JPS606503B2 - 部品の製造方法 - Google Patents
部品の製造方法Info
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- JPS606503B2 JPS606503B2 JP52148254A JP14825477A JPS606503B2 JP S606503 B2 JPS606503 B2 JP S606503B2 JP 52148254 A JP52148254 A JP 52148254A JP 14825477 A JP14825477 A JP 14825477A JP S606503 B2 JPS606503 B2 JP S606503B2
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- Japan
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- etching
- glass
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- exposed
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/07—Ink jet characterised by jet control
- B41J2/075—Ink jet characterised by jet control for many-valued deflection
- B41J2/08—Ink jet characterised by jet control for many-valued deflection charge-control type
- B41J2/085—Charge means, e.g. electrodes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の背景
或る種の精密装置（例えば、インクジェット帯電電極の
アレイ）を製造するプロセスにおいて、多数の共存する
相（ｐｈａｓｅ）へ変換されることのできる単一物質を
使用することが望ましいが、この場合、共存する相が全
く異つた化学特性を有する単一物質が使用される。
アレイ）を製造するプロセスにおいて、多数の共存する
相（ｐｈａｓｅ）へ変換されることのできる単一物質を
使用することが望ましいが、この場合、共存する相が全
く異つた化学特性を有する単一物質が使用される。
１つの例として感光性ガラスを使用する場合、このガラ
スは、適当な光線に露光されない時、露光されない時と
は違ったェチング特性を有するように変質させられる。
スは、適当な光線に露光されない時、露光されない時と
は違ったェチング特性を有するように変質させられる。
しかしながら、従来の手法では、インクジェット帯電極
アレイのような部品を製造するに当って、精密性及び小
型化が要請されるために、満足すべきものが得られなか
った。例えば、通常のエッチング・プロセスから生じる
テーパー（広ｐｅｒ）は、鋼密にパックされた帯電電極
のアレイを作ることを不可能ならしめた。
アレイのような部品を製造するに当って、精密性及び小
型化が要請されるために、満足すべきものが得られなか
った。例えば、通常のエッチング・プロセスから生じる
テーパー（広ｐｅｒ）は、鋼密にパックされた帯電電極
のアレイを作ることを不可能ならしめた。
本発明の主たる目的は、新規なエッチング・プロセスに
よって、インクジェット帯電電極アレイの如き精密装置
を感光性ガラスの如き物質から作るプロセスを提供する
ことである。
よって、インクジェット帯電電極アレイの如き精密装置
を感光性ガラスの如き物質から作るプロセスを提供する
ことである。
本発明の要約
本発明に従って、感光性物質で精密装置を製造する１つ
のプロセスが提供される。
のプロセスが提供される。
このプロセスは、第１マスクを通して感光性物質を露光
させることにより、感光性物質中に４・型のパターンを
形成し、次いでその感光怪物質を或る温度で熱処理する
ことにより、露光された領域の特性を変化させ、次にそ
の感光性物質をエッチング液へさらすことによって、該
物質のさらされた部分を除去し、次いで大型パターンを
有する第２マスクを通して感光性物質を露光させ、次に
該物質の露光された部分の性質を変化させるのに十分な
温度で該物質を熱処理し、次に該物質をエッチングして
露光された部分を除去するステップを有し、これらのス
テップによって正確な大きさ及び間隔を有する一連の開
孔が形成された基板の如き精密コンポーネントを製造す
ることができる。実施例の説明 実施例のプロセスは、インクジェット帯電電極のアレイ
を製造する場合を説明するが、当技術分野に通じる者は
、このプロセスが、広範囲の適用分野を有することに気
付くであろう。
