JPH01242952A - ハロゲン化炭化水素ガスセンサ - Google Patents
ハロゲン化炭化水素ガスセンサInfo
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- JPH01242952A JPH01242952A JP7121488A JP7121488A JPH01242952A JP H01242952 A JPH01242952 A JP H01242952A JP 7121488 A JP7121488 A JP 7121488A JP 7121488 A JP7121488 A JP 7121488A JP H01242952 A JPH01242952 A JP H01242952A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明は、金属酸化物半導体の抵抗値の変化を用いた
、ハロゲン化炭化水素ガスセンサに関する。
、ハロゲン化炭化水素ガスセンサに関する。
［従来技術］
フレオン等のハロゲン化炭化水素か大気上層のオゾン層
を破壊し、環境破壊をしたらすことが指摘されている。
を破壊し、環境破壊をしたらすことが指摘されている。
ハロゲン化炭化水素の主なものはフレオンであり、フレ
オン消費量の約４０％はフロン１１３（ＣＣＩＦｔ・Ｃ
ＣＩ、Ｆ）で占められている。これ以外のフレオンの内
生なものは、フロン１２（ＣＣＬＦ、、消費量約２５％
）、フロン１１（ＣＣ１３Ｆ、消費量約２０％）、フロ
ン２２（ＣＨＣＩＦ、消費量約１５％）である。これら
のフレオンの内、フロン２２は比較的環境への影響の少
ない物質であり、またフロンｌ！やフロン１２には環境
への影響が小さいフロン１２３や、フロン１３４ａ等の
代替物質が開発されている。しかし最大の消費量を占め
るフロン１１３には、代替物質は開発されていない。
オン消費量の約４０％はフロン１１３（ＣＣＩＦｔ・Ｃ
ＣＩ、Ｆ）で占められている。これ以外のフレオンの内
生なものは、フロン１２（ＣＣＬＦ、、消費量約２５％
）、フロン１１（ＣＣ１３Ｆ、消費量約２０％）、フロ
ン２２（ＣＨＣＩＦ、消費量約１５％）である。これら
のフレオンの内、フロン２２は比較的環境への影響の少
ない物質であり、またフロンｌ！やフロン１２には環境
への影響が小さいフロン１２３や、フロン１３４ａ等の
代替物質が開発されている。しかし最大の消費量を占め
るフロン１１３には、代替物質は開発されていない。
フレオンによる環境破壊を防止するには、その漏れを検
出するセνすが必要である。このセンナには特に、消費
ｍが大きく今後とも使用を続けねばならない、フロン１
１３に高感度であることが要求される。
出するセνすが必要である。このセンナには特に、消費
ｍが大きく今後とも使用を続けねばならない、フロン１
１３に高感度であることが要求される。
発明者らは、金属酸化物半導体ガスセンサのフレオン感
度を測定した。結果は、（１）フレオンに対するガスセ
ンサの感度は不充分である、（２）特に重要なフロン１
１３への感度が乏しい、というものであった。
度を測定した。結果は、（１）フレオンに対するガスセ
ンサの感度は不充分である、（２）特に重要なフロン１
１３への感度が乏しい、というものであった。
［発明の課題］
この発明の課題は、ガスセンサのハロゲン化炭化水素に
対する感度を向上させること、特にフロン１１３への感
度を向上させることに有る。
対する感度を向上させること、特にフロン１１３への感
度を向上させることに有る。
［発明の構成］
この発明では、金属酸化物半導体に６〜２００ｍｍｏｌ
／ｍｏｌの二酸化ゲルマニウムを添加する。添加した２
酸化ゲルマニウムはフレオンへの感度を向上させ、特に
重要なガスでありながら検出が堆しい、フロン−１１３
への感度を向上させる。次ぎにフレオンへの増感作用は
