JPS6058190B2 - 窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法 - Google Patents
窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6058190B2 JPS6058190B2 JP53146288A JP14628878A JPS6058190B2 JP S6058190 B2 JPS6058190 B2 JP S6058190B2 JP 53146288 A JP53146288 A JP 53146288A JP 14628878 A JP14628878 A JP 14628878A JP S6058190 B2 JPS6058190 B2 JP S6058190B2
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- silicon nitride
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、耐熱材料、耐摩耗材料などとして有用と
される窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法に関
する。
される窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法に関
する。
炭化けい素（ＳｉＣ）系ならびに窒化けい素（Ｓｉ３
Ｎ０）系の耐熱材料は、耐熱・耐食性にすぐれ特に高温
における機械的強度にすぐれているので、その製造法な
らびに応用面についても研究が盛んに行われており、有
望な耐熱材料として大き。
Ｎ０）系の耐熱材料は、耐熱・耐食性にすぐれ特に高温
における機械的強度にすぐれているので、その製造法な
らびに応用面についても研究が盛んに行われており、有
望な耐熱材料として大き。
な期待が寄せられている。しかしながら、前者の炭化け
い素系のものは高温において空気、水蒸気、二酸化炭素
等により酸化され、機械的強度が著しく低下するという
欠点を有するので、たとえ’−Ｖ；４」を、、、７』！
１１−一ι、ト：れコ、一せ払 μ ″、−、Ｌ−１
−一 − ・ め、ＳｉＣ成分が１００％に近い組成で
高密度化を図つた炭化けい素成型体の製造方法が研究さ
れている。しかし、ＳｉＣ（７）Ｃが酸化されてしまう
ようなふん囲気、たとえば高炉以外の鉄鋼関係の炉材が
使用されるようなふん囲気では耐火材料として使用する
ことはできない。他方また炭化けい素系の耐熱材料は高
い熱伝導率を有しているので、耐熱性が要求されるよう
な箇所への応用が不利である。たとえばかかる良熱伝導
性はこの炭化けい素″系材料と共用される他の材料に対
して高温酸化などの悪影響を与える原因となることがあ
る。 一方、前記した窒化けい素系の耐熱材料は、炭化
けい素系の耐熱材料と同様に耐熱・耐食性にすぐれてい
るが、熱伝導性については逆に著しく低いという性質を
もつているので、熱の伝導が望まれる箇所、熱交換が目
的であるような場合の用途には不適当である。 このよ
うに炭化けい素系の耐熱材料と窒化けい素系の耐熱材料
は、熱伝導性に関して全く対称的な性質を持つているの
で、たとえばガスタービンヘの応用を試みる場合に、そ
の応用箇所に応じそれら両材料を使い分けすることを検
討しなければらないという問題点がある。
い素系のものは高温において空気、水蒸気、二酸化炭素
等により酸化され、機械的強度が著しく低下するという
欠点を有するので、たとえ’−Ｖ；４」を、、、７』！
１１−一ι、ト：れコ、一せ払 μ ″、−、Ｌ−１
−一 − ・ め、ＳｉＣ成分が１００％に近い組成で
高密度化を図つた炭化けい素成型体の製造方法が研究さ
れている。しかし、ＳｉＣ（７）Ｃが酸化されてしまう
ようなふん囲気、たとえば高炉以外の鉄鋼関係の炉材が
使用されるようなふん囲気では耐火材料として使用する
ことはできない。他方また炭化けい素系の耐熱材料は高
い熱伝導率を有しているので、耐熱性が要求されるよう
な箇所への応用が不利である。たとえばかかる良熱伝導
性はこの炭化けい素″系材料と共用される他の材料に対
して高温酸化などの悪影響を与える原因となることがあ
る。 一方、前記した窒化けい素系の耐熱材料は、炭化