させることにより、感光性物質中に４・型のパターンを
形成し、次いでその感光怪物質を或る温度で熱処理する
ことにより、露光された領域の特性を変化させ、次にそ
の感光性物質をエッチング液へさらすことによって、該
物質のさらされた部分を除去し、次いで大型パターンを
有する第２マスクを通して感光性物質を露光させ、次に
該物質の露光された部分の性質を変化させるのに十分な
温度で該物質を熱処理し、次に該物質をエッチングして
露光された部分を除去するステップを有し、これらのス
テップによって正確な大きさ及び間隔を有する一連の開
孔が形成された基板の如き精密コンポーネントを製造す
ることができる。実施例の説明 実施例のプロセスは、インクジェット帯電電極のアレイ
を製造する場合を説明するが、当技術分野に通じる者は
、このプロセスが、広範囲の適用分野を有することに気
付くであろう。
更に実施例のプロセスは、感光性ガラス物質を使用して
説明される。しかし、このプロセスは、非常に異つた化
学特性を有する多数の共存する相（ｐｈａｓｅ）へ変換
可能な任意の単一物質に関しても一般的に有効である。
第６図には、帯電電極アレイ１０が示される。
説明される。しかし、このプロセスは、非常に異つた化
学特性を有する多数の共存する相（ｐｈａｓｅ）へ変換
可能な任意の単一物質に関しても一般的に有効である。
第６図には、帯電電極アレイ１０が示される。
帯電電極は複数の開孔を含み、これら開孔は、帯電電極
を貫通して、対応する複数の流体則ちインクジェット流
を通過させる。第６図においては、少数の開孔が示され
ているに過ぎないが、実際の装置は６の画から２４０個
に達する多数の開孔を含んでいる。第６図の開孔は長方
形であるが、長円形又は円形であってもよい。開孔の内
部表面は導電面１４を設けられていて、複数個の帯電ト
ンネル１６を形成している。複数個のインクジェット流
は、流体ジェット。ヘッドによって発生され、周知の手
段（図示されず）によってト均一な大きさのドロップ（
ｄｒｏｐ）より成るストリーム（ｓｔｒｅａｍ）へ分割
される。帯電電極は、ノズル孔から一定の距離に置かれ
、インクジェット流フィラメントは、対応する帯電トン
ネル１６内で均一ドロップより成るストリームへ分割さ
れる。このようにして、ドロップは分割と同時に静電電
荷を選択的に与えられ、帯電したドロップは静電偏向フ
ィールドもこよってガター（籾比ｅｒ）へ向けて偏向さ
れ、帯電していないドロップは記録媒体の方向へ進んで
そこへ衝突する。第６図に示されるようなインクジェッ
ト。
を貫通して、対応する複数の流体則ちインクジェット流
を通過させる。第６図においては、少数の開孔が示され
ているに過ぎないが、実際の装置は６の画から２４０個
に達する多数の開孔を含んでいる。第６図の開孔は長方
形であるが、長円形又は円形であってもよい。開孔の内
部表面は導電面１４を設けられていて、複数個の帯電ト
ンネル１６を形成している。複数個のインクジェット流
は、流体ジェット。ヘッドによって発生され、周知の手
段（図示されず）によってト均一な大きさのドロップ（
ｄｒｏｐ）より成るストリーム（ｓｔｒｅａｍ）へ分割
される。帯電電極は、ノズル孔から一定の距離に置かれ
、インクジェット流フィラメントは、対応する帯電トン
ネル１６内で均一ドロップより成るストリームへ分割さ
れる。このようにして、ドロップは分割と同時に静電電
荷を選択的に与えられ、帯電したドロップは静電偏向フ
ィールドもこよってガター（籾比ｅｒ）へ向けて偏向さ
れ、帯電していないドロップは記録媒体の方向へ進んで
そこへ衝突する。第６図に示されるようなインクジェッ
ト。
プレートを製造するに当っては、開孔の各々を同一サイ
ズにし、且つ開孔の中心から中心への間隔を厳密に制御
しなければならないために、問題が生じることが分った
。感光性ガラスの如き物質を、帯電電極に使用すること
は望ましい。
ズにし、且つ開孔の中心から中心への間隔を厳密に制御
しなければならないために、問題が生じることが分った
。感光性ガラスの如き物質を、帯電電極に使用すること
は望ましい。
何故ならば、そのような物質のエッチング。プロセスは
一般的に周知であるし、且つ感光性ガラスは選択的に食
刻できることも知られているからである。しかし、感光
性ガラスへ通常のエッチング手法を適用すると、関孔の
７ーパー（ねｐｅｒ）が、隣接した帯電トンネル間の余
裕距離よりも大となり、このため通常のエッチング手法
をうまく利用できないことが分かった。 ，ここで提
案するプロセスは、スルーホール（仇ｒｏｕ鰍ｈｏｌｅ
）のテーパ−を検出できない程小さくし「従ってこのプ
ロセスは、第６図に示される帯電電極のような精密部品
を作るのに適している。
一般的に周知であるし、且つ感光性ガラスは選択的に食
刻できることも知られているからである。しかし、感光
性ガラスへ通常のエッチング手法を適用すると、関孔の
