JPS6052045A - バンプ電極形成方法 - Google Patents

バンプ電極形成方法

Info

Publication number
JPS6052045A
JPS6052045A JP58160054A JP16005483A JPS6052045A JP S6052045 A JPS6052045 A JP S6052045A JP 58160054 A JP58160054 A JP 58160054A JP 16005483 A JP16005483 A JP 16005483A JP S6052045 A JPS6052045 A JP S6052045A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
positioning plate
metal
electrode
substrate
metal ball
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58160054A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanobu Horii
堀井　政信
Yutaka Makino
豊 牧野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58160054A priority Critical patent/JPS6052045A/ja
Publication of JPS6052045A publication Critical patent/JPS6052045A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はバンプ電極の形成方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来のバング電極の形成方法は、第１図に示すように、
半導体基板１に素子間を接続して外部へ導出するための
アルミニウム膜で形成された所望形状の電極パッド２を
設け、さらにこの電極パッド２と半導体基板ｌの表面を
低温で形成されたＣ　Ｖ　Ｄ　Ｓ　ｉ０２膜３で榎い、
前記電極パッド２の付近のみ開孔し、ついでたとえばＣ
ｒ　、　Ｃｕからなる２層ｊ＋１４を真空蒸着法により
被着し、電極パッド２の部分のみ残して他を除去する。
ついで感光性樹脂等を用いて１０〜１５μｍの高さにＡ
ｕ、半田等の金Ｍを電着させ、バング電極５を形成する
。しかしながら、上記の方法では工程の中に化学薬品処
理を含むためにコストが高くつくという欠点を有してい
た。
発明の目的 この発明の目的は、バンプ電極を安価に形成できるバン
プ電極形成方法を提供することである。
発明の構成 この発明のバンプ電極形成方法は、バング電極材料とな
る金属粒体全位置決め板の♀属粒体挿入人へ挿入して基
板の所望の場所に位置決めし、その状態で金属粒体を力
１１熱ＥＥ締して基板へ接合Ｔることにより　／（ング
電極を形成するもので、工程の中に化学薬品処理を含ま
ないため、低コストでパンダ電極を形成できるという特
有の効果を有する。
この発明の一実施例を第２図を用いて説明する。
（１）第２図（ａ）に示すように、半導体基板６の電極
バッド７と対応する位置に、金属粒体挿入穴８を有する
位置決め板９を、半導体基板６の上方の半導体基板６と
接触しない程度の高さに置き１位置決め板９の金属粒体
挿入穴８が電極バッド７の真上に来るように位置決めす
る。
（２）　ついで、第２図（ｂ）に示すように、位置決め
板９上に金属粒体挿入穴８より小さな金属球１０を供給
して、位置決め板９を水平方向に振動させる。
（３）その後、第２図（ｃＪに示すように、位置決め板
９の全部の金属粒体挿入穴８に金属球１０が入ったとこ
ろで、位置決め板９の振動を停止させる。
（４）　ついで、第２図（ｄ）に示すように、位置決め
板９と半導体基板６を一諸に傾けて、位置決め板９の金
属粒体挿入穴８に入らないで残った金属球１１を排除す
る。
（５）その後、第２図（ｅ）に示すように、位置決め板
９と半導体基板６を再び水平に戻し、図示を省略したヒ
ータを内部に有する加熱ローラ１２を金属球１０上に転
動させる。こ汎により、金属球１０を加熱圧締して電極
バンド７に接合する。
（６）　こうして、第２図（ｆ）に示すようなバング電
極１３を形成した後、加熱ローラ１２と位置決め板９を
排除する。
このように、パンダ電極形成位置に位置決めした金属球
１０を加熱圧締することＫよりバング電極１３を形成で
き、従来のように化学薬品処理を必要としないので、バ
ング電極１３を安価かつ迅速に形成できる。また、工程
が簡単であるため１台の装置で実施することも可能とな
る。さらに、複数のバンプ電極１３を一度に形成するこ
ともでき、その実用的効果は大なるものがある。
発明の効果 この発明のバンプ電極形成方法によれば、バンプ電極を
安価に形成できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来方法により形成したバング電極の断面図、
第２図はこの発明の一実施例の説明図である。 ６・・・半導体基板、８・・・金属粒体挿入穴、９・・
・位置決め板、１０・・・金属球、１２・・・加熱ロー
ラ、１３・・・バング電極 （５） 第１図 第　２　Ｆ −２４３−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （υ　基板の電極形成位置上方に位置決め板の金属粒体
    挿入穴を位置決めする工程と、前記金属粒体挿入穴に金
    属粒体と挿入する工程と、＃訛金属粒体を加熱圧締して
    前記基板上に接合させる工程と、前記位置決め板を前記
    基板から取外す工程とを含むバング電極形成方法。 （２）前記金属粒体は金属球であり、前記金属粒体の加
    熱圧締は加熱ローラにより行なう特許請求の範囲第（１
    ）項記載のバンプ電極形成方法。
JP58160054A 1983-08-31 1983-08-31 バンプ電極形成方法 Pending JPS6052045A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58160054A JPS6052045A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 バンプ電極形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58160054A JPS6052045A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 バンプ電極形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6052045A true JPS6052045A (ja) 1985-03-23

