JP2004276386A - 分割用セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ光によって形成される分割溝の開口端付近に突堤部等の脆弱部分が存在しない分割用セラミック基板と、その製造方法とを提供すること。
【解決手段】セラミック基板11に設けられた分割溝13の断面形状は溝奥側の幅狭溝部13aと開口端側の面取り部13bとが連続する溝形状となっていて、面取り部13bの傾斜は幅狭溝部13aに比べて緩やかである。かかる分割溝13を形成するためには、まずセラミック基板11の表面にレーザ光12を照射する1回目のレーザスクライブを行ってブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝14を刻設し、次に照射条件を変更して2回目のレーザスクライブを行うことにより、幅狭分割溝14の開口端側を斜めに削り取った面取り部13bを形成すればよい。1回目のレーザスクライブで幅狭分割溝14の開口端付近に生じた突堤部15等の脆弱部分は面取り部13bによって除去される。
【選択図】 図2
【解決手段】セラミック基板11に設けられた分割溝13の断面形状は溝奥側の幅狭溝部13aと開口端側の面取り部13bとが連続する溝形状となっていて、面取り部13bの傾斜は幅狭溝部13aに比べて緩やかである。かかる分割溝13を形成するためには、まずセラミック基板11の表面にレーザ光12を照射する1回目のレーザスクライブを行ってブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝14を刻設し、次に照射条件を変更して2回目のレーザスクライブを行うことにより、幅狭分割溝14の開口端側を斜めに削り取った面取り部13bを形成すればよい。1回目のレーザスクライブで幅狭分割溝14の開口端付近に生じた突堤部15等の脆弱部分は面取り部13bによって除去される。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光の照射によって分割溝が設けられチップ状電子部品を多数個取りする大判基板として用いられる分割用セラミック基板と、その製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
チップ抵抗器等のチップ状電子部品を製造する際には、多数個を一括製造するために、縦横の格子状に延びる複数本の分割溝が設けられた大判の分割用セラミック基板が用いられることが多い。例えば、チップ抵抗器を製造する場合の従来技術として、まず大判のセラミック基板の表面に多数個分の抵抗素子や上下電極等を一括して形成し、該セラミック基板にレーザ光を照射して縦横に直線状に延びる複数本の分割溝を刻設した後、該セラミック基板を一方向に延びる分割溝に沿って短冊状にブレイクして短冊状分割片となし、この短冊状分割片に端面電極を形成してから、他方向に延びる分割溝に沿ってブレイクするという手法が広く知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
このようにレーザ光を照射して分割溝を形成するというレーザスクライブを行うと、大判のセラミック基板の所定位置に所望の深さの分割溝を短時間で形成することができる。そして、これらの分割溝に沿ってブレイクすることにより、該セラミック基板は個々のチップ抵抗器の絶縁基板に細分化されるので、多数個のチップ抵抗器を効率よく一括製造することができる。
【0004】
図5はかかる従来技術によってセラミック基板に分割溝を形成している様子を示す平面視説明図、図6は図5のA−A線に沿う断面図である。これらの図に示すセラミック基板1は後刻細分化される大判基板であり、所定のビーム径で照射されるレーザ光2を該セラミック基板1の表面に沿って直線状に移動させることにより、断面形状が略V字形の分割溝3が直線状に形成されていく。レーザ光2は図示せぬ収束レンズによって絞られており、レーザビームの焦点近傍がセラミック基板1の表面と合致するように設定されているため、セラミック基板1の表面に照射されるレーザ光2のビーム径は極めて小さく、それゆえ分割溝3は幅wが狭く、かつブレイク処理に好適な十分な深さdに刻設されていく。
【0005】
【特許文献1】