７ーパー（ねｐｅｒ）が、隣接した帯電トンネル間の余
裕距離よりも大となり、このため通常のエッチング手法
をうまく利用できないことが分かった。 ，ここで提
案するプロセスは、スルーホール（仇ｒｏｕ鰍ｈｏｌｅ
）のテーパ−を検出できない程小さくし「従ってこのプ
ロセスは、第６図に示される帯電電極のような精密部品
を作るのに適している。
このプロセスは、コーニング・グラス社からフオトセラ
ムの商品名で市販される感光性ガラス基板物質を使用し
て説明される。プロセスの第１ステップは、感光性ガラ
ス基板物質を或る波長の光へ露光させることである。感
光性ガラス基板物質は、この波長に対して感光性を有し
、この露光ステップにより、後の結晶成長のための該形
成位置がガラス物質内に形成される。次に、基板が熱処
理されて、コーニング・ガラス社によってフオトオパル
と呼ばれているような結晶物が、露光された領域中に形
成される。次に、基板は適当なエッチング液へさらされ
るが、このエッチング液は、コーニング・ガラス社によ
ってフオトフオーム物質と呼ばれている露光されない物
質よりも非常に大きな速度でフオトオパル物質を食刻に
よって除去する。フオトオパルに対して関孔の境界を形
成するフオトフオーム物質のテーパーは、異つたエッチ
ング速度のために生じる。テーパ−量は、フオトオパル
物質への食刻の深さに比例している。このテーパーは、
帯電電極１川こおける開孔１２（第４図）の如き深い食
刻孔に対しては非常に著しい。開孔中のテーパーを量小
にするために、第２の露光−食刻サイクルがとられて、
テーパーを著しく減少させる。何故ならば、テーパーは
、最初に食刻されたスルーホールと、これよりもや）大
きい露光された最終的関孔サイズ・パターンとの間にあ
る物質の薄い殻部分の厚さに比例して生ずるからである
。この重複食刻プロセスの付加的利点は、第２のエッチ
ング動作が、帯電トンネルの最終的大きさを生じるのみ
ならず、適当な深さの導線を食刻するためにも使用でき
ることである。後に、全体の基板は露光され熱処理され
て「ガラスの感度を減せられる。プロセス・ステップの
順序は、プロセス全体に大きな影響を与えることなく、
或る程度まで変更することができる。
ムの商品名で市販される感光性ガラス基板物質を使用し
て説明される。プロセスの第１ステップは、感光性ガラ
ス基板物質を或る波長の光へ露光させることである。感
光性ガラス基板物質は、この波長に対して感光性を有し
、この露光ステップにより、後の結晶成長のための該形
成位置がガラス物質内に形成される。次に、基板が熱処
理されて、コーニング・ガラス社によってフオトオパル
と呼ばれているような結晶物が、露光された領域中に形
成される。次に、基板は適当なエッチング液へさらされ
るが、このエッチング液は、コーニング・ガラス社によ
ってフオトフオーム物質と呼ばれている露光されない物
質よりも非常に大きな速度でフオトオパル物質を食刻に
よって除去する。フオトオパルに対して関孔の境界を形
成するフオトフオーム物質のテーパーは、異つたエッチ
ング速度のために生じる。テーパ−量は、フオトオパル
物質への食刻の深さに比例している。このテーパーは、
帯電電極１川こおける開孔１２（第４図）の如き深い食
刻孔に対しては非常に著しい。開孔中のテーパーを量小
にするために、第２の露光−食刻サイクルがとられて、
テーパーを著しく減少させる。何故ならば、テーパーは
、最初に食刻されたスルーホールと、これよりもや）大
きい露光された最終的関孔サイズ・パターンとの間にあ
る物質の薄い殻部分の厚さに比例して生ずるからである
。この重複食刻プロセスの付加的利点は、第２のエッチ
ング動作が、帯電トンネルの最終的大きさを生じるのみ
ならず、適当な深さの導線を食刻するためにも使用でき
ることである。後に、全体の基板は露光され熱処理され
て「ガラスの感度を減せられる。プロセス・ステップの
順序は、プロセス全体に大きな影響を与えることなく、
或る程度まで変更することができる。
例えば、第２露光ステップは、第１エッチング・ステッ
プの前に行ってよく、或る場合にはそうすることが望ま
しい。何故ならば、第２露光ステップにおいて、プロセ
スの分解能を減じる光の散乱を生じるチャンスが少なく
なるからである。前述した如く、基板２０（第１図〜第
４図参照）は、適当な材料であってよいが、望ましい材
料は感光性ガラス物質である。
プの前に行ってよく、或る場合にはそうすることが望ま
しい。何故ならば、第２露光ステップにおいて、プロセ
スの分解能を減じる光の散乱を生じるチャンスが少なく
なるからである。前述した如く、基板２０（第１図〜第
４図参照）は、適当な材料であってよいが、望ましい材
料は感光性ガラス物質である。
感光性ガラスは、その成分として多価イオンを有し、こ
の多価イオンは、より高次の原子価状態へ容易に励起さ
れる。この励起は、ガラスへ衝突する光によって達成さ
れる。ガラスの他の成分として金属イオンがあり、この