Family

ID=15706907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58160054A Pending JPS6052045A (ja) 1983-08-31 1983-08-31 バンプ電極形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6052045A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0240714U (ja) * 1988-09-12 1990-03-20
US5164336A (en) * 1989-09-11 1992-11-17 Nippon Steel Corporation Method of connecting tab tape to semiconductor chip, and bump sheet and bumped tape used in the method

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5124869A (en) * 1974-08-23 1976-02-28 Mitsubishi Electric Corp Handotaisochino totsukidenkyokukeiseiho

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5124869A (en) * 1974-08-23 1976-02-28 Mitsubishi Electric Corp Handotaisochino totsukidenkyokukeiseiho

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0240714U (ja) * 1988-09-12 1990-03-20
US5164336A (en) * 1989-09-11 1992-11-17 Nippon Steel Corporation Method of connecting tab tape to semiconductor chip, and bump sheet and bumped tape used in the method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5024372A (en) Method of making high density solder bumps and a substrate socket for high density solder bumps
US5829668A (en) Method for forming solder bumps on bond pads
EP0265927B1 (en) Wire stacked bonding method
JPH1065055A (ja) ボール・グリッド・アレイを形成する方法
JPH07122594A (ja) 導電性バンプの形成方法
JPS6312142A (ja) はんだ継手の形状の制御方法
JPH0666358B2 (ja) 高密度ソルダ・バンプの製造方法と高密度ソルダ・バンプ用基板ソケット
JP2004193334A (ja) バンプ形成用シートおよびその製造方法
US7591069B2 (en) Methods of bonding solder balls to bond pads on a substrate, and bonding frames
JPS6052045A (ja) バンプ電極形成方法
JP2000323534A (ja) 半導体素子の実装構造及び実装方法
JPH06168982A (ja) フリップチップ実装構造
JPH01244630A (ja) 半導体ペレットのボンディング方法
JP2000235062A5 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3385943B2 (ja) 金バンプ付電子部品の実装方法
JPH0727929B2 (ja) 微細金属球の配列装置
JPH11214431A (ja) 電子部品及びその製造方法
JP3196845B2 (ja) バンプ電極形成方法
JPH09214117A (ja) 半田バンプの形成方法
JP3175786B2 (ja) フリップチップの実装方法
JPH02312240A (ja) バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ
JP3571398B2 (ja) バンプ形成方法とその装置
JP2551053B2 (ja) 半田供給用フィルムおよびその製造方法
JP2814681B2 (ja) 熱圧着用ボンディングヘッド
JPH11204687A (ja) バンプ形成方法及びバンプ形成装置