JPS605442A - 多層無定形磁気光学的記録用媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は薄いフィルム状の無定形磁気材料に関する。特
に本発明は、薄いフィルムがそのフィルム自体の面に直
角な方向に安定に磁化し易い軸を有するような磁気異方
性を有する磁性組成物に関する。これらの組成物は、薄
いフィルムに相互作用を及ぼす光が入射点に磁区が存在
することにより影響を受ける光変調器として用いること
ができる。

磁気光学的（ｍａｇｎθｔｏ−ｏｐｔｉｃ）記録用媒体
はいくつかの別の名前でも知られている。即ち、熱磁気
（ｔｈｅｒｍｏｍａｇｎｅｔｉｃ　）媒体、ビームψア
ドレ、Ｘ・７アイ＃　（ｂｅａｍ　ａｄｄｒｅｓｓａ’
ｂｌｅ　ｆｉｌｅ　）及び光磁気メモリー（ｐｈｏｔｏ
−ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｍｅｍｏｒｙ　）である。これら
の用語は全て、記録及び質問の両方に対してレーデ−ビ
ームの如きエネルギー源を用いることができるようにす
る輻射エネルギーに応答する保存媒体或は記憶素子に適
用される。そのような媒体は、光ダイオー付の如き電子
装置によって変調が検出できるように、入射偏光の特性
を変調する。

この変調は通常、偏光に対するファラデー効果又はカー
効果の現れによるものである。ファラデムが成る磁化媒
体の表面で反射した時、その光の偏光面が回転すること
である２ 磁気光学的記録用媒体は、既知の磁気記録媒体よりもい
くつかの利点を有する： １）媒体と記録用ヘッドとの間隔が一層大きく、従って
接触及び摩耗の可能性が小さいこと。

２）記入手段としてパルス状し−ず−ビームを用いて非
常の高密度のデーター保存が可能である。

３）磁気光学層の上面上に保護層があり、媒体が塵で受
ける影響は磁気媒体より小さい。

磁気光学的記録では、データーは、記録用媒体上の局部
的領域（点又はビット）をその記録用媒体を補償温度又
はキューリ一点温度より高い温度へ加熱するのに充分な
強度の電磁波又は他のエネルギー源に当て、同時にその
媒体に磁場をかけることにより、選択的に方向づけられ
た残留磁化を有する媒体中に記入される。エネルギー源
は単色出記録用媒体に与えられる温度によって変る。一
般的に言って成る与えられた材料に対し、温度が高くな
る程、必要な保磁力は小さくなる。

ギューリ一点及び補償点で記入するための記入或は記録
操作は次の通りである。

１）媒体を最初フィルムの表面に垂直で互に反対方向に
向いた磁化を有するほぼ同数の磁区（ｍａｇｎｅｔｉｃ
　ｄｏｍａｉｎ　）を有する消磁状態にする。

磁区とは普通の用法では任意の大きさの均一に磁化した
領域のことを指すが、ここでは最小の安定な磁化可能領
域を指すものとする。全ての磁区を一つの方向に磁化す
るために、媒体をフィルム表面に直角の飽和磁場バイア
スにかけてもよい。別法とし、て媒体の選択された領域
を、連続的な光ビーム及び小さな磁場バイアスに当てる
ことにより磁化してもよい ２）表面又はフィルム面忙垂直に配向しているが前に印
加した磁場とは逆方向の小さな磁場バイアスを薄いフィ
ルム媒体全体に印加する。

６）適所に磁場を印加したまま、レーデ−ぎ−ムの如き
輻射エネルギー源からの光ビームをフィルムの選択され
た位置又はピッ）　（ｂｉｔ　）の方へ向け、そこでフ
ィルムを補償温度以上へ局部的に加熱する。レーず−ビ
ームを除くとそのビットは印加した磁場の存在下で冷却
し、その方向に磁化が変換されている。実際に媒体は温
度に依存する磁場変換域（ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｓｗｉｔ
ｃｈｉｎｇｆｌｅｌａ　）を有する。照射されたビット
に適用された磁場バイアスは選択的にビット磁化を変換
し、ビットはレーず−の影響下で一時的にその補償温度
近くになる。一時的温度上昇はビットの保磁力を減する
。

記入操作では、記入レーず−ビーム（９！ｌえは約８〜
１２　ｍＷ　）を対物レンズによって記録用媒体の表面
上に希望の径に焦点を結ばせる。

記憶素子或は記録されたビットは、低電力（例えば１〜
３　ｍＷ　）偏光ビーム（例えばレーデ−ビーム）ケそ
のビット保存点に、媒体を加熱してその磁気状態を変え
ないような充分短い時間通すことにより、破壊すること
なく質問（ｉｎｔｅｒｒｏｇａｔθ）或は読むことがで
きろ。読みレーザービームは通常プリズムにより断面が
円状の形にされ、偏光されて、レンズにより記録用媒体
上に成る小さな径（例えば１．０ミクロン）の焦点に結
ばせる。読みビームが記録点を通過した時、それを光学
的アナライデーを通して送り、次に光ダイオードの如き
検出器に通し、偏光の変化の有無を検出する。

光の偏光方向の変化はビット或は点（８ｐｏｔ）中の材
料の磁気光学的性質により起されろ。即ちケラ−効果、
ファラデー効果又はそれら二つの組み合せを用いて光偏
向面の変化を起させる。透過又は反射光ビームの偏光面
は特性回転角Ｏだけ回転する。上向きビット磁化ではθ
０回転するとすれば、下向き磁化では一００回転する。

通常ビット磁化方向に依り１又はＯの論理値で表わした
デジタル形式で記録されたデーターは、個々のビットを
通過するか又は反射した光の強度の変化を読むことによ
り検出される。その強度は、回転した光の量及び回転角
に呼応している。

消去は媒体の古い部分上に新しい情報を単に記入するか
、或は任意の与えられたビットに充分な強度のレーず−
ビームを単に当て、次いで最初に適用した磁場の方向の
磁場の存在下でそのビットを冷却することにより行うこ
とができる。全保存媒体は大きな磁場バイアスを最初の
飽和方向に与えることにより消去することができ、レー
デ−ビームを必要としない。一般に記録過程では磁気光
学的媒体の上又は背後に設置された磁石により適用され
、消去過程では磁石は方向が逆になる。

消去可能な磁気光学的媒体の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）
或はキャリア一対ノイズ比（Ｃ！ＮＲ）はθＪに比例す
る（ここでＲは媒体の反射率に等しく、θは回転角であ
る）。ろＱ　ＫＨ２の帯域（ｂａｎａｗｌａｔｈ　）で
４５ａＢ、（デシベル）の値が一般に媒体の記入後の直
読（ＤＲＡＷ　）に対して許容できる最低ＣＮＲである
と考えられている。ピットナ質間できる速度及びデータ
ーを解読できる信頼度は、回転角の如き薄いフィルムの
磁気光学的性質の大きさ及びそれらの性質を検出する質
問系の能力に依存する。回転角θの増大は通常ＣＮＲの
増大をもたらす。

