JPS6049624B2 - ｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸及びその２−メチル−１−ブチルエステル - Google Patents
ｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸及びその２−メチル−１−ブチルエステルInfo
- Publication number
- JPS6049624B2 JPS6049624B2 JP2530877A JP2530877A JPS6049624B2 JP S6049624 B2 JPS6049624 B2 JP S6049624B2 JP 2530877 A JP2530877 A JP 2530877A JP 2530877 A JP2530877 A JP 2530877A JP S6049624 B2 JPS6049624 B2 JP S6049624B2
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- Japan
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- methyl
- alkoxycinnamoyloxy
- compound
- liquid crystal
- benzoic acid
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶化合物に関し、更に詳しくは化学的
、光学的、電気化学的、熱的に安定でかつ広い温度範囲
でコレステリツク相又はネマチツク相を示す液晶化合物
に関する。
、光学的、電気化学的、熱的に安定でかつ広い温度範囲
でコレステリツク相又はネマチツク相を示す液晶化合物
に関する。
コレステリツク液晶はその散乱光の波長が温度によつて
変化するのを利用して、温度表示等に利Ｈ２ＣＨＣＨ２
ＣＨ３（Ｉ）＊ 用されている。
変化するのを利用して、温度表示等に利Ｈ２ＣＨＣＨ２
ＣＨ３（Ｉ）＊ 用されている。
又、近年コレステリツクーネマチツクの相変化を利用し
た表示素子が開発され、更には液晶を利用したカラー表
示の一つとしてコレステリツク液晶の螺旋ピッチが電場
の増減により変化することを利用した表示素子も注目さ
れている。これ等の表示素子に用いられているコレステ
リツク液晶化合物は、従来は殆んどコレステロール誘導
体であり安定性が悪いため表示素子の寿命が短かく、実
用的にはその用途は非常に限られたものとなつている。
この欠点を改良するため種々の悪条件下でも安定なコレ
ステリツク液晶化合物が要望されている。本発明の主た
る目的は、上記の様な用途に使用することの出来る、化
学的、光学的、電気化学的、熱的に安定な新規な液晶化
合物を提供することにある。
た表示素子が開発され、更には液晶を利用したカラー表
示の一つとしてコレステリツク液晶の螺旋ピッチが電場
の増減により変化することを利用した表示素子も注目さ
れている。これ等の表示素子に用いられているコレステ
リツク液晶化合物は、従来は殆んどコレステロール誘導
体であり安定性が悪いため表示素子の寿命が短かく、実
用的にはその用途は非常に限られたものとなつている。
この欠点を改良するため種々の悪条件下でも安定なコレ
ステリツク液晶化合物が要望されている。本発明の主た
る目的は、上記の様な用途に使用することの出来る、化
学的、光学的、電気化学的、熱的に安定な新規な液晶化
合物を提供することにある。
即ち、本発明は一般式
（式中Ｒは炭素数１〜１０の直鎖のアルキル基を示し、
＊印は不整炭素原子を示す）で示されるｐ−（ｐ″−ｎ
−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸の光学活性
を有する２−メチルー１−ブチルエステル及びラセミ体
の同じ化合物である。
＊印は不整炭素原子を示す）で示されるｐ−（ｐ″−ｎ
−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸の光学活性