金属イオンは容易に電子を放出し、それによって該形成
位置が作られ、これら核形成位置から結晶が生長し、ガ
ラスの結晶相が生じる。ガラスの第３成分は、上記２つ
の成分を溶媒中に保持するためガラス容積を増大させる
成分である。この成分はト通常、アンチモニーである。
通功な基板は、コーニング・グラス社からホトセラム（
Ｆｏｔｏ−Ｃｅｒａｍ）の商品名で販売されている感光
性ガラスである。本発明のプロセスを遂行するのに必要
なステップは、次のとおりである。
の多価イオンは、より高次の原子価状態へ容易に励起さ
れる。この励起は、ガラスへ衝突する光によって達成さ
れる。ガラスの他の成分として金属イオンがあり、この
金属イオンは容易に電子を放出し、それによって該形成
位置が作られ、これら核形成位置から結晶が生長し、ガ
ラスの結晶相が生じる。ガラスの第３成分は、上記２つ
の成分を溶媒中に保持するためガラス容積を増大させる
成分である。この成分はト通常、アンチモニーである。
通功な基板は、コーニング・グラス社からホトセラム（
Ｆｏｔｏ−Ｃｅｒａｍ）の商品名で販売されている感光
性ガラスである。本発明のプロセスを遂行するのに必要
なステップは、次のとおりである。
その第１ステップは、基板２０を適当な光源からの照射
へマスク２４を通して露光させることである（第１図）
。光源は、コリメートされた光源であることが望ましい
。感光性ガラスと共に使用される適切な光源は、水銀キ
セノン光である。マスク２４はサイズＷＩ×Ｌ２の複数
個の開孔２６を有するが、この閥孔２６は、最終的な帯
電電極アレイ用の関孔１２（第４図）のサイズよりも小
さい。次のステップは、４・さし、サイズの開孔パター
ンを通して露光されたガラスを結晶相へ変質させるため
、基板を熱処理することである。
へマスク２４を通して露光させることである（第１図）
。光源は、コリメートされた光源であることが望ましい
。感光性ガラスと共に使用される適切な光源は、水銀キ
セノン光である。マスク２４はサイズＷＩ×Ｌ２の複数
個の開孔２６を有するが、この閥孔２６は、最終的な帯
電電極アレイ用の関孔１２（第４図）のサイズよりも小
さい。次のステップは、４・さし、サイズの開孔パター
ンを通して露光されたガラスを結晶相へ変質させるため
、基板を熱処理することである。
これは結晶化が完了する十分な時間の間、基板をガラス
の臨界温度へ上昇させておくことによって達成される。
ガラス・メーカーは、所望のグレイン・サイズを生じる
ための臨界温度と時間を決定する十分なデータを提供し
ており、本発明で使用するフオトセラム・ガラスについ
ては、臨界温度及び時間は、それぞれ５９〆Ｃ及び約３
０分間である。次のステップは、基板を適当な食刻液へ
さらすことであり、これによってフオトオパル・ガラス
はフオトフオーム・ガラスよりも非常に早い速度で食刻
除去される。適切な食刻液は、フッ化水素酸の１２％水
溶液である。第２図から分るように、△ＬＩ及び△ＷＩ
は、周囲のフオートフオームとの境界中に生じる切込み
である。△ＬＩ及び△ＷＩは、フオトオパル・ガラスへ
の食刻深丸こ比例する。次に基板は、第３図に示すよう
にマスク２８を通して光源２２へ露光される。
の臨界温度へ上昇させておくことによって達成される。
ガラス・メーカーは、所望のグレイン・サイズを生じる
ための臨界温度と時間を決定する十分なデータを提供し
ており、本発明で使用するフオトセラム・ガラスについ
ては、臨界温度及び時間は、それぞれ５９〆Ｃ及び約３
０分間である。次のステップは、基板を適当な食刻液へ
さらすことであり、これによってフオトオパル・ガラス
はフオトフオーム・ガラスよりも非常に早い速度で食刻
除去される。適切な食刻液は、フッ化水素酸の１２％水
溶液である。第２図から分るように、△ＬＩ及び△ＷＩ
は、周囲のフオートフオームとの境界中に生じる切込み
である。△ＬＩ及び△ＷＩは、フオトオパル・ガラスへ
の食刻深丸こ比例する。次に基板は、第３図に示すよう
にマスク２８を通して光源２２へ露光される。
前述した如く、この２度目の露光は、最初の食刻ステッ
プに先立って遂行されてよい。マスク２８は、帯電トン
ネルの最終的大きさであるＷ２×Ｌ２の開孔３０と、帯
電トンネルからの導体通路となる開孔３２とを有する。
次いで「基板は、マスク２８を通して露光されたガラス
を前と同じように結晶化するため熱処理される。
プに先立って遂行されてよい。マスク２８は、帯電トン
ネルの最終的大きさであるＷ２×Ｌ２の開孔３０と、帯
電トンネルからの導体通路となる開孔３２とを有する。
次いで「基板は、マスク２８を通して露光されたガラス
を前と同じように結晶化するため熱処理される。
次いで、最終的食亥９ステップがとられるが、この食刻
ステップで、帯電トンネルの壁と導体通路から等しい長
さ（△Ｌ：△Ｗ）の物質が除去される。
ステップで、帯電トンネルの壁と導体通路から等しい長