特開平4−241401号公報(第3頁、図1)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術において、セラミック基板1にレーザ光2を照射して形成される分割溝3を詳細に調べてみると、分割溝3の開口端のすぐ外側に基板材料からなる突堤部4が生じており、さらに、この突堤部4付近でセラミック基板1が局部的に脆くなっていることがわかる。突堤部4の生じるメカニズムや突堤部4付近が脆くなる理由は、レーザ光2の衝撃が分割溝3の開口端付近に強く作用することを考慮すると、突堤部4は基板材料が再焼結して盛り上がったとものと推察され、突堤部4付近の強度低下もレーザ光2の衝撃によるものと推察される。いずれにせよ図5,6に示す従来のセラミック基板1では、分割溝3の開口端に隣接して突堤部4等の脆弱部分が生じてしまうため、分割溝3に沿ってブレイクする際に該脆弱部分が破損する危険性があり、特に、縦横の分割溝3が交差する付近がブレイク時に破損しやすかった。したがって、かかるセラミック基板1から多数個取りされるチップ状電子部品の絶縁基板には、分割溝3が形成されていた側の四隅に欠けが生じやすく、製造歩留まりの低下や実装不良の要因となっていた。
【0007】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、レーザ光によって形成される分割溝の開口端付近に突堤部等の脆弱部分が存在せず、もってブレイク時に破損しにくい分割用セラミック基板を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、かかる分割用セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述した第1の目的を達成するために、本発明の分割用セラミック基板では、レーザ光の照射によって直線状に延びる複数本の分割溝が設けられており、各分割溝に沿ってブレイクすることにより個々のチップ状電子部品の絶縁基板に細分化される分割用セラミック基板において、前記各分割溝の断面形状を溝奥側の幅狭溝部と開口端側の面取り部とが連続する溝形状となし、前記面取り部を前記幅狭溝部に比して緩やかな傾斜に形成した。
【0009】
このように構成された分割用セラミック基板の分割溝は、ブレイク処理に好適な深さに刻設された幅狭分割溝の開口端側を幅広にすることによって形成できるので、該幅狭分割溝をレーザスクライブする過程で開口端付近に生じる突堤部等の脆弱部分を面取り部で除去するとい分割溝の形状変更を行うことにより、分割溝の開口端付近に脆弱部分が存在しないセラミック基板が得られる。こうして得られたセラミック基板は、分割溝に沿ってブレイクする際に従来懸念されていた破損を起こしにくいため、これを細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。なお、開口端側に面取り部を有する分割溝を形成するためには、照射条件を変えてレーザスクライブを2回行えばよく、1回目のレーザスクライブではブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝を刻設しておき、その過程で該幅狭分割溝の開口端付近に生じる脆弱部分を、面取り部を形成する2回目のレーザスクライブで除去すればよい。
【0010】
また、上述した第2の目的を達成するために、本発明による分割用セラミック基板の製造方法では、セラミック基板の表面に1回目のレーザ光照射を行って直線状に延びる複数本の分割溝を刻設した後、レーザ光のビームの焦点位置と該セラミック基板との間隔を変更し、前記1回目のレーザ光照射時よりも幅広で浅い溝が形成されるように設定した状態で前記各分割溝に対し2回目のレーザ光照射を行うことにより、該分割溝の開口端側に溝奥側よりも傾斜が緩やかな面取り部を形成することとした。
【0011】
このように1回目のレーザスクライブによってセラミック基板のブレイク処理に好適な深さの分割溝を刻設した後、レーザビームの焦点位置と該セラミック基板との間隔を変更し、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、該分割溝に対し2回目のレーザスクライブを行えば、1回目のレーザスクライブで該分割溝の開口端付近に生じた突堤部等の脆弱部分を除去しうる面取り部を形成することができる。これにより、レーザ光の照射によって形成される分割溝の開口端付近に脆弱部分が存在しないセラミック基板を容易に製造でき、このセラミック基板は分割溝に沿ってブレイクする際に従来懸念されていた破損を起こしにくいため、これを細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を図面を参照して説明すると、図1は実施形態例に係るセラミック基板の分割溝に面取り部を形成している様子を示す平面視説明図、図2は図1のB−B線に沿う断面図、図3は図1のC−C線に沿う断面図、図4は該セラミック基板からチップ抵抗器を製造する工程を示すフローチャートである。
