JPH0783865A - ガス検出素子 - Google Patents
ガス検出素子Info
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- JPH0783865A JPH0783865A JP5250127A JP25012793A JPH0783865A JP H0783865 A JPH0783865 A JP H0783865A JP 5250127 A JP5250127 A JP 5250127A JP 25012793 A JP25012793 A JP 25012793A JP H0783865 A JPH0783865 A JP H0783865A
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- tin oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁性基板上にガス感応体としての酸化錫半
導体薄膜を形成させたガス検出素子であって、高温条件
下における抵抗率の経時的な変化を小さくしたものを提
供する。 【構成】 絶縁性基板上にガス感応体としてのゲルマニ
ウム含有酸化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子。
導体薄膜を形成させたガス検出素子であって、高温条件
下における抵抗率の経時的な変化を小さくしたものを提
供する。 【構成】 絶縁性基板上にガス感応体としてのゲルマニ
ウム含有酸化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス検出素子に関す
る。更に詳しくは、絶縁性基板上にガス感応体としての
酸化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子に関する。
る。更に詳しくは、絶縁性基板上にガス感応体としての
酸化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ガス感応体として酸化錫半導
体を用いたガス検出素子が知られており、近年この酸化
錫半導体は焼結体型のものから、薄膜型のものに移行さ
れつつある。酸化錫半導体薄膜は、ガス感応体を加熱す
るための消費電力が小さく、かつ極く低濃度の可燃性ガ
スでも検知できるという特徴を有している。
体を用いたガス検出素子が知られており、近年この酸化
錫半導体は焼結体型のものから、薄膜型のものに移行さ
れつつある。酸化錫半導体薄膜は、ガス感応体を加熱す
るための消費電力が小さく、かつ極く低濃度の可燃性ガ
スでも検知できるという特徴を有している。
【０００３】しかしながら、酸化錫半導体薄膜は、ガス
感応体としての抵抗値の経時変化が大きく、安定した素
子特性を維持できないという欠点を有している。その原
因の一つとして、薄膜内部での結晶粒の成長が指摘され
ている。即ち、可燃性ガス等を検知するガス検出素子
は、一般に約300〜500℃という高温条件下に曝されて長
時間使用されるため、結晶粒成長が進行し、これに伴っ
て、薄膜の抵抗値が変化してしまうため、経時的な安定
性が確保できないことになる。
感応体としての抵抗値の経時変化が大きく、安定した素
子特性を維持できないという欠点を有している。その原
因の一つとして、薄膜内部での結晶粒の成長が指摘され
ている。即ち、可燃性ガス等を検知するガス検出素子
は、一般に約300〜500℃という高温条件下に曝されて長
時間使用されるため、結晶粒成長が進行し、これに伴っ
て、薄膜の抵抗値が変化してしまうため、経時的な安定
性が確保できないことになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、絶縁
性基板上にガス感応体としての酸化錫半導体薄膜を形成
させたガス検出素子であって、高温条件下における抵抗
率の経時的な変化を小さくしたものを提供することにあ
る。
性基板上にガス感応体としての酸化錫半導体薄膜を形成
させたガス検出素子であって、高温条件下における抵抗
率の経時的な変化を小さくしたものを提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
絶縁性基板上にガス感応体としてのゲルマニウム含有酸
化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子によって達成
される。
