JPH1041358A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
半導体装置用テープキャリアInfo
- Publication number
- JPH1041358A JPH1041358A JP8196702A JP19670296A JPH1041358A JP H1041358 A JPH1041358 A JP H1041358A JP 8196702 A JP8196702 A JP 8196702A JP 19670296 A JP19670296 A JP 19670296A JP H1041358 A JPH1041358 A JP H1041358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- tape carrier
- inner lead
- semiconductor element
- land
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイレクトボンディングのインナーリードと
素子の電極を接続する際の高い圧力により素子のＡｌ電
極にクラックが生じ、チップダメージが生じる。また、
ＢＧＡパッケージ用では、ダイレクトボンディング時の
加熱により、はんだボールとテープキャリアの接合強度
が低下する。 【解決手段】 絶縁性フィルム２には、中心部にデバイ
スホール３、デバイスホール３内に所定長が露出し、こ
の露出部分が搭載された半導体素子の電極に接続される
インナーリード５、インナーリード５と同一面に形成さ
れてインナーリード５に接続されるはんだボール形成用
のランド４の各々が設けられている。インナーリード５
の外面には１．０μｍ以上の厚さにＡｕめっき８が設け
られ、ランド４にはＳｎメッキ７が設けられている。
素子の電極を接続する際の高い圧力により素子のＡｌ電
極にクラックが生じ、チップダメージが生じる。また、
ＢＧＡパッケージ用では、ダイレクトボンディング時の
加熱により、はんだボールとテープキャリアの接合強度
が低下する。 【解決手段】 絶縁性フィルム２には、中心部にデバイ
スホール３、デバイスホール３内に所定長が露出し、こ
の露出部分が搭載された半導体素子の電極に接続される
インナーリード５、インナーリード５と同一面に形成さ
れてインナーリード５に接続されるはんだボール形成用
のランド４の各々が設けられている。インナーリード５
の外面には１．０μｍ以上の厚さにＡｕめっき８が設け
られ、ランド４にはＳｎメッキ７が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を外部
基板等に接続する際の接続媒体として用いられるテープ
キャリアに係り、特に、ＢＧＡ型のパッケージに用いる
半導体装置用テープキャリアに関するものである。
基板等に接続する際の接続媒体として用いられるテープ
キャリアに係り、特に、ＢＧＡ型のパッケージに用いる
半導体装置用テープキャリアに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡ（Ball Grid Array ：ボール グ
リッド アレイ）型のパッケージを用いた半導体装置は
多ピン化及び高密度実装化に適している。特に、テープ
キャリアを用い、この一面に配線パターンを形成し、こ
の配線パターンの端部と半導体素子の電極を接続し、一
方、配線パターンの所定位置にはんだボールを設け、こ
のはんだボールを介してプリント基板側の電極パッドに
接続する構成のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式
の半導体装置は、薄型化及び小型化が図れることから注
目されている。
リッド アレイ）型のパッケージを用いた半導体装置は
多ピン化及び高密度実装化に適している。特に、テープ
キャリアを用い、この一面に配線パターンを形成し、こ
の配線パターンの端部と半導体素子の電極を接続し、一
方、配線パターンの所定位置にはんだボールを設け、こ
のはんだボールを介してプリント基板側の電極パッドに
接続する構成のＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式
の半導体装置は、薄型化及び小型化が図れることから注
目されている。
【０００３】従来、テープキャリアは、例えば、特開平
４−３６１５４０号公報に示されているように、銅導体
パターンにＡｕ（金）めっき又はＮｉ（ニッケル）下地
のＡｕめっきが施されたもの、或いはＳｎ（錫）又はＳ
ｎ−Ｐｂ（鉛）合金によるはんだが施されたものが一般
的である。しかし、半導体素子の電極パッドにＡｕバン