【0013】
図1,2に示すセラミック基板11は後刻細分化される大判基板であり、該セラミック基板11の表面には、レーザ光12を照射するというレーザスクライブによって縦横に直線状に延びる複数本の分割溝13が設けらている。図2に示すように、各分割溝13の断面形状は溝奥側の幅狭溝部13aと開口端側の面取り部13bとが連続する溝形状となっていて、幅狭溝部13aの傾斜が急峻であるのに対し面取り部13bの傾斜は緩やかであり、それゆえ分割溝13の開口端はやや幅広になっている。このような断面形状の分割溝13は、照射条件を変えてレーザスクライブを2回行うことにより容易に形成できる。
【0014】
すなわち、まず、図示せぬ収束レンズによって絞られたレーザビームの焦点Fの近傍を、図3に示すようにセラミック基板11の表面と合致させた状態で、該セラミック基板11の表面にレーザ光12を照射する1回目のレーザスクライブを行い、このレーザ光12をセラミック基板11の表面に沿って直線状に移動させていく。これにより、ブレイク処理に好適な深さdに刻設された断面形状が略V字形の幅狭分割溝14が直線状に形成されていくが、この幅狭分割溝14の開口端付近には突堤部15等の脆弱部分が生じている。次に、図2に示すように、レーザビームの焦点Fとセラミック基板11との間隔を変更し、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、図1に示すように幅狭分割溝14に対し2回目のレーザスクライブを行い、レーザ光12をセラミック基板11の表面に沿って直線状に移動させていく。具体的には、図2,3に示すように、2回目のレーザスクライブでは1回目のレーザスクライブに比べてレーザビームの焦点Fがセラミック基板11の表面から遠ざけてあり、そのため2回目のレーザスクライブでは、セラミック基板11の表面に照射されるレーザ光12のビーム径が1回目よりも大きくなっている。ただし、図2中に破線で示すように、レーザビームの焦点Fを同図の下方へ所定量移動させた場合にも、同等のビーム径のレーザ光12をセラミック基板11の表面に照射させることはできる。こうして2回目のレーザスクライブを行うことにより、幅狭分割溝14の開口端側を斜めに削り取った面取り部13bが形成されるため、突堤部15等の脆弱部分が除去されると共に、2回目のレーザスクライブの影響をほとんど受けない溝奥側が1回目のレーザスクライブによって刻設された幅狭溝部13aとして残される。
【0015】
一例として、レーザ加工機のパワーを27A、レーザ光を直線状に移動させるスピードを90mm/秒、Qレートを30KHz、集光レンズ前のレーザ径をφ7mm、焦点距離を50mmとしたとき、1回目のレーザスクライブを行うことにより幅寸法が25〜30μmの幅狭分割溝14が形成され、この幅狭分割溝14の開口端の外側約10μmの範囲内に突堤部15が生じた。しかる後、セラミック基板11の表面からレーザビームの焦点Fまでの距離sを0.4〜0.5mmに広げて2回目のレーザスクライブを行ったところ、面取り幅tが14〜19μmの面取り部13bが形成され、突堤部15とその近傍が確実に除去されて図2に示すような分割溝13が得られた。
【0016】
このように1回目のレーザスクライブによってセラミック基板11のブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝14を刻設した後、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、幅狭分割溝14に対し2回目のレーザスクライブを行えば、1回目のレーザスクライブで幅狭分割溝14の開口端付近に生じた突堤部15等の脆弱部分を除去しうる面取り部13bを形成することができるので、この後、セラミック基板11を分割溝13に沿ってブレイクしても、該分割溝13の開口端付近が破損する危険性は低く、それゆえ該セラミック基板11を細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。
