JPS61150337A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61150337A JPS61150337A JP27560784A JP27560784A JPS61150337A JP S61150337 A JPS61150337 A JP S61150337A JP 27560784 A JP27560784 A JP 27560784A JP 27560784 A JP27560784 A JP 27560784A JP S61150337 A JPS61150337 A JP S61150337A
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- polycrystalline
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明各文、半導体装置の製造方法に係り、特に微細
パターンを形成するための選択エツチングに関するもの
である。
パターンを形成するための選択エツチングに関するもの
である。
（従来の技術〕
第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の選択エツチング法の一例
を示す断面図である。まず、第３図（ａ）のように被エ
ツチング部材（例えば単結晶シリコン基板）５の表面を
レジストで覆い、これを任意のパターンＫｊｌ光し、不
用部分を除去しレジストパターン４を形成する。このレ
ジストパターン４をマスクとして、第３図（ｂ）のよ５
ＫＲＩＢなどの異方性エツチング忙よつ工、被エツチン
グ部材５のエツチングを行う。最後ｋ、第３図（ｃ）の
ようにレジストパターン４を除去して、微細パターン６
を形成する。
を示す断面図である。まず、第３図（ａ）のように被エ
ツチング部材（例えば単結晶シリコン基板）５の表面を
レジストで覆い、これを任意のパターンＫｊｌ光し、不
用部分を除去しレジストパターン４を形成する。このレ
ジストパターン４をマスクとして、第３図（ｂ）のよ５
ＫＲＩＢなどの異方性エツチング忙よつ工、被エツチン
グ部材５のエツチングを行う。最後ｋ、第３図（ｃ）の
ようにレジストパターン４を除去して、微細パターン６
を形成する。
従来の選択エツチングは以上のよ５＆Ｃ行われていたの
で、レジストプロセスが必要で、また、微細パターン形
成精度が前記レジストプロセスにおけるレジストの厚み
で制限されるなどの問題点があった。
で、レジストプロセスが必要で、また、微細パターン形
成精度が前記レジストプロセスにおけるレジストの厚み
で制限されるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためＫなさ
れたもので、レジストプロセスを特に必安どせずに選択
エツチングを行い、微細パターンの形成を可能とした半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、レジストプロセスを特に必安どせずに選択
エツチングを行い、微細パターンの形成を可能とした半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
この発明では、多結晶または非晶質の薄膜を基板上に形
成後、所望の微細パターンに沿って前記薄膜をレーザア
ニールすることにより、前記薄膜を再結晶化し、レーザ
照射部分と非照射部分とのエツチングレートの違いを利
用して微細ノくクーンを形成するようＫしたものである
。
成後、所望の微細パターンに沿って前記薄膜をレーザア
ニールすることにより、前記薄膜を再結晶化し、レーザ
照射部分と非照射部分とのエツチングレートの違いを利
用して微細ノくクーンを形成するようＫしたものである
。
この発明におい又は、多結晶または非晶質の薄膜中のレ
ーザアニールされた微細ノくターン部分番ま、再結晶化
することＫよりエツチングレートに変化をきたし、パタ
ーン部分の選択エツチングに適するようになる。
ーザアニールされた微細ノくターン部分番ま、再結晶化
することＫよりエツチングレートに変化をきたし、パタ
ーン部分の選択エツチングに適するようになる。
第１図（＆ン〜（ｃ）はこの発明の一実施例を説明する
ための工程図で、これらの図で、１は多結晶または非晶
質の薄膜、例えば多結晶シリコン膜である。２は前記薄
膜１がレーザアニールによって再結晶化した微細パター
ン部分、３は前記薄膜１を形成する半導体装置の下部構
造である基板、例えば単結晶シリコン基板である。
ための工程図で、これらの図で、１は多結晶または非晶
質の薄膜、例えば多結晶シリコン膜である。２は前記薄
膜１がレーザアニールによって再結晶化した微細パター
ン部分、３は前記薄膜１を形成する半導体装置の下部構
造である基板、例えば単結晶シリコン基板である。
次に、この製造工程について説明するＣまず、第１図（
ａ）のように基板３上に多結晶または非晶質の薄膜１を
形成し、この一部分を第１図（ｂ）のようＫｌ／−ザア
ニールにより再結晶化させ、微細パターン部分２を形成
する。このとき、レーザビームを適当に走査させること
によって任意のパターンに相当する部分を再結晶化させ
ることができ、かつビーム径を絞ることＫより微細なパ
ターンを形成し得る。こうして、再結晶化された微細パ
ターン部分２は、レーザの照射されない部分に比べて一
般にエツチングレートが小さく、このクエへをＲＩＥな
どχ用いてエツチングすると、特忙レジストなどのマス
クを用いることなく、第１図（ｃｌのよう忙微細パター
ン部分２以外を選択的忙エツチングすることができる。
ａ）のように基板３上に多結晶または非晶質の薄膜１を
形成し、この一部分を第１図（ｂ）のようＫｌ／−ザア
ニールにより再結晶化させ、微細パターン部分２を形成
する。このとき、レーザビームを適当に走査させること
によって任意のパターンに相当する部分を再結晶化させ
ることができ、かつビーム径を絞ることＫより微細なパ
ターンを形成し得る。こうして、再結晶化された微細パ
ターン部分２は、レーザの照射されない部分に比べて一
般にエツチングレートが小さく、このクエへをＲＩＥな
どχ用いてエツチングすると、特忙レジストなどのマス
クを用いることなく、第１図（ｃｌのよう忙微細パター
ン部分２以外を選択的忙エツチングすることができる。
なお、上記実施例では、レジストプロセスを用いない場
合を示したが、場合忙よつＣは第２９葎）〜（ｅ） Ｖ
Ｃ示すようＫ、従来のレジストマスク忙よる選択エツチ
ング法を併用することも可能である。
合を示したが、場合忙よつＣは第２９葎）〜（ｅ） Ｖ
Ｃ示すようＫ、従来のレジストマスク忙よる選択エツチ
ング法を併用することも可能である。
すなわち、この工程では、まず第２図（ａ）のような多
結晶または非晶質の薄膜１を、第２図（ｂ）のように微
細パターン部分２Ｖｃ沿ってレーザ７二−ルしり後、第
２図（Ｃ）のようにレジストをその上に塗布し、前記微
細パターン部分２を露光・現像する。その後、パターン
部分以外のレジストを除去し、残ったレジストパターン
４を毎スフにして多結晶または非晶質の薄膜１を、第２
図（ｄ）のようにエツチングした後、第２図（＠ンのよ
うにレジストパターン４を除去する。これＫより、レジ
ストプロセスのみによる場合より、さら忙精確な選択エ
ツチングを行うことが可能である。
結晶または非晶質の薄膜１を、第２図（ｂ）のように微
細パターン部分２Ｖｃ沿ってレーザ７二−ルしり後、第
２図（Ｃ）のようにレジストをその上に塗布し、前記微
細パターン部分２を露光・現像する。その後、パターン
部分以外のレジストを除去し、残ったレジストパターン
４を毎スフにして多結晶または非晶質の薄膜１を、第２
図（ｄ）のようにエツチングした後、第２図（＠ンのよ
うにレジストパターン４を除去する。これＫより、レジ
ストプロセスのみによる場合より、さら忙精確な選択エ
ツチングを行うことが可能である。
また、多結晶または非晶質の薄膜１の形成時あるいは形
成後に不純物を添加することＫより、レーザアニール後
の再結晶化部分と、多結晶ｉたは非晶質部分のエツチン
グ選択比を増大させることも可能である。
成後に不純物を添加することＫより、レーザアニール後
の再結晶化部分と、多結晶ｉたは非晶質部分のエツチン
グ選択比を増大させることも可能である。