絶縁性基板上にガス感応体としてのゲルマニウム含有酸
化錫半導体薄膜を形成させたガス検出素子によって達成
される。
【０００６】絶縁性基板としては、耐熱性ガラス基板、
アルミナ基板、窒化アルミニウム基板等の約300〜500℃
の耐熱温度を有するものが一般に用いられる。
アルミナ基板、窒化アルミニウム基板等の約300〜500℃
の耐熱温度を有するものが一般に用いられる。
【０００７】これらの絶縁性基板上には、一組の電極お
よびゲルマニウム含有酸化錫半導体薄膜が任意の順序で
形成される。ゲルマニウム含有酸化錫半導体薄膜の形成
は、約0.1〜1モル%の錫テトラ低級アルコキシド、例え
ば錫テトライソプロポキシドのトリエタノールアミン-
イソプロパノール溶液に、ゲルマニウム低級アルコキシ
ド、例えばゲルマニウムイソプロポキシドを加えた後、
更に脱水イソプロパノールおよびトリエタノールアミン
を加えて、全金属濃度を約0.5モル%とした浸漬溶液を用
いて行われる。ここで、トリエタノールアミンが用いら
れるのは、アルコキシド溶液の安定化のためであり、そ
の添加量は全金属濃度と等しくなるように調整される。
よびゲルマニウム含有酸化錫半導体薄膜が任意の順序で
形成される。ゲルマニウム含有酸化錫半導体薄膜の形成
は、約0.1〜1モル%の錫テトラ低級アルコキシド、例え
ば錫テトライソプロポキシドのトリエタノールアミン-
イソプロパノール溶液に、ゲルマニウム低級アルコキシ
ド、例えばゲルマニウムイソプロポキシドを加えた後、
更に脱水イソプロパノールおよびトリエタノールアミン
を加えて、全金属濃度を約0.5モル%とした浸漬溶液を用
いて行われる。ここで、トリエタノールアミンが用いら
れるのは、アルコキシド溶液の安定化のためであり、そ
の添加量は全金属濃度と等しくなるように調整される。
【０００８】この浸漬溶液中に、絶縁性基板を約10〜60
秒間程度浸漬した後、一定の引き上げ速度で引き上げ、
約100〜200℃で乾燥させてから、電気炉等を用い、約50
0〜800℃で約30〜60分間焼成処理する。このような浸漬
-乾燥-焼成処理という一連の工程を複数回くり返すこと
により、ゲルマニウムが添加された酸化錫薄膜を約100
〜500nmの膜厚で絶縁性基板上に形成させる。
秒間程度浸漬した後、一定の引き上げ速度で引き上げ、
約100〜200℃で乾燥させてから、電気炉等を用い、約50
0〜800℃で約30〜60分間焼成処理する。このような浸漬
-乾燥-焼成処理という一連の工程を複数回くり返すこと
により、ゲルマニウムが添加された酸化錫薄膜を約100
〜500nmの膜厚で絶縁性基板上に形成させる。
【０００９】ゲルマニウムの添加量は、全金属中約1〜5
0モル%、好ましくは約10〜40モル%占めるような割合で
用いられる。ゲルマニウムを添加しない酸化錫半導体薄
膜の抵抗率は0.06Ω・cm程度であり、これにこのような
割合のゲルマニウムを添加したときの抵抗率は0.1〜0.4
Ω・cmの範囲にとどまるが、50モル%の添加では、その
抵抗率は2Ω・cm程度に急上昇するので、それ以上の割
合で添加することは好ましくない。
0モル%、好ましくは約10〜40モル%占めるような割合で
用いられる。ゲルマニウムを添加しない酸化錫半導体薄
膜の抵抗率は0.06Ω・cm程度であり、これにこのような
割合のゲルマニウムを添加したときの抵抗率は0.1〜0.4
Ω・cmの範囲にとどまるが、50モル%の添加では、その
抵抗率は2Ω・cm程度に急上昇するので、それ以上の割
合で添加することは好ましくない。
【００１０】
【発明の効果】酸化錫半導体薄膜を絶縁性基板上にガス
感応体として形成させたガス検出素子において、酸化錫
半導体薄膜中にゲルマニウム(多くはGeO2と考えられる
が、一部はGeとしてSnO2内へ固溶しているものもあると
考えられる)を含有せしめ、酸化錫の結晶粒成長を抑制
することにより、ガス感応体としての抵抗値の経時的変
化を小さくすることができ、安定した素子特性を維持し
得るようになる。
感応体として形成させたガス検出素子において、酸化錫
半導体薄膜中にゲルマニウム(多くはGeO2と考えられる
が、一部はGeとしてSnO2内へ固溶しているものもあると
考えられる)を含有せしめ、酸化錫の結晶粒成長を抑制
することにより、ガス感応体としての抵抗値の経時的変
化を小さくすることができ、安定した素子特性を維持し
得るようになる。
【００１１】即ち、原子価制御の影響がないと考えられ
る各種のIV族元素(Ge、Zn、TiまたはSi)の添加によって