【0017】
次に、上述したセラミック基板11からチップ抵抗器を製造する際の手順を、図4のフローチャートに基づいて説明する。
【0018】
まず、ステップS1に示すように、アルミナ等のセラミック材料を主成分とするグリーンシートを焼成してセラミック基板11を準備した後、ステップS2に示すように、このセラミック基板11の上面に1回目のレーザスクライブを行い、縦横に直線状に延びる複数本の幅狭分割溝14を刻設する。しかる後、ステップS3に示すように、各幅狭分割溝14をなぞるようにして照射条件を変えた2回目のレーザスクライブを行い、各幅狭分割溝14の開口端付近を面取りすることにより、幅狭分割溝14をすべて幅広な分割溝13となす。
【0019】
次いで、ステップS4に示すように、セラミック基板11の上下両面にそれぞれ、多数個のチップ抵抗器に対応する上部電極と下部電極をスクリーン印刷によって一括形成する。また、ステップS5に示すように、セラミック基板11の上面に多数個のチップ抵抗器に対応する抵抗体をスクリーン印刷によって一括形成し、各抵抗体の両端部を上部電極と重ね合わせる。そして、各抵抗体をレーザトリミングして抵抗値の調整を行った後、ステップS6に示すように、セラミック基板11の上面に、各抵抗体を被覆する保護膜をスクリーン印刷によって形成する。ただし、ステップS2とS3はステップS1とS6間のいずれのタイミングで行ってもよく、すなわち、保護膜の形成前であれば上部電極や抵抗体の形成後に1回目と2回目のレーザスクライブを行うことも可能であり、また、ステップS4とS5は順序が逆でもよい。
【0020】
この後、ステップS7に示すように、一方向に延びる分割溝13に沿ってセラミック基板11を短冊状にブレイク(1次分割)して短冊状分割片となし、さらにステップS8に示すように、該短冊状分割片の長手方向に延びる両側面にスパッタリング等によって端面電極を形成する。そして、ステップS9に示すように、他方向に延びる分割溝13に沿って該短冊状分割片をブレイク(2次分割)して個々のチップ単体に分離した後、ステップS10に示すように、各チップ単体の電極部分にめっき処理を施すことにより、多数個のチップ抵抗器を効率よく製造することができる。
【0021】
上述したように大判のセラミック基板11にレーザスクライブを2回行って分割溝13を形成するという手法を採用していることから、こうして製造されたチップ抵抗器の絶縁基板には欠けが生じにくく、それゆえ製造歩留まりが良好となって実装不良も大幅に低減できる。
【0022】
なお、チップ抵抗器以外のチップ状電子部品であっても、その絶縁基板が大判のセラミック基板から多数個取りされるものであれば、本発明を適用可能であることは言うまでもない。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0024】
分割溝の開口端側に溝奥側よりも傾斜が緩やかな面取り部を設けた分割用セラミック基板であって、その分割溝はブレイク処理に好適な深さに刻設された幅狭分割溝の開口端側を幅広にすることによって形成できるので、該幅狭分割溝をレーザスクライブする過程で開口端付近に生じる突堤部等の脆弱部分を面取り部で除去するという分割溝の形状変更を行うことにより、分割溝の開口端付近に脆弱部分の存在しないセラミック基板が得られる。こうして得られたセラミック基板は、分割溝に沿ってブレイクする際に懸念されていた破損を起こしにくいため、これを細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。
【0025】
また、1回目のレーザスクライブでブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝を刻設した後、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、該幅狭分割溝の開口端付近に生じた脆弱部分を除去しうる面取り部を2回目のレーザスクライブで形成するという手法を採用することにより、分割溝の開口端側に所望の面取り部を容易に形成することができるので、分割溝に沿ってブレイクする際に懸念されていた破損を起こしにくい優れた分割用セラミック基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態例に係るセラミック基板の分割溝に面取り部を形成している様子を示す平面視説明図である。
