JPS5889936U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5889936U
JPS5889936U JP14048682U JP14048682U JPS5889936U JP S5889936 U JPS5889936 U JP S5889936U JP 14048682 U JP14048682 U JP 14048682U JP 14048682 U JP14048682 U JP 14048682U JP S5889936 U JPS5889936 U JP S5889936U
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JP
Japan
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conductive pattern
integrated circuit
semiconductor device
circuit chip
semiconductor equipment
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Pending
Application number
JP14048682U
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English (en)
Inventor
小口 幸一
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
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Publication date
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Priority to JP14048682U priority Critical patent/JPS5889936U/ja
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のフェイスボンディング用ICの突起電
極を示す説明図。第2図〜第6図は、本考案による半導
体装置を説明する概観図。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・シリコン
酸化膜、3・・・・・・アルミニウム薄膜、4・・・・
・・パッシベーション被膜、5・・・・・・バリア金属
層、6・・・・・・ハンダバンフ、7・・・・・・絶縁
基板、訃・・・・・リード線、9・・・・・・アルミニ
ウムに接着するハンダ被膜、10・・・・・・ICチッ
プ、11・・・・・・アルミニウム電極、12・曲傅−
ド線のペデスタル部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体集積回路チップを、ボンディング基板上の導電パ
    ターンにフェイスボンディングして成る半導体装置にお
    いて、該半導体集積回路チップ上の電極はアルミニウム
    電極であり、該導電パターン表面には、基板組成がSn
    、 Znである低融点合金ハンダが被膜され、該アルミ
    ニウム電極と接続する該導電パターン部にはペデスタル
    が形成されてなる半導体装置。−
JP14048682U 1982-09-16 1982-09-16 半導体装置 Pending JPS5889936U (ja)

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JP14048682U JPS5889936U (ja) 1982-09-16 1982-09-16 半導体装置

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