JPS6049691A - ハイブリツドｉｃ基板の分割方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、ハイブリッドＩＣ基板の分割方法に関するも
のである。

従来技術と問題点 従来、ハイブリッドＩＣ基板の分割方法としては、セラ
ミック基板を焼成する際に予め金型でス（１） ナンプラインを形成しておく方法、セラミック基板上に
ハイブリッドＩＣを形成する前又は形成した後にダイヤ
モンドカッター等の硬質刃物でスナップラインを形成す
る方法、あるいはセラミック基板にハイブリッドＩＣを
形成する前又は形成したのぢレーザ光を照射してスナッ
プラインを形成する方法があった。

金型を使用する方法では、鋭利な金型を使用してもセラ
ミック基板の焼成時に鋭利なスナップラインが丸みを帯
びてしまい２分割がうまく行なわれないという欠点があ
る。刃物を使用する方法でも、硬質刃物の刃先が次第に
摩耗してスナップラインが丸みを帯びてしまうという欠
点がある。レーザ光による方法でも、大電力と長時間の
照射を必要とするため生産性が低いという欠点があった
。

また、ハイブリッドＩＣの形成前に鋭利過ぎるスナップ
ラインを形成しておくと、ハイブリッドＩＣの形成中に
セラミック基板が割れてしまうという問題もある。

発明の目的 （２） 本発明は上記従来欠点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は、基板の分割が確実・容易に行え、生産性も高
いハイブリッドＩＣ基板の分割方法を提供することにあ
る。

発明の構成 上記目的を達成する本発明は、セラミック基板に丸みを
帯びた浅いスナップラインを形成し、前記セラミック基
板にハイブリッドＩＣを形成し。

前記スナップライン内にレーザ光を照射して切込みを形
成したのち２曲げ荷重を加えることにより該セラミック
基板を分割するように構成されている。

以下１本発明の更に詳細を実施例によって説明する。

発明の実施例 第１図乃至第４図は２本発明の一実施例を説明するため
のハイブリッドＩＣ基板の断面図である。

まず、第１図に示すように、セラミック基板１に丸みを
帯びた浅いスナップライン２を形成する。このスナップ
ライン２は、セラミック基板１の（３） 焼成時に金型を使用して形成してもよいし、あるいはセ
ラミック基板の焼成後に丸みを帯びた刃先の刃物を使用
して形成してもよい。

この後、第３図に示すように、スナップライン２内にレ
ーザ光を照射して、鋭利な切込みを形成する。この切込
みは、スナップラインの一部に入る場合も全部に入る場
合もある。

最後に、第４図に示すように、セラミック基板１に曲げ
荷重を加えて切込み４の箇所でセラミック基板１を分割
する。

発明の詳細 な説明したように２本発明は、セラミック基割れてしま
うという欠点が解消される。

また、予めスナップラインを形成しておく構成であるか
ら、このスナップラインの深さの分だけ（４） レーザ光による切込みを少なくすることができ。

照射時間がそれだけ少なくて済み、生産性を向上できる
という利点がある。また、最終的な切込み分割できると
いう利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は９本発明の一実ｈｔｉ例を説明する
ためのバイブリソＦ　Ｉ　Ｃ基板の要部断面図である。 ■・・セラミック基板、２・・スナップライン、３・・
ハイブリッドｒｃ、４・・レーザ光による切込み。 特許出願人　住友電気工業株式会社 代　理　人　弁理士　玉蟲久五部 （５）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 セラミック基板に丸みを帯びた浅いスナップラインを形
   成し。 前記セラミック基板にハイブリッドＩＣを形成し。 前記スナップライン内の一部又は全体にレーザ光を照射
   して切込みを形成したのち９曲げ荷重を加えることによ
   り該セラミック基板を分割することを特徴とするハイブ
   リッドＩＣ基板の分割方法