【図2】図1のB−B線に沿う断面図である。
【図3】図1のC−C線に沿う断面図である。
【図4】該セラミック基板からチップ抵抗器を製造する工程を示すフローチャートである。
【図5】従来例に係るセラミック基板に分割溝を形成している様子を示す平面視説明図である。
【図6】図5のA−A線に沿う断面図である。
【符号の説明】
11 セラミック基板
12 レーザ光
13 分割溝
13a 幅狭溝部
13b 面取り部
14 幅狭分割溝
15 突堤部
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光の照射によって分割溝が設けられチップ状電子部品を多数個取りする大判基板として用いられる分割用セラミック基板と、その製造方法とに関する。
【0002】
【従来の技術】
チップ抵抗器等のチップ状電子部品を製造する際には、多数個を一括製造するために、縦横の格子状に延びる複数本の分割溝が設けられた大判の分割用セラミック基板が用いられることが多い。例えば、チップ抵抗器を製造する場合の従来技術として、まず大判のセラミック基板の表面に多数個分の抵抗素子や上下電極等を一括して形成し、該セラミック基板にレーザ光を照射して縦横に直線状に延びる複数本の分割溝を刻設した後、該セラミック基板を一方向に延びる分割溝に沿って短冊状にブレイクして短冊状分割片となし、この短冊状分割片に端面電極を形成してから、他方向に延びる分割溝に沿ってブレイクするという手法が広く知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
このようにレーザ光を照射して分割溝を形成するというレーザスクライブを行うと、大判のセラミック基板の所定位置に所望の深さの分割溝を短時間で形成することができる。そして、これらの分割溝に沿ってブレイクすることにより、該セラミック基板は個々のチップ抵抗器の絶縁基板に細分化されるので、多数個のチップ抵抗器を効率よく一括製造することができる。
【0004】
図5はかかる従来技術によってセラミック基板に分割溝を形成している様子を示す平面視説明図、図6は図5のA−A線に沿う断面図である。これらの図に示すセラミック基板1は後刻細分化される大判基板であり、所定のビーム径で照射されるレーザ光2を該セラミック基板1の表面に沿って直線状に移動させることにより、断面形状が略V字形の分割溝3が直線状に形成されていく。レーザ光2は図示せぬ収束レンズによって絞られており、レーザビームの焦点近傍がセラミック基板1の表面と合致するように設定されているため、セラミック基板1の表面に照射されるレーザ光2のビーム径は極めて小さく、それゆえ分割溝3は幅wが狭く、かつブレイク処理に好適な十分な深さdに刻設されていく。
【0005】
【特許文献1】
特開平4−241401号公報(第3頁、図1)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術において、セラミック基板1にレーザ光2を照射して形成される分割溝3を詳細に調べてみると、分割溝3の開口端のすぐ外側に基板材料からなる突堤部4が生じており、さらに、この突堤部4付近でセラミック基板1が局部的に脆くなっていることがわかる。突堤部4の生じるメカニズムや突堤部4付近が脆くなる理由は、レーザ光2の衝撃が分割溝3の開口端付近に強く作用することを考慮すると、突堤部4は基板材料が再焼結して盛り上がったとものと推察され、突堤部4付近の強度低下もレーザ光2の衝撃によるものと推察される。いずれにせよ図5,6に示す従来のセラミック基板1では、分割溝3の開口端に隣接して突堤部4等の脆弱部分が生じてしまうため、分割溝3に沿ってブレイクする際に該脆弱部分が破損する危険性があり、特に、縦横の分割溝3が交差する付近がブレイク時に破損しやすかった。したがって、かかるセラミック基板1から多数個取りされるチップ状電子部品の絶縁基板には、分割溝3が形成されていた側の四隅に欠けが生じやすく、製造歩留まりの低下や実装不良の要因となっていた。
