JPS6070755A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6070755A JPS6070755A JP58177985A JP17798583A JPS6070755A JP S6070755 A JPS6070755 A JP S6070755A JP 58177985 A JP58177985 A JP 58177985A JP 17798583 A JP17798583 A JP 17798583A JP S6070755 A JPS6070755 A JP S6070755A
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- tab
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- power supply
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置の接地、または、電源供給のだめ
の配線レイアクトＫかかわり、特に、リードフレームを
使用して胆立てられる半導体装置の配線Ｖイアウドに関
する。
の配線レイアクトＫかかわり、特に、リードフレームを
使用して胆立てられる半導体装置の配線Ｖイアウドに関
する。
近年、メモリ半導体装置の高密度化により半導体チップ
の面積が増大し、要求されるメモリの容量を所定のパッ
ケージの制限内にパッケージングすることは、難しくな
ってきている。これは逆に所定のパッケージ内に封止さ
れる半導体チップの面積の制限の中で、メモリの記憶容
量のビット数を向上させる努力が要求されることとなる
。このため、半導体チップ内の不要な素子活性領域を極
力削減し、同一チップサイズで集積客員が太きいものを
得る必要がある。
の面積が増大し、要求されるメモリの容量を所定のパッ
ケージの制限内にパッケージングすることは、難しくな
ってきている。これは逆に所定のパッケージ内に封止さ
れる半導体チップの面積の制限の中で、メモリの記憶容
量のビット数を向上させる努力が要求されることとなる
。このため、半導体チップ内の不要な素子活性領域を極
力削減し、同一チップサイズで集積客員が太きいものを
得る必要がある。
一般に、半導体基板（半導体チップ）と同電位の接地、
あるいは、電源に接続するための配線を有し、かつ、各
種のポンディングパッドが半導体基板の互いに対抗する
２辺の端部に形成されて成るメモリ半導体装置において
、一方の端部には１ヒ源電圧（Ｖｏｃ）のポンディング
パッドがあり、他方の端部には、消費電力の多い出力バ
ッフ丁回路が形成されるため、接地、あるいは、電源供
給のだめのアルミニウム配線は、半導体チップの他の互
いに対抗する２辺の端部に配線を形成する必要がある。
あるいは、電源に接続するための配線を有し、かつ、各
種のポンディングパッドが半導体基板の互いに対抗する
２辺の端部に形成されて成るメモリ半導体装置において
、一方の端部には１ヒ源電圧（Ｖｏｃ）のポンディング
パッドがあり、他方の端部には、消費電力の多い出力バ
ッフ丁回路が形成されるため、接地、あるいは、電源供
給のだめのアルミニウム配線は、半導体チップの他の互
いに対抗する２辺の端部に配線を形成する必要がある。
従って半導体チップの４辺に沿って接地、または１！源
配線を形成する必要があった。このため、！１．ボンデ
ィングパダド側と、出力バッファボンディングパッド側
との間に延在するアルミニウム配線を、数十μｍの幅広
いものとしなければならず、半導体チップの大きさが増
大するという欠点があった。
配線を形成する必要があった。このため、！１．ボンデ
ィングパダド側と、出力バッファボンディングパッド側
との間に延在するアルミニウム配線を、数十μｍの幅広
いものとしなければならず、半導体チップの大きさが増
大するという欠点があった。
この問題点を理解しやすくするために、図面を参照して
説明する。
説明する。
第１邸１は、従来の１６にビットＳＴｔＡＭ（Ｓｔａｔ
ｉｃ１１ａｎｄｏ＋ｎ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｎｔｏｒｙ
）のレイアクトを略式的に示す。第１図は電源（Ｖｃ
ｃ）を供給するための一つの金属配線のみをボし、電源
配線の以外の配線（接地配線ど共通配線）を図示してい
ない。
ｉｃ１１ａｎｄｏ＋ｎ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｎｔｏｒｙ
）のレイアクトを略式的に示す。第１図は電源（Ｖｃ
ｃ）を供給するための一つの金属配線のみをボし、電源
配線の以外の配線（接地配線ど共通配線）を図示してい
ない。
１は半導体チップ２を固着受付しているタブ伺リードで
、このリードは、例えば釧＜ｃｕ＞の素材から形成され
ている。２は、半導体チップでシリコンから成る。この
半導体チップ内にはＪｐ辺の集積回路技術圧よって、多
数のＭＯＳＦＥＴの回路緊子から成る半導体メモリ回路
が集積回路化さｎている。３は′ｗＬ源供給のためのア