これケ論する１こめに、ノイズ最低線（ｆｌｏｏｒ　）
又はノイズの高さが平均的水準のノイズで測定される。

磁気光学的材料を特徴づける主たる因子は、回転角、保
磁力（ＨＣ）、キューリ一温度及び補償温度である。媒
体は一般に単−素子或は、少なくとも一つの成分が無定
形金属組成物である多成分系からなる。これらの無定形
金属合金に対し、二成分系及び三成分系組成物が特に適
している。適当な例は希土類・遷移金属（ＲＥ−ＴＭ）
組成物、例えばガドリニウム・コバル）　（Ｇｄ　−Ｃ
ｏ　）、ガドリニウム・鉄（Ｇａ　−Ｆｅ　）　、テル
ビウム・鉄（Ｔｂ−Ｆｅ　）、ディスプロシウム・鉄（
Ｄｙ−Ｆｅ）、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ　、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ
　、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ　、テルビウム・鉄φクロム（Ｔ
ｂ−Ｆｅ−０ｒ　）、Ｇｒｌ−Ｆ’ｅ−Ｂｉ　（ビスマ
ス）、Ｇ（１−Ｆｅ−８ｎ　（錫）、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ
　、　Ｇｄ−Ｃｏ−Ｂ１及びＧａ−Ｄｙ−Ｆｅ　、であ
る。

特公昭５６−１４３５４７号には今論じた型の磁気光学
的媒体が記述されている。それは０．２４１０．１８／
１の比のがトリニウム・テルビウム・鉄合金の薄いフィ
ルムからなり、そのフィルムはカール効果を用いた場合
には１０００Ａより厚く、７アラデー効果を用いた時に
は５００〜８００Ａの厚さである。この特許のフィルム
もＧｄ　−Ｔｂ−Ｆｅフィルムの上面に５４０ＯＡ厚の
ガラス（二酸化珪素）フィルムを有する。

薄い磁気光学的無定形フィルムは、スパッタリング、蒸
着及び中間冷却の如き既知の薄膜蒸着法によりつくるこ
とができる。中間冷却では、フィルム成分の熱い液体を
冷却表面に当て、そこで急冷し、迅速に固化して無定形
の嵩ばったフィルムを形成する。一般にどんな蒸着速度
を用いても、基板（５ｂｓｔｒａｔｅ　）温度は無定形
磁性材料を与えるためには、結晶化が起きる速度より小
さくなければならない。

薄膜蒸着に好ましい方法はスパッタリングである。無定
形薄膜のための典型的な既知のスパッタリング条件は、
ｌＸ１Ｏ−５）−ルより小さい初期真度、３Ｘ１０２〜
２Ｘ１０−２）−ルのスパッタリング圧、スパッタリン
グ材料源の表面をきれいにするための前スパッタリング
、６０°〜１００°Ｃの基板温度及びアルゴン分圧であ
る。

陰４１スパッタリン法では、アルビンガスイオンがスパ
ッタリング室内の固体合金ターゲット陰極に衝突し、加
速イオンの運動量をターケゞット表面近くの金属原子へ
伝達することにより金属原子を追い出す。陰極は白熱す
ると言はれ、陰極と陽極の間のイオン化したガス体はプ
ラズマになる。基板を陽極の所に置き、金属合金原子が
陽極と陰極との間中間を横切り、基板上に付着或は凝縮
する。

本発明は次の如き消去可能磁気光学的記録用媒体として
要約される： Ａ、フィルム表面に直角な磁気異方性を有する磁化可能
無定形フィルムで、（１）実質的に全ての磁区が５０Ｏ
Ａより小さい磁区サイズを有する多数の磁区と、＜Ｉ＋
＞約５　ｎｍより大きな厚さとを有することを特徴とす
る磁化可能無定形フィルムと； Ｂ、前記Ａ項のフィルムの少なくとも一方の側を覆う少
なくとも一つの透明誘電体層で、約３０〜２００　ｎｍ
の厚さと、約１．２より大きな屈折率とをもつことを特
徴とし、然も磁化可能無定形フィルムの両側上に位置す
る透明誘電体層と；０、前記Ａ項のフィルム又は前記Ｂ
項の透明誘電体層のいずれかの側を覆う反射性表面を有
する基板； とからなり、然も前記磁化可能無定形フィルムと透明誘
電体層の相対的厚さはその誘電体層がない時の同じ記録
用媒体の磁気光学的回転角を超える回転角を生ずるよう
に選択され、３０ＫＨ２帯域で測定して少なくとも４７
　ｄＢのキャリア一対ノイズ比をもつことを特徴とする
磁気光学的記録用媒体。

ここで用いる磁区サイズ（ｄｏｍａｉｎ　５ｉｚｅ　）
とはフィルム面で測定した磁区の最大の大きさを意味す
る。

多くのフィルム基板を用いることができる。それらは記
録及び再生中の光線の変位変動を最小にする形状的に安
定な材料から形成することができる。半導体、絶縁体、
又は金属を用いることができる。適当な基板にはガラス
、スピネル、石英、サファイア、酸化アルミニウム、ア
ルミニウム及び銅の如き金属及びポリメチル−メタクリ
レート（ＰＭＭＡ　）及びポリエステルの如き重合体力
を含まれる。基板は典型的に円板の形をして（・る。

磁化可能無定形フィルムを反射体上に付着させると、フ
ァラデー効果がカー効果に加わるので、磁気光学的回転
が増大することが知られて（・る。

前者の効果は光の偏光面を、それが磁気光学的層な前後
に通過する時回転するのに対いカー効果は層の表面でそ
れを回転する。反射性表面は基板自体の円滑な高度に摩
かれた表面でもよく、或をま真空蒸着の如き当分骨で既
知の方法によつ℃付着された別の反射性層の表面でもよ
し・０反射性表面又は層は、通常記録用波長で約５０％
より太き（・（好ましくは７０係）反射率を有する。付
着した反射性層は通常的５０〜５００　ｎｍの厚さであ
る。

典型的な反射性表面又は層は銅、アルミニウム又は金で
ある。

Ａ項のフィルムは典型的には少なくとも一種類の希土類
元素と少なくとも一種類の遷移金属との合金からなり、
通常２００　ｎｍ以下の厚さである。

もし余りにも薄過ぎると、磁気光学的フィルムは記入モ
ード（ｍｏａｅ　）で充分な光を吸収しないかも知れな
い。

Ａ項の磁化可能フィルムは無定形であるが、フィルム内
の密度及び（又は）組成についての局部的な変動として
定めることができる異なった相を有する互に隣接して異
なった相が存在することは、直角な異方性を与えること
になると考えられる。

この性質はビットに隣接したフィルムの磁化方向とは反
対の方向にそのビットを磁化することを可能にしている 透明誘電体層は反射性層とＡ項の磁化可能無定形フィル
ムとの間の中間層として付着することができる。そのよ
うな中間層は約１．２より大きく、好ましくは６．０に
近い屈折率をもつであろう。高い屈折率の中間層では、
磁気光学的角度は干渉が強くなることにより著しく増大
させることができる。

干渉の増大は透明誘電体反射防止層を薄い磁化可能無定
形（ＭＯ）フィルムの上面上に付着させた時にも起きる
。一つの透明誘電体干渉フィルム（中間層又は反射防止
層）＋ＭＯ・反射性層を有する媒体は、三層媒体として
言及する。反射体とＭＯフィルムとの間の中間層と反射
防止層との両方を有する媒体は四層媒体と呼ばれる。反
射防止ｊイ４も通常約３０〜２００ｎｍの厚さと、１．
２より大きな屈折率を特徴とするが、中間層と全く同じ
拐料である必要はない。

三層構造で誘電体層がＡ項のフィルムと反射性の１・に
又は表面との間に存在する場合には、Ａ項のフィルムの
上に透明の不動態化（ｐａｅｓｉｖａｔｉｎｇ　）１＃
ｕ加えるのが有利である。透明不動態化層は、典型的に
は約６００Ａ迄である。

中間層と反射防止層の透明誘電体及び不動Ｔ−１―化層
に適した材料は、低酸化珪素（５ｉｌｉｃｏｎｅｕｂｏ
ｘｉａｅ　）　（５ｉｎＸ、　ｘ　（２）、二酸化チタ
ン、ＥｌｉＯ２、酸化セリウム、酸化アルミニウム及び
窒化アルミニウムである。