プを形成することなく電極パッドとインナーリードを接
続するダイレクトボンディングを用いる場合、インナー
リードの全面にＡｕめっきを施したテープキャリアが用
いられる。ダイレクトボンディングは、半導体素子の電
極パッドにＡｕバンプを形成して接続するギャングボン
ディングに比べ、高い温度と高い圧力が付与される。
４−３６１５４０号公報に示されているように、銅導体
パターンにＡｕ（金）めっき又はＮｉ（ニッケル）下地
のＡｕめっきが施されたもの、或いはＳｎ（錫）又はＳ
ｎ−Ｐｂ（鉛）合金によるはんだが施されたものが一般
的である。しかし、半導体素子の電極パッドにＡｕバン
プを形成することなく電極パッドとインナーリードを接
続するダイレクトボンディングを用いる場合、インナー
リードの全面にＡｕめっきを施したテープキャリアが用
いられる。ダイレクトボンディングは、半導体素子の電
極パッドにＡｕバンプを形成して接続するギャングボン
ディングに比べ、高い温度と高い圧力が付与される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
装置用テープキャリアによれば、インナーリードと半導
体素子の電極を接続するダイレクトボンディングの際、
高い圧力がかけられるため、インナーリードのＡｕめっ
きの厚さが薄いと半導体素子のＡｌ（アルミニウム）電
極にクラックを生じさせ、チップダメージを招くという
問題がある。
装置用テープキャリアによれば、インナーリードと半導
体素子の電極を接続するダイレクトボンディングの際、
高い圧力がかけられるため、インナーリードのＡｕめっ
きの厚さが薄いと半導体素子のＡｌ（アルミニウム）電
極にクラックを生じさせ、チップダメージを招くという
問題がある。
【０００５】また、ＢＧＡパッケージ用テープキャリア
の場合、ダイレクトボンディングによる加熱によっては
んだボールの界面に脆いＡｕ−Ｓｎ合金層が形成され、
はんだボールとテープキャリアの接合強度が低下する。
そこで本発明は、ダイレクトボンディングに伴うチップ
ダメージを低減し、更に、はんだボールとランドを結合
する際の結合強度を向上させることのできる半導体装置
用テープキャリアを提供することを目的としている。
の場合、ダイレクトボンディングによる加熱によっては
んだボールの界面に脆いＡｕ−Ｓｎ合金層が形成され、
はんだボールとテープキャリアの接合強度が低下する。
そこで本発明は、ダイレクトボンディングに伴うチップ
ダメージを低減し、更に、はんだボールとランドを結合
する際の結合強度を向上させることのできる半導体装置
用テープキャリアを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明は、半導体素子を搭載するためのデバイ
スホールが所定位置に開口された絶縁性フィルムと、こ
のデバイスホール内に所定長が露出し、この露出部分が
搭載された半導体素子の電極に接続されるインナーリー
ドと、このインナーリードと同一面に形成されて前記イ
ンナーリードに接続されるはんだボール形成用のランド
とを備えた半導体装置用テープキャリアにおいて、前記
インナーリードの外面に直接または前記インナーリード
にＮｉ下地を施した後に１．０μｍ以上の厚さに形成さ
れたＡｕめっきと、前記ランドに設けられたＳｎ又はＳ
ｎ−Ｐｂめっきとを備えた構成にしている。
めに、この発明は、半導体素子を搭載するためのデバイ
スホールが所定位置に開口された絶縁性フィルムと、こ
のデバイスホール内に所定長が露出し、この露出部分が
搭載された半導体素子の電極に接続されるインナーリー
ドと、このインナーリードと同一面に形成されて前記イ
ンナーリードに接続されるはんだボール形成用のランド
とを備えた半導体装置用テープキャリアにおいて、前記
インナーリードの外面に直接または前記インナーリード
にＮｉ下地を施した後に１．０μｍ以上の厚さに形成さ
れたＡｕめっきと、前記ランドに設けられたＳｎ又はＳ
ｎ−Ｐｂめっきとを備えた構成にしている。
【０００７】この構成によれば、インナーリード上に厚
く形成されたＡｕめっきは、半導体素子の電極とインナ
ーリードの接続とを接続する際、半導体素子にダメージ
を与えることがない。また、ランドに設けたＳｎ又はＳ
ｎ−Ｐｂめっきは、ランドとはんだボールを結合する際
の結合強度が向上する。前記ランドに設けられたＳｎ又
はＳｎ−Ｐｂめっきは、その融点が２００℃の特性のも
のを用いることができる。
く形成されたＡｕめっきは、半導体素子の電極とインナ
ーリードの接続とを接続する際、半導体素子にダメージ
を与えることがない。また、ランドに設けたＳｎ又はＳ
ｎ−Ｐｂめっきは、ランドとはんだボールを結合する際