ルミニウム配線、４はチップの相対抗する側に形成され
たポンディングパッドで金（Ａｕ）から成るワイヤ５に
よって銅（Ｃｕ）から成るリード１０と接続されている
。
、このリードは、例えば釧＜ｃｕ＞の素材から形成され
ている。２は、半導体チップでシリコンから成る。この
半導体チップ内にはＪｐ辺の集積回路技術圧よって、多
数のＭＯＳＦＥＴの回路緊子から成る半導体メモリ回路
が集積回路化さｎている。３は′ｗＬ源供給のためのア
ルミニウム配線、４はチップの相対抗する側に形成され
たポンディングパッドで金（Ａｕ）から成るワイヤ５に
よって銅（Ｃｕ）から成るリード１０と接続されている
。
また、７，８も銅（Ｃｕ）から成るリードである。
第１図ではり−ド７，８から延びるワイヤは省略しであ
る。半導体チップ２に形成された電界効果型トランジス
タは、そのチップの中央から上部と下部に配置されてい
る。一方のポンディングパッドで供給された電源電圧は
、チップの相対抗する他の側に延在するアルミニウム配
線３によって出力バッファの存在する下部の棄子にも供
給される。
る。半導体チップ２に形成された電界効果型トランジス
タは、そのチップの中央から上部と下部に配置されてい
る。一方のポンディングパッドで供給された電源電圧は
、チップの相対抗する他の側に延在するアルミニウム配
線３によって出力バッファの存在する下部の棄子にも供
給される。
このため、従来技術ではチップのポンディングパッドが
形成される辺の相対抗する側聞に縦方向に延在するアル
ミニウム配線の領域だけ、チップサイズが大きくなる。
形成される辺の相対抗する側聞に縦方向に延在するアル
ミニウム配線の領域だけ、チップサイズが大きくなる。
本発明の目的は、半導体チップ（半導体基板）に形成さ
れる接地、あるいは、電源供給のための配線レイアウト
な改善し、半導体チップサイズの縮／Ｊ−′ｌａ：図る
ことにある。
れる接地、あるいは、電源供給のための配線レイアウト
な改善し、半導体チップサイズの縮／Ｊ−′ｌａ：図る
ことにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡ｊｌｔに説明すれば、下記のとおりである。
要を簡ｊｌｔに説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、前記目的を達成するためだ半纏体チップがリ
ードに固着されて成る半導体装置であって、少なくとも
前記半導体チーノブの相対抗する２辺の端部のそれぞれ
にポンディングパッド群が配列されて成る半導体装置ン
こおいて、前記半導体チップの接地あるいは電源ｔＩ１
．給のための配線は、前記リードと、前記半導体チップ
の前記相対抗する２辺の端部にそれぞれ設けられ、かつ
前記リードと電気的接続された少なくとも一対のボンデ
イン゛ グパッドと、前記一対のポンディングパッドか
ら電気的に接続されて前記半導体チップ上に延在する金
栢配線とから成ることを特徴とする。
ードに固着されて成る半導体装置であって、少なくとも
前記半導体チーノブの相対抗する２辺の端部のそれぞれ
にポンディングパッド群が配列されて成る半導体装置ン
こおいて、前記半導体チップの接地あるいは電源ｔＩ１
．給のための配線は、前記リードと、前記半導体チップ
の前記相対抗する２辺の端部にそれぞれ設けられ、かつ
前記リードと電気的接続された少なくとも一対のボンデ
イン゛ グパッドと、前記一対のポンディングパッドか
ら電気的に接続されて前記半導体チップ上に延在する金
栢配線とから成ることを特徴とする。
以下本発明を実施例を用いて具体的に説明する。
第２図は本発明に従う半導体装置を示す。本実施例は、
プラスチックパッケージ（Ｎ脂封止型）の１６にピッ）
ＳＲＡＭの集積回路装置に適用した場合のレイアウトを
略式的に示す。
プラスチックパッケージ（Ｎ脂封止型）の１６にピッ）
ＳＲＡＭの集積回路装置に適用した場合のレイアウトを
略式的に示す。
第２図にて、１は半導体ベレット（半導体基板）が装着
されるタブ付リードを示す。このタブ伺リード１は、半
導体ベレットが固着されるタブ部と、この両端部から伸
びリード部とを有する。このタブ伺リードは例えば銅Ｃ
Ｃｕ）から形成されている。
されるタブ付リードを示す。このタブ伺リード１は、半
導体ベレットが固着されるタブ部と、この両端部から伸
びリード部とを有する。このタブ伺リードは例えば銅Ｃ
Ｃｕ）から形成されている。
２は半導体チップで、シリコン半導体基板から成る。こ
のシリコン半導体基板には、筒用の集積回路技術によっ
てＭＯＳＦＥＴの回路票子が多数集積回路化され、かつ
、アルミニウムなどの材料から成る相互配線によって、
半導体メモリ凹陥が形成されている。このシリコン半導
体ベレット２の上表面にはポンディングパッド４が形成
されている。一方の下表面はＡｕ−８ｉ共晶合金等によ
ってタブ付リード１に固着されている。ポンディングパ
ッド群４は、ベレットの相対抗する端部に配列されてい
る。７および８はタブ付リードｌの周辺に配列された外
部引出しリードで、タブ付リード１と同時に形成され、
同一材料から形成されている。タブ付リード１および外