三層構造で磁化可能無定形（ＭＯ）フィルム及び透明誘
電体層の相対的厚さ、及び四層構造での中間的誘電体層
及び反射防止１芒及び磁化可能無定形フィルムの相対的
厚さは、付加した誘電体層及び（又は）反射防止層がな
い時の媒体の磁気光学的回転角を超えない磁気光学的回
転角を生ずるように選択される。この選択は既知の光学
的相関関係を用いて行うことができる。之等の相対的厚
さは、記録用波長で３０係より小さい記録用媒体のＡの
波長でのレーず−ダイオードで測定して比較的大きい（
１〜１０°の範囲である）。このことは文献で・希土類
遷移金属（ＲＥ、−ＴＭ）多層構造について報告されて
いるθ値に対する改良を表している。

上記消去可能光学的記録用媒体も、磁区サイズが一層小
さいため（通常約１０ＯＡ）、既知の媒体よリーノー正
確なビット〔即ち平均ビット粗さく　ｒｏｕｇｈｎｅ８
　）が一層小さい〕を有する。ビットは典型的には最大
径が１〜５ミクロンである。

カオス７７　（Ｋａｕｆｍａｎ　）ソース（’５ｏｕｒ
ｃｅ　）或はデュオプラズマドロア　（ａｕｏｐｌａｓ
ｍａｔｒｏｎ　）を用いることができるが、薄い磁化可
能無定形フィルムを蒸着するのにトリオ−１’　（ｔｒ
ｉｏｄｅ　）スパッタリング法が好ましい。主陽極及び
陰極の外にトリオ−トスバッタリングは熱イオン陰極（
エミッター）及び陽極を有し、それはプラズマが直流グ
ロー放電よりもはるかに低い圧力で維持できる（磁場或
はマグネトロンの存在下でも）利点を有する。トリオ−
トスバッタリング装置が非常に低い真空度でアルゴンプ
ラズマを維持できることにより、４　Ｘ　１０−３〜６
Ｘ１０−’）−ルの範囲の真空度でこれらの薄いフィル
ムを付着させることができる。スパッタリング陰極と陽
極との間の空間を通って拡散する金属原子は、低い真空
度の場合より大きなエネルギーで基板に衝突することが
できる。なぜならその空間中には金属原子の動きを妨害
するアルゴン原子の数が少なく、一層大きな平均自由行
路を与えるからである。

トリオ−トスバッタリングでは、エネルギーの高いフィ
ルム成分（金属合金）原子による統計的衝突速度か大き
いため、基板上に核生成点が一層多く生ずる。このため
他の方法による場合より一層滑らかな表面をもつ磁気光
学的フィルムかもたらＮされると考えられる。このこと
は今度はフィルムの表面が、約５．Ｑ　ＭＨ２（メガヘ
ルツ）で変調したピーク間２　ｍＷ　（ミリワット）の
レーデ−ビームに１０７ｘ／秒の線速度で移動する未記
入媒体から反射させた時、キャリアー水準より少なくと
も５　Ｑ　ｄＢ低い背景ノイズ水準を生ずる磁気光学的
記録用媒体乞もたらすことになる。本発明の媒体に対し
、背景ノイズは通常上述の条件下でキャリアー水準より
少なくとも６５ｄＢ低い。

本発明の媒体は消去できるが、−回限りの記入対ノイズ
比は少な（とも４７　ｃｌＢである。

これらの媒体の良好な性能特性（尚いθ及びａｎｎ　）
は媒体中の物理的に同犀できる特徴に起因するものと考
えられる。最も１安であると考えら本発明のＡ項の薄い
Ｇ４−Ｔｂ−Ｆｅ合金フィルムについて屈−ｙｒ率（ｎ
）及び消光率（ｋ）は、夫々４．５及び１．８であると
決定されている。磁区サイズは最大径で２００χより小
さいのが好筺しい。即ち、１μｍビットは多くの磁化さ
れた磁区かもつくることができる。第１図は最大径で２
００Ａ以下の磁区境界壁を示している。

磁性月料中の磁区の形成はよく知られている。

しかし従来技術の教示によれは磁区サイズか不発ψ」の
極めてｌトさな範囲へ減少１−るに従って、磁区は不安
にになるであろうというＭ制になる。不安定な４＋Ｍ区
からなるビットは配録された後、約２分以内に妹体上の
位置、ＯＮＲ及びビットサイズの変化の如き観衆り］能
な変化馨受けろであろう。ＯＮＨの損失はビット端縁の
相さの増大ケ示す。安定なビットは長期間記録されたデ
ーターの一体性乞維持１−るのに必妥である〇 本発明のＧ４−Ｔｂ−Ｆｅｐ＃、定形合金フィルム乞上
に被検した１　３３８　（５”／４　ｉｎ　）径の円板
媒体を、約２５０エルンステツド（Ｏｅ）の磁場バイア
スケ用（ζて電力９　ｍＷのレーず−で一連のピッ゛ト
を記録することにより安定性について試駆した。記録さ
れたビットは記録直後と約１４日後に′電力３．ＱｍＷ
のレーず−で絖んだ。実験誤差内で、二つの読与の間に
Ｃ！ＮＲ、ビットサイズ、或は読み信号振幅に変化はな
（、良いビット及び磁区の安定性を示していた。本発明
の媒体に記録されたビットは数カ月安定であった。

本発明に特によく適した一つのｊｌｌｌｌｉｔＪＥ形合
金組成物はガドリニウム・テルビウム・妖三元合金であ
る。好ましい組成範囲は６〜１５ｍ子うのガドリニウム
、１０〜２０％のテルビウム及び６５〜８４％の鉄であ
る。この媒体のキューリ一点確度は約１２０℃である。

この組成物から作られた−いフィルムは、一般に５０Ｘ
厚より大きく、安定な記憶磁化するのに光分な保磁力乞
有する。これは最低で約５００−エルンステツド（Ｏｅ
）あるべきであるが、２０００〜３００　Ｑ　Ｏｅの範
囲か一層に用いられている。

２００　Ｋｅｙ装置で行われたそのような三元合金（／
、）　’ｉａ：　子ビーム回折塚である第２図に示す如
く、これらの制料は結晶栴造には簡単に起因させられな
い広いハロー（ｈａｌｏ）　ｙｚもった回υ白隊を示す
。回ｖ１像で、錘定の特徴は個々の柑が重なり合った点
迄広がった線によって示される。同心円によって分けも
、ｌまた広がった環或はほやけた領域は、分裂環（ｓｐ
ｌｉｔ　ｒｉｎｇ）として知られており、フィルムの無
足形特性に成る局部的ル子配向かあること？示している
。

回折１家の写真からの惟−報は、回折１まの中心からの
距離に対する回折強度の関係馨プロットした図に移しか
えることができ、無ボ形特性を一層鞘仙。

に示すことかできる。無足形物質の回ジ［腺図は明確′
なビーフケ久いている。それに対し結晶質の回折勝因は
多数の全く明確なピーク乞もち、格子間隔ν１」ち４ｂ
子内の原子軌道間の間隔に示″′３−。

上で説明した如＜、トリオ−トスバッタリング法は本発
明の磁気光学的フィルムを付層させるのに非常に諭して
いる。この方法乞実施するに到らせる実験では、スパッ
タリングに用いられるアルゴンは層高純度（最低細度９
９．ソ？９チ）゛であった。トリオ−トスバッタリング
装置へのアルゴンの流電は、約１．３　ミ’）　トール
の圧力で約５０υツム３／分（標準状態）であった（こ
れはその系中に存在するガスの約５　ｐｐｍであること
馨漸味丁４））。これは普通の直流又はラジオ周波陰極
スパッタリングの場合より少な、（ともｌ／２ｏ〜”／
１００の倍率で、その系中に存在し且つそこ馨流載る酸
素の量の減少を示している。