の結合強度が向上する。前記ランドに設けられたＳｎ又
はＳｎ−Ｐｂめっきは、その融点が２００℃の特性のも
のを用いることができる。
【０００８】この構成によれば、加熱工程にあってはラ
ンドに設けられたＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきは溶融せ
ず、はんだボールと接合するときにのみ溶融する。した
がって、ランドとはんだボールを結合する際の結合強度
が確保される。
ンドに設けられたＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきは溶融せ
ず、はんだボールと接合するときにのみ溶融する。した
がって、ランドとはんだボールを結合する際の結合強度
が確保される。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用テープキャリアを示す平面図、図２は図１のテープキ
ャリアのＡ−Ａ断面図である。図１に示すように、テー
プキャリア１は、角形の絶縁性フィルム２の中心部に四
角形の開口が設けられ、デバイスホール３を形成してい
る。このデバイスホール３の周囲には、はんだボール形
成用ランド４が一定間隔に設けられている。また、デバ
イスホール３の各辺には、縁をまたぐ様にしてインナー
リード５が一定間隔に設けられ、このインナーリード５
とはんだボール形成用ランド４は１対１に対応し、両者
は配線６によって接続されている。インナーリード５の
先端はデバイスホール３内に所定長が延びており、搭載
される不図示の半導体素子の電極に接続される。
て図面を基に説明する。図１は本発明による半導体装置
用テープキャリアを示す平面図、図２は図１のテープキ
ャリアのＡ−Ａ断面図である。図１に示すように、テー
プキャリア１は、角形の絶縁性フィルム２の中心部に四
角形の開口が設けられ、デバイスホール３を形成してい
る。このデバイスホール３の周囲には、はんだボール形
成用ランド４が一定間隔に設けられている。また、デバ
イスホール３の各辺には、縁をまたぐ様にしてインナー
リード５が一定間隔に設けられ、このインナーリード５
とはんだボール形成用ランド４は１対１に対応し、両者
は配線６によって接続されている。インナーリード５の
先端はデバイスホール３内に所定長が延びており、搭載
される不図示の半導体素子の電極に接続される。
【００１０】ここで、はんだボール形成用ランド４に
は、インナーリード５とは異なるＳｎ（又はＳｎ−Ｐｂ
合金）めっきが必要であるが、加熱工程おいて溶融して
はならない工程では溶融せず、はんだボール形成用ラン
ド４と接合するときにのみ溶融することが必要である。
そこで、はんだボール形成用ランド４には融点が２００
℃以上の特性を持つはんだめっき７（又はＳｎめっき）
を施している。
は、インナーリード５とは異なるＳｎ（又はＳｎ−Ｐｂ
合金）めっきが必要であるが、加熱工程おいて溶融して
はならない工程では溶融せず、はんだボール形成用ラン
ド４と接合するときにのみ溶融することが必要である。
そこで、はんだボール形成用ランド４には融点が２００
℃以上の特性を持つはんだめっき７（又はＳｎめっき）
を施している。
【００１１】はんだボール形成用ランド４にはんだめっ
き７（又はＳｎめっき）を施したことにより、はんだボ
ール形成用ランド４とはんだボール（不図示）の結合強
度は８００〜９００ｇｆになり、Ａｕめっき８を施した
ときの５００〜７００ｇｆより向上することが知られて
いる。一方、インナーリード５と半導体素子の電極を接
続する際、半導体素子にダメージを与えないようにする
必要がある。そこで、インナーリード５にＡｕめっき
（又はＮｉ下地Ａｕめっき）８を厚く施している。具体
的には、従来に比べて大きい値の１．０μｍ以上の厚み
にしている。
き７（又はＳｎめっき）を施したことにより、はんだボ
ール形成用ランド４とはんだボール（不図示）の結合強
度は８００〜９００ｇｆになり、Ａｕめっき８を施した
ときの５００〜７００ｇｆより向上することが知られて
いる。一方、インナーリード５と半導体素子の電極を接
続する際、半導体素子にダメージを与えないようにする
必要がある。そこで、インナーリード５にＡｕめっき
（又はＮｉ下地Ａｕめっき）８を厚く施している。具体
的には、従来に比べて大きい値の１．０μｍ以上の厚み
にしている。
【００１２】インナーリード５のＡｕめっき（又はＮｉ
下地Ａｕめっき）８のめっき厚と半導体素子の電極に接
続する際に生じる半導体素子のＡｌ電極下ダメージの発
生率との関係は、インナーリードと半導体素子の電極を
接続するインナーリードボンディングの際のボンディン
グで不圧着が発生しない条件でボンディングした結果、