部引出しリード７゜８のワイヤボンディング部には部分
的に銀（Ａ、９）層が形成されている。５はコネクタワ
イヤで図示されたものは特に、を源供給配線を形成して
いるもののみを示しである。このコネクタワイヤは例え
ば金（Ａｕ ）線から成る。９および９′は、半導体ベ
レット２上に配設されたアルミニウムのｔｒｊ、配線で
ある。本発明に従って、上部パッド群４の１つであるパ
ッドはコネクタワイヤ５によってタブ付リードｌに電気
的接続され、同様に下部パッド群４の１つであるパッド
は、コネクタワイヤ５によってタブ付す−ドｌＫ電気的
接続されている。
のシリコン半導体基板には、筒用の集積回路技術によっ
てＭＯＳＦＥＴの回路票子が多数集積回路化され、かつ
、アルミニウムなどの材料から成る相互配線によって、
半導体メモリ凹陥が形成されている。このシリコン半導
体ベレット２の上表面にはポンディングパッド４が形成
されている。一方の下表面はＡｕ−８ｉ共晶合金等によ
ってタブ付リード１に固着されている。ポンディングパ
ッド群４は、ベレットの相対抗する端部に配列されてい
る。７および８はタブ付リードｌの周辺に配列された外
部引出しリードで、タブ付リード１と同時に形成され、
同一材料から形成されている。タブ付リード１および外
部引出しリード７゜８のワイヤボンディング部には部分
的に銀（Ａ、９）層が形成されている。５はコネクタワ
イヤで図示されたものは特に、を源供給配線を形成して
いるもののみを示しである。このコネクタワイヤは例え
ば金（Ａｕ ）線から成る。９および９′は、半導体ベ
レット２上に配設されたアルミニウムのｔｒｊ、配線で
ある。本発明に従って、上部パッド群４の１つであるパ
ッドはコネクタワイヤ５によってタブ付リードｌに電気
的接続され、同様に下部パッド群４の１つであるパッド
は、コネクタワイヤ５によってタブ付す−ドｌＫ電気的
接続されている。
そして、アルミニウム電源配線９および９′は、タブ付
リードに電気ｔｒ：Ｊ接続された各パッドから延在し半
導体ペレット２の上部領域および下部領域（出力バッフ
ァが形成された部分）にそれ−ぞれ電源を供給するよう
に配置されている。すなわち、一対のアルミニウム配線
９および９′の相互配線は、タグ付リードｌによって達
成されており、タブ付リードを介して′ｌＩＬ源が供給
される。
リードに電気ｔｒ：Ｊ接続された各パッドから延在し半
導体ペレット２の上部領域および下部領域（出力バッフ
ァが形成された部分）にそれ−ぞれ電源を供給するよう
に配置されている。すなわち、一対のアルミニウム配線
９および９′の相互配線は、タグ付リードｌによって達
成されており、タブ付リードを介して′ｌＩＬ源が供給
される。
従って本発明によれば、べＶブト２の上側端部かもその
下側端部に延在する幅広いアルミニウム配線は不要とな
り、従来チップ周辺に必要とされていた数十μｍの電源
配線は不要とされろうこれによって、ベレットの占有母
種を減少することができる。
下側端部に延在する幅広いアルミニウム配線は不要とな
り、従来チップ周辺に必要とされていた数十μｍの電源
配線は不要とされろうこれによって、ベレットの占有母
種を減少することができる。
上述したように、本発明によれば、１を源供給配線はタ
ブ付リードを利用しているので、従来の接地または電源
に使用されるいづれか一方の金属配線の一部を省略出来
、その配線分だけチップサイズを減少できる。
ブ付リードを利用しているので、従来の接地または電源
に使用されるいづれか一方の金属配線の一部を省略出来
、その配線分だけチップサイズを減少できる。
以上本発明者によってなされた発明な実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、本発明は半導
体チップ（半導体基板）の電源配線の他に接地・配線と
して構成しても良い。また、本実施例ではグラスナック
封止半導体装置を用いて説明したが、セラミック封止に
よる半導体装置にも応用出来る。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、本発明は半導
体チップ（半導体基板）の電源配線の他に接地・配線と
して構成しても良い。また、本実施例ではグラスナック
封止半導体装置を用いて説明したが、セラミック封止に
よる半導体装置にも応用出来る。
さらに、上記実施例では、半導体チップ上に形成した配
録としてアルミニウム配線な用いた場合について述べた
が、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の材料から収る配線を
用いても良い。
録としてアルミニウム配線な用いた場合について述べた
が、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の材料から収る配線を
用いても良い。
また、上記実施例においては、半導体チップとタブ付リ
ードとが金−シリコンの共晶合金によって電気的接続さ
れている場合について述べたが、本発明はベーストなど
の絶縁材料によって半導体ベレットをタブ付リードに固