、低温（例えば室ｌ量〜２００°Ｃ）で著しい。
／ｍｏｌの二酸化ゲルマニウムを添加する。添加した２
酸化ゲルマニウムはフレオンへの感度を向上させ、特に
重要なガスでありながら検出が堆しい、フロン−１１３
への感度を向上させる。次ぎにフレオンへの増感作用は
、低温（例えば室ｌ量〜２００°Ｃ）で著しい。
２酸化ゲルマニウムの添加量には、臨界的な点が有り、
例えば３ ｍｍｏｌ／ ｍｏｌ金属酸化物半導体、（以
下ｍｍｏｌ／ｍｏｌ金属酸化物半導体の単位を、単にｍ
ｍｏｌと表示する。）、ではフレオン感度は逆に低下す
る。なお２酸化ゲルマニウムによるフレオン、アルいは
類似の物質であるハロン等のハロケン化炭化水素への増
感作用は任意の金属酸化物半導体に付いて見られ、例え
ばＳｎｏｗやＺｎＯのいずれでも、フレオンへの増感作
用が見られた。
例えば３ ｍｍｏｌ／ ｍｏｌ金属酸化物半導体、（以
下ｍｍｏｌ／ｍｏｌ金属酸化物半導体の単位を、単にｍ
ｍｏｌと表示する。）、ではフレオン感度は逆に低下す
る。なお２酸化ゲルマニウムによるフレオン、アルいは
類似の物質であるハロン等のハロケン化炭化水素への増
感作用は任意の金属酸化物半導体に付いて見られ、例え
ばＳｎｏｗやＺｎＯのいずれでも、フレオンへの増感作
用が見られた。
［実施例］
試料の調整
Ｓ ＩＩＣＩ４の水溶液をアンモニアで中和し、スズ酸
のゾルとした。ゾルを水洗後に乾燥し、空気中８００℃
で１時間焼成してＳｎｏｗを得た。この５ｎＯｔを粉砕
し、塩化パラデイラムの水溶液を含浸させ、７００℃で
３０分間空気中にて焼成し、Ｐｄ触媒を担持さけた。担
持量は、Ｉ Ｏｎ＋ｇｒＰｄ／ｇｒＳ ｎｏ ｔ＜金属
Ｐｄ換算）である。
のゾルとした。ゾルを水洗後に乾燥し、空気中８００℃
で１時間焼成してＳｎｏｗを得た。この５ｎＯｔを粉砕
し、塩化パラデイラムの水溶液を含浸させ、７００℃で
３０分間空気中にて焼成し、Ｐｄ触媒を担持さけた。担
持量は、Ｉ Ｏｎ＋ｇｒＰｄ／ｇｒＳ ｎｏ ｔ＜金属
Ｐｄ換算）である。
同様にＺ ｎ（Ｎ ０３） ２の水溶液をアンモニアで
加水分解し、沈でんを得た。この沈でんの乾燥後に、７
００℃で１時間空気中にて焼成し、ＺｎＯとした。焼成
後のＺｎＯを粉砕し、塩化白金酸の水溶液を含浸させて
乾燥し、６５０℃で３０分間熱処理してｐｔ触媒を担持
させた。担持量はｌｏｍｇｒＰｔ／ｇｒｓｎＯｙ（金属
Ｐｔ換算）とした。
加水分解し、沈でんを得た。この沈でんの乾燥後に、７
００℃で１時間空気中にて焼成し、ＺｎＯとした。焼成
後のＺｎＯを粉砕し、塩化白金酸の水溶液を含浸させて
乾燥し、６５０℃で３０分間熱処理してｐｔ触媒を担持
させた。担持量はｌｏｍｇｒＰｔ／ｇｒｓｎＯｙ（金属
Ｐｔ換算）とした。
なおＰｄやＰｔ等の触媒は加えなくても良く、またその
種類や添加量は任意である。
種類や添加量は任意である。
触媒添加後の５ｎＯｔやＺｎＯを粉砕し、一対の金電極
を印刷したアルミナバイブに塗布し、１０分間焼結した
。焼結温度はＳｎｏｗで８５０℃、ＺｎＯで７５０℃と
した。焼結後のアルミナパイプにヒータコイルを挿入し
、ステムに固定してガスセンサとした。このガスセンサ
の形状は、出願人のガスセンサ“ＴＧＳ８１３”として
周知である。
を印刷したアルミナバイブに塗布し、１０分間焼結した
。焼結温度はＳｎｏｗで８５０℃、ＺｎＯで７５０℃と
した。焼結後のアルミナパイプにヒータコイルを挿入し
、ステムに固定してガスセンサとした。このガスセンサ
の形状は、出願人のガスセンサ“ＴＧＳ８１３”として
周知である。
ガスセンサにの金属ゲルマニウムの王水溶液を滴下し、
ＳｎＯ，′ＰＺｎｏに吸収させた。次いで空気中６５０
℃で３０分間熱処理し、ゲルマニウム溶液を分解して、
ゲルマニウムを担持させた。ゲルマニウムは大部分２酸
化ゲルマニウムとして担持される。ゲルマニウムの添加
時期や添加形態は任意であり、例えば塗布前の５ｎＯｙ
やＺｎＯの粉体に加えても良い。なお金属酸化物半導体
