JPS6058579B2 - 半導体ウエ−ハの製造方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの製造方法Info
- Publication number
- JPS6058579B2 JPS6058579B2 JP52089621A JP8962177A JPS6058579B2 JP S6058579 B2 JPS6058579 B2 JP S6058579B2 JP 52089621 A JP52089621 A JP 52089621A JP 8962177 A JP8962177 A JP 8962177A JP S6058579 B2 JPS6058579 B2 JP S6058579B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamfering
- semiconductor wafer
- wafer
- chamfered
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- Prior art date
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路、トランジスタ、ダイオード、
整流器等の半導体装置に用いる半導体ウェーハの製造方
法に関する。
整流器等の半導体装置に用いる半導体ウェーハの製造方
法に関する。
従来、シリコン等の半導体ウェーハの周縁部の欠けを防
止する目的で周縁部を面取りする場合、ウェーハの表面
と裏面とを同量だけ面取りした後素子を作る面を鏡面研
磨していた。
止する目的で周縁部を面取りする場合、ウェーハの表面
と裏面とを同量だけ面取りした後素子を作る面を鏡面研
磨していた。
第１図は従来の半導体ウェーハの平面状面取り工程を説
明する側面図である。
明する側面図である。
ウェーハ１１の表面１２の角部１４と裏面１３の角部１
５を同じ角度て面取りする（第１図ａ）。
５を同じ角度て面取りする（第１図ａ）。
次に、素子を作る表面１２を第１図ａの点線１７の所ま
て鏡面研磨する（第１図ｂ）。
て鏡面研磨する（第１図ｂ）。
このような面取りでは面取り率１６が小さく、欠けやす
い欠点があつた。
い欠点があつた。
第２図は従来の半導体ウェーハの曲面状面取り工程を説
明する側面図である。
明する側面図である。
ウェーハ２１の表面２２の角部２４と裏面２３の角部２
５を同一曲率で面取りする（第２図ａ）。
５を同一曲率で面取りする（第２図ａ）。
次に、素子を作る表面２２を第２図ａの点線２７の所ま
て鏡面研磨する（第２図ｂ）。
て鏡面研磨する（第２図ｂ）。
曲面状面取りの場合でも面取り部２６が小さく欠けやす
い欠点があつた。
い欠点があつた。
本発明は上記欠点を除去し、半導体ウェーハの周縁部で
の欠けが殆んど発生しない半導体ウェーハの製造方法を
提供するものである。
の欠けが殆んど発生しない半導体ウェーハの製造方法を
提供するものである。
本発明の特徴は、半導体ウェーハの一方の主面の面取り
を他方の主面の面取りよりも多くなるように該両主面を
機械的加工により面取りを行う工程と、しかる後に前記
両主面の面取り量がほぼ同量となるように前記機械的加
工で多く面取りされた一方の主面を鏡面研磨する工程と
を含む半導体ウェーハの製造方法にある。
を他方の主面の面取りよりも多くなるように該両主面を
機械的加工により面取りを行う工程と、しかる後に前記
両主面の面取り量がほぼ同量となるように前記機械的加
工で多く面取りされた一方の主面を鏡面研磨する工程と
を含む半導体ウェーハの製造方法にある。
本発明によれば、鏡面研磨した方の主面の角部も充分に
面取りされた状態となるので従来法で製造したウェーハ
と比較して格段にウェーハ周縁部の欠けや割れが少なく
、これらの欠け、割れに起因する製造歩留りの低下を防
ぐことができるという秀れた効果が得られる。
面取りされた状態となるので従来法で製造したウェーハ
と比較して格段にウェーハ周縁部の欠けや割れが少なく
、これらの欠け、割れに起因する製造歩留りの低下を防
ぐことができるという秀れた効果が得られる。
次に、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第３図は本発明の第１の実施例の側面図である。
半導体ウェーハ３１の表面３２の角部３４を裏面３３の
角部３５より大きく面取りする。
角部３５より大きく面取りする。
面取りは片面ずつ行なうので表面３２側の面取り時間を
長くして行なう（第３図ａ）。次に、表面３２を第３図
ａに示す点線３７まで鏡面研磨を行ない、面取り量が同
量となるようにする（第３図ｂ）。
長くして行なう（第３図ａ）。次に、表面３２を第３図
ａに示す点線３７まで鏡面研磨を行ない、面取り量が同
量となるようにする（第３図ｂ）。
このようにウェーハの表面側と裏面側の面取り量が同量
になるようにすることによりウェーハの欠け、割れを極
めて少なくすることができる。
になるようにすることによりウェーハの欠け、割れを極
めて少なくすることができる。
面取りが曲面状の場合も同様である。第４図は本発明の
第２の実施例の側面図である。
第２の実施例の側面図である。
この実施例は曲面状面取りを行なう場合であるこの場合
も半導体ウェーハ４１の表面４２の角部４４を裏面４３
の角部４４より多く面取りしておき、次に表面を鏡面研
磨する。