さ（△Ｌ：△Ｗ）の物質が除去される。
マスク２４の大きさは、導体スロット３４（第４図）の
深さとして望まれる△Ｌの要件に合致するように選択で
きる（第５図参照）。次に「基板全体が光源２２に対し
て露光され「熱処理され「その感度を減少させられる。
深さとして望まれる△Ｌの要件に合致するように選択で
きる（第５図参照）。次に「基板全体が光源２２に対し
て露光され「熱処理され「その感度を減少させられる。
重複食刻プロセスによって生じたテーパ微小化を示すた
め、２つのエッチング動作から生じたフオトフオーム・
ガラスへの相対的切込みが、第２図及び第４図−第９図
に示される。
め、２つのエッチング動作から生じたフオトフオーム・
ガラスへの相対的切込みが、第２図及び第４図−第９図
に示される。
金ｊ古泉＝Ｒ
であり、同一の食刻液によるフオトオパルとフオトフオ
ームの食刻速度比を表わし「Ｒは約２０である。
ームの食刻速度比を表わし「Ｒは約２０である。
これは、通常の単一露光食刻動作から生じる切込みが、
本発明に係る重複露光食刻動作から生じる切込みよりも
２ぴ音大きいことを示している。ここで問題としている
アレイについては「隣綾した帯電トンネル間に５．０８
×１０‐３〜１０．１６×１０‐３伽（２〜４ミル）程
度の隙間を設けるために、帯電トンネルの大きさとその
中心間の距離の組合せにいくつかのものが考えられる。
しかし「通常の単一露光食刻プロセスから生じるテーパ
は「稲密にパックされた状態を達成することを不可能な
らしめるであろう。詳細に説明すれば、△ＬＩは単一露
光食刻プロセスから生じたテーパである（第２図及び第
７図参照）。第８図は２度目の露光及び熱処理後の２度
目の食刻開始時の各部の寸法を示す。説明の都合上、テ
ーパー関口の上下両端が幅Ｌ２のマスクを掛けて２度目
の露光及び熱処理された領域の境界線（２点鎖線）と一
致するものとする。最初の食刻は厚さＴＩの基板の上側
表面及び下側表面から進行したので厚さの中心に向うに
つれて側面への切込みが減じたため、表面から深さＴＩ
／２のところに峰を有するテーパーを形成した。２度目
の食刻はかかるテーパ状の側壁全面に百つて同時進行す
ることに注意されたい。
本発明に係る重複露光食刻動作から生じる切込みよりも
２ぴ音大きいことを示している。ここで問題としている
アレイについては「隣綾した帯電トンネル間に５．０８
×１０‐３〜１０．１６×１０‐３伽（２〜４ミル）程
度の隙間を設けるために、帯電トンネルの大きさとその
中心間の距離の組合せにいくつかのものが考えられる。
しかし「通常の単一露光食刻プロセスから生じるテーパ
は「稲密にパックされた状態を達成することを不可能な
らしめるであろう。詳細に説明すれば、△ＬＩは単一露
光食刻プロセスから生じたテーパである（第２図及び第
７図参照）。第８図は２度目の露光及び熱処理後の２度
目の食刻開始時の各部の寸法を示す。説明の都合上、テ
ーパー関口の上下両端が幅Ｌ２のマスクを掛けて２度目
の露光及び熱処理された領域の境界線（２点鎖線）と一
致するものとする。最初の食刻は厚さＴＩの基板の上側
表面及び下側表面から進行したので厚さの中心に向うに
つれて側面への切込みが減じたため、表面から深さＴＩ
／２のところに峰を有するテーパーを形成した。２度目
の食刻はかかるテーパ状の側壁全面に百つて同時進行す
ることに注意されたい。
深さＴＩ／２の前後の峰はフオトオパル化しているので
前述の食刻速度Ｒで食刻されるとき「テーパ状開□の上
下両端部いはフオトオパルが存在しないのでフオトフオ
ームはその１／Ｒの食刻速度則ち１（単位早さ）で食刻
されることになる。Ｒ；・＝ＴＩ／２ミ△Ｌｉ／．△Ｌ
Ｉ＝Ｔｉノ２×ｌノＲ 数値で表わすとも△１１はＴＩノ恋＝３４１７５ｘｌｏ
‐３肌（１．２５ミル）に等しい。
前述の食刻速度Ｒで食刻されるとき「テーパ状開□の上
下両端部いはフオトオパルが存在しないのでフオトフオ
ームはその１／Ｒの食刻速度則ち１（単位早さ）で食刻
されることになる。Ｒ；・＝ＴＩ／２ミ△Ｌｉ／．△Ｌ
Ｉ＝Ｔｉノ２×ｌノＲ 数値で表わすとも△１１はＴＩノ恋＝３４１７５ｘｌｏ
‐３肌（１．２５ミル）に等しい。
ここでＴｌは帯電電極の厚さ＝ｉ２７×１０‐３肌（５
０ミル）であり「Ｒ＝２０（微分食刻速度）である。隣
接した帯電トンネルの両側からのテーパによって失われ
る間隙は、６．３５×１０‐３肌（２．５ミル＝２△Ｌ
Ｉ）であるがも重複露光食刻プロセスによれば、△Ｌ２
＝Ｔｉノ２Ｒ２＝０，１５８７５×１０‐３柳（０．０
６２５ミル）であり、この場合にテーパによって失われ
る間隙は検出できない程の大きさ０．３０４８×１０‐
３地（０．１２ミル＝２△Ｌ２）である。従って「本発
明の重複露光食亥９プロセスは〜従来の単一露光食亥は
プロセスによっては作ることのできない〜インクジェッ
ト帯電電極アレイのような精密装置を製造するのに適し
たものと云うことができる。