も、酸化錫の粒成長および抵抗率変化は抑制されるもの
の、特にゲルマニウムの添加による粒成長抑制効果が最
も高く、測定ガスに対する応答速度の向上も図られる。
また、ゲルマニウムを添加することにより、例えば800
℃といった高温での熱処理による抵抗率の減少量を小さ
くすることができる。
る各種のIV族元素(Ge、Zn、TiまたはSi)の添加によって
も、酸化錫の粒成長および抵抗率変化は抑制されるもの
の、特にゲルマニウムの添加による粒成長抑制効果が最
も高く、測定ガスに対する応答速度の向上も図られる。
また、ゲルマニウムを添加することにより、例えば800
℃といった高温での熱処理による抵抗率の減少量を小さ
くすることができる。
【００１２】
【実施例】次に、実施例について本発明を説明する。
【００１３】実施例 錫テトライソプロポキシド17.73g(0.05モル)に脱水イソ
プロパノール50mlを加えて撹拌する。この溶液に、トリ
エタノールアミン7.46g(0.05モル)を加え、更に脱水イ
ソプロパノールを加えて、全量を100mlとした。この0.5
モル濃度の錫テトライソプロポキシドのトリエタノール
アミン-イソプロパノール溶液に、ゲルマニウムテトラ
イソプロポキシドを錫テトライソプロポキシドに対して
10モル%加えた後、更に脱水イソプロパノールおよびト
リエタノールアミンを加えて、全金属濃度を0.5モル濃
度となるように調製し、浸漬溶液とした。
プロパノール50mlを加えて撹拌する。この溶液に、トリ
エタノールアミン7.46g(0.05モル)を加え、更に脱水イ
ソプロパノールを加えて、全量を100mlとした。この0.5
モル濃度の錫テトライソプロポキシドのトリエタノール
アミン-イソプロパノール溶液に、ゲルマニウムテトラ
イソプロポキシドを錫テトライソプロポキシドに対して
10モル%加えた後、更に脱水イソプロパノールおよびト
リエタノールアミンを加えて、全金属濃度を0.5モル濃
度となるように調製し、浸漬溶液とした。
【００１４】この浸漬溶液中に、耐熱ガラス基板(コー
ニング社製品7059)を30秒間浸漬した後、6cm/分の一定
引き上げ速度で引き上げ、110℃で15分間乾燥させてか
ら、電気炉内で600℃、30分間の焼成処理を行った。こ
のような浸漬-乾燥-焼成処理という一連の工程を5サイ
クルくり返し、10モル%ゲルマニウムが添加された酸化
錫薄膜(膜厚250nm)を耐熱ガラス基板上に形成させた。
ニング社製品7059)を30秒間浸漬した後、6cm/分の一定
引き上げ速度で引き上げ、110℃で15分間乾燥させてか
ら、電気炉内で600℃、30分間の焼成処理を行った。こ
のような浸漬-乾燥-焼成処理という一連の工程を5サイ
クルくり返し、10モル%ゲルマニウムが添加された酸化
錫薄膜(膜厚250nm)を耐熱ガラス基板上に形成させた。
【００１５】比較例１ 実施例において、錫テトライソプロポキシドのトリエタ
ノールアミン-イソプロパノール混合溶媒溶液が、その
まま浸漬溶液として用いられた。
ノールアミン-イソプロパノール混合溶媒溶液が、その
まま浸漬溶液として用いられた。
【００１６】(ゲルマニウム添加による粒成長抑制効果)
実施例および比較例１で、それぞれの浸漬溶液を徐々に
加熱し、溶媒を留去して得られた粉体について、600，7
00，800または900℃の各温度で3時間熱処理した後の結
晶粒径(単位：nm)を、Ｘ線回析法により測定すると、次
のような結果が得られた。 熱処理温度(℃) 実施例 比較例１ 600 20.4 28.1 700 30.2 37.2 800 28.7 39.9 900 32.9 78.9
実施例および比較例１で、それぞれの浸漬溶液を徐々に
加熱し、溶媒を留去して得られた粉体について、600，7
00，800または900℃の各温度で3時間熱処理した後の結
晶粒径(単位：nm)を、Ｘ線回析法により測定すると、次
のような結果が得られた。 熱処理温度(℃) 実施例 比較例１ 600 20.4 28.1 700 30.2 37.2 800 28.7 39.9 900 32.9 78.9
【００１７】この結果から、比較例１のものは熱処理温
度が高くなると粒径増加が顕著になるのに対し、実施例
のものの粒径増加量は少なく、即ち酸化錫薄膜中にゲル
マニウムを添加することにより、粒子の成長が抑制され
たものと考えられる。
度が高くなると粒径増加が顕著になるのに対し、実施例
のものの粒径増加量は少なく、即ち酸化錫薄膜中にゲル
マニウムを添加することにより、粒子の成長が抑制され