ガスセンサにはこれ以外に種々の添加物が知られており
、これらの添加物とＧ ｅ Ｏｖとを組み合わせて添加
してら良い。
ＳｎＯ，′ＰＺｎｏに吸収させた。次いで空気中６５０
℃で３０分間熱処理し、ゲルマニウム溶液を分解して、
ゲルマニウムを担持させた。ゲルマニウムは大部分２酸
化ゲルマニウムとして担持される。ゲルマニウムの添加
時期や添加形態は任意であり、例えば塗布前の５ｎＯｙ
やＺｎＯの粉体に加えても良い。なお金属酸化物半導体
ガスセンサにはこれ以外に種々の添加物が知られており
、これらの添加物とＧ ｅ Ｏｖとを組み合わせて添加
してら良い。
結果
第１図〜第３図に、７０〜４９０℃での空気中と各１１
０００ｐｐのフロン−１１３，フロン−２２に対するセ
ンサの抵抗値を示す。第１図はＳ ｎ Ｏｔ１ｍｏｌ当
たり１２ｍｍｏｌのＧｅｍ、を加えた実施例の特性を、
第２図はＧｅｍ、添加量を３ ｍｍｏｌ／ ｍｏｌ Ｓ
ｎｏｔとした比較例の特性を、第３図はＧｅ０ｔ無添
加のＳ ｎ Ｏｙセンサの特性を示す。なお以下結果は
３個のセンサの平均値で示し、雰囲気は２０℃ＲＩ−１
６５％とした。
０００ｐｐのフロン−１１３，フロン−２２に対するセ
ンサの抵抗値を示す。第１図はＳ ｎ Ｏｔ１ｍｏｌ当
たり１２ｍｍｏｌのＧｅｍ、を加えた実施例の特性を、
第２図はＧｅｍ、添加量を３ ｍｍｏｌ／ ｍｏｌ Ｓ
ｎｏｔとした比較例の特性を、第３図はＧｅ０ｔ無添
加のＳ ｎ Ｏｙセンサの特性を示す。なお以下結果は
３個のセンサの平均値で示し、雰囲気は２０℃ＲＩ−１
６５％とした。
第１図の実施例では、フロン−１１３への感度は４２０
°Ｃ，４９０℃を除く全ての温度で向上し、特に７０℃
や１４０°Ｃでは著しい増感効果が見られろ。またフロ
ン−２２への感度は一般には低下するが、１４０℃では
フロン−２２への増感効果が見られる。
°Ｃ，４９０℃を除く全ての温度で向上し、特に７０℃
や１４０°Ｃでは著しい増感効果が見られろ。またフロ
ン−２２への感度は一般には低下するが、１４０℃では
フロン−２２への増感効果が見られる。
これに対してＧ ｅ Ｏを添加量を３ ｍｍｏｌ／ｍｏ
ｌ Ｓ ｎｏ ｔとした第２図の比較例では、Ｇ ｅ
Ｏを無添加のらのと類似の特性が見られ、しかもフロン
−２２への感度は低下している。
ｌ Ｓ ｎｏ ｔとした第２図の比較例では、Ｇ ｅ
Ｏを無添加のらのと類似の特性が見られ、しかもフロン
−２２への感度は低下している。
次ぎに表１に各種のゲルマニウム添加１１に対するフロ
ン−１１３への感度を、表２にフロン−１２に対する感
度を、表３にフロン−１１への感度を示す。感度はその
温度での空気中の抵抗値と、１１０００ｐｐのフレオン
含有雰囲気での抵抗値との比で示し、測定温度は７０℃
、１４０℃とした。
ン−１１３への感度を、表２にフロン−１２に対する感
度を、表３にフロン−１１への感度を示す。感度はその
温度での空気中の抵抗値と、１１０００ｐｐのフレオン
含有雰囲気での抵抗値との比で示し、測定温度は７０℃
、１４０℃とした。
また金属酸化物半導体はいずれら５ｎＯｔ系である。
表 １ （フロン−１１３感度）
Ｇ ｅ Ｏｔ 添加量 感 度 抵
抗値（ＫΩ）（ｍｍｏｌ／ｍｏｌ Ｓ ｎｏ ２）
７０°Ｃ１４０℃ （７０℃）０ ５．
３ ３．２ ７００３ ３．４
２．８ ５０００＊ 抵抗値は、７０℃での
フロン−１１３、Ｉ Ｏ００ｐｐｍ中の抵抗値を現す。
抗値（ＫΩ）（ｍｍｏｌ／ｍｏｌ Ｓ ｎｏ ２）
７０°Ｃ１４０℃ （７０℃）０ ５．
３ ３．２ ７００３ ３．４
２．８ ５０００＊ 抵抗値は、７０℃での
フロン−１１３、Ｉ Ｏ００ｐｐｍ中の抵抗値を現す。
表２（フロン−１２感度）
Ｇ ｅ Ｏｔ 添加量 感 度（ｍ＋＋＋
ｏｌ／ｍｏｌｓｎｏｔ） ７０℃ １４０℃０
なし なし ＋２ ２４ １６ 表３ （フロン−ＩＩ感度） Ｇｅｍ、 添加量 感 度（ｍｍｏｌ／