けい素系の耐熱材料と同様に耐熱・耐食性にすぐれてい
るが、熱伝導性については逆に著しく低いという性質を
もつているので、熱の伝導が望まれる箇所、熱交換が目
的であるような場合の用途には不適当である。 このよ
うに炭化けい素系の耐熱材料と窒化けい素系の耐熱材料
は、熱伝導性に関して全く対称的な性質を持つているの
で、たとえばガスタービンヘの応用を試みる場合に、そ
の応用箇所に応じそれら両材料を使い分けすることを検
討しなければらないという問題点がある。
本発明者らは、かかる従来の問題点にかんがみ鋭意研
究を重ねた結果、本発明を完成したものて、これは窒化
けい素粉末もしくは窒化けい素と炭化けい素との混合粉
末に、炭素粉末および粘結剤を混合してこれを所望形状
に成型し、ついでこれを適当な温度で加熱処理した後、
この成型体に溶融状態の金属けい素を浸透させることを
特徴とする、窒化けい素一炭化けい素系成型体の製造方
法に関する。
究を重ねた結果、本発明を完成したものて、これは窒化
けい素粉末もしくは窒化けい素と炭化けい素との混合粉
末に、炭素粉末および粘結剤を混合してこれを所望形状
に成型し、ついでこれを適当な温度で加熱処理した後、
この成型体に溶融状態の金属けい素を浸透させることを
特徴とする、窒化けい素一炭化けい素系成型体の製造方
法に関する。
本発明方法によれは機械的強度の高いち密な窒化けい素
一炭化けい素系成型体が容易に得られるという利点が与
えられるほか、この窒化けい素一炭化けい素系成型体は
、耐熱材料に要求される耐熱・耐食性にすぐれていると
共に適度な熱伝導性を有し、耐スポーリング性および耐
摩耗性においてきわめてすぐれた性能を発揮するという
特徴を有する。
一炭化けい素系成型体が容易に得られるという利点が与
えられるほか、この窒化けい素一炭化けい素系成型体は
、耐熱材料に要求される耐熱・耐食性にすぐれていると
共に適度な熱伝導性を有し、耐スポーリング性および耐
摩耗性においてきわめてすぐれた性能を発揮するという
特徴を有する。
こうした特徴は窒化けい素と炭化けい素の相剰効果によ
るものと考えられ、特に耐熱性および耐スポーリング性
に顕著にすぐれる性能は従来品からは予想もできない注
目すべき効果である。以下、本発明の方法を詳細に説明
する。
るものと考えられ、特に耐熱性および耐スポーリング性
に顕著にすぐれる性能は従来品からは予想もできない注
目すべき効果である。以下、本発明の方法を詳細に説明
する。
本発明の方法においては、（イ）窒化けい素粉末、炭素
粉末および粘結剤を混合したもの、または（口）窒化け
い素粉末、炭化けい素粉末、炭素粉末および粘結剤を混
合したものが使用されるが、この原料窒化けい素および
炭化けい素は一般に製造販売されているものてよく、そ
れの種類には特に制限はないが、粒子径は５０ｐｒｒ１
，以下好ましくは１０ｐｍ以下の微粉状物であることが
望ましい。
粉末および粘結剤を混合したもの、または（口）窒化け
い素粉末、炭化けい素粉末、炭素粉末および粘結剤を混
合したものが使用されるが、この原料窒化けい素および
炭化けい素は一般に製造販売されているものてよく、そ
れの種類には特に制限はないが、粒子径は５０ｐｒｒ１
，以下好ましくは１０ｐｍ以下の微粉状物であることが
望ましい。
つぎに、炭素粉末はその種類に関係なく使用でき、また
粒子形状は球形に限らず針状でもよいが、平均粒子径５
０ｐｎ１．以下好ましくは１０ｐｍ以下の黒鉛粉末を用
いることが望ましい。
粒子形状は球形に限らず針状でもよいが、平均粒子径５
０ｐｎ１．以下好ましくは１０ｐｍ以下の黒鉛粉末を用
いることが望ましい。
粘結剤としてはメチルセルロースなどのセルロース誘導
体、メチルシロキサン樹脂などのオルガノポリシロキサ
ン、シラザン、ポリシラザンなどの従来公知のものが使
用される。
体、メチルシロキサン樹脂などのオルガノポリシロキサ
ン、シラザン、ポリシラザンなどの従来公知のものが使
用される。
本発明の方法は、上記した（イ）または（口）の配合組
成からなる混合物を、まず所望形状に成型するのである
が、この際該混合物はあらかじめ十分に混練しておくこ
とが望ましい。
成からなる混合物を、まず所望形状に成型するのである
が、この際該混合物はあらかじめ十分に混練しておくこ
とが望ましい。