を有する２−メチルー１−ブチルエステル及びラセミ体
の同じ化合物である。
化合物（１）の光学活性体の方はいわゆるカイラルネマ
チツク液晶化合物（光学活性基を有するコレステリツク
液晶相を示す非コレステロール系化合物の総称）と呼ば
れるもので、コレステロールの様な天然物から誘導する
のではなく容易に合成出来る安定な化合物であり、広く
利用することが出来る。
チツク液晶化合物（光学活性基を有するコレステリツク
液晶相を示す非コレステロール系化合物の総称）と呼ば
れるもので、コレステロールの様な天然物から誘導する
のではなく容易に合成出来る安定な化合物であり、広く
利用することが出来る。
例えば誘電異方性が正のネマチツク液晶化合物に数％こ
の化合物を加えることにより、ねじれネマチツク型液晶
表示セル用の液晶の配向性を改善することが出来る。又
ラセミ体のエステルの方はネマチツク液晶相を示し動的
散乱モード、ねじれネマチツク型液晶表示素子、ホスト
ゲスト効果を利用した液晶表示素子に利用できる。又化
合物（■）はそれ自体てもネマチツク液晶相＊＊を示す
が、これはネマチツク液晶としてよりも化合物（１）を
得るための中間体として有用である。次に本発明の化合
物（１）の製造法について簡単に説明すると、まずｐ−
ｎ−アルコキシケイ皮酸を過剰の修酸酸塩化物でその酸
塩化物となし、この酸塩化物をｐ−ヒドロキシ安息香酸
とピリジン存在下で反応させ、ｐ−（ｐ″−ｎ−アルコ
キシシンナモイルオキシ）一安息香酸即ち化合物（■）
とする。
の化合物を加えることにより、ねじれネマチツク型液晶
表示セル用の液晶の配向性を改善することが出来る。又
ラセミ体のエステルの方はネマチツク液晶相を示し動的
散乱モード、ねじれネマチツク型液晶表示素子、ホスト
ゲスト効果を利用した液晶表示素子に利用できる。又化
合物（■）はそれ自体てもネマチツク液晶相＊＊を示す
が、これはネマチツク液晶としてよりも化合物（１）を
得るための中間体として有用である。次に本発明の化合
物（１）の製造法について簡単に説明すると、まずｐ−
ｎ−アルコキシケイ皮酸を過剰の修酸酸塩化物でその酸
塩化物となし、この酸塩化物をｐ−ヒドロキシ安息香酸
とピリジン存在下で反応させ、ｐ−（ｐ″−ｎ−アルコ
キシシンナモイルオキシ）一安息香酸即ち化合物（■）
とする。
次いでｐ−（ｐ″−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ
）一安息香酸を塩化チオニルで酸塩化物とし、これを光
学活性、又はラセミ体の２−メチルー１−ブタノールと
ピリジン存在下て反応させてエステルとして化合物（１
）を得る。この場合２−メチルー１−ブタノールの光学
活性の有無によつて化合物（１）の光学活性の有無が決
定されるということは云うまでもない。以上の反応を化
学反応式で示すと次の様に表わされる。化合物（１）は
又次の様な方法でも得られる。
）一安息香酸を塩化チオニルで酸塩化物とし、これを光
学活性、又はラセミ体の２−メチルー１−ブタノールと
ピリジン存在下て反応させてエステルとして化合物（１
）を得る。この場合２−メチルー１−ブタノールの光学
活性の有無によつて化合物（１）の光学活性の有無が決
定されるということは云うまでもない。以上の反応を化
学反応式で示すと次の様に表わされる。化合物（１）は
又次の様な方法でも得られる。
まずｐ−ヒドロキシ安息香酸をトルエン溶媒中、微量の
塩酸の存在下で、光学活性又はラセミ体の２−メチルー
１−ブタノールでエステル化してｐ−ヒドロキシ安息香
酸の２−メチルー１−ブチルエステルを得る。次にｐ−
ｎ−アルコキシケイ皮＊氷酸を修酸酸塩化物でその酸塩
化物とし、これと先に得られたｐ−ヒドロキシ安息香酸
の２−メチルー１−ブチルエステルとをピリジン存在下
で反応させて化合物（１）を得る。これを化学反応式で
示すと、以下実施例により本発明の化合物（１）の製造
法及びその応用例を更に詳細に説明する。実施例１〜３ 〔ｐ−（ｐ″−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安
