JPS6293091A - エネルギ−ビ−ム穴あけ加工方法 - Google Patents
エネルギ−ビ−ム穴あけ加工方法Info
- Publication number
- JPS6293091A JPS6293091A JP60232654A JP23265485A JPS6293091A JP S6293091 A JPS6293091 A JP S6293091A JP 60232654 A JP60232654 A JP 60232654A JP 23265485 A JP23265485 A JP 23265485A JP S6293091 A JPS6293091 A JP S6293091A
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- JP
- Japan
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- thin film
- hole
- energy beam
- work
- film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高エネルギービームを用いた穴あけ加工方
法に関するものである。
法に関するものである。
高エネルギービームによる穴あけ加工方法については１
例えば「Ｖ−ザ加工技術」用澄博通著。
例えば「Ｖ−ザ加工技術」用澄博通著。
日刊工業新聞社刊、ｐ１４０に示されＣ２す、第３図（
ａ） （ｂ）は各々このような従来のエネルギービーム
穴あけ加工方法を模式的に示す斜視図及び断面図である
。
ａ） （ｂ）は各々このような従来のエネルギービーム
穴あけ加工方法を模式的に示す斜視図及び断面図である
。
一ザビーム（３）は被加工物、（４）は被加工物（３）
の溶融物、（５）は加工穴である。
の溶融物、（５）は加工穴である。
次に動作について説明する。第３図（ａ）に示すように
、レーザビーム（１）を直接被加工物（３）にあてて局
部的に加熱し、溶融、蒸発せしめることにより穴あけ加
工を行う。
、レーザビーム（１）を直接被加工物（３）にあてて局
部的に加熱し、溶融、蒸発せしめることにより穴あけ加
工を行う。
第３図（ｂ）は、こｎによって加工された加工穴（５）
とその周辺１こ付漕し１こ溶融物（４）の断面を示すも
のである。
とその周辺１こ付漕し１こ溶融物（４）の断面を示すも
のである。
従来のエネルギービーム穴あけ加工方法は以上のように
行なわれているので、加工に寄与しないエネルギービー
ムのエネルギー密度の低い部分も被加工９１０３１に照
射してしまう為番こ第３図（ｂ）のように加工穴（５）
周辺は、テーパー状の断面となり２また溶融物（４）の
除去も困難であるｆｌどの問題点があった。
行なわれているので、加工に寄与しないエネルギービー
ムのエネルギー密度の低い部分も被加工９１０３１に照
射してしまう為番こ第３図（ｂ）のように加工穴（５）
周辺は、テーパー状の断面となり２また溶融物（４）の
除去も困難であるｆｌどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する１こめになさ
れたもので、エネルギービームのエネルギー密度の高い
部分だけを選択的１こ照射できるとともｔこ、溶融物を
容易１こ除去できる穴あけ加工方法を得ることを目的と
する０ 〔問題αを解決するための手段〕 この発明１こ係るエネルギービーム穴あけ加工方法（ま
、被加工物１こ薄膜を密着させ′Ｃその上からエネルギ
ービームを照射し、照射後溶融物を薄膜とともに除去す
るように構成したものである。
れたもので、エネルギービームのエネルギー密度の高い
部分だけを選択的１こ照射できるとともｔこ、溶融物を
容易１こ除去できる穴あけ加工方法を得ることを目的と
する０ 〔問題αを解決するための手段〕 この発明１こ係るエネルギービーム穴あけ加工方法（ま
、被加工物１こ薄膜を密着させ′Ｃその上からエネルギ
ービームを照射し、照射後溶融物を薄膜とともに除去す
るように構成したものである。
この発明におけるエネルギービーム穴あけ加工方法ＣＪ
、破加工嘲に密着しｆこ薄膜番こよりエネルギービーム
のエネルギー密度の低い部分がカットされ、テーパーの
ない穴あけ加工を行う。また、加工後薄膜を除去するこ
とにより薄膜上に付着する溶融物も同時（こ除去され、
溶融物を容易に除去する０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。Ｊ１
図（ａ） （ｂ） （ｃ）は各々この発明の一実施例に
よるエネルギービーム穴６け加工方法を模式的に示す、
１１Ｆ戊図及び断面図でるる。
、破加工嘲に密着しｆこ薄膜番こよりエネルギービーム
のエネルギー密度の低い部分がカットされ、テーパーの
ない穴あけ加工を行う。また、加工後薄膜を除去するこ
とにより薄膜上に付着する溶融物も同時（こ除去され、