なお、この成型手段としては押出成型、射出成型、型押
成型、静水圧成型等の方法によればよい。つぎに、こう
して得た成型体は加熱処理することにより、粘結剤を分
解させるが、このための加熱処理条件はアルゴンガスな
どの不活性ガス中もしくは１０−２ＴＩｒＩｎＨｇ以下
の真空下で粘結剤の分解温度以上の温度に加熱するとい
う方法によるのがよい。
成型、静水圧成型等の方法によればよい。つぎに、こう
して得た成型体は加熱処理することにより、粘結剤を分
解させるが、このための加熱処理条件はアルゴンガスな
どの不活性ガス中もしくは１０−２ＴＩｒＩｎＨｇ以下
の真空下で粘結剤の分解温度以上の温度に加熱するとい
う方法によるのがよい。
しかし一方あまりに高温にすると原料窒化けい素の分解
が起るようになるので、これは高くとも窒化けい素の分
解温度未満の温度とすべきである。この加熱処理手段を
より具体的に述べればつぎのようである。
が起るようになるので、これは高くとも窒化けい素の分
解温度未満の温度とすべきである。この加熱処理手段を
より具体的に述べればつぎのようである。
すなわち、所望の形状に成型された成型体をアルゴン気
流中または１０−４ＴｒｒＩｎＨｇ程度の真空中に保持
し、加熱昇温して最終的に１４００℃まで加熱する。
流中または１０−４ＴｒｒＩｎＨｇ程度の真空中に保持
し、加熱昇温して最終的に１４００℃まで加熱する。
この加熱を容器底部に金属けい素が仕込まれた容器中で
行う場合は、１０−４ｍＨｇで加熱昇温すると金属けい
素が沸騰するようになるので、アルゴンガスをわずかに
流入させながら真空度を１０−２Ｔ！ｒ！ＮＨｇ程度に
調節するこが望ましい。１気圧のアルゴンガスふん囲気
中で加熱する場合は窒化けい素の分解温度付近まで加熱
してもよいが、実用的には１４００℃以下で行うのがよ
い。
行う場合は、１０−４ｍＨｇで加熱昇温すると金属けい
素が沸騰するようになるので、アルゴンガスをわずかに
流入させながら真空度を１０−２Ｔ！ｒ！ＮＨｇ程度に
調節するこが望ましい。１気圧のアルゴンガスふん囲気
中で加熱する場合は窒化けい素の分解温度付近まで加熱
してもよいが、実用的には１４００℃以下で行うのがよ
い。
しかし多くの場合１０−４Ｔｒ＄ＬＨｇ程度の真空下で
１４００℃まで昇温した後アルゴンガスを一部流入させ
て１０−２ｗｍＨｇ程度の減圧として加熱処理を完了さ
せるのが有利である。
１４００℃まで昇温した後アルゴンガスを一部流入させ
て１０−２ｗｍＨｇ程度の減圧として加熱処理を完了さ
せるのが有利である。
なお、この加熱処理を真空下で行つた場合とアルゴンガ
ス中で行つた場合とで、得られる製品を顕微鏡で観察し
てその組織を調べると、気泡の含有が真空の場合では認
められないのに対し、アルゴンガスの場合にはしばしば
認められる（機械的ｌ特性に影響が現われるほどではな
い）ので、なるべく真空下ての加熱処理を採用すべきで
ある。
ス中で行つた場合とで、得られる製品を顕微鏡で観察し
てその組織を調べると、気泡の含有が真空の場合では認
められないのに対し、アルゴンガスの場合にはしばしば
認められる（機械的ｌ特性に影響が現われるほどではな
い）ので、なるべく真空下ての加熱処理を採用すべきで
ある。
上記のようにして加熱処理が行われた成型体は、溶融状
態の金属けい素と接触させ、この成型体中の溶融金属け
い素を浸透させるが、この浸透・のための温度は、一般
には１４５０〜１６００℃付近とすることが有利てある
。しかし、被浸透成型体が炭素成分を４０％越えるよう
な高割合で含有している場合には、溶融金属けい素と炭
素成分との激しい反応を抑制する見地から、金属けい素
の融点〜川４５０゜Ｃの間の温度て浸透を行わせること
が有利である。この場合に温度が１４５０℃よりも高い
と成型体にしばしば亀裂が生じるので注意を要するにの
傾向は原料炭素粉末として活性炭素を使用した場合に一
層著しい）。溶融金属けい素を成型体中に浸透させると
、これが成型体中の炭素成分と反応して炭化けい素が生
成される。
態の金属けい素と接触させ、この成型体中の溶融金属け
い素を浸透させるが、この浸透・のための温度は、一般
には１４５０〜１６００℃付近とすることが有利てある
。しかし、被浸透成型体が炭素成分を４０％越えるよう
な高割合で含有している場合には、溶融金属けい素と炭
