
金属酸化物水和物ゲルまたは金属水酸化物ゲルからなり
且つ有機溶媒を含有する固体りが形成されるまで何日間
も乾燥し。 (1)) 固体りを有機溶媒の臨界状態以上の圧力及び
温度に少くとも半時間もたらした後圧力を常圧をこ低下
させ最後に温度を室温に戻すことによって金属酸化物の
エアロゲルを造ることからなる特許請求の範囲第7項記
載の製法。 :lO,(a) 有機溶媒中の金属酸化物、金属酸化物
水和物または金属水酸化物の少くとも7種のコロイド溶
液Cをある形に注形し、高純度の金属酸化物、金属酸化
物水和物または金属水酸化物からなり且つ有機溶媒を含
有する固体りが形成されるまで何日間も乾燥し。 (1)) 固体りを次後のガスセンサの動作に使用する
ガスセンサ動作温度より精々70O℃。 特に精々Sθθ℃または有利には3θθ℃高い温度に最
高100℃/時間の昇温速度で常圧で加熱し1次いで室
温に冷却することによって所定の気孔率と粒度とをもつ
金属酸化物キセロゲルとなす特許請求の範囲第2項、第
1グ項ないし第1デ項のいずれか7項記載の製法。 コl 金属酸化物キセロゲル、金属酸化物エアロゲルか
らなる固体から、或は圧縮金属酸化物粉末から所定の形
状のガスセンサを単離する特許請求の範囲第7項、第1
4’項ないし第一0項のいずれかに記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH4738/83-0 | 1983-08-30 | ||
CH4738/83A CH666965A5 (de) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | Verfahren zur herstellung von materialien fuer gassensoren. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6071942A true JPS6071942A (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=4281639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59179474A Pending JPS6071942A (ja) | 1983-08-30 | 1984-08-30 | ガスセンサ構成材料の製法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4579751A (ja) |
EP (1) | EP0141033A3 (ja) |
JP (1) | JPS6071942A (ja) |
CH (1) | CH666965A5 (ja) |
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JPH045559A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-09 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 可燃性ガス検知素子 |
JPH0783865A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Nok Corp | ガス検出素子 |
JPH1073553A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-03-17 | Osaka Gas Co Ltd | 一酸化炭素検出センサー |
JP2004028822A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | New Cosmos Electric Corp | 半導体式水素ガス検知素子 |
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JP2019109087A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | キヤノン株式会社 | 還元性ガスセンサ |
JP2020143956A (ja) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社東芝 | 可燃性ガスの濃度測定方法、可燃性ガスセンサー、および可燃性ガスセンサーの製造方法 |
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EP0332935A1 (de) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensomaterial zur Messung des Partialdruckes von Gasen oder Dämpfen und Gassensor |
IT1228121B (it) * | 1988-12-23 | 1991-05-28 | Eniricerche Spa | Sensore a stato solido per determinare la concentrazione di idrogeno e/o nox e relativo procedimento di preparazione |
JP3000595B2 (ja) * | 1989-09-12 | 2000-01-17 | 株式会社デンソー | ガス成分検出素子の製造方法 |
JPH0647464B2 (ja) * | 1990-03-20 | 1994-06-22 | 工業技術院長 | 示温材料及びその製造方法 |
GB2249179B (en) * | 1990-07-25 | 1994-08-17 | Capteur Sensors & Analysers | Transducers |
DE4038140A1 (de) * | 1990-11-30 | 1992-06-04 | Danfoss As | Verfahren zum herstellen eines gassensors |
DE4100915A1 (de) * | 1991-01-15 | 1992-07-16 | Bosch Gmbh Robert | Sensor fuer die bestimmung von kohlenmonoxid |
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