０ミル）であり「Ｒ＝２０（微分食刻速度）である。隣
接した帯電トンネルの両側からのテーパによって失われ
る間隙は、６．３５×１０‐３肌（２．５ミル＝２△Ｌ
Ｉ）であるがも重複露光食刻プロセスによれば、△Ｌ２
＝Ｔｉノ２Ｒ２＝０，１５８７５×１０‐３柳（０．０
６２５ミル）であり、この場合にテーパによって失われ
る間隙は検出できない程の大きさ０．３０４８×１０‐
３地（０．１２ミル＝２△Ｌ２）である。従って「本発
明の重複露光食亥９プロセスは〜従来の単一露光食亥は
プロセスによっては作ることのできない〜インクジェッ
ト帯電電極アレイのような精密装置を製造するのに適し
たものと云うことができる。
第軍図は１つの帯電電極開孔を作るための第１露光ステ
ップを示す図も第墓図は第１食刻ステップが完了した後
における帯電電極の斜視図ｔ第３図は帯電電極関孔を作
るための第２露光ステップを示す図「第亀図は第２食刻
ステップが完了した後における帯電電極開孔の斜視図〜
第馬図は第亀図の綾５−鼠こ沿って切断した断面図〜第
馬図は最終的な帯電電極のｉ部を示す斜視図「第軍図は
第２図の綾す印す‘こ沿って切断した部分の断面図、第
８図は第２食刻ステップの中間時点における策？図の部
分の断面図ト第鯵図は第Ｓ図の線９−９に沿って切断し
た部分の断面図である。 軍Ｑ……帯電電極アレィト軍蟹柵…開孔〜 百傘……導
電面「 軍翁……帯電トンネルｈ 整い…恥感光性物質
基板、２２…・・。光源、窓傘側…第１マスク、２６…
…開孔〜 ２蟹……第２マスク「 ３比３２・…・・開
孔〜 ３４州…導体スロット。ＦＩＧ．ｌＯＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ４ ＦＩＧ．５ ＦＩＧ．６ ＦＩＧ．７ ＦＩＧ．８ ＦＩＧ．９
ップを示す図も第墓図は第１食刻ステップが完了した後
における帯電電極の斜視図ｔ第３図は帯電電極関孔を作
るための第２露光ステップを示す図「第亀図は第２食刻
ステップが完了した後における帯電電極開孔の斜視図〜
第馬図は第亀図の綾５−鼠こ沿って切断した断面図〜第
馬図は最終的な帯電電極のｉ部を示す斜視図「第軍図は
第２図の綾す印す‘こ沿って切断した部分の断面図、第
８図は第２食刻ステップの中間時点における策？図の部
分の断面図ト第鯵図は第Ｓ図の線９−９に沿って切断し
た部分の断面図である。 軍Ｑ……帯電電極アレィト軍蟹柵…開孔〜 百傘……導
電面「 軍翁……帯電トンネルｈ 整い…恥感光性物質
基板、２２…・・。光源、窓傘側…第１マスク、２６…
…開孔〜 ２蟹……第２マスク「 ３比３２・…・・開
孔〜 ３４州…導体スロット。ＦＩＧ．ｌＯＧ．２ ＦＩＧ．３ ＦＩＧ４ ＦＩＧ．５ ＦＩＧ．６ ＦＩＧ．７ ＦＩＧ．８ ＦＩＧ．９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 露光及び熱処理された部分の食刻速度とそれらの処
理を受けない部分の食刻速度に相異のある感光性物質を
素材として使用し、露光、熱処理、食刻の工程を繰返し
て所望のパターンを食刻された部品を製造する方法であ
って、所望のパターンよりも小さいパターンを規定する
第１のマスクを用いて感光性素材を露光した後、熱処理
、食刻を施して上記小さいパターンで食刻された部品を
製造し、次いで所望のパターンを規定する第２のマスク
を用いて上記小さいパターンで食刻された部品を露光し
、続いて熱処理、食刻を施して上記所望のパターンで食
刻された部品を製造する工程よりなる部品の製造方法。 ２ 露光及び熱処理された部分の食刻速度とそれらの処
理を受けない部分の食刻速度に相異のある感光性物質を
素材として使用し、露光、熱処理、食刻を施して所望の
パターンを食刻された部品を製造する方法であって、所
望のパターンよりも小さいパターンを規定する第１のマ
スクを用いて感光性素材を露光した後熱処理を施し、次
いで所望のパターンを規定する第２のマスクを用いて露
光した後食刻を施して上記小さいパターンで食刻された
部品を製造し、続いて熱処理、食刻を施して上記所望の
パターンで食刻された部品を製造する工程よりなる部品
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/754,463 US4092166A (en) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | Double exposure and double etch technique for producing precision parts from crystallizable photosensitive glass |
| US754463 | 1976-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5382412A JPS5382412A (en) | 1978-07-20 |