たものと考えられる。
【００１８】(ゲルマニウム添加による酸化錫薄膜抵抗
率の安定化)実施例および比較例１で、それぞれ耐熱ガ
ラス基板上に形成させたゲルマニウム添加酸化錫薄膜に
ついて、上記結晶粒径の測定において、実施例のものと
比較例１のものとの結晶粒径の差が大きくなっている熱
処理温度(800℃と600℃)を参照し、熱処理温度800℃の
酸化錫薄膜と熱処理温度600℃の酸化錫薄膜について、
それぞれ室温での抵抗率(単位：Ω・cm)を四探針法によ
って測定し、その比R800/R600を算出した。 実施例 比較例 熱処理温度600℃ 0.21 0.10 熱処理温度800℃ 0.10 0.034 R800/R600 0.48 0.34
率の安定化)実施例および比較例１で、それぞれ耐熱ガ
ラス基板上に形成させたゲルマニウム添加酸化錫薄膜に
ついて、上記結晶粒径の測定において、実施例のものと
比較例１のものとの結晶粒径の差が大きくなっている熱
処理温度(800℃と600℃)を参照し、熱処理温度800℃の
酸化錫薄膜と熱処理温度600℃の酸化錫薄膜について、
それぞれ室温での抵抗率(単位：Ω・cm)を四探針法によ
って測定し、その比R800/R600を算出した。 実施例 比較例 熱処理温度600℃ 0.21 0.10 熱処理温度800℃ 0.10 0.034 R800/R600 0.48 0.34
【００１９】この結果から、抵抗率の比(R800/R600)が
実施例では約1/2であるのに対し、比較例１では約1/3に
減少しており、このように高温での熱処理により酸化錫
薄膜の抵抗率は減少する傾向がみられるが、そこにゲル
マニウムを添加することにより、その減少率を低下さ
せ、抵抗率の経時的な変化を抑制し得ることが分かる。
実施例では約1/2であるのに対し、比較例１では約1/3に
減少しており、このように高温での熱処理により酸化錫
薄膜の抵抗率は減少する傾向がみられるが、そこにゲル
マニウムを添加することにより、その減少率を低下さ
せ、抵抗率の経時的な変化を抑制し得ることが分かる。
【００２０】比較例２〜４ 実施例において、ゲルマニウムテトライソプロポキシド
の代わりに、ジルコニウムテトラn-ブトキシド(比較例
２)、チタンテトライソプロポキシド(比較例３)または
シリコンテトラエトキシド(比較例４)がそれぞれ錫テト
ライソプロポキシドに対して10モル%用いられた。
の代わりに、ジルコニウムテトラn-ブトキシド(比較例
２)、チタンテトライソプロポキシド(比較例３)または
シリコンテトラエトキシド(比較例４)がそれぞれ錫テト
ライソプロポキシドに対して10モル%用いられた。
【００２１】前記実施例(■)、比較例２(▲)および比較
例４(▼)でそれぞれ得られたゲルマニウム、ジルコニウ
ムまたはシリコン添加酸化錫薄膜を600℃で熱処理した
ときの、ゲルマニウム、ジルコニウムまたはシリコンの
添加量による抵抗率の変化は図１のグラフに示される。
添加量10モル%についてみると、ジルコニウムでは24Ω
・cm、また同条件のチタン添加(比較例３)ではこのグラ
フに表示できない測定限界以上と高抵抗な膜となるのに
対して、ゲルマニウムおよびシリコンでは１Ω・cm以下
と低い抵抗率を維持していた。中でも、ゲルマニウムを
添加した膜では、添加量50モル%においても2.1Ω・cmで
あった。
例４(▼)でそれぞれ得られたゲルマニウム、ジルコニウ
ムまたはシリコン添加酸化錫薄膜を600℃で熱処理した
ときの、ゲルマニウム、ジルコニウムまたはシリコンの
添加量による抵抗率の変化は図１のグラフに示される。
添加量10モル%についてみると、ジルコニウムでは24Ω
・cm、また同条件のチタン添加(比較例３)ではこのグラ
フに表示できない測定限界以上と高抵抗な膜となるのに
対して、ゲルマニウムおよびシリコンでは１Ω・cm以下
と低い抵抗率を維持していた。中でも、ゲルマニウムを
添加した膜では、添加量50モル%においても2.1Ω・cmで
あった。
【００２２】また、前記の粒成長抑制効果についても、
600〜1000℃の温度で熱処理したときの結晶粒径は、何
も添加されない比較例１(●)では約800℃から顕著な粒
成長が始まるが、いずれも10モル%のゲルマニウムが添
加された実施例(■)、ジルコニウムが添加された比較例
２(▲)およびチタンが添加された比較例３(◆)では粒成
長が抑制され、この内ゲルマニウムの添加による抑制効
果が特に高いことが、図２のグラフに示されている。こ