溶融物を容易に除去する０ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図について説明する。Ｊ１
図（ａ） （ｂ） （ｃ）は各々この発明の一実施例に
よるエネルギービーム穴６け加工方法を模式的に示す、
１１Ｆ戊図及び断面図でるる。
第１図において、（１）はエネルギービームで例えばン
ーザビーム、（２）はアルミ箔等の薄膜、（３）は被加
工物、（４）は被加工物の溶融物、（５）は加工穴であ
る０ 欠１こ動作について説明する。
ーザビーム、（２）はアルミ箔等の薄膜、（３）は被加
工物、（４）は被加工物の溶融物、（５）は加工穴であ
る０ 欠１こ動作について説明する。
第１図（１）（こおいて、被加工物表面上（こ密着し１
こ薄膜（２）を通して被加工物（３）にエネルギービー
ム（１）を照射する。この時、薄膜の材質や板厚番こよ
り異なるがエネルギービームの低エネルイ・−密度（１
０２〜ｉｏ”Ｗ／ｄ程度以下）の部分は薄膜によって減
衰され、エネルギービームの中心付近にある高エネルギ
ー密度＜＞１ｏｂｗ７ｃｒｔｔ程度）の部分だけがエネ
ルギーを始んどそこなわずに被加工物に照射されるＯ 第２図はテーパーの１よい穴あけ加工を行うｆこめ番こ
、エネルギービームを薄膜を用いてエネルギー密度の高
い部分のみ選択的１こ照射する原理を模式的に表わす説
明図である。第２図（ａ） （ｂ）は従来の方法を、第
２図（ｃ） （ｄ）はこの発明の方法を表わしている。
こ薄膜（２）を通して被加工物（３）にエネルギービー
ム（１）を照射する。この時、薄膜の材質や板厚番こよ
り異なるがエネルギービームの低エネルイ・−密度（１
０２〜ｉｏ”Ｗ／ｄ程度以下）の部分は薄膜によって減
衰され、エネルギービームの中心付近にある高エネルギ
ー密度＜＞１ｏｂｗ７ｃｒｔｔ程度）の部分だけがエネ
ルギーを始んどそこなわずに被加工物に照射されるＯ 第２図はテーパーの１よい穴あけ加工を行うｆこめ番こ
、エネルギービームを薄膜を用いてエネルギー密度の高
い部分のみ選択的１こ照射する原理を模式的に表わす説
明図である。第２図（ａ） （ｂ）は従来の方法を、第
２図（ｃ） （ｄ）はこの発明の方法を表わしている。
第２図（ａ）（ｂ）＋こ示ず従来の方法では被加工物の
表面上のエネルギービームのエネルギー密度分布は、第
２図（ｂ） ＋こ示すように、中心付近のエネルギー密
度は高く、ビームのはじの部分のエネルギー密度は低く
なっている。この低いエネル−￥” −密ｊＫの部分が
穴あけ加工には寄与せず、余剰であるために第３図（ｂ
）に示すようなテーパ状の穴があい−Ｃしまう。
表面上のエネルギービームのエネルギー密度分布は、第
２図（ｂ） ＋こ示すように、中心付近のエネルギー密
度は高く、ビームのはじの部分のエネルギー密度は低く
なっている。この低いエネル−￥” −密ｊＫの部分が
穴あけ加工には寄与せず、余剰であるために第３図（ｂ
）に示すようなテーパ状の穴があい−Ｃしまう。
そこで第２図（Ｃ）のように薄膜（２）を用いて低エネ
ルギー密度の部分をカットし、第２図（ｄ） ｌこ示す
ようなエネルギー密度の透過ビームを被加工物（３）に
照射すること孟こよってテーパーのない加工穴を得る。
ルギー密度の部分をカットし、第２図（ｄ） ｌこ示す
ようなエネルギー密度の透過ビームを被加工物（３）に
照射すること孟こよってテーパーのない加工穴を得る。
（第２図（Ｃ）では便宜上、わかりやす（するために薄
膜（２）と被加工物（３）を密着させていない）。
膜（２）と被加工物（３）を密着させていない）。
第１図（ｂ）は、第２図で説明した効果によって、テー
パーのない加工穴（５）が得られγこことを示す。
パーのない加工穴（５）が得られγこことを示す。
また、被加工物（３）の溶融物（４）は薄膜（２）上に
付着することがわかる。
付着することがわかる。
第１図（ｃ）は、薄膜（２）を除去した後得られた加工
穴（５）の断面図である。テーパーのない加工穴（５）
が得られることと、薄膜ととも番こ溶融物を容易に除去
できることがわかる。
穴（５）の断面図である。テーパーのない加工穴（５）
が得られることと、薄膜ととも番こ溶融物を容易に除去
できることがわかる。
ｆヨＳ、上記実へ例ではエネルギービームとし゛Ｃレー
サし−ムを用いたが成子ビームでも同様の効果を奏する
。
サし−ムを用いたが成子ビームでも同様の効果を奏する
。
また、薄膜はアルミ箔を用いたが、塗布等地の方法１こ
より被加工物【３）表面に薄、嗅を密着させるようにし
てもよい。
より被加工物【３）表面に薄、嗅を密着させるようにし
てもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この全明番こよれば薄膜を被ＪＪＯ工物
表面に密着させ、この薄膜上にエネルギービームを照射
し穴あけ／１０工を行い、加工後薄膜を除去するように
したので、テーパーのない穴加工ができ、ま１こ溶融物
の除去が容易番こできる効果がある。