も半導体ウェーハ４１の表面４２の角部４４を裏面４３
の角部４４より多く面取りしておき、次に表面を鏡面研
磨する。
次に、半導体ウェーハの面取り方法について説明する。
面取り方法には片面ずつ行なう方法と両面同時に行う方
法とがあるが、両面同時の方が能率が良いのでこれにつ
いて説明する。第５図は従来の半導体ウェーハの面取り
方法を説明する側面図である。
法とがあるが、両面同時の方が能率が良いのでこれにつ
いて説明する。第５図は従来の半導体ウェーハの面取り
方法を説明する側面図である。
半導体ウェーハ５１の厚さ方向の中心線５２とグライン
ダー５４の厚さ方向の中心線５５とを一致させ、ウェー
ハ５１とグラインダー５４とを互いに反対方向（矢印５
３と５６の方向）に回転さ−せて行う。
ダー５４の厚さ方向の中心線５５とを一致させ、ウェー
ハ５１とグラインダー５４とを互いに反対方向（矢印５
３と５６の方向）に回転さ−せて行う。
この方法によれば両面が同量だけ面取りされる。本発明
の面取りを実施するのには二つの方法がある。
の面取りを実施するのには二つの方法がある。
第６図は本発明の半導体ウェーハの面取りの第，１の方
法を説明する側面図てある。
法を説明する側面図てある。
半導体ウェーハ６１の厚さ方向の中心線６２とグライン
ダー６４の厚さ方向の中心線６５とは所望量だけずらし
て設定する。
ダー６４の厚さ方向の中心線６５とは所望量だけずらし
て設定する。
しかる後ウェーハとグラインダーとを互に反対方向に回
転すればウエこーハの上面側の角部が大きく面取りされ
る。第７図は本発明の半導体ウェーハの面取りの第２の
方法を説明する側面図である。グラインダー７４の研磨
面７７は厚さ方向の中心線７５に対して非対称に形成さ
れている。
転すればウエこーハの上面側の角部が大きく面取りされ
る。第７図は本発明の半導体ウェーハの面取りの第２の
方法を説明する側面図である。グラインダー７４の研磨
面７７は厚さ方向の中心線７５に対して非対称に形成さ
れている。
例えば、上面側の曲率半径７８を裏面側の曲率半径７９
より大きくなるように形成する。ウェーハ７１とグライ
ンダー７４の厚さ方向の中心線７２，７５を一致させて
互いに反対方向に回転させると、ウェーハ７１の上面側
が多く面取りされる。以上詳細に説明したように本発明
によれば、半導体ウェーハの表面側と裏面側の周縁部が
ほぼ同ノ量にかつ充分に面取りされるのでウェーハの角
部での欠けや割れが殆んど発生せず、歩留り低下を防げ
るという効果が得られる。
より大きくなるように形成する。ウェーハ７１とグライ
ンダー７４の厚さ方向の中心線７２，７５を一致させて
互いに反対方向に回転させると、ウェーハ７１の上面側
が多く面取りされる。以上詳細に説明したように本発明
によれば、半導体ウェーハの表面側と裏面側の周縁部が
ほぼ同ノ量にかつ充分に面取りされるのでウェーハの角
部での欠けや割れが殆んど発生せず、歩留り低下を防げ
るという効果が得られる。
第１図は従来の半導体ウェーハの平面状面取り工程を説
明する側面図、第２図は従来の半導体ウェーハの曲面状
面取り工程を説明する側面図、第３図は本発明の第１の
実施例の側面図、第４図は本発明の第２の実施例の側面
図、第５図は従来の半導体ウェーハの面取り方法を説明
する側面図、第６図は本発明の半導体ウェーハの面取り
の第１の方法を説明する側面図、第７図は本発明の半導
体ウェーハの面取りの第２の方法を説明する側面図であ
る。 １１，２１，３１，４１，５１，６１，７１・・・・半
導体ウェーハ、１２，２２，３２，４２・・半導体ウェ
ーハの表面、１３，２３，３３，４３・・・・半導体ウ
ェーハの裏面、１４，２４，３４，４４・・・・・半導
体ウェーハの表面の角部、１５，２５，３５，４５・・
・・・・半導体ウェーハの裏面の角部、１６，２６・・
・・面取り部、１７，２７，３７，４７・・・・・・鏡
面研磨後の表面の位置、５２，６２，７２・・・・・・
半導体ウェーハの厚さ方向の中心線、５３，６３，７３
・・・・・半導体ウェーハの回転方向、５４，６４，７
４・・・・・・グラインダー、５５，６５，７５・・・
・・・グラインダーの厚さ方向の中心線、５６，６６，
７６・・・・・・グラインダーの回転方向、７７・・・
・・・グラインダーの研磨面、１８，７９・・・・・・
グラインダーの研磨面の曲率半径。
明する側面図、第２図は従来の半導体ウェーハの曲面状
面取り工程を説明する側面図、第３図は本発明の第１の
実施例の側面図、第４図は本発明の第２の実施例の側面
図、第５図は従来の半導体ウェーハの面取り方法を説明
する側面図、第６図は本発明の半導体ウェーハの面取り
の第１の方法を説明する側面図、第７図は本発明の半導
体ウェーハの面取りの第２の方法を説明する側面図であ
る。 １１，２１，３１，４１，５１，６１，７１・・・・半
導体ウェーハ、１２，２２，３２，４２・・半導体ウェ
ーハの表面、１３，２３，３３，４３・・・・半導体ウ
ェーハの裏面、１４，２４，３４，４４・・・・・半導
体ウェーハの表面の角部、１５，２５，３５，４５・・
・・・・半導体ウェーハの裏面の角部、１６，２６・・
・・面取り部、１７，２７，３７，４７・・・・・・鏡
面研磨後の表面の位置、５２，６２，７２・・・・・・
半導体ウェーハの厚さ方向の中心線、５３，６３，７３
・・・・・半導体ウェーハの回転方向、５４，６４，７
４・・・・・・グラインダー、５５，６５，７５・・・
・・・グラインダーの厚さ方向の中心線、５６，６６，