Ａｕめっきの厚みが厚いほど半導体素子のダメージが少
なくなることが確かめられた。
下地Ａｕめっき）８のめっき厚と半導体素子の電極に接
続する際に生じる半導体素子のＡｌ電極下ダメージの発
生率との関係は、インナーリードと半導体素子の電極を
接続するインナーリードボンディングの際のボンディン
グで不圧着が発生しない条件でボンディングした結果、
Ａｕめっきの厚みが厚いほど半導体素子のダメージが少
なくなることが確かめられた。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した通り、この発明は、インナ
ーリード上に直接または前記インナーリードにＮｉ下地
を施した後にＡｕめっきを１．０μｍ以上の厚さに形成
し、ランドにはＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきを設けるよう
にしたので、半導体素子の電極とインナーリードの接続
とを接続する際、半導体素子にダメージを与えることが
ない。また、ランドとはんだボールを結合する際の結合
強度を向上させることができる。
ーリード上に直接または前記インナーリードにＮｉ下地
を施した後にＡｕめっきを１．０μｍ以上の厚さに形成
し、ランドにはＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきを設けるよう
にしたので、半導体素子の電極とインナーリードの接続
とを接続する際、半導体素子にダメージを与えることが
ない。また、ランドとはんだボールを結合する際の結合
強度を向上させることができる。
【図１】本発明による半導体装置用テープキャリアを示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１に示したテープキャリアのＡ−Ａ断面図で
ある。
ある。
１ テープキャリア ２ 絶縁性フィルム ３ デバイスホール ４ はんだボール形成用ランド ５ インナーリード ６ 配線 ７ はんだめっき ８ Ａｕめっき
フロントページの続き (72)発明者 亀山 康晴 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 御田 護 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 安生 一郎 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子を搭載するためのデバイスホー
ルが所定位置に開口された絶縁性フィルムと、このデバ
イスホール内に所定長が露出し、この露出部分が搭載さ
れた半導体素子の電極に接続されるインナーリードと、
このインナーリードと同一面に形成されて前記インナー
リードに接続されるはんだボール形成用のランドとを備
えた半導体装置用テープキャリアにおいて、 前記インナーリードの外面に直接または前記インナーリ
ードにＮｉ下地を施した後に１．０μｍ以上の厚さに形
成されたＡｕめっきと、 前記ランドに設けられたＳｎ又はＳｎ−Ｐｂめっきとを
具備することを特徴とする半導体装置用テープキャリ
ア。 - 【請求項２】前記ランドに設けられたＳｎ又はＳｎ−Ｐ
ｂめっきは、その融点が２００℃であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置用テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8196702A JPH1041358A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8196702A JPH1041358A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041358A true JPH1041358A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16362172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8196702A Pending JPH1041358A (ja) | 1996-07-25 | 1996-07-25 | 半導体装置用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041358A (ja) |
-
1996
- 1996-07-25 JP JP8196702A patent/JPH1041358A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040518 |