【0007】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、レーザ光によって形成される分割溝の開口端付近に突堤部等の脆弱部分が存在せず、もってブレイク時に破損しにくい分割用セラミック基板を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、かかる分割用セラミック基板の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述した第1の目的を達成するために、本発明の分割用セラミック基板では、レーザ光の照射によって直線状に延びる複数本の分割溝が設けられており、各分割溝に沿ってブレイクすることにより個々のチップ状電子部品の絶縁基板に細分化される分割用セラミック基板において、前記各分割溝の断面形状を溝奥側の幅狭溝部と開口端側の面取り部とが連続する溝形状となし、前記面取り部を前記幅狭溝部に比して緩やかな傾斜に形成した。
【0009】
このように構成された分割用セラミック基板の分割溝は、ブレイク処理に好適な深さに刻設された幅狭分割溝の開口端側を幅広にすることによって形成できるので、該幅狭分割溝をレーザスクライブする過程で開口端付近に生じる突堤部等の脆弱部分を面取り部で除去するとい分割溝の形状変更を行うことにより、分割溝の開口端付近に脆弱部分が存在しないセラミック基板が得られる。こうして得られたセラミック基板は、分割溝に沿ってブレイクする際に従来懸念されていた破損を起こしにくいため、これを細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。なお、開口端側に面取り部を有する分割溝を形成するためには、照射条件を変えてレーザスクライブを2回行えばよく、1回目のレーザスクライブではブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝を刻設しておき、その過程で該幅狭分割溝の開口端付近に生じる脆弱部分を、面取り部を形成する2回目のレーザスクライブで除去すればよい。
【0010】
また、上述した第2の目的を達成するために、本発明による分割用セラミック基板の製造方法では、セラミック基板の表面に1回目のレーザ光照射を行って直線状に延びる複数本の分割溝を刻設した後、レーザ光のビームの焦点位置と該セラミック基板との間隔を変更し、前記1回目のレーザ光照射時よりも幅広で浅い溝が形成されるように設定した状態で前記各分割溝に対し2回目のレーザ光照射を行うことにより、該分割溝の開口端側に溝奥側よりも傾斜が緩やかな面取り部を形成することとした。
【0011】
このように1回目のレーザスクライブによってセラミック基板のブレイク処理に好適な深さの分割溝を刻設した後、レーザビームの焦点位置と該セラミック基板との間隔を変更し、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、該分割溝に対し2回目のレーザスクライブを行えば、1回目のレーザスクライブで該分割溝の開口端付近に生じた突堤部等の脆弱部分を除去しうる面取り部を形成することができる。これにより、レーザ光の照射によって形成される分割溝の開口端付近に脆弱部分が存在しないセラミック基板を容易に製造でき、このセラミック基板は分割溝に沿ってブレイクする際に従来懸念されていた破損を起こしにくいため、これを細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を図面を参照して説明すると、図1は実施形態例に係るセラミック基板の分割溝に面取り部を形成している様子を示す平面視説明図、図2は図1のB−B線に沿う断面図、図3は図1のC−C線に沿う断面図、図4は該セラミック基板からチップ抵抗器を製造する工程を示すフローチャートである。
【0013】
図1,2に示すセラミック基板11は後刻細分化される大判基板であり、該セラミック基板11の表面には、レーザ光12を照射するというレーザスクライブによって縦横に直線状に延びる複数本の分割溝13が設けらている。図2に示すように、各分割溝13の断面形状は溝奥側の幅狭溝部13aと開口端側の面取り部13bとが連続する溝形状となっていて、幅狭溝部13aの傾斜が急峻であるのに対し面取り部13bの傾斜は緩やかであり、それゆえ分割溝13の開口端はやや幅広になっている。このような断面形状の分割溝13は、照射条件を変えてレーザスクライブを2回行うことにより容易に形成できる。
【0014】