素成分との激しい反応を抑制する見地から、金属けい素
の融点〜川４５０゜Ｃの間の温度て浸透を行わせること
が有利である。この場合に温度が１４５０℃よりも高い
と成型体にしばしば亀裂が生じるので注意を要するにの
傾向は原料炭素粉末として活性炭素を使用した場合に一
層著しい）。溶融金属けい素を成型体中に浸透させると
、これが成型体中の炭素成分と反応して炭化けい素が生
成される。
したがつて最終製品中の炭化けい素の割合は、原料配合
として原料炭化けい素を配合した場合のその配合量と共
に、原料炭素粉末の量により定まる。浸透される溶融金
属けい素の量が成型体中の炭素成分と化学量論的に当量
である場合には、組成的にＳｌ３Ｎ４−ＳｉＣ系のもの
が、金属けい素が過剰である場合にはＳｉ３Ｎ４−Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ系のものがそれぞれ得られる。このようにして
けい素を浸透させことにより、比重がおおむね３００以
上、曲げ強度５ｔ／Ｃ７ｌｆ以上、弾性率４．０Ｘ１０
３ｔ／Ｃ！Ｌ以上の窒化けい素一炭化けい素系成型体が
得られる。
として原料炭化けい素を配合した場合のその配合量と共
に、原料炭素粉末の量により定まる。浸透される溶融金
属けい素の量が成型体中の炭素成分と化学量論的に当量
である場合には、組成的にＳｌ３Ｎ４−ＳｉＣ系のもの
が、金属けい素が過剰である場合にはＳｉ３Ｎ４−Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ系のものがそれぞれ得られる。このようにして
けい素を浸透させことにより、比重がおおむね３００以
上、曲げ強度５ｔ／Ｃ７ｌｆ以上、弾性率４．０Ｘ１０
３ｔ／Ｃ！Ｌ以上の窒化けい素一炭化けい素系成型体が
得られる。
なお、こうして得られる製品はダイヤモンド工具により
適宜仕上加工が施こされる。つぎに実施例をあげるが、
本発明はこれのみに限定されないことはもちろんである
。実施例１ 窒化けい素粉末（α−Ｓｌ３Ｎ４平均粒子径１０ｐｍ）
、黒鉛粉末（平均粒子径１０μＲｒＬ．）、メチルセル
ロースを重量％でそれぞれ５０、３０１２０の割合で配
合しボールミルで混合した。
適宜仕上加工が施こされる。つぎに実施例をあげるが、
本発明はこれのみに限定されないことはもちろんである
。実施例１ 窒化けい素粉末（α−Ｓｌ３Ｎ４平均粒子径１０ｐｍ）
、黒鉛粉末（平均粒子径１０μＲｒＬ．）、メチルセル
ロースを重量％でそれぞれ５０、３０１２０の割合で配
合しボールミルで混合した。
混合は回転速度１２０ｒｐｍで（至）時間行つた。この
混合物を金型を用いて５００ｋ９／Ｃ７ｌｆの圧力て直
径３ｃｍ高さ３０ｃｍの円柱状に成型し、こうして得た
成型体をアルゴンガスふん囲気の炉中で約３００′Ｃ／
時の速度て昇温し１３００〜１３８０゜Ｃで２時間、さ
らに金属けい素の融点よりもわずかに高い１４２０℃て
２時間加熱した。つぎに、同一の炉内の底部に仕込んで
ある金属けい素を１６００゜Ｃまて加熱して融解保持し
た後この面に該成型体の一端を浸漬して、成型体中の炭
素成分と化学量論で当量の金属けい素を浸透させたとこ
ろ、円柱状の窒化けい素一炭化けい素系成型体が得られ
た。この成型体をタイヤモンド工具を用いて直径２．８
ｃｍ高さ２８ｃｍの円柱状に精密仕上加工した。
混合物を金型を用いて５００ｋ９／Ｃ７ｌｆの圧力て直
径３ｃｍ高さ３０ｃｍの円柱状に成型し、こうして得た
成型体をアルゴンガスふん囲気の炉中で約３００′Ｃ／
時の速度て昇温し１３００〜１３８０゜Ｃで２時間、さ
らに金属けい素の融点よりもわずかに高い１４２０℃て
２時間加熱した。つぎに、同一の炉内の底部に仕込んで
ある金属けい素を１６００゜Ｃまて加熱して融解保持し
た後この面に該成型体の一端を浸漬して、成型体中の炭
素成分と化学量論で当量の金属けい素を浸透させたとこ
ろ、円柱状の窒化けい素一炭化けい素系成型体が得られ
た。この成型体をタイヤモンド工具を用いて直径２．８
ｃｍ高さ２８ｃｍの円柱状に精密仕上加工した。
こうして得た製品は比重２．９９．曲げ強さ４．９ｔ／
Ｃｌｔ．弾性率４．０×１０３ｔ／ＣＩであり、またＸ
線回折の結果β−ＳｉＣｌα−Ｓｉ３Ｎ４のみの回折が
認められ他の回折線は認められなかつた。実施例２ 実施例１と同様の成型体を製造し、同様に加熱処理した