７６・・・・・・グラインダーの回転方向、７７・・・
・・・グラインダーの研磨面、１８，７９・・・・・・
グラインダーの研磨面の曲率半径。
Claims (1)
- １ 半導体ウェーハの一方の主面の面取りを他方の主面
の面取りよりも多くなるように該両主面を機械的加工に
より面取りを行う工程と、しかる後に前記両主面の面取
り量がほぼ同量となるように前記機械的加工で多く面取
りされた一方の主面を鏡面研磨する工程とを含むことを
特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52089621A JPS6058579B2 (ja) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | 半導体ウエ−ハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52089621A JPS6058579B2 (ja) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | 半導体ウエ−ハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5424571A JPS5424571A (en) | 1979-02-23 |
| JPS6058579B2 true JPS6058579B2 (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=13975815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52089621A Expired JPS6058579B2 (ja) | 1977-07-25 | 1977-07-25 | 半導体ウエ−ハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058579B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55113332A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Manufacture of wafer |
| JPS6088535U (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ウエハ |
| JPS63138720A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板ウエ−ハ |
| JPH0624179B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1994-03-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコンウェーハおよびその製造方法 |
| JPH0624200B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1994-03-30 | 信越半導体株式会社 | 半導体デバイス用基板の加工方法 |
| JP2010092975A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958749A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-07 | ||
| JPS51269A (en) * | 1974-06-20 | 1976-01-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaisoshino seizosochi |
| JPS5244162A (en) * | 1975-10-04 | 1977-04-06 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Method of processing semiconductor wafer |
-
1977
- 1977-07-25 JP JP52089621A patent/JPS6058579B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958749A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-07 | ||
| JPS51269A (en) * | 1974-06-20 | 1976-01-05 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaisoshino seizosochi |
| JPS5244162A (en) * | 1975-10-04 | 1977-04-06 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Method of processing semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5424571A (en) | 1979-02-23 |
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