すなわち、まず、図示せぬ収束レンズによって絞られたレーザビームの焦点Fの近傍を、図3に示すようにセラミック基板11の表面と合致させた状態で、該セラミック基板11の表面にレーザ光12を照射する1回目のレーザスクライブを行い、このレーザ光12をセラミック基板11の表面に沿って直線状に移動させていく。これにより、ブレイク処理に好適な深さdに刻設された断面形状が略V字形の幅狭分割溝14が直線状に形成されていくが、この幅狭分割溝14の開口端付近には突堤部15等の脆弱部分が生じている。次に、図2に示すように、レーザビームの焦点Fとセラミック基板11との間隔を変更し、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、図1に示すように幅狭分割溝14に対し2回目のレーザスクライブを行い、レーザ光12をセラミック基板11の表面に沿って直線状に移動させていく。具体的には、図2,3に示すように、2回目のレーザスクライブでは1回目のレーザスクライブに比べてレーザビームの焦点Fがセラミック基板11の表面から遠ざけてあり、そのため2回目のレーザスクライブでは、セラミック基板11の表面に照射されるレーザ光12のビーム径が1回目よりも大きくなっている。ただし、図2中に破線で示すように、レーザビームの焦点Fを同図の下方へ所定量移動させた場合にも、同等のビーム径のレーザ光12をセラミック基板11の表面に照射させることはできる。こうして2回目のレーザスクライブを行うことにより、幅狭分割溝14の開口端側を斜めに削り取った面取り部13bが形成されるため、突堤部15等の脆弱部分が除去されると共に、2回目のレーザスクライブの影響をほとんど受けない溝奥側が1回目のレーザスクライブによって刻設された幅狭溝部13aとして残される。
【0015】
一例として、レーザ加工機のパワーを27A、レーザ光を直線状に移動させるスピードを90mm/秒、Qレートを30KHz、集光レンズ前のレーザ径をφ7mm、焦点距離を50mmとしたとき、1回目のレーザスクライブを行うことにより幅寸法が25〜30μmの幅狭分割溝14が形成され、この幅狭分割溝14の開口端の外側約10μmの範囲内に突堤部15が生じた。しかる後、セラミック基板11の表面からレーザビームの焦点Fまでの距離sを0.4〜0.5mmに広げて2回目のレーザスクライブを行ったところ、面取り幅tが14〜19μmの面取り部13bが形成され、突堤部15とその近傍が確実に除去されて図2に示すような分割溝13が得られた。
【0016】
このように1回目のレーザスクライブによってセラミック基板11のブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝14を刻設した後、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、幅狭分割溝14に対し2回目のレーザスクライブを行えば、1回目のレーザスクライブで幅狭分割溝14の開口端付近に生じた突堤部15等の脆弱部分を除去しうる面取り部13bを形成することができるので、この後、セラミック基板11を分割溝13に沿ってブレイクしても、該分割溝13の開口端付近が破損する危険性は低く、それゆえ該セラミック基板11を細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。
【0017】
次に、上述したセラミック基板11からチップ抵抗器を製造する際の手順を、図4のフローチャートに基づいて説明する。
【0018】
まず、ステップS1に示すように、アルミナ等のセラミック材料を主成分とするグリーンシートを焼成してセラミック基板11を準備した後、ステップS2に示すように、このセラミック基板11の上面に1回目のレーザスクライブを行い、縦横に直線状に延びる複数本の幅狭分割溝14を刻設する。しかる後、ステップS3に示すように、各幅狭分割溝14をなぞるようにして照射条件を変えた2回目のレーザスクライブを行い、各幅狭分割溝14の開口端付近を面取りすることにより、幅狭分割溝14をすべて幅広な分割溝13となす。
【0019】
次いで、ステップS4に示すように、セラミック基板11の上下両面にそれぞれ、多数個のチップ抵抗器に対応する上部電極と下部電極をスクリーン印刷によって一括形成する。また、ステップS5に示すように、セラミック基板11の上面に多数個のチップ抵抗器に対応する抵抗体をスクリーン印刷によって一括形成し、各抵抗体の両端部を上部電極と重ね合わせる。そして、各抵抗体をレーザトリミングして抵抗値の調整を行った後、ステップS6に示すように、セラミック基板11の上面に、各抵抗体を被覆する保護膜をスクリーン印刷によって形成する。ただし、ステップS2とS3はステップS1とS6間のいずれのタイミングで行ってもよく、すなわち、保護膜の形成前であれば上部電極や抵抗体の形成後に1回目と2回目のレーザスクライブを行うことも可能であり、また、ステップS4とS5は順序が逆でもよい。