ｍｏｌ Ｓ ｎｏ ｔ） 二しＯ’Ｃｌ４０℃表１
−表３から、６ ｍｍｏｌ／ ｍｏｌ Ｓ ｎｏ を以
上のＧｅＯ７添加で、フレオン感度が著しく向上するこ
とが判る。次ぎにＧｅ０ｔ添加量の上限は明らかではな
く、過剰量の添加が一般的に好ましくないところから、
２００ｍｍｏｌ／ｍｏｌｓｎｏｔを上限とした。
ｏｌ／ｍｏｌｓｎｏｔ） ７０℃ １４０℃０
なし なし ＋２ ２４ １６ 表３ （フロン−ＩＩ感度） Ｇｅｍ、 添加量 感 度（ｍｍｏｌ／
ｍｏｌ Ｓ ｎｏ ｔ） 二しＯ’Ｃｌ４０℃表１
−表３から、６ ｍｍｏｌ／ ｍｏｌ Ｓ ｎｏ を以
上のＧｅＯ７添加で、フレオン感度が著しく向上するこ
とが判る。次ぎにＧｅ０ｔ添加量の上限は明らかではな
く、過剰量の添加が一般的に好ましくないところから、
２００ｍｍｏｌ／ｍｏｌｓｎｏｔを上限とした。
Ｇｅｍ、の効果は、５ｎＯｙ系ガスセンサに限られるも
のではない。ＺｎＯに対する結果を表４に示す。なおＺ
ｎＯの場合、フロン−１１３への最適温度は１２０℃程
度に有り、結果は１２０℃、２００℃、３００℃の３点
で示す。測定法は表１の場合と同様であり、ｌｏｏｏｐ
ｐｍのフロン−１１３への感度を示す。
のではない。ＺｎＯに対する結果を表４に示す。なおＺ
ｎＯの場合、フロン−１１３への最適温度は１２０℃程
度に有り、結果は１２０℃、２００℃、３００℃の３点
で示す。測定法は表１の場合と同様であり、ｌｏｏｏｐ
ｐｍのフロン−１１３への感度を示す。
表４ （フロン−［３感度）
Ｇｅｍ、 添加量 感 度（ｍｍｏｌ
／ｍｏｌＺｎｏ） １２０℃ ２００℃ ３０
０℃０ １．８ ２．４ １
，４８ ８．２ ５．４ ３
．２１５ １２ ６．４ ４．
にれらのデータは、ハロゲン化炭化水素の代表例である
フレオンに関するものである。しかしフレオンの類似物
質、例えば消火剤に用いられるＣＦ２Ｂｒ等のハロゲン
化炭化水素ら、同様に検出し得ることはいうまでしない
。
／ｍｏｌＺｎｏ） １２０℃ ２００℃ ３０
０℃０ １．８ ２．４ １
，４８ ８．２ ５．４ ３
．２１５ １２ ６．４ ４．
にれらのデータは、ハロゲン化炭化水素の代表例である
フレオンに関するものである。しかしフレオンの類似物
質、例えば消火剤に用いられるＣＦ２Ｂｒ等のハロゲン
化炭化水素ら、同様に検出し得ることはいうまでしない
。
第４図、第５図により、高温でのヒートクリーニングと
低温での検出を組み合わせた、付帯回路の例を説明する
。図において、２は前記のガスセンサ、４はそのヒータ
、６はＳｎｏｗ、ＺｎＯ等の金属酸化物半導体で、Ｇｅ
０ｔを添加したものである。８はセンサ２の負荷抵抗、
ｌＯは周囲温度検出用のサーミスタ、１２はその負荷抵
抗である。
低温での検出を組み合わせた、付帯回路の例を説明する
。図において、２は前記のガスセンサ、４はそのヒータ
、６はＳｎｏｗ、ＺｎＯ等の金属酸化物半導体で、Ｇｅ
０ｔを添加したものである。８はセンサ２の負荷抵抗、
ｌＯは周囲温度検出用のサーミスタ、１２はその負荷抵
抗である。
１４は電源、１６はそのスイッチ、１８はトランジスタ
で、オン−オフのデユーティ比を変化させてセンサ２の
温度を変化させる。
で、オン−オフのデユーティ比を変化させてセンサ２の
温度を変化させる。
２０は制御用のマイクロコノユータで、２２は演算ユニ
ット、２４はＡ／Ｄコンバータ、２６はタイマ、２８は
周囲温度Ｔｓを記憶するためのＲＡＭ、３０は空気中で
の抵抗値Ｒ，を記憶するためのＲＡ Ｍ、３２＋：ｌ、
空気中の抵抗値と測定雰囲気中の抵抗値ｎｇとの比を記
憶するだめのＲＡＭである。周知の様に空気中での抵抗
値と測定雰囲気中での抵抗値との比は、ガス濃度によっ
て定まる。
ット、２４はＡ／Ｄコンバータ、２６はタイマ、２８は
周囲温度Ｔｓを記憶するためのＲＡＭ、３０は空気中で
の抵抗値Ｒ，を記憶するためのＲＡ Ｍ、３２＋：ｌ、
