JPS6058674A - Ｍｏｓ型トランジスタ - Google Patents
Ｍｏｓ型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6058674A JPS6058674A JP16647983A JP16647983A JPS6058674A JP S6058674 A JPS6058674 A JP S6058674A JP 16647983 A JP16647983 A JP 16647983A JP 16647983 A JP16647983 A JP 16647983A JP S6058674 A JPS6058674 A JP S6058674A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- drain
- type transistor
- channel
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体装置で集積形成して用いられるＭＯ８
型トランジスタの形状（二係り、微細化により生ずる素
子特性の劣化を抑えるＭＯ８型トランジスタに関する。
型トランジスタの形状（二係り、微細化により生ずる素
子特性の劣化を抑えるＭＯ８型トランジスタに関する。
半導体メモリ装置等において、内部で用いられている個
々のトランジスタは、年々微細化が進んでいる。ところ
が、トランジスタの微細化が進むと、ホットエレクトロ
ンのゲート酸化膜への注入による影響（二より、トラン
スコンダクタンスの減少が生じる。これにより、素子特
性の劣化が問題になっていた。
々のトランジスタは、年々微細化が進んでいる。ところ
が、トランジスタの微細化が進むと、ホットエレクトロ
ンのゲート酸化膜への注入による影響（二より、トラン
スコンダクタンスの減少が生じる。これにより、素子特
性の劣化が問題になっていた。
本発明は、上記の点（二鑑み、ホットエレクトロンの影
響によるトランスコンダクタンスの減少を低くした高信
頼性ＭＯ８型トランジスタを提供することを目的とする
。
響によるトランスコンダクタンスの減少を低くした高信
頼性ＭＯ８型トランジスタを提供することを目的とする
。
本発明は、ドレイン近傍のチャネル幅をチャネル中央部
の幅に比べて広くする半により、ホットエレクトロンの
トラップにより生ずるトランスコンダクタンスの減少を
低く抑える事を特徴とする。
の幅に比べて広くする半により、ホットエレクトロンの
トラップにより生ずるトランスコンダクタンスの減少を
低く抑える事を特徴とする。
本発明によれば、ホットエレクトロンの影響（−よるト
ランスコンダクタンスの減少を低く抑えた高信頼性ＭＯ
８型トランジスタを実現する事カー石工能となる。
ランスコンダクタンスの減少を低く抑えた高信頼性ＭＯ
８型トランジスタを実現する事カー石工能となる。
以下本発明の一実施例を第１図及び第２図を用いて説明
する。
する。
まずＰ型Ｓ１基板（１）を用いて素子分離領域に厚いフ
ィールド酸化膜（２）を形成し、素子領域の基板表面を
露出させる。（第１図ａ）これを上から見るとたとえば
第２図の様ζニなっている。フィールド酸化膜（２）の
形成（二は、Ｌｏｃｏｓ法を用いてもよいし、溝を堀っ
て酸化膜を埋込む方法を用いてもよい。
ィールド酸化膜（２）を形成し、素子領域の基板表面を
露出させる。（第１図ａ）これを上から見るとたとえば
第２図の様ζニなっている。フィールド酸化膜（２）の
形成（二は、Ｌｏｃｏｓ法を用いてもよいし、溝を堀っ
て酸化膜を埋込む方法を用いてもよい。
この後、ゲート酸化膜（３）を介して多結晶シリコン膜
からなるゲート電極（４）を形成しく第１図ｂ）、不純
物拡散を行って、ソース・ドレインとなるｎ＋型層（５
）を形成する（第１図Ｃ）。
からなるゲート電極（４）を形成しく第１図ｂ）、不純
物拡散を行って、ソース・ドレインとなるｎ＋型層（５
）を形成する（第１図Ｃ）。
この後は図示しないが全面なＣＶＤ酸化膜でおおいコン
タクトホールなあけて必要な金属配線を形成して完成す
る。
タクトホールなあけて必要な金属配線を形成して完成す
る。
以上の様な装置により、ホットエレクトロンの影響によ
るトランスコンダクタンスの減少な抵く抑える事が可能
となる。
るトランスコンダクタンスの減少な抵く抑える事が可能
となる。
その理由を以下で説明する。
ホットエレクトロンの一部は、ゲート酸化膜中Ｉニドラ
ップされこれが、トランスコンダクタンスの減少を生じ
させるが、このトラップされたエレクトンは、第３図に
示す様にドレイン近傍のチャネルエツジ部分（＝主に存
在している。このため、この部分の閾値が高くなり、実
質的１ニチヤネル幅が狭くなるため、トランスコンダク
タンスが減少する。
ップされこれが、トランスコンダクタンスの減少を生じ
させるが、このトラップされたエレクトンは、第３図に
示す様にドレイン近傍のチャネルエツジ部分（＝主に存
在している。このため、この部分の閾値が高くなり、実
質的１ニチヤネル幅が狭くなるため、トランスコンダク
タンスが減少する。
ところが、本発明の様（ニドレイン近傍のチャネル幅を
広くした場合、トランスコンダクタンスは、チャネル幅
の最も狭い所で律則されるため、エレクトロンがドレイ
ン近傍のチャネル幅の広いところでトラップされても、
トランスコンダクタンスの減少を低く抑える事が可能と
なる。
広くした場合、トランスコンダクタンスは、チャネル幅
の最も狭い所で律則されるため、エレクトロンがドレイ
ン近傍のチャネル幅の広いところでトラップされても、
トランスコンダクタンスの減少を低く抑える事が可能と
なる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）及び第２図は、本発明によるＭＯ
８トランジスタの構造を示す断面図及び平面図、第３図
は、ホットエレクトロンが、主にトラップされている場
所を示す平面図である。 図に於いて １・・・Ｐ型Ｓ１基板、 ２・・・フィールド酸化膜、
３・・・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、５・・・
ｎ”型層、 ６・・・ドレイン、７・・・ソース、 ８
・・・ゲート電極、９・・・ホットエレクトロンの主（
ニドラップされている箇所。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （他１名） 第１図 第２図 ？
８トランジスタの構造を示す断面図及び平面図、第３図
は、ホットエレクトロンが、主にトラップされている場
所を示す平面図である。 図に於いて １・・・Ｐ型Ｓ１基板、 ２・・・フィールド酸化膜、