【0020】
この後、ステップS7に示すように、一方向に延びる分割溝13に沿ってセラミック基板11を短冊状にブレイク(1次分割)して短冊状分割片となし、さらにステップS8に示すように、該短冊状分割片の長手方向に延びる両側面にスパッタリング等によって端面電極を形成する。そして、ステップS9に示すように、他方向に延びる分割溝13に沿って該短冊状分割片をブレイク(2次分割)して個々のチップ単体に分離した後、ステップS10に示すように、各チップ単体の電極部分にめっき処理を施すことにより、多数個のチップ抵抗器を効率よく製造することができる。
【0021】
上述したように大判のセラミック基板11にレーザスクライブを2回行って分割溝13を形成するという手法を採用していることから、こうして製造されたチップ抵抗器の絶縁基板には欠けが生じにくく、それゆえ製造歩留まりが良好となって実装不良も大幅に低減できる。
【0022】
なお、チップ抵抗器以外のチップ状電子部品であっても、その絶縁基板が大判のセラミック基板から多数個取りされるものであれば、本発明を適用可能であることは言うまでもない。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0024】
分割溝の開口端側に溝奥側よりも傾斜が緩やかな面取り部を設けた分割用セラミック基板であって、その分割溝はブレイク処理に好適な深さに刻設された幅狭分割溝の開口端側を幅広にすることによって形成できるので、該幅狭分割溝をレーザスクライブする過程で開口端付近に生じる突堤部等の脆弱部分を面取り部で除去するという分割溝の形状変更を行うことにより、分割溝の開口端付近に脆弱部分の存在しないセラミック基板が得られる。こうして得られたセラミック基板は、分割溝に沿ってブレイクする際に懸念されていた破損を起こしにくいため、これを細分化して得られるチップ状電子部品の絶縁基板に欠けが生じにくくなる。
【0025】
また、1回目のレーザスクライブでブレイク処理に好適な深さの幅狭分割溝を刻設した後、1回目のレーザスクライブよりも幅広で浅い溝が形成されるように照射条件を変えたうえで、該幅狭分割溝の開口端付近に生じた脆弱部分を除去しうる面取り部を2回目のレーザスクライブで形成するという手法を採用することにより、分割溝の開口端側に所望の面取り部を容易に形成することができるので、分割溝に沿ってブレイクする際に懸念されていた破損を起こしにくい優れた分割用セラミック基板を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態例に係るセラミック基板の分割溝に面取り部を形成している様子を示す平面視説明図である。
【図2】図1のB−B線に沿う断面図である。
【図3】図1のC−C線に沿う断面図である。
【図4】該セラミック基板からチップ抵抗器を製造する工程を示すフローチャートである。
【図5】従来例に係るセラミック基板に分割溝を形成している様子を示す平面視説明図である。
【図6】図5のA−A線に沿う断面図である。
【符号の説明】
11 セラミック基板
12 レーザ光
13 分割溝
13a 幅狭溝部
13b 面取り部
14 幅狭分割溝
15 突堤部
Claims (2)
- レーザ光の照射によって直線状に延びる複数本の分割溝が設けられており、各分割溝に沿ってブレイクすることにより個々のチップ状電子部品の絶縁基板に細分化される分割用セラミック基板において、
前記各分割溝の断面形状を溝奥側の幅狭溝部と開口端側の面取り部とが連続する溝形状となし、前記面取り部を前記幅狭溝部に比して緩やかな傾斜に形成したことを特徴とする分割用セラミック基板。 - セラミック基板の表面に1回目のレーザ光照射を行って直線状に延びる複数本の分割溝を刻設した後、レーザ光のビームの焦点位置と該セラミック基板との間隔を変更し、前記1回目のレーザ光照射時よりも幅広で浅い溝が形成されるように設定した状態で前記各分割溝に対し2回目のレーザ光照射を行うことにより、該分割溝の開口端側に溝奥側よりも傾斜が緩やかな面取り部を形成することを特徴とする分割用セラミック基板の製造方法。
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