息香酸（化合物（■））の合成〕ｐ−ｎ−アルコキシシ
ンナモイルケイ皮酸０．５モルと修酸酸塩化物７０ｙ（
０．５５モル）を３００ｍ１のナス型フラスコに入れ、
冷却器をつけ湯浴上で２時間還流する。
塩酸の存在下で、光学活性又はラセミ体の２−メチルー
１−ブタノールでエステル化してｐ−ヒドロキシ安息香
酸の２−メチルー１−ブチルエステルを得る。次にｐ−
ｎ−アルコキシケイ皮＊氷酸を修酸酸塩化物でその酸塩
化物とし、これと先に得られたｐ−ヒドロキシ安息香酸
の２−メチルー１−ブチルエステルとをピリジン存在下
で反応させて化合物（１）を得る。これを化学反応式で
示すと、以下実施例により本発明の化合物（１）の製造
法及びその応用例を更に詳細に説明する。実施例１〜３ 〔ｐ−（ｐ″−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安
息香酸（化合物（■））の合成〕ｐ−ｎ−アルコキシシ
ンナモイルケイ皮酸０．５モルと修酸酸塩化物７０ｙ（
０．５５モル）を３００ｍ１のナス型フラスコに入れ、
冷却器をつけ湯浴上で２時間還流する。
反応物は均一になり、減圧にしてｌ過剰の修酸酸塩化物
を留去するとｐ−ｎ−アルコキシケイ皮酸酸塩化物が油
状物として得られる。一方３００ｍ１の三角フラスコに
ｐ−ヒドロキシ安息香酸６９ｆ（０．５モル）をピリジ
ン１００ＴｒＬ１にとかして氷を冷却しておき、この中
に先のｐ−ｎ−アルコキシケイ皮酸酸塩化物を徐々に加
える。反応液は発熱するのて氷でよく冷やす。これを一
晩放置後水を加えると結晶が析出する。この結晶をｐ過
、水洗後、酢酸２００ｍ１に加温溶解し、不溶物を淵別
し再結晶して、目的のｐ−（ｐ″−ｎ−アルコキシシン
ナモイルオキシ）安息香酸を得、次の反応に＊２使用す
る。第１表にＲ＝Ｃ３ｌ（５（実施例１）、Ｒ＝Ｃ５Ｈ
ｌｌ（実施例２）、Ｒ＝Ｃ８Ｈｌ７（実施例３）の場合
の収量、転位点、元素分析値等を示す。又第１図に実施
例２のｐ−（ｐ″−ｎ−ペンチルオキシシンナモイルオ
キシ）一安息香酸の赤外線吸収スペクトル図を示す。実
施例４〜６ 実施例１〜３で得られたｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシ
ンナモイルオキシ）安息香酸０．０１モルと塩化チオニ
ル５ｍ１を５０ｍｔのナス型フラスコに入れ、冷却器を
つけ湯浴上で２時間還流すると反応は均一になり、これ
を減圧にして過剰の塩化チオニルを留去すると酸塩化物
が油状物て得られる。
を留去するとｐ−ｎ−アルコキシケイ皮酸酸塩化物が油
状物として得られる。一方３００ｍ１の三角フラスコに
ｐ−ヒドロキシ安息香酸６９ｆ（０．５モル）をピリジ
ン１００ＴｒＬ１にとかして氷を冷却しておき、この中
に先のｐ−ｎ−アルコキシケイ皮酸酸塩化物を徐々に加
える。反応液は発熱するのて氷でよく冷やす。これを一
晩放置後水を加えると結晶が析出する。この結晶をｐ過
、水洗後、酢酸２００ｍ１に加温溶解し、不溶物を淵別
し再結晶して、目的のｐ−（ｐ″−ｎ−アルコキシシン
ナモイルオキシ）安息香酸を得、次の反応に＊２使用す
る。第１表にＲ＝Ｃ３ｌ（５（実施例１）、Ｒ＝Ｃ５Ｈ
ｌｌ（実施例２）、Ｒ＝Ｃ８Ｈｌ７（実施例３）の場合
の収量、転位点、元素分析値等を示す。又第１図に実施
例２のｐ−（ｐ″−ｎ−ペンチルオキシシンナモイルオ
キシ）一安息香酸の赤外線吸収スペクトル図を示す。実
施例４〜６ 実施例１〜３で得られたｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシ
ンナモイルオキシ）安息香酸０．０１モルと塩化チオニ
ル５ｍ１を５０ｍｔのナス型フラスコに入れ、冷却器を
つけ湯浴上で２時間還流すると反応は均一になり、これ
を減圧にして過剰の塩化チオニルを留去すると酸塩化物
が油状物て得られる。
一方、１００ｍ１の３角フラスコに（−）−２−メチル
ー１−ブタノール１ｙをピリジン５ｍ１に溶かし氷冷し
ておき、これに先の酸塩化物を加えて行くと発熱して反
応し、沈澱が生じる。これを一晩放置後水にあけ、２Ｎ