潴い無足形フィルムの光学的性質は、組成物と、その組
成物か形成され或は付７Ｉｉされる方法との両刀の関数
である。布土用金域は各局に重化づ−ることか知られて
おり、この酸化のカ」１」仰が高純度生成物ンもたらす
のに本発明の方法で庚要な部分に１工っている。プラズ
マに対し、もし陽極に負電位ン与えると、得られる方法
はバイアススパッタリングと呂われる。このバイアスは
書スパッタリングにより王フィルムから酸素の如き不純
物な後先的に除去１−ることになると考えられている。

直流では７Ｘ　＜ラジオ周波（ＲＦ）でのスパッタリン
グは、上述のホ明計奄体ノーの’Ｒ１」ぎ絶縁体を消か
にし、それを刺着させるのに用いることができる。

この方法ではラジオ周板交流゛亀圧ンＲＦ電極によりス
パッタリング呈に適用１−る。

トリオードスパッタリング装置は、金属合金が置かれる
スパッタリング陰極ターゲットの入ったＡ空室ｒ有１゛
る。合金がスパック−され、陽極基板保持器上に置かれ
た基板上に蓄積′１−る。陽極は室壁に対し低置バイア
ス゛咀圧に組付する。陰極ターゲットを水冷し、基板Ｙ
外からのに動装置で回転させることかできる。スパッタ
ーは通′畠ターｒソトと賜偉との開に与えられ、基数を
スパッターでｌｈｌ！ＩＩに−「ゐ。イ１社気的に補助
されたトリオ−トスバッタリングが好ましい。この場合
には磁場が熱イオン陰極及び陽極と一厭をなすように印
加され、電子をイオン化ガスのプラズマ−＼し１じ込め
、それらン、電子の慟突か力１熱ン惹ぎ起−１−ような
基板から遠く維持１−る。

操作に除、スパッタリング呈を典型的には成る初ル」背
景圧力（例えは４．ＯＸ　Ｉ　Ｌ）−’　トール）ヘホ
ンプで派圧し、然る俊スパッターガス（アルゴン）ン導
入する。典型的ｔこは鎖板を約３［）ＯＶのバイアス知
、圧で約６０秒開削スパッタリング１ｅｌＪちスパッタ
ーによる賞刻で清浄にする。基板を、予かしめ足められ
たスパッタリング栄件に達した後、ターケ°ットからの
原子流束に当てる。鐵気九学的フィルムの付ＮＵ度はガ
ドリニウム番テルビウム・妖三元合金の場合には一紋に
０．５〜４．ＯＡ／秒である。薄膜熱電対馨陽極基板保
持器近（に配置し、大体の基板と半筒プラズマの温度ｌ
１１１１足す４）。

トリオード装飯の真空度を高くすると、木し！！Ｉ特ｉ
ｆ’ｆａ１４３，９６　ｊｌ）、４６３号の磁気光学的
フィルムの如き既知のものより高い笛度及び高い旭１ｉ
率の淘いフィルム？もたらすようである。

磁気弁学的フィルムのその表面での特性は、フィルムの
内部的（ｂｕｌｋ　）性質とは兵なり・潜ることが観察
されている。これは未不動化フィルムの表面と内部の保
磁力ＴＡ＋ｊ足イ帥を比較１−ることによって特に明４
Ｗにされている。保持力）、ＩＣは極端な場合には１桁
も変ることか見出されている。これらの変化は九学的記
憶糸では的・に厘散である。なセなら読み光学的ビーム
とＲＥ　−ＴＡＩ保持初科の相互作用はフィルムの最初
の′１５０〜２０ＯＡのＨ「で起きるからである。希土
類の酸化はれダいフィルムの表面特性の変化の王たる原
因であると桶足さｊｌている。

不動化層でＲＥ−ＴＭフィルムｖｉａすることにより、
特性の経時変化はほとんどなくなる。

５ｉｎＸガラスの桧捷を有するＧｄ−Ｔｂ−Ｆ’θ台金
膜をもつ本発明の媒体の試料中の深さに対する元素の震
動状態はオージェ（Ａｕｇθｒ）゛市子分ｙＣ法（ＡＥ
Ｒ）及び二次イオン質量分光法（Ｓ工）Ａｄ）によりめ
られた。その結ＭはＧｄ−Ｔｂ−Ｆ’ｅフィルム中の酸
素が１加子チより低い水準２示していた。電子分子、１
１学分析（ＢＳＯＡ）によると、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆ’ｅフ
ィ／ｌ、　ム上にヤζ１層さぜた５ｌＯｘフイルムは、
Ｘが１．２〜１．６１ＡＩｌｌち５５〜６２原子％の酸
素含有にヶもつことを示しティた。床さに対１−る元素
分析では、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅフィルム内の酸素水準は、
５ｌＯＸ中の約”／２００％即ち約０．３原子慢である
こと？示していた。

木兄ゆｊは次に記載の実施例馨考應１−ることにより更
Ｖｃ明ｎηにされるであろう。それら実施例は純粋に例
示するためのものである。

実施例１ 干渉が増大した＋１４造を開発１−る実験で、特矩の厚
さの磁気ブＵ学的フィルム馨反創器に伺盾させた。

この二層ン次に５ｉｃ１Ｘ肪電体の第三層で被檄した。

反則体の選択は一般に主要な波長での反射性の効率に間
係している。磁気光学的フィルムのルさは主要な元の波
長で銭際した時のりＬ学的性質に依存するであろう。磁
気光学的材料はファラデー及びカール効果の両方から回
転ン哨大させるためには半’ｓｂ性（ｓｅ＋ｎｉ−ｔｒ
ａｎｓｍｉｅｅｉｖｅ）で７．Ｃ’ｒｒ　ｉｃ　＆’Ｋ
　ｔｘらない。Ｇａ　＜　ｉ　ｉ原子％）、Ｔｂ　（１
１原子％）、残余Ｆｅ　（螢光Ｘ線で次元して）からな
るフィルム？、銅被覆及び未被覆ガラス平板上＆’（小
ｊ着させｊ二。

回転角０はヘリウム・ネオン（ＨｅＮｅ）レー勺゛゛−
（波長６３２８Ｘ　＞及びレーず−ダイオード（Ｌ、Ｄ
、成長ａ６ｏｏＸ）の両方で測ボしプこ。結果ビ次のＭ
３１表に示す。

０（イ）（イ）（イ）（イ）（イ）幻（イ）（イ）嶋（
イ）（イ）（イ）（イ）（イ）（イ）ききｍＸＨＨＸＮ
ＸＸＸＸＸＸＸ＋Ｘ　Ｍ 　Ｈ 「　「　で　−−で　Ｆ　ｒ　ｒ　ｒ　ｒ　ｒ　ｒ　ｒ
　−ロ　−−磁気光学的フィルム及び低酸化珪素フィル
ムの厚さは二重ビーム干渉計で測足された。これらの結
果は、回転角が磁気光学的フィルムの鯨さと、干渉フィ
ルムの岸さとの両方に依存することを示している。それ
らは反別体上に付着した磁気光学的フィルム？用いる明
確な触点をも示している。

磁気光学的媒体に保存されたデーター′ＰＩ：耽むため
に種々の装置及び方法か当分野で知られており、父入手
できる。例えは木国特計第３，６５　Ｌ２８１号第６図
及び第６楠及び第７柿に例示さパている。