| JPS606503B2 true JPS606503B2 (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=25034904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52148254A Expired JPS606503B2 (ja) | 1976-12-27 | 1977-12-12 | 部品の製造方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4092166A (ja) |
| JP (1) | JPS606503B2 (ja) |
| CA (1) | CA1097974A (ja) |
| CH (1) | CH620662A5 (ja) |
| DE (1) | DE2752378A1 (ja) |
| ES (1) | ES465428A1 (ja) |
| FR (1) | FR2375628A1 (ja) |
| GB (1) | GB1589538A (ja) |
| IT (1) | IT1113820B (ja) |
| NL (1) | NL7712540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194305U (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-10 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4417251A (en) * | 1980-03-06 | 1983-11-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head |
| US4407934A (en) * | 1981-12-04 | 1983-10-04 | Burroughs Corporation | Method of making an assembly of electrodes |
| DE3601632A1 (de) * | 1986-01-21 | 1987-07-23 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren zum herstellen von extraktionsgittern fuer ionenquellen und durch das verfahren hergestellte extraktionsgitter |
| DE3814720A1 (de) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Olympia Aeg | Verfahren zur herstellung einer grundplatte mit durch aetzen hergestellte einarbeitungen fuer einen tintendruckkopf |
| DE4111783C1 (ja) * | 1991-04-11 | 1992-05-27 | Ant Nachrichtentechnik Gmbh, 7150 Backnang, De | |
| US5314522A (en) * | 1991-11-19 | 1994-05-24 | Seikosha Co., Ltd. | Method of processing photosensitive glass with a pulsed laser to form grooves |
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| US5825382A (en) * | 1992-07-31 | 1998-10-20 | Francotyp-Postalia Ag & Co. | Edge-shooter ink jet print head and method for its manufacture |
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| US6633031B1 (en) | 1999-03-02 | 2003-10-14 | Advion Biosciences, Inc. | Integrated monolithic microfabricated dispensing nozzle and liquid chromatography-electrospray system and method |
| CN1237572C (zh) | 1999-12-30 | 2006-01-18 | 阿德维昂生物科学公司 | 多电雾化装置、系统和方法 |