。
Ｃｌｔ．弾性率４．０×１０３ｔ／ＣＩであり、またＸ
線回折の結果β−ＳｉＣｌα−Ｓｉ３Ｎ４のみの回折が
認められ他の回折線は認められなかつた。実施例２ 実施例１と同様の成型体を製造し、同様に加熱処理した
。
この成型体に実施例１と同様にして溶融金属けい素を浸
透させたが、その浸透量を過剰に行つたところ、Ｓｉ３
Ｎ４−ＳｉＣ−Ｓｉ系成型体が得られた。このものの物
性は実施例１とほとんど同じであつたが、Ｘ線回折の結
果ではβ−ＳｉＣｌα一Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉの回折線
が認められた。実施例３実施例１と同様の成型体を製造
し、同例に準じて加熱処理したが、金属けい素の融点よ
りもわずかに高い１４２０℃からの加熱を１０−２ｗＩ
ｎＨｇの減圧″（アルゴンガスふん囲気）下で行つた。
透させたが、その浸透量を過剰に行つたところ、Ｓｉ３
Ｎ４−ＳｉＣ−Ｓｉ系成型体が得られた。このものの物
性は実施例１とほとんど同じであつたが、Ｘ線回折の結
果ではβ−ＳｉＣｌα一Ｓｉ３Ｎ４およびＳｉの回折線
が認められた。実施例３実施例１と同様の成型体を製造
し、同例に準じて加熱処理したが、金属けい素の融点よ
りもわずかに高い１４２０℃からの加熱を１０−２ｗＩ
ｎＨｇの減圧″（アルゴンガスふん囲気）下で行つた。
つぎにこうして得た成型の一端を１５００℃の溶融金属
けい素に浸漬して、実施例２と同様に金属けい素を過剰
に浸透させたところ、Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ−Ｓｉ成型体
が得られた。
けい素に浸漬して、実施例２と同様に金属けい素を過剰
に浸透させたところ、Ｓｉ３Ｎ４−ＳｉＣ−Ｓｉ成型体
が得られた。
仕上げ加工を施し、物性を測定したところ、比重３．０
０１曲げ強さ５．２ｔ／Ｃｌｔ、弾性率４．０×１０−
３ｔ／Ｃｌｔであつた。実施例４窒化けい素粉末（α−
Ｓｌ３Ｎ４平均粒子径５μ７ｎ）、炭化けい素粉末（α
−ＳｉＣ平均粒子径５ｐ・ＴｒＬ）、黒鉛粉末（平均粒
子径２μＲｒｌ．）、粘結剤としてのシリコーン樹脂Ｋ
Ｒ−２６０（信越化学工業製商品名）を重量％でそれぞ
れ４０、３１、２２、７の割合で混合し、金型ブレスを
用いて１ｔ／ｄの圧で成型して５×５×１ｃｍの板状と
し、これをさらにラバプレスを用いて２ｔ／Ｃｌｔの圧
て成型し板状体とした。
０１曲げ強さ５．２ｔ／Ｃｌｔ、弾性率４．０×１０−
３ｔ／Ｃｌｔであつた。実施例４窒化けい素粉末（α−
Ｓｌ３Ｎ４平均粒子径５μ７ｎ）、炭化けい素粉末（α
−ＳｉＣ平均粒子径５ｐ・ＴｒＬ）、黒鉛粉末（平均粒
子径２μＲｒｌ．）、粘結剤としてのシリコーン樹脂Ｋ
Ｒ−２６０（信越化学工業製商品名）を重量％でそれぞ
れ４０、３１、２２、７の割合で混合し、金型ブレスを
用いて１ｔ／ｄの圧で成型して５×５×１ｃｍの板状と
し、これをさらにラバプレスを用いて２ｔ／Ｃｌｔの圧
て成型し板状体とした。
この板状体を炉内で１０−４Ｔｆ＄１Ｈｇの真空下に１
０００℃／３時間の速度で昇温加熱し、一方同一炉内の
金属けい素が融解した後はこの炉内にアルゴンガスを導
入して溶融金属けい素を１６００℃まで加熱し、該板状
体の一端をこの溶融金属けい素に浸漬して金属けい素を
過剰に浸透させた。
０００℃／３時間の速度で昇温加熱し、一方同一炉内の
金属けい素が融解した後はこの炉内にアルゴンガスを導
入して溶融金属けい素を１６００℃まで加熱し、該板状
体の一端をこの溶融金属けい素に浸漬して金属けい素を
過剰に浸透させた。
得られた板状の窒化けい素一炭化けい素系成型体は比重
３．１０、曲げ強さ５．２ｔ／Ｃｌｌｌ弾性率４．１×
１０＋３ｔ／Ｃｌｔであり、Ｘ線回折の結果α−ＳｉＣ
ｌβ−ＳｉＣｌα−Ｓｊ３Ｎ４およびＳｉの回折線が認
められた。実施例５実施例４において、金属けい素の浸
透を、被浸透成型体中の炭素成分と化学量論量で当量行
わせたところ、比重３．０、曲げ強さ５．０ｔ／Ｃｌｔ
ｌ弾性率４．０Ｘ１０＋３ｔ／Ｃｄである板状の窒化け
い素一炭化けい素系成型体が得られた。
３．１０、曲げ強さ５．２ｔ／Ｃｌｌｌ弾性率４．１×
１０＋３ｔ／Ｃｌｔであり、Ｘ線回折の結果α−ＳｉＣ
ｌβ−ＳｉＣｌα−Ｓｊ３Ｎ４およびＳｉの回折線が認
められた。実施例５実施例４において、金属けい素の浸