３・・・ゲート酸化膜、４・・・ゲート電極、５・・・
ｎ”型層、 ６・・・ドレイン、７・・・ソース、 ８
・・・ゲート電極、９・・・ホットエレクトロンの主（
ニドラップされている箇所。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （他１名） 第１図 第２図 ？
Claims (1)
- 半導体基板に互いに隔離して形成されたソース及びドレ
インとこれらソース・ドレイン間のチャネル領域上に絶
縁膜を介して形成されたゲートからなるＭＯ８型トラン
ジスタにおいて、ドレイン近傍のチャネル幅が、チャン
ネル中央部のチャネル幅よりも広い事を特徴とするＭＯ
，Ｓ型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16647983A JPS6058674A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | Ｍｏｓ型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16647983A JPS6058674A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | Ｍｏｓ型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058674A true JPS6058674A (ja) | 1985-04-04 |
Family
ID=15832159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16647983A Pending JPS6058674A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | Ｍｏｓ型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058674A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172759A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Nec Corp | Ｍｉｓ型半導体集積回路装置 |
| JPH06252392A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP16647983A patent/JPS6058674A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172759A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Nec Corp | Ｍｉｓ型半導体集積回路装置 |
| JPH06252392A (ja) * | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3039967B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63102264A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| US4942448A (en) | Structure for isolating semiconductor components on an integrated circuit and a method of manufacturing therefor | |
| US5933736A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| JPS6058674A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタ | |
| JPS60106142A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6251216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0656855B2 (ja) | 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタ | |
| JPS59224141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59168675A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPS62248256A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0346980B2 (ja) | ||
| JPS6042867A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0548109A (ja) | 縦型ｍｏｓトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS61156830A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS62159468A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60198863A (ja) | Ｍｉｓトランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH03188637A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3052019B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPS61100975A (ja) | 接合形電界効果トランジスタ | |
| JPH04129274A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05166820A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0213827B2 (ja) | ||
| JPS6246572A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5838936B2 (ja) | ハンドウタイシユウセキカイロソウチ |