同じ１１．！！類の装慟ン取る修止を力１；えて磁気光
学的媒体を試験するのに用いてもよい。基本的な試験装
置はと−り帖すレーず−ダイオードを有し、そのビーム
は棟々の誘電体駒、平ｌＩｌ］鏡、偏光子、レンズ及び
プリズムによって磁気光学的媒体の方へ向け、そこから
−組の検出器へ送り、そこで回弘した元ビームの強度乞
電子信号に変換する。レーデ−ダイオードは約８３０Ｏ
Ａの波長の発散光を出し、それを偏光し、変調し、レン
ズにより収束及び平行にし、プリズムにより円状にする
。この円状ビーム？鎚により焦ルヘッド乞通して媒体上
へ向ける。カール回転及びファラデー回転の併合により
、元の偏光面ン角θだけ回転する。反射で、回転した光
の全てか非回転光の一部と同様、偏光用ビームスプリｙ
　ｊｒ　−（ｂｅａｍ　ｅｐｌｉｔｔｅｒ）　’１通し
てＲｆＱみ行路上へ向け、そして元ダイオード検出話の
方へ向ける。耽みビーム（ｒｅａｄ　ｂｅａｍ）の無産
を媒体上に結はぜるのは、元学的彩塚装置（例えはオリ
ンパス会社からの’ｒＡＯＨ８型・（５ＮＡレンズヘッ
ド）により行うことができる。

記録１−る時に用いられるバイアス磁場はＣＮＨに影會
ケ与えることかできる。しかしバイアス磁場が約６００
０８より大きい限り、ＯＮＲはバイアス磁場の強度には
比較的無関係である。

ノｒ：″終的イＩ仔気犬学的フィルムのいくつかの因子
を制御″′４−るのに、トリオードスパッタリング？用
いることができる。例えは、トリオ−トスバッタリング
により生じたガドリニウム・テルビウム・鉄合金フィル
ムの磁気及び弁学的ヒステリシスｌｆｆ１態は、基板温
度が増大するにつれて一層矩形状になることが見出され
ている（フィルムは全て同じ組成即ち１６．５％ガドリ
ニウム、１６％テルビウム、７０％鉄の組成？もち、約
２００ＯＡの犀さ馨もっていた。

追加した一連の実績は、布上−＃濃度が減少すると４荘
気ブじ学的フィルムに長手方向の成分ン形ルにする稿同
が増大するｆ＋占果になることを示していた。

スパッタリング方法でターゲットの周りに磁場を烟用す
ると、長手方向に配向した媒体？形成する結果になる。

一方付着速度の増大は三成分合金の長手方向の助（分馨
成る程度抑制する結果になる。

互に瞬接した磁区の存在に必要な異なった無定形相は、
伺：楯速度、温度及びフィルムＪすさに依存するように
見える。

亦、陽極又は基板バイアスはトリオ−トスバッタリング
法で有用な制御になることか判明している。Ｏから６２
３■まで変えた基板バイアスの外は全ての条件を同じに
保った一層の突脈で、１１剋気ヒステリシスの直祿性は
、陽砂バイアスン増力１１するにつねて火責的に増大す
ることが判明した。

丈　ｈ山　例　２ ３（１ａｍの佳ｒ有する、重合体ケ下塗りした研磨アル
ミニウム円板乞稠設した。この円・板は、予かしめ清浄
にした研Ｉ拮アルミニウム円板ン爪合体（１りｉえはス
チレン−ブタジェン里自体）で被模す分子宮むもの）ン
その円板に（それ乞回転させなから）適用した。浴姪ケ
蒸発して向い重合体］塗り（ｓｕｂｂｉｎｇ）励ン残し
た。　この下オリ層のｂ；、１きは、記録のためのりＩ
：常に出鋼な表面ン与えと）ことにル）４）。ｌＬ会合
体アルミニウム表面を砧らして接着１−へきである。

Ｆ’＆り円板乞、アルゴン、水蒸気及び空気の雰囲気中
でクロムターゲットケ用いてマグネトロン・スパッタリ
ングにより酸化クロムの下塗り（ｐｒｉｍｉｎｇ）層で
伝僚した（基＆に対する反射性層の伺潴ンよ＜１−ルた
めに）。重化クロムスパッタリングは約５００　ｍＡの
ターゲットΦ流及び約２ｙｉ　ｏ−５トールの背１λ操
作圧で約１〜２分間続け、そｔｌ、［よって約ＡＵ′Ａ
厚の核生成、句看促進層を得た。他の洒切な下糸り試料
は、チタン、タンタル及びアルミニウムの酸化物であろ
う。

この上に、約１ｏｏｏＸルの反射性鋼層を約２ｘ　ｉ　
ｏ’−’　）−ルの背景圧でＡ撃抵抗蒸着により沁）ル
した。このようにして調製された基板をアルゴンの存在
下で約５ＤＯＶのバイアス軸圧で約６０秒曲スパンター
食刻により清浄にした。低酸化珪素（Ｅ＋１０ｘ）の中
間ガラス膜をスパッタリングにより一酸化珪素発煙源（
ｓｍｏｋｅ　５ｏｕｒｃｅ）　［ｊｙ　−！Ｊ　＊　ル
ニア州ロングビーチのＲＤ７チス？Ｊ：　（Ｍａｔｈｉ
ｓ　Ｃｏ、）から得られた〕から約２５０Ｘの厚さ迄句
庸させた。

次にトリオ−トスバッタリング法娶用いて、その調製し
た基板をガドリニウム・テルビウム・鉄合金で被接した
。尚利り度アルゴンガスントリオードスパッタリング装
置中へ開成させ、約１．２Ｘ１０−３）−ルの１ｒ景圧
馨生じさせ、約３００Ｖの基板バイアス及び約３　［１
０Ｖのターゲットバイアスで三元合金フィルムの付層を
行なった、付后速ｌ１ｌ−ン２．５−３入／秒のｆｌ＋
Ｑ囲にし、最終痺ン約２８５ＸＫした。約９．ＯＸ　１
０−’　）−ルより低い夛孕度では約１３６０Ｘ厚のガ
ラス被覆かＳ　ｉＯ，ｘ発煙伽からイ１看した。

この磁気光学的フィルムをつくるのに用いられた合金タ
ーケゞットは、希望の６Ｒ成分のモザイク状のものであ
った。＋Ｊ漸したフィルムのＭ終的イ１４成は、エネル
ギー分散性螢ｙｅ　Ｘ　Ｍ分介器により決定した。生成
した試料番ぢ６４から１９５の試料のボ１１成は、６．
５原子％の力１．７１Ｊニウム、１０．（Ｊ原子％のテ
ルビウム及び８ろ、５ＪＭ＋係の鉄であることか決定さ
ｎた。

表２は試料６４〜１９５の神々の値気光学的性質を示し
、縦知の磁気ｙＣ学的媒体の成る仙ＩＭｒ　した佃に対
し又それらケ比峻できるように示しである。

試料６４〜１９５のデーターは全て円板上１１５隅半径
の所で記録され、絖寸Ｊしたものである。

試料Ｐｕｂ、　１〜４は今杓信武１手導体レーザーを用
いた磁気光学的円板メモリーの開発」（東京、ＫＤＤ研
究ＦｇＴ）からとったものであり、試料’Ｐｕｂ、５の
データーはＢｅ１ｌ、　Ａｌａｎ　Ｅ、ｌ　［光学的デ
ーター記憶（０ｐｔｉｃａｌ　Ｄａｔａ　Ｓｔｏｒａｇ
ｅ　）ｊ　Ｌａ５ｅｒ　Ｆｏｃｕｓ。

