JPS6066034U - 半導体集積回路素子電極形成方法 - Google Patents

半導体集積回路素子電極形成方法

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JPS6066034U
JPS6066034U JP1983157406U JP15740683U JPS6066034U JP S6066034 U JPS6066034 U JP S6066034U JP 1983157406 U JP1983157406 U JP 1983157406U JP 15740683 U JP15740683 U JP 15740683U JP S6066034 U JPS6066034 U JP S6066034U
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JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
circuit element
formation method
electrode formation
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Pending
Application number
JP1983157406U
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Inventor
佐久間 国雄
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Publication of JPS6066034U publication Critical patent/JPS6066034U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01Manufacture or treatment
    • H10W72/012Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案による半田バンプ形成構造図、第2図は
従来の方法による半田バンプ形成構造図。 1・・・・・・シリコン、2・・・・・・アルミパッド
、3・・・・・・保護膜、4・・・・・・り、ロム、5
・・・・・・銅、6・・・・・・錫、7・・・・・・鉛
、8・・・・・・半田ペースト。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. バンプを有する半導体集積回路素子において、そのバン
    プが、活性フラックスとはんだ粒子を混合したはんだク
    リームの印刷により構成されていることを特徴とする半
    導体集積回路素子電極形成方法。
JP1983157406U 1983-10-12 1983-10-12 半導体集積回路素子電極形成方法 Pending JPS6066034U (ja)

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