JPS60124485A - セラミツク基板のレ−ザ−加工方法およびその基板 - Google Patents

セラミツク基板のレ−ザ−加工方法およびその基板

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JPS60124485A
JPS60124485A JP58231427A JP23142783A JPS60124485A JP S60124485 A JPS60124485 A JP S60124485A JP 58231427 A JP58231427 A JP 58231427A JP 23142783 A JP23142783 A JP 23142783A JP S60124485 A JPS60124485 A JP S60124485A
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JP
Japan
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ceramic substrate
substrate
laser light
ceramic
hole
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JP58231427A
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JPH0261357B2 (ja
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Shiyougo Ootani
大谷　鉦吾
Fujio Niwa
丹羽　藤雄
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Nippon Tokushu Togyo KK
Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
Nippon Tokushu Togyo KK
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、セラミック基板にレーザー光線による溝加
工を行なう方法およびそれに使用するセ従来、セラミッ
ク基板に溝入れ加工を行なう方法としては、金型による
成形方法があるが、この方法によると寸法精度が上らず
、その上製造工程に長時間を費す等の欠点があった。こ
れに代るものとして近年急速に発達したレーザー光線に
よる加工技術を取入れ、セラミック基板に寸法精度の高
い溝入れ加工を短時間に製作する方法が使用されている
。しかし、この方法はレーザー光線によってセラミック
を瞬時に溶解して溝入れ切断を行なうため熱の影響でセ
ラミックが急熱急冷されて割れ、クラックを発生する場
合があった。特に交叉する溝、鋭角にカーブする曲線等
にあっては、加工面に対してレーザー光線の移動が瞬間
的に停止状態となり、レーザー光線が部分的に多量に照
射され、顕著に発生する欠点があった。
この発明は、上記の欠点に鑑みなされたものであって、
セラミック基板上に細大を施した後、該細大を通るよう
にレーザー光線区よって溝加工を行なうようにした加工
方法を採用することによつを施したセラミック板を能率
良く、製作することを目的としたものである。
この発明に係る方法およびそれに使用されるセラミック
板の構成を図面に示す実施例によって以下詳細に説明す
る。
セラミック基板（１１上に加工予定溝線の交点部分に第
１図の如く細大（２）をレーザー光線によって穿設する
。この細穴（２）は基板（１）の板厚が１鱈の場合は０
．５簡グ、０６Ｗ＠の場合０．３　ｍダ程度であって、
その深さは加工溝の深さとする。次いで該セラミック基
板（１）にレーザー光線によって溝線（３）を細大（２
）を通るように第２図の如くＴ字状に入れる。またこの
溝線（３）と細大（２）は第３図の如くＬ字状の溝線０
騰の直角部分に細穴αりを穿設しておく。あるいは鋭角
にカーブする曲線の溝線の場合は−、その曲。
線部分に間隔をおいて細大を穿設しておく。
以上、詳述したように、この発明の加工方法によれば、
予じめ細大が施されているため、レーザー光線によって
溝線が入れられる際、交点部分で一時的にレーザー光線
が停止しても、セラミック基板が局部的に急熱すること
がないので、割れ、クラックを発生することなく寸法精
度の高い溝線を切ることができ、かつ迅速に能率良く製
作することができる等の種々の優れた効果を生ずるもの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の第１実施例の第１工程後の平面図、
第２図は同じく加工後の平面図、第３図は同じく第２実
施例の加工後の平面図を示す。 （１）・・・・・・セラミック基板、　（２）・・・・
・・細穴、　（３）・・・・・・溝線。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）溝加工が行なわれるセラミック基板上に加工予定
    溝線の交点部分または鋭角にカーブする曲１部分に予じ
    め細大を施し、しかる後、該細穴を通るようにレーザー
    光線によって溝加工を施すことを特徴とするセラミック
    基板のレーザー加工方法。
  2. （２）セラミックの基板上に加工予定溝線の交点部分ま
    たは鋭角にカーブする曲線部分に細穴を施してなること
    を特徴とするレーザー加工を施すセラミック基板。
JP58231427A 1983-12-09 1983-12-09 セラミツク基板のレ−ザ−加工方法およびその基板 Granted JPS60124485A (ja)

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JPS60124485A true JPS60124485A (ja) 1985-07-03
JPH0261357B2 JPH0261357B2 (ja) 1990-12-19

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01100989A (ja) * 1987-10-14 1989-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミック基板の構造
US6765174B2 (en) 2001-02-05 2004-07-20 Denso Corporation Method for machining grooves by a laser and honeycomb structure forming die and method for producing the same die
CN101939129A (zh) * 2007-11-07 2011-01-05 陶瓷技术股份公司 用于激光蚀刻脆性构件的方法

Cited By (4)

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CN101939129A (zh) * 2007-11-07 2011-01-05 陶瓷技术股份公司 用于激光蚀刻脆性构件的方法

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