Ｊａｎｕａｒｙ　（１９８３）から取られたものである
。

非常に小さな磁区サイズが示されている。２本のと考え
られる小さな斑点は、最大径が距離Ａより小さいことが
分る。

す、それらが無定形である特性乞示している。

６ｍＷの一鳩低い記入レーず゛−電力でのキャリア一対
ノイズ比の場合ヲ１１ｆ＠、本発明の試料のキャリア一
対ノイズ比は、研摩媒体のそれより著しく太きい。上述
の方法及び材料χ用いて少なくとも６０のＣＮＲン得る
ことができることが感じられ実施例６ 約７７４２　ｍｍ′の面積ンもつ鉄ターゲツト上にテル
ビウム小片を置くことによりスパッタリングターケ９ツ
）Ｙつくった。それらの小片は約１ＱｍｍＸ２５朋の大
きさで、用いられた面積化はＴｂ２５．８％、Ｆｅ　７
４．２％であった。

１３５ｒｎｓｎＣ５ｉ／４ｉｎ　）　＆のポリメチルメ
タクリレ−）　（ＰＭＭＡ）円板を基板として用いた。

それらの円板は溝がつけられており、紫外線で硬化した
１００％固形物元車合体から作られた下塗り層をもって
いた。基板１枚十スライド４枚（２枚のＰＭＭＡ　）ニ
ー　２　枚のガラス）乞スパッタリング室に入れ、その
円板を回転盤上にとりつけた。

圧力を約５．６　ｘ　１０”−７ｍｂ　（ミリパール）
迄ポンプで下げた後、５１０ｘｔ−酸化珪素粒子ン満し
た調整板付源から抵抗加熱により蒸発させた。そ迄基板
上に付着された。５１０Ｘ蒸看中の圧力は約６．２　Ｘ
　１０−’　ｍｂで、蒸着後、それは約７．６ｘ１０　
’　ｍｂであった。

次の工程は舎付層させた５ｉｎＸ７ａ？ラジオ周波スパ
ック−で穴開することである。これは８０ｖン用いてア
ルゴン中で６０秒間行われた。

トリオ−トスバッタリング装置’１Ｔｂ−Ｆｅスパッタ
リングに使えるようにした。アルコゝンＲ，量Ｙ　％ト
リオードエミックーの１１４　個作動中２８．６　ｓｅ
ｃｍ（標準状態でのｃｍ３７秒）に設定した。トリオー
ドは１．３　ｘ　１０−３ｍｂのアル９ン圧で安定化し
た。

直流（ｄ、ｃ、）バイアス電源を入れ、準備作動させ、
３００Ｖの定′亀圧及び０．６９　Ａ　（アンペア）の
電流にした。ターケゞットχこの操作中遮蔽し、早過ぎ
る付着が起きないようにした。この準備作動状態でトリ
オード乞約６０秒間作動させた。ラジオ周波基板バイア
スのスイッチを入れ、６０秒継続して８０Ｖに調節した
。

この点でＴｂ　−Ｆｅクーデツ）Ｙ覆う遮蔽部＠を開き
、ラジオ周波基板バイアスン２００ｖに調節した。トリ
オードフ０ラズマ電源乞５Ａ１４９ｖで作動させ、クー
ゲットバイアスは６０Ｑ　Ｖ、　ｄ、ｃ、で屋電ｍ　Ｏ
，６９Ａで作動させた。スパックリン中ノスバツクー呈
圧力は１．３　Ｘ　１０−”　ｍｂ　テアツタ。

平均イ１」看速度は１．５〜２．ＯＡ／秒であり、Ｔｂ
　−Ｆｅのイ」着はＴｂ　−Ｆｅフィルム厚が約２７５
Ａになった時に終った。これが終った後、呈圧力（ガス
流）は５．２　ｘ　１０　’　ｍｂであった。

次にＳｉＯＹ前述の如く蒸着によりＴｂ　−Ｆｅ層上に
、４．６　Ｘ　１０　”　ｍｂの圧力で約２９０又の厚
さ迄被覆した。冷却時間約６０分後、装置に乾燥窒素を
入れ、開けて試料ヲ取り出した。

円板と２枚のスライド（１枚はプラスチック、１枚はガ
ラス）を回転基板保持器に取りつけ、他の真空室へ入れ
た。背景圧力を７．４　Ｘ　１０−’　）　−ルにポン
プで下げた後、第二８１０Ｘ層上にＣｒ０Ｘ下塗りｔ蒸
着させた。３．５　ｓｅｃｍの流量の酸素と５６　ｓｅ
ｃｍのアルゴン乞真空至に入れた。絞り弁ン閉じてアル
ゴン−酸素圧１−！、　３．３　Ｘ　１０−’であった
。りつムク−プツトから磁気補助ダイオードスパッタリ
ングによりｃｒｏＸｙｒ　４秒間蒸着し、約１０ＯＡの
下塗りｊ侯厚乞与えた。

次に銅Ｊ＃ｆＩン、モリブデンボートに入れた鋼を抵抗
加熱することにより窓層した。背景圧力は８Ｘ１０−７
トールであった。Ｘｌｌは４０λ／秒の平均速度でＣｒ
Ｏｘ下重り上に約１００ＯＡの膜厚迄蒸着した。銅魚層
侯の背景圧は１０”−６トールであった。

最終５１０Ｘ層ン、シリカ粒子の電子ビームによる蒸発
により鋼虐上に付着させた。５１ｏｘはｉ３　Ｋｖの電
子仇で蒸発させ、約１２００大の全厚さ迄約１５Ａ／秒
の、ｌＡ度で付着させた。

円板及びスライド乞真２　呈から取り出し、分併により
磁気光学的層の組成は約２５原子％Ｔｂ１７５原子％　
Ｆｅであることがボされた。

円板について次のデークーが測定された。

室温でのＨｃ　２９０００ｅ 動的試験： 記入クーず−′亀力９　ｍＷでのＣＮＲ５２実施例６で
用いたようなスパックリングクーグツトン、夫々約５０
＃ｌＩＩ＋’の面槓乞もつ８個のコア々ルト小片を前述
のＴｂ小片間の妖ターゲット表面」二に置くことにより
変性した。面積比は２５．８％Ｔｂ　％　６７．２　％
　Ｆｅ及び７％ＣＯであった。次の点ン昨き、実施例６
と同様なやり方でその方法ン行なった。

ＩＪ＜　初のＳｉＯｘを刺着させるのに、スパッタリン
グ装置Ｚポンゾで２．６　ｘ　１０　’　ｍｂに下げ、
Ｓ１０工さ迄付着させた。蒸看中の圧力は約２．２　Ｘ
　１０−’ｍｂテ、蒸着後は２．４　Ｘ　Ｉ　Ｑ−６ｍ
ｂであった。

Ｔｂ　−Ｆ’ｅ　−Ｃｏ層ケスバッタリングずろのに、
ｄ、ｃ。

ターデッドバイアス’ａ？　０．６３　Ａの定電流にな
る迄＄備作動させ、トリオートプラズマ発生器ン４７Ｖ
で作動させ、ターデッドバイアスｙｘ　Ｏ，６３Ａにし
た。Ｔｂ　−Ｆｅ　−Ｃｏフィルム付着終了佐の至内圧
力は２．Ｉ　Ｘ　１０　’＋ｕｂであツタ。