透を、被浸透成型体中の炭素成分と化学量論量で当量行
わせたところ、比重３．０、曲げ強さ５．０ｔ／Ｃｌｔ
ｌ弾性率４．０Ｘ１０＋３ｔ／Ｃｄである板状の窒化け
い素一炭化けい素系成型体が得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 窒化けい素粉末、炭素粉末および粘結剤からなる混
合物を成型し、これを加熱処理した後、この成型体に溶
融状態の金属けい素を浸透させることを特徴とする、窒
化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法。 ２ 窒化けい素粉末、炭化けい素粉末、炭素粉末および
粘結剤からなる混合物を成型し、これを加熱処理した後
、この成型体に溶融状態の金属けい素を浸透させること
を特徴とする、窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53146288A JPS6058190B2 (ja) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | 窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53146288A JPS6058190B2 (ja) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | 窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5571677A JPS5571677A (en) | 1980-05-29 |
| JPS6058190B2 true JPS6058190B2 (ja) | 1985-12-18 |
Family
ID=15404298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53146288A Expired JPS6058190B2 (ja) | 1978-11-27 | 1978-11-27 | 窒化けい素−炭化けい素系成型体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058190B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6136176A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-20 | 三菱マテリアル株式会社 | ＳｉＣ−Ｓｉ↓３Ｎ↓４−Ｓｉ系焼結体及びその製造方法 |
| US4585822A (en) * | 1984-10-29 | 1986-04-29 | Sws Silicones Corporation | Thermally conductive room temperature vulcanizable compositions |
| US4584336A (en) * | 1984-10-29 | 1986-04-22 | Sws Silicones Corporation | Thermally conductive room temperature vulcanizable compositions |
| US4588768A (en) * | 1984-10-29 | 1986-05-13 | Sws Silicones Corporation | Thermally conductive heat curable organopolysiloxane compositions |
| JPS62123066A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | 東芝セラミツクス株式会社 | 熱処理用部材 |
-
1978
- 1978-11-27 JP JP53146288A patent/JPS6058190B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5571677A (en) | 1980-05-29 |
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