のような粒成長抑制効果は、粉体についてだけではな
く、薄膜についてもみられる。
600〜1000℃の温度で熱処理したときの結晶粒径は、何
も添加されない比較例１(●)では約800℃から顕著な粒
成長が始まるが、いずれも10モル%のゲルマニウムが添
加された実施例(■)、ジルコニウムが添加された比較例
２(▲)およびチタンが添加された比較例３(◆)では粒成
長が抑制され、この内ゲルマニウムの添加による抑制効
果が特に高いことが、図２のグラフに示されている。こ
のような粒成長抑制効果は、粉体についてだけではな
く、薄膜についてもみられる。
【００２３】更に、50モル%のゲルマニウムを添加した
酸化錫粉体を600〜1000℃の各温度で熱処理したときの
Ｘ線回析パターンの変化をみると、図３のグラフに示さ
れるように、600℃でSnO2(○)の(110)ピークがみられ、
700℃から六方晶形GeO2(●)の(101)ピークが観察される
ようになり、熱処理温度の上昇に伴い、SnO2(110)ピー
クがブロードになってくる。このことを詳細に解析する
と、正方晶形(ルチル型)酸化錫の影響を受けて、GeO2が
本来この温度領域では不安定な正方晶形に結晶化し、そ
の(110)ピークがSnO2の(110)ピークの近傍に現われるも
のと考えられる。正方晶形GeO2の結晶化は、SnO2とGeO2
とが独立に存在していては起こらないと考えられるの
で、ゲルマニウム添加酸化錫は、まずSnO2が結晶化し、
その結晶粒子表面にGeO2が生成して、結晶粒成長を抑制
しているのではないかと考えられる。
酸化錫粉体を600〜1000℃の各温度で熱処理したときの
Ｘ線回析パターンの変化をみると、図３のグラフに示さ
れるように、600℃でSnO2(○)の(110)ピークがみられ、
700℃から六方晶形GeO2(●)の(101)ピークが観察される
ようになり、熱処理温度の上昇に伴い、SnO2(110)ピー
クがブロードになってくる。このことを詳細に解析する
と、正方晶形(ルチル型)酸化錫の影響を受けて、GeO2が
本来この温度領域では不安定な正方晶形に結晶化し、そ
の(110)ピークがSnO2の(110)ピークの近傍に現われるも
のと考えられる。正方晶形GeO2の結晶化は、SnO2とGeO2
とが独立に存在していては起こらないと考えられるの
で、ゲルマニウム添加酸化錫は、まずSnO2が結晶化し、
その結晶粒子表面にGeO2が生成して、結晶粒成長を抑制
しているのではないかと考えられる。
【００２４】このことと関連して、ゲルマニウム10モル
%添加酸化錫薄膜は、粒径約10nmの粒子より構成されて
いて、その粒径は比較的揃っていることがTEM観察の結
果から分かり、これは前述したような結晶化の過程が影
響しているものと考えられる。これに対して、ゲルマニ
ウムを添加しない酸化錫薄膜では、粒径に幅広い分布が
みられた。
%添加酸化錫薄膜は、粒径約10nmの粒子より構成されて
いて、その粒径は比較的揃っていることがTEM観察の結
果から分かり、これは前述したような結晶化の過程が影
響しているものと考えられる。これに対して、ゲルマニ
ウムを添加しない酸化錫薄膜では、粒径に幅広い分布が
みられた。
【００２５】(ガスセンサ特性)濃度5240ppmの2-メチル-
2-ブテンを含有する空気中における350℃での薄膜の応
答挙動が、図４のグラフに示されている。雰囲気を2-メ
チル-2-ブテン含有空気(gas)から空気(air)に切り換え
たときの応答速度は、10モル%のゲルマニウムを添加し
た酸化錫薄膜(実線)の方が、ゲルマニウムを添加しない
酸化錫薄膜(点線)よりも速くなっていることが分かる。
これは、ゲルマニウム添加酸化錫薄膜を形成している粒
子の径が、ゲルマニウムを添加しない酸化錫薄膜の粒子
の径よりも揃っていることに関係しているのではないか
と考えられる。
2-ブテンを含有する空気中における350℃での薄膜の応
答挙動が、図４のグラフに示されている。雰囲気を2-メ
チル-2-ブテン含有空気(gas)から空気(air)に切り換え
たときの応答速度は、10モル%のゲルマニウムを添加し
た酸化錫薄膜(実線)の方が、ゲルマニウムを添加しない
酸化錫薄膜(点線)よりも速くなっていることが分かる。
これは、ゲルマニウム添加酸化錫薄膜を形成している粒
子の径が、ゲルマニウムを添加しない酸化錫薄膜の粒子
の径よりも揃っていることに関係しているのではないか
と考えられる。
【図１】ゲルマニウム、ジルコニウムまたはシリコンの
添加量と抵抗率との関係を示すグラフである。