第二Ｓ　Ｉ　ＯＸ　＃　（ｊｙ工程は２．ＯＸ　１０−
６ｍｂの圧力で、５．１λ／秒の速度で５ｉｎｘＹ　刺
着させた。

Ｘ免至をＣｒＯ工付漸前に９　Ｘ　１０−７トールの背
景圧力にポンプで減圧した。

銅板債工程では背景圧力は９　Ｘ　１０−７トールで、
付滑後の里内圧力は１．２４Ｘ１０−６）−ルであった
。

最終５１０１層付着０ための背原圧力は９　Ｘ　１０−
７トールであった。

分併により、磁気光学的層は２６％Ｔｂ１６６％Ｆｅ及
び１１％ＣＯの組成ンもつことが示された。

次のデークーばその円板について測定されたものである
。

８２０　ｎｍ波長での正反射　１４％ 冨温ＨＣ２６０００ｅ 動的試験： 記入クーず一′亀力１２ｍＷでのＣＮＲ約５３多層を用
いると、それらの０乞過当に選択することにより磁気光
学的媒体の熱的感度７制御することが用油である。例え
は、四層構造の中間層（或は三）曽の反射体とＩｖｉＯ
層との間にある誘電体層）は、ＭＯ層から熱エイ・ルギ
ーか基低へすぐ逃げないようにする熱的絶縁体である。

中間層の厚さは媒体の熱的感度、即ち、袖僅点に到達さ
せるのに必要なレーデ−エネルギー人力量に影＃ン与え
ろように調節することができる。このことは今度は閾値
電力（媒体に記号乞記入するのに必要な′［ｌｉ力）に
影響ヶ与える。中間層を用いろと一般に１崗１直′屯カ
ン低くすることができる。

ここに記載した四ノー媒体は、ＣＮＲに対し比較的鋭い
閾値型応答乞示す。即ち、ＣＮＲは閾値′ぼ力から飽和
値迄急速に増大する（表２参照）。例えば約６　ｍＷの
閾値電力乞もつ媒体では、鋭い闇値応答により比較的、
鴇い読みレーザー′亀力（例えば６ｍＷ　）　Ｙ使用す
ることかでき、読みレーザーダイオードの安定な礫作ン
もたらす。媒体のこの飽浮［１特性は、媒体性能か正確
な・・−ドウエア性能（即１つ正確な′電力設定χ維持
する能力）にそれほど厳題に依存しないことをも意味す
る。

好ましい四層媒体構造の一つは次の通りである。

ノ早さ Ｓｉｎ　Ｘ　１２５ＯＡ ＭＯ層　３００−８０ＯＡ ＳＩＯｘ　２００Ａ 地反射性層　８００−１５０ＯＡ ＰＭｌｖｌＡ基板 記録されたビットは非富に小さいので、住か丁度絨ミク
ロンの塵寂子によって磁気光学的媒体の次面に、信号記
録の妨害或は記録された信号の不明瞭化の問題暑起すこ
とかある。このような状態７避けるため、透明保獲被緩
層を本発明の磁気光学的記録用媒体に適用する。それは
通常少なくとも１．２朋の厚さ乞もち、磁化可能照定形
フィルム、不動化層、三層媒体の誘電体層又は四層媒体
の反射防止増乞覆うことができる。

もし上記層を逆の順序に適用するならば、基板７置きか
えるのにそれケ用いることもできろ。Ｖｏえは層の順序
は次のようにすることかできる二三層媒体に対しては、
透明基板、誘電体層、ＭＯフィルム、反射体、又は透明
基板、ＭＯフィルム、ｄ′屯体増、反射体；四層媒に対
しては、透明基板、反射防止層、ＭＯフィルム、中間層
、反射体。

これは被積層も基板乞もつので、一枚層が少ない利点を
有する。それは基板入射栴と叶はれる（即ち光が基板に
入射する）。

基板入射四層構造の一例は次の通りである。

厚さ ＰＭｌｖｌＡ基板　１．２朋 ５１０ｘ反射防止層　４００　Ａ ＭＯ層　２７５Ａ Ｓｉｎ）（中間誘゛亀体層　２７ＯＡ Ｃｒ　Ｏｘ下塗り層　３０〜１００Ａ 銅反射性層　１２５０　Ａ Ｓｉｎｘ１２０ＯＡ 反射性金域層又は最後に述べた５１０ｘ層の表面に上述
の媒体の二つヲー緒に付層させることにより、両面媒体
ンつくることができる。その結釆保岐用ＰＭＭＡ基板が
外側に面する。例えは一つの媒体のこの５１０ｘ層Ｚ１
接着剤乞用いて第二の媒体の同じ表面に接着させる。そ
の依眉剤は媒体中の全ての材料に対して不活性であるべ
きであり、媒体に変形成は腕洛を起すかも知れ７エい不
浴分乞宮まないのかよい。それはガラスやプラスチック
によく＋ｌ＋”　合すべきであり、硬化やエーシング（
ａｇｉｎｇ　）での収縮か少ないものであるべきである
。マサチューセッツ州ウォータータウンのエポキシ・テ
クノロジー社（Ｅｐｏｘｙ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　
Ｔｎｃ−）で作られているＥｐｏ−Ｔｅｋ　３０１　２
部エポキシ接漸剤は適すノな接着剤である。

上に列挙した一面型構造の場合、最後に述べた８　１０
２層の表面に保護ジ−トン付着させるのが好ましい。こ
の保護シートは前述の基板と同じ材料（例えばＰＭＭＡ
　）と厚さンもつことができる。保岐被覆を記録用媒体
に接着させるのに用いられる接着剤は、上のバラグラフ
で述べたものと同じものにすることかできる。この保護
シートは、媒体の取扱中の破偵馨防ぐのに役立つ。

いずれの場合でも、透明保護層はポリメチルメタクリレ
ートの如き低熱伝導度乞もつガラス又はプラスチックの
如き透過性制料からなるシートにすることかできる。保
護被覆層は下塗りしてもよい。

連続した記録ピットン、媒体円板上同心円の形又は螺旋
の形になっていてもよいトラック上に位１６、させても
よい。そのようなトラック或は溝は、読み取りヘッドの
サーボコントロールを用いて記録されたデーターの位置
判別χ助けるｍＪきビする。

ここに記載した磁気光学的記録用媒体は、既知の方法の
いくつかにより溝をつけることかできろ。

そのような方法の一つは、ａ）媒体を約０．０１〜［Ｊ
、０５　ミクロン厚の補助層（例えはクロム）で覆う：
ｂ）その補助層に感光性樹脂を被覆する；Ｃ）その樹脂
乞マスキングにより溝状模様に露光ずろ；ｄ）＋ｔｌＩ
脂の露光した部分乞化学的に食刻する；そしてｅ）補助
層磁化学的に食刻して磁気光学的媒体の溝Ｚ露出させろ
；諸工程からなる光化学的マスキング法である。そのよ
うな方法についての一層評、１１１１１な記述は、米国
’ｔｔ　ｏ’Ｆ　第４　＋６３４．００７号及び第４，
６２９，５７５号に見られる。