表面に密着させ、この薄膜上にエネルギービームを照射
し穴あけ／１０工を行い、加工後薄膜を除去するように
したので、テーパーのない穴加工ができ、ま１こ溶融物
の除去が容易番こできる効果がある。
第１図（ａ） （ｂ） （ｃ）は各々この発明の一実施
例によるエネルギービーム穴あけ加工方法を模式的に示
す斜視図及び＠面図、第２図はこの発明の一実施例によ
るエネルギービーム穴あけ加工方法の原理を従来の方法
と比較して模式約６こ示す説明図、並ひに第３図（ａ）
（ｂ）は各々従来のエネルギービーム穴あけ加工方法
を模式約１こ示す斜視図及び断面図である０ 図（ζおいて、（１）は工不ルキービーム、（２）は薄
膜。 （３）は被加工物、（４）は被加工物の溶融物、（５）
は加工穴を示す。 な２、図中１同一符号は同一、又は相当部分を示す０
例によるエネルギービーム穴あけ加工方法を模式的に示
す斜視図及び＠面図、第２図はこの発明の一実施例によ
るエネルギービーム穴あけ加工方法の原理を従来の方法
と比較して模式約６こ示す説明図、並ひに第３図（ａ）
（ｂ）は各々従来のエネルギービーム穴あけ加工方法
を模式約１こ示す斜視図及び断面図である０ 図（ζおいて、（１）は工不ルキービーム、（２）は薄
膜。 （３）は被加工物、（４）は被加工物の溶融物、（５）
は加工穴を示す。 な２、図中１同一符号は同一、又は相当部分を示す０
Claims (1)
- 被加工物表面に薄膜を密着させる工程、上記薄膜上にエ
ネルギービームを照射し、被加工物への穴あけ加工を行
う工程、及び上記薄膜を除去する工程を施すエネルギー
ビーム穴あけ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232654A JPS6293091A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | エネルギ−ビ−ム穴あけ加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60232654A JPS6293091A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | エネルギ−ビ−ム穴あけ加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293091A true JPS6293091A (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=16942688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60232654A Pending JPS6293091A (ja) | 1985-10-17 | 1985-10-17 | エネルギ−ビ−ム穴あけ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293091A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948941A (en) * | 1989-02-27 | 1990-08-14 | Motorola, Inc. | Method of laser drilling a substrate |
| JPH07193375A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | フィルム付きセラミックグリーンシートの加工方法 |
| US5493096A (en) * | 1994-05-10 | 1996-02-20 | Grumman Aerospace Corporation | Thin substrate micro-via interconnect |
-
1985
- 1985-10-17 JP JP60232654A patent/JPS6293091A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948941A (en) * | 1989-02-27 | 1990-08-14 | Motorola, Inc. | Method of laser drilling a substrate |
| JPH07193375A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | フィルム付きセラミックグリーンシートの加工方法 |
| US5493096A (en) * | 1994-05-10 | 1996-02-20 | Grumman Aerospace Corporation | Thin substrate micro-via interconnect |
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