この発明は以上説明したとおり、レーザアニールにより
多結晶または非晶質からなる薄膜自体Ｋ、エツチング選
択性を持たせたので、レジストプロセスを特に必要とせ
ず、かつ微細パターンの形成が可能な選択エツチングを
行い得る効果がある。
多結晶または非晶質からなる薄膜自体Ｋ、エツチング選
択性を持たせたので、レジストプロセスを特に必要とせ
ず、かつ微細パターンの形成が可能な選択エツチングを
行い得る効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例による微細
パターン選択エツチングの過程を説明するためる断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の他の実施例の工程
を説明するための断面図、第３図（ａｔ〜（Ｃ）は従来
のレジストプロセスによる選択エツチングの工程を説明
するための断面図である。 図において、１は多結晶または非晶質の薄膜、２は微細
パターン部分、３は基板である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭５９−２７５８０７号２、
発明の名称 半導体装置の製造方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社住 所 東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 ４、図面の簡単な説明 ６、補正の内容 明細書第６頁９〜１０行の「説明するためる断面図、」
を、「説明するための断面図」と補正する。 以上
パターン選択エツチングの過程を説明するためる断面図
、第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の他の実施例の工程
を説明するための断面図、第３図（ａｔ〜（Ｃ）は従来
のレジストプロセスによる選択エツチングの工程を説明
するための断面図である。 図において、１は多結晶または非晶質の薄膜、２は微細
パターン部分、３は基板である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第１図 第２図 第３図 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭５９−２７５８０７号２、
発明の名称 半導体装置の製造方法３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社住 所 東
京都千代田区丸の内二丁目２番３号５、補正の対象 ４、図面の簡単な説明 ６、補正の内容 明細書第６頁９〜１０行の「説明するためる断面図、」
を、「説明するための断面図」と補正する。 以上
Claims (2)
- （１）基板上に多結晶または非晶質の薄膜を形成した後
、所望の微細パターンに沿つて前記薄膜にレーザアニー
ルによる再結晶化を施して微細パターン部分を形成した
後、レーザ照射部分と非照射部分のエッチングレートの
違いを利用して選択エッチングを施し微細パターンを形
成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）薄膜に所要の不純物を添加することによつてレー
ザ照射部分と非照射部分のエッチング選択比を増すこと
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27560784A JPS61150337A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27560784A JPS61150337A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150337A true JPS61150337A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17557798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27560784A Pending JPS61150337A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61150337A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436029A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of pattern of polycrystalline semiconductor thin film |
| US20130248057A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Fih (Hong Kong) Limited | Method for forming patterns on substrates and articles manufactured by the same |
| CN104867813A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-08-26 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 非金属图案的制作方法 |
| FR3028350A1 (fr) * | 2014-11-10 | 2016-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede ameliore de realisation de motifs dans une couche mince |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27560784A patent/JPS61150337A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436029A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | Formation of pattern of polycrystalline semiconductor thin film |
| US20130248057A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Fih (Hong Kong) Limited | Method for forming patterns on substrates and articles manufactured by the same |
| US8911876B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-12-16 | Shenzhen Futaihong Precision Industry Co., Ltd. | Method for forming patterns on substrates and articles manufactured by the same |
| FR3028350A1 (fr) * | 2014-11-10 | 2016-05-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede ameliore de realisation de motifs dans une couche mince |
| US10014183B2 (en) | 2014-11-10 | 2018-07-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method for patterning a thin film |
| CN104867813A (zh) * | 2015-04-08 | 2015-08-26 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 非金属图案的制作方法 |
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