成る代表的具体例及び詳細な点乞、本発明Ｚ例示する目
的でかしてきたか、当栗有には本発明の不Ａ或は範囲を
離れることなく種々の変化及び修正を行うことかできる
ことは明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の薄い無定形金鈎合金フィルム第６図は
第２図の本発明の磁気光学的媒体の電子ビーム回折像の
回折線強度分布図である。 第４図は印加磁場と磁化との関係ン示す図である。 第５図は印加磁場と任意目盛との関係を不す図である。 代理人　伐　村　皓 ｒろ）才ｒ１イクシュヵ〔１）、じイ、ノ、４／’）ｇ
、（シ＆　Ｄｈ６．３ 第１頁の続き 優先権主張　０１９８４年４月１２日■米国（ＵＳ）［
有］５９９６４７ ０発　明　者　リチャード・ニール・ガードナアメリカ
合衆国ミネソタ州セン ト・ポール・ピー・オー・ボッ クス３３４２７ 手続補正書 昭和５９年７　月θθ１」 特許庁長官殿 ２、発明の名称　□ 、多層無定形磁気光学的記録用媒体 ３、補正をする者 事件との関係　特ｒ１出願人 住　所 昭和　□　年　月　［」 ８、補正の内容　別紙のとおり （１）明細書第５６頁第１６行〜第１６行の記載を削除
する。 （２）明細書の添付図面のうち第４図と第５図をＩＱＩ
Ｊ除する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　Ａ、フィルム表面に直角な磁気異方性を有する
   磁化可能無定形フィルムで、（１）実質的に全ての磁区
   が５０ＯＡより小さな磁区サイズをもつ多層の磁区と、
   （ＩＩ）約５　ｎｍより大きな厚さとをもつことを特徴
   とする磁化可能無形フィルムと； Ｂ、上記Ａ項のフィルムの少なくとも一方の側を覆う少
   なくとも一つの透明誘電体層で、約６０〜２００　ｎｍ
   の厚さと、約１．２より大きな屈折率とを特徴とする透
   明誘電体層と；Ｃ０上記Ａ項のフィルムか又は上記Ｂ項
   の透明誘電体層の一方の側を覆っている反射性表面を有
   する基板； とからなり、然も前記磁化可能無定形フィルムと前記透
   明誘電体層の相対的厚さは、その誘電体層がない時の同
   じ記録用媒体の磁気光学的回転角を超える回転角を生ず
   るように選択されており、更に３　Ｑ　ＫＨｚの帯域で
   測定して少なくとも４７　ｄＢのキャリア一対ノイズ比
   をもつことを特徴とする磁気光学的記録用媒体。 （２）反射性表面が基板上の反射性金属層によって与え
   られている特許請求の範囲第１項に記載の磁気光学的記
   録用媒体。 （３）Ａ項のフィルムの磁区が、記録時に近い時と１４
   日後に測定したキャリア一対ノイズ比、ピットの大きさ
   及び読み信号振幅に実験誤差の範囲内で変化がないこと
   で示されるような、少なくとも１４日間の間媒体上の位
   置及び大きさの点で安定している特許請求の範囲第１項
   に記載の、磁、表光学的記録用媒体。 （４）１°より大きな磁気光学的回転角を特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の磁気光学的記録用媒体。 （５）Ａ項のフィルムが少なくとも一種類の希土類元素
   と、少なくとも一種類の遷移金属との合金であることを
   更に特徴とする特許請求の範囲第一項に記載の磁気光学
   的記録用媒体。 （６）Ａ項のフィルムが約１原子係より少ない酸素濃度
   をもつ前記第５項に記載の磁気光学的記録用媒体。 （７）Ａ項のフィルムかがトリニウム・テルビウム・鉄
   、テルビウム・鉄及びテルビウム・鉄・コバルトの合金
   群から選択された合金から作られている前記第６項に記
   載の磁気光学的記録用媒体。 （８）Ａ項の磁化可能無定形フィルムと反射性表面との
   間に位置する透明誘電体層をもち、更にＡ項の磁化可能
   無定形フィルムの上面に透明不動態化層を有する特許請
   求の範囲第１項に記載の磁気光学的記録用媒体。 （９）媒体の、基板と反対の側を覆う透明保護被覆層を
   有する特許請求の範囲第１項に記載の磁気光学的記録用
   媒体。 ＱＯ）　Ａ、フィルム表面に手内な磁気異方性を有する
   磁化可能無定形フィルムで、（１）実質的に全ての磁区
   が５０ＯＡより小さな磁区サイズをもつ多数の磁区と、
   （Ｉ＋１約５　ｎｍより大きな厚さをもつことを特徴と
   する磁化可能無定形フィルムと； Ｂ、前記Ａ項のフィルムの一方の側を覆う透明誘電体層
   で、約６０〜２００　ｎｍの厚さと、約１．２より大き
   な屈折率をもつことを特徴とし、然も磁化可能無定形フ
   ィルムのどちらの側にも位置する透明誘電体層と； Ｃ８前記Ａ項のフィルムか又は前記Ｂ項の透明誘電体層
   の側覆う反射性層と； Ｄ、媒体の、前記反射性層とは反対の側を覆う透明保護
   被覆材料からなる基板； とからなり、然も前記磁化可能無定形フィルムと前記透
   明誘電体層との相対的厚さがその誘電体層がない時の同
   じ記録用媒体の磁気光学的回転角を超える回転角を生ず
   るように選択されており、３３　ＫＨ２帯域で測定して
   少なくとも４７　ｔｉＢのキャリア一対ノイズ比をもつ
   ことを特徴とする磁気光学的記録用媒体。 Ｑｌｌ　Ａ、フィルム表面に直角な磁気異方性を有する
   磁化可能無定形フィルムで、（１）実質的に全ての磁区
   が５ｏｏＸより小さな磁区サイズをもつ多数の磁区と、
   （１）約５　ｎｍより大きな厚さを有することを特徴と
   する磁化可能無定形フィルムと； Ｂ、前記Ａ項のフィルムの一方の側を覆う中間層で、約
   ６０〜２００　ｎｍの厚さと、約１．２より大きな屈折
   率をもつことを特徴とする透明訪電体からなる中間層と
   ； Ｃ０前記Ａ項の磁化可能無定形フィルムの、前記Ｂ項の
   層とは反対側ヶ覆う反射防止層で、約６０〜２００　ｎ
   ｍの厚さと、約１．２より大きな屈折率をもつことを特
   徴とする反射防止層と； Ｄ、前記Ｂ項又は前記０項のどちらかの層の、前記Ａ項
   のフィルムとは反対側上に位置する基板と； Ｅ、基板の磨かれた表面、又は前記Ｂ項の層の前記Ａ項
   のフィルムとは反対側上に位置する別の反射性金属の反
   射性層である反射性表面；とからなり、然も前記中間層
   と、前記磁化可能無定形フィルムと、前記反射防止層と
   の相対的厚さが、その中間層又は反射防止層がない時の
   記録用媒体の磁気光学的回転角を超える回転角を生ずる
   ように選択されており、更に３　Ｑ　ＫＨ２の帯域で測
   定して少なくとも４７　ｄＢのキャリア一対ノイズ比を
   もつことを特徴とする磁気光学的記録用媒体。 ０２ｉ　前記Ａ項のフィルムの磁区が、記録時に近い時
   及び１４日後に測定してキャリア一対ノイズ比、ビット
   の大きさ及び読み信号振幅に実験誤差の範囲内で変化が
   ないことで示されるように、少なくとも１４日間媒体上
   の位置及び大きさが安定している前記第１１項に記載の
   磁気光学的記録用媒体。 ０３１　１°より大きな磁気光学的回転角をもっことを
   特徴とする前記第１１項に記載の磁気光学的記録用媒体
   。 （１４ｔ　Ａ項のフィルムが少なくとも一種類の希土類
   元素と、一種類の遷移金属の合金からなることを更に特
   徴とする前記第１１項に記載の磁気光学的記録用媒体。 （１５）　Ａ項のフィルムが１原子係より小さな酸素濃
   度を有する前記第１４項に記載の磁気光学的記録用媒体
   。 （１６）基板がＢ項の層の側に位置し、反射防止層を覆
   う透明保護被覆層が存在する前記第１１項に記載の磁気
   光学的記録用媒体。 ＣＩ？）　基板が、反射防止層を覆う透明保護材料から
   なり、反射性表面がＢ項の中間層の、磁化可能無定形フ
   ィル゛ムとは反対の側止に位置する反射性金属層である
   前記第１１項に記載の磁気光学的記録用媒体。 （１８１前記第１７項の媒体二つを保護基板面が外側に
   なるように一緒に接着したものからなる両面磁気光学的
   記録用媒体。