JPS5889936U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5889936U JPS5889936U JP14048682U JP14048682U JPS5889936U JP S5889936 U JPS5889936 U JP S5889936U JP 14048682 U JP14048682 U JP 14048682U JP 14048682 U JP14048682 U JP 14048682U JP S5889936 U JPS5889936 U JP S5889936U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive pattern
- integrated circuit
- semiconductor device
- circuit chip
- semiconductor equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81193—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は、従来のフェイスボンディング用ICの突起電
極を示す説明図。第2図〜第6図は、本考案による半導
体装置を説明する概観図。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・シリコン
酸化膜、3・・・・・・アルミニウム薄膜、4・・・・
・・パッシベーション被膜、5・・・・・・バリア金属
層、6・・・・・・ハンダバンフ、7・・・・・・絶縁
基板、訃・・・・・リード線、9・・・・・・アルミニ
ウムに接着するハンダ被膜、10・・・・・・ICチッ
プ、11・・・・・・アルミニウム電極、12・曲傅−
ド線のペデスタル部。
極を示す説明図。第2図〜第6図は、本考案による半導
体装置を説明する概観図。 1・・・・・・シリコン基板、2・・・・・・シリコン
酸化膜、3・・・・・・アルミニウム薄膜、4・・・・
・・パッシベーション被膜、5・・・・・・バリア金属
層、6・・・・・・ハンダバンフ、7・・・・・・絶縁
基板、訃・・・・・リード線、9・・・・・・アルミニ
ウムに接着するハンダ被膜、10・・・・・・ICチッ
プ、11・・・・・・アルミニウム電極、12・曲傅−
ド線のペデスタル部。
Claims (1)
- 半導体集積回路チップを、ボンディング基板上の導電パ
ターンにフェイスボンディングして成る半導体装置にお
いて、該半導体集積回路チップ上の電極はアルミニウム
電極であり、該導電パターン表面には、基板組成がSn
、 Znである低融点合金ハンダが被膜され、該アルミ
ニウム電極と接続する該導電パターン部にはペデスタル
が形成されてなる半導体装置。−
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14048682U JPS5889936U (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14048682U JPS5889936U (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5889936U true JPS5889936U (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=29933647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14048682U Pending JPS5889936U (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5889936U (ja) |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP14048682U patent/JPS5889936U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3669734A (en) | Method of making electrical connections to a glass-encapsulated semiconductor device | |
JPS5889936U (ja) | 半導体装置 | |
JPS592142U (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS6237939U (ja) | ||
JPS5889935U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6142843U (ja) | 半導体装置 | |
JPS6073237U (ja) | フリツプチツプポンテイング用icの構造 | |
JPS6339969Y2 (ja) | ||
JPS6115741U (ja) | 半導体集積回路 | |
JPS58111958U (ja) | 半導体装置のリ−ドフレ−ム | |
JPS58111959U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5926602Y2 (ja) | 半導体パッケ−ジ | |
JPS58159741U (ja) | 半導体装置 | |
JPH0642500B2 (ja) | Icチップのボンディング構造 | |
JPS5858374U (ja) | 印刷基板 | |
JPS5954956U (ja) | 半導体パツケ−ジ | |
JPS5889934U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5860949U (ja) | テ−プキヤリヤ | |
JPS6142861U (ja) | 半導体装置 | |
JPS5820543U (ja) | 厚膜回路の半田付け用電極 | |
JPS58180661U (ja) | 電子回路基板 | |
JPS6066034U (ja) | 半導体集積回路素子電極形成方法 | |
JPH1041358A (ja) | 半導体装置用テープキャリア | |
JPS58102533A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JPS58464U (ja) | 厚膜配線基板 |