| AU2001229633A1 (en) * | 2000-01-18 | 2001-07-31 | Advion Biosciences, Inc. | Separation media, multiple electrospray nozzle system and method |
| US20050130075A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | Mohammed Shaarawi | Method for making fluid emitter orifice |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3473927A (en) * | 1965-12-14 | 1969-10-21 | Corning Glass Works | Double negative exposure method for photosensitively opacifiable glass |
| US3519522A (en) * | 1966-12-21 | 1970-07-07 | Corning Glass Works | Strengthening of photosensitive glass articles |
| US3843394A (en) * | 1971-10-11 | 1974-10-22 | Canon Kk | Photosensitive member |
| JPS5236817B2 (ja) * | 1973-07-27 | 1977-09-19 | ||
| JPS5421096B2 (ja) * | 1974-01-09 | 1979-07-27 | ||
| JPS51135913A (en) * | 1975-05-21 | 1976-11-25 | Nippon Telegraph & Telephone | Membrane for photoetching |
-
1976
- 1976-12-27 US US05/754,463 patent/US4092166A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-10-04 CA CA288,101A patent/CA1097974A/en not_active Expired
- 1977-11-15 NL NL7712540A patent/NL7712540A/xx not_active Application Discontinuation
- 1977-11-16 CH CH1397277A patent/CH620662A5/de not_active IP Right Cessation
- 1977-11-18 FR FR7735655A patent/FR2375628A1/fr active Granted
- 1977-11-24 DE DE19772752378 patent/DE2752378A1/de active Granted
- 1977-12-12 JP JP52148254A patent/JPS606503B2/ja not_active Expired
- 1977-12-13 IT IT30627/77A patent/IT1113820B/it active
- 1977-12-14 GB GB52098/77A patent/GB1589538A/en not_active Expired
- 1977-12-26 ES ES465428A patent/ES465428A1/es not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194305U (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5382412A (en) | 1978-07-20 |
| FR2375628B1 (ja) | 1980-08-22 |
| CA1097974A (en) | 1981-03-24 |
| DE2752378C2 (ja) | 1987-12-03 |
| NL7712540A (nl) | 1978-06-29 |
| US4092166A (en) | 1978-05-30 |
| GB1589538A (en) | 1981-05-13 |
| DE2752378A1 (de) | 1978-06-29 |
| FR2375628A1 (fr) | 1978-07-21 |
| IT1113820B (it) | 1986-01-27 |
| ES465428A1 (es) | 1978-09-16 |
| CH620662A5 (ja) | 1980-12-15 |
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