添加量と抵抗率との関係を示すグラフである。
【図２】実施例および比較例１〜３における熱処理温度
と結晶粒径との関係を示すグラフである。
と結晶粒径との関係を示すグラフである。
【図３】50モル%のゲルマニウムを添加した酸化錫粉体
の600〜1000℃の温度で熱処理したときのＸ線回析パタ
ーンである。
の600〜1000℃の温度で熱処理したときのＸ線回析パタ
ーンである。
【図４】2-メチル-2-ブテン含有空気に対する、10モル%
のゲルマニウム添加酸化錫薄膜とゲルマニウムを添加し
ない酸化錫薄膜の応答挙動を示すグラフである。
のゲルマニウム添加酸化錫薄膜とゲルマニウムを添加し
ない酸化錫薄膜の応答挙動を示すグラフである。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年７月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】 この浸漬溶液中に、耐熱ガラス基板を３
０秒間浸漬した後、６ｃｍ／分の一定引き上げ速度で引
き上げ、１１０℃で１５分間乾燥させてから、電気炉内
で６００℃、３０分間の焼成処理を行った。このような
浸漬−乾燥−焼成処理という一連の工程を５サイクルく
り返し、１０モル％ゲルマニウムが添加された酸化錫薄
膜（膜厚２５０ｎｍ）を耐熱ガラス基板上に形成させ
た。
０秒間浸漬した後、６ｃｍ／分の一定引き上げ速度で引
き上げ、１１０℃で１５分間乾燥させてから、電気炉内
で６００℃、３０分間の焼成処理を行った。このような
浸漬−乾燥−焼成処理という一連の工程を５サイクルく
り返し、１０モル％ゲルマニウムが添加された酸化錫薄
膜（膜厚２５０ｎｍ）を耐熱ガラス基板上に形成させ
た。
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板上にガス感応体としてのゲル
マニウム含有酸化錫半導体薄膜を形成せしめてなるガス
検出素子。 - 【請求項２】 ゲルマニウム含有酸化錫半導体薄膜が錫
テトラアルコキシドとゲルマニウムテトラアルコキシド
との混合焼成物である請求項１記載のガス検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25012793A JP3218821B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | ガス検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25012793A JP3218821B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | ガス検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0783865A true JPH0783865A (ja) | 1995-03-31 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5165997A (ja) * | 1974-12-04 | 1976-06-08 | Figaro Eng | Gasukenshutsusoshi |
| JPS5844339A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-15 | Kiichiro Kamata | 薄膜センサー素子の製造法 |
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| JPS5994050A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス検知素子 |
| JPS59134054U (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-07 | 日本電気株式会社 | ガス検知素子 |
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-
1993
- 1993-09-10 JP JP25012793A patent/JP3218821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
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