着する場合にも適用できる。この場合、電源又は接地配
線の電位とは別の電位に半導体チップ（半導体基板）自
体をバイアスすることができる。特に上記実施例では、
半導体チップとタブ付リードとが′ｆｊＬ気的接続され
ているので、半導体チップ自体の１ｊＬ位（例えば電源
電位）と同電位の電位を供給するための配線を半導体テ
ップ上に配設する場合に極めて有効である。
ードとが金−シリコンの共晶合金によって電気的接続さ
れている場合について述べたが、本発明はベーストなど
の絶縁材料によって半導体ベレットをタブ付リードに固
着する場合にも適用できる。この場合、電源又は接地配
線の電位とは別の電位に半導体チップ（半導体基板）自
体をバイアスすることができる。特に上記実施例では、
半導体チップとタブ付リードとが′ｆｊＬ気的接続され
ているので、半導体チップ自体の１ｊＬ位（例えば電源
電位）と同電位の電位を供給するための配線を半導体テ
ップ上に配設する場合に極めて有効である。
第１図は、従来の半導体装置における半導体基板上の電
源電圧または、接地にかかわる金属配線を示す平面図、 第２図は、本発明の半導体装置における半導体基板上の
電源電圧、または接地の金属配線を示す平面図。 ｌ・・・タブ付リード、２・・・半導体ベレット、３゜
９．９′・・・を源、または接地にかかわる金属配線、
４・・・ポンディングパッド、５・・・ワイヤ、７．８
・・・外部引出しリード、１０・・・電源供給にかかわ
るリード。
源電圧または、接地にかかわる金属配線を示す平面図、 第２図は、本発明の半導体装置における半導体基板上の
電源電圧、または接地の金属配線を示す平面図。 ｌ・・・タブ付リード、２・・・半導体ベレット、３゜
９．９′・・・を源、または接地にかかわる金属配線、
４・・・ポンディングパッド、５・・・ワイヤ、７．８
・・・外部引出しリード、１０・・・電源供給にかかわ
るリード。
Claims (1)
- １、半導体チップがリードに固着されて収る半導体装置
であって、少なくとも前記半導体チップの相対抗する２
辺の端部のそれぞれにポンディングパッド群が配列され
て成る半導体装置において、前記半導体チップの接地あ
るいは電源供給のだめの配線は、前記リードと、前記半
導体チップの前記相対抗する２辺の端部にそれぞれ設け
られ、かつ、前記リードと電気的接続された少なくとも
一対のポンディングパッドと、前記一対のポンディング
パッドから電気的に接続されて前記半導体チップ上に延
在する金戊配腺とから成ることを％微とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177985A JPS6070755A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58177985A JPS6070755A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070755A true JPS6070755A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16040513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58177985A Pending JPS6070755A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070755A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283636A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Matsushita Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPS6354745A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPS63208235A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-29 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS63219133A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPS63246832A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置 |
| JPH0459956U (ja) * | 1990-09-29 | 1992-05-22 | ||
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-
1983
- 1983-09-28 JP JP58177985A patent/JPS6070755A/ja active Pending
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