空気中の抵抗値と測定雰囲気中の抵抗値ｎｇとの比を記
憶するだめのＲＡＭである。周知の様に空気中での抵抗
値と測定雰囲気中での抵抗値との比は、ガス濃度によっ
て定まる。
そこてＲ＋／Ｔ’ｔｇの値から、フレオン濃度を求める
。
。
またセンサ２には周囲のｆＡ湿度に対する依存性が有る
。この温湿度依存性は、測定雰囲気中よりも空気中で大
きい。そこで周囲温度Ｔｓを求め、Ｒ２／Ｒｇの値と組
み合わせ、ＲＯＭ３４に記憶させたマツプとの対比から
、フレオン濃度を求める。
。この温湿度依存性は、測定雰囲気中よりも空気中で大
きい。そこで周囲温度Ｔｓを求め、Ｒ２／Ｒｇの値と組
み合わせ、ＲＯＭ３４に記憶させたマツプとの対比から
、フレオン濃度を求める。
マツプはＴｓとＲ，／Ｒｓに対するフレオン濃度を行列
状に配置したもので、マツプのデータ点とデータ点の間
は折れ線近似等で近似すれば良い。３６は回路の動作状
態を示すＲＡＭ、３８は求めた濃度を記憶するＲＡＭで
ある。
状に配置したもので、マツプのデータ点とデータ点の間
は折れ線近似等で近似すれば良い。３６は回路の動作状
態を示すＲＡＭ、３８は求めた濃度を記憶するＲＡＭで
ある。
４０は、待機、あるいは測定可能等の表示をするＬ Ｅ
Ｄ等の状態表示手段、４２はフレオン濃度の表示手段
である。
Ｄ等の状態表示手段、４２はフレオン濃度の表示手段
である。
第５図により、装置の動作を説明する。スイッチ１６を
閉じ電源を投入すると、例えば１分間３００〜５００°
Ｃ程度でヒートクリーニングを行い、同時に待機表示を
行う。この間トランジスタ１８のデユーティ比は、例え
ばｌとする。ヒートクリーニングの終了後、センサ２を
速やかに冷却するため、時間Ｔ、の間ヒータ４をオフし
、５０〜２００℃程度の動作温度まで冷却する。冷却後
に、周囲温度Ｔｓや空気中の抵抗値Ｒ１を測定し、ｒ（
ＡＭ２８．３０に記憶させる。次いでトランジスタ１８
を例えば０．２等の適宜のデユーティ比でオンさけ、セ
ンサ２を低温側（例えば５０〜２００℃）に保持する。
閉じ電源を投入すると、例えば１分間３００〜５００°
Ｃ程度でヒートクリーニングを行い、同時に待機表示を
行う。この間トランジスタ１８のデユーティ比は、例え
ばｌとする。ヒートクリーニングの終了後、センサ２を
速やかに冷却するため、時間Ｔ、の間ヒータ４をオフし
、５０〜２００℃程度の動作温度まで冷却する。冷却後
に、周囲温度Ｔｓや空気中の抵抗値Ｒ１を測定し、ｒ（
ＡＭ２８．３０に記憶させる。次いでトランジスタ１８
を例えば０．２等の適宜のデユーティ比でオンさけ、セ
ンサ２を低温側（例えば５０〜２００℃）に保持する。
この段階でフレオンの検出が可能になり、表示を測定可
能表示に切り替える。
能表示に切り替える。
センサ２を測定位置（例えばカーエアコンの冷媒収容部
）に近付け、抵抗値Ｒｇを測定する。この測定値Ｒｇと
、Ｒ３、Ｔｓとを用い、フレオンの漏れの有無、あるは
漏れたフレオンの濃度等を表示する。なおここで重要な
ことは間欠的なヒートクリーニングと低温側での検出と
の組み合わせであり、他の点は適宜Ｉこ変更し得る。
）に近付け、抵抗値Ｒｇを測定する。この測定値Ｒｇと
、Ｒ３、Ｔｓとを用い、フレオンの漏れの有無、あるは
漏れたフレオンの濃度等を表示する。なおここで重要な
ことは間欠的なヒートクリーニングと低温側での検出と
の組み合わせであり、他の点は適宜Ｉこ変更し得る。
［発明の効果］
この発明では、ハロゲン化炭化水素へのセンサ感度、特
に、重要なガスでありながら検出が難しいフロン−１１
３への感度を向上させる。
に、重要なガスでありながら検出が難しいフロン−１１
３への感度を向上させる。
第１図は実施例の特性図、第２図、第３図は従来例の特
性図である。第４図は実施例のセンサに適した付帯回路
の回路図、第５図はその動作フローチャートである。
性図である。第４図は実施例のセンサに適した付帯回路
の回路図、第５図はその動作フローチャートである。
Claims (2)
- （１）金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用したガス
センサにおいて、 前記金属酸化物半導体に、その１ｍｏｌ当たり６〜２０
０ｍｍｏｌの二酸化ゲルマニウムを添加したことを特徴
とする、ハロゲン化炭化水素ガスセンサ。 - （２）金属酸化物半導体をＳｎＯ＿２としたことを特徴
とする、請求項１に記載のハロゲン化炭化水素ガスセン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121488A JPH01242952A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | ハロゲン化炭化水素ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7121488A JPH01242952A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | ハロゲン化炭化水素ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242952A true JPH01242952A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13454203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7121488A Pending JPH01242952A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | ハロゲン化炭化水素ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242952A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783865A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Nok Corp | ガス検出素子 |
| CN103578938A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-12 | 北京科技大学 | 一种Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法、及其应用 |
| JP2015014560A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 理研計器株式会社 | ガス検出システム |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP7121488A patent/JPH01242952A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783865A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-31 | Nok Corp | ガス検出素子 |
| JP2015014560A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-22 | 理研計器株式会社 | ガス検出システム |
| CN103578938A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-12 | 北京科技大学 | 一种Sn掺杂ZnO半导体材料及制备方法、及其应用 |
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