水酸ナトリウム水溶液、水の順で洗つてから無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、減圧でトルエンを留去する。残つた
油状物をエタノールで再結晶すると目的のｐ−（ｐ″−
ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸の（−）
−２−メチルー１−ブチルエステル（１）（このものは
（＋）体である）が得られる。第２表に３つの例につい
ての収量、生成物の転位点、分析値等を示す。又は第２
図、第３図、第４図に夫々、実施例４、５、６で得られ
たものの赤外線吸収スペクトルを示す。尚、以上は光学
活性を持つたものの例のみについて記したが、ラセミ体
の２−メチルー１−ブタノールを使用して、全く同じ様
にしてラセミ体の化合物（１）が得られる。
ー１−ブタノール１ｙをピリジン５ｍ１に溶かし氷冷し
ておき、これに先の酸塩化物を加えて行くと発熱して反
応し、沈澱が生じる。これを一晩放置後水にあけ、２Ｎ
水酸ナトリウム水溶液、水の順で洗つてから無水硫酸ナ
トリウムで乾燥し、減圧でトルエンを留去する。残つた
油状物をエタノールで再結晶すると目的のｐ−（ｐ″−
ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸の（−）
−２−メチルー１−ブチルエステル（１）（このものは
（＋）体である）が得られる。第２表に３つの例につい
ての収量、生成物の転位点、分析値等を示す。又は第２
図、第３図、第４図に夫々、実施例４、５、６で得られ
たものの赤外線吸収スペクトルを示す。尚、以上は光学
活性を持つたものの例のみについて記したが、ラセミ体
の２−メチルー１−ブタノールを使用して、全く同じ様
にしてラセミ体の化合物（１）が得られる。
実施例７（応用例）
４″−ペンチルー４−シアノビフェニル ４１．７％４
″−ヘプチルー４−シアノビフェニル ２５．１％４″
−ペンチルオキシー４−シアノビフェニル
１０．２％４″−ヘプチルオ
キシー４−シアノビフェニル
９．４％４″−オクチルオキシー４−シア
ノビフェニル １
３．６％なる組成のｐ型ネマチツク液晶は−８〜４９℃
のネマチツク温度範囲を有する。
″−ヘプチルー４−シアノビフェニル ２５．１％４″
−ペンチルオキシー４−シアノビフェニル
１０．２％４″−ヘプチルオ
キシー４−シアノビフェニル
９．４％４″−オクチルオキシー４−シア
ノビフェニル １
３．６％なる組成のｐ型ネマチツク液晶は−８〜４９℃
のネマチツク温度範囲を有する。
これに実施例５で得″られたｐ−（ｐ′−ｎ−ペンチル
オキシシンナモイルオキシ）安息香酸の（−）−２−メ
チルー１ーブチルエステルを１０％加えたものは室温で
コレステリツク液晶であり、透明点は５０．４℃であつ
た。このコレステリツク液晶を電極間隔６μｍのセルに
封入し、周波数１Ｋ比の交流電圧を印加すると閾電圧１
３Ｖでコレステリツク→ネマチツクの相転移が起り急激
に光の透過率が増大した。実施例８（応用例） 実施例７に於ける光学活性のあるｐ−（ｐ″−ｎ−ペン
チルオキシシンナモイルオキシ）安息香酸の（−）−２
−メチルー１−ブチルエステルの代りにラセミ体の同じ
化合物を使用したものはネマチツク液晶であり、透明点
は５０．４℃であつた。
オキシシンナモイルオキシ）安息香酸の（−）−２−メ
チルー１ーブチルエステルを１０％加えたものは室温で
コレステリツク液晶であり、透明点は５０．４℃であつ
た。このコレステリツク液晶を電極間隔６μｍのセルに
封入し、周波数１Ｋ比の交流電圧を印加すると閾電圧１
３Ｖでコレステリツク→ネマチツクの相転移が起り急激
に光の透過率が増大した。実施例８（応用例） 実施例７に於ける光学活性のあるｐ−（ｐ″−ｎ−ペン
チルオキシシンナモイルオキシ）安息香酸の（−）−２
−メチルー１−ブチルエステルの代りにラセミ体の同じ
化合物を使用したものはネマチツク液晶であり、透明点
は５０．４℃であつた。
この液晶組成物を使用して厚さ１００ｐｒｒｔ，の液晶
セルを組み立て、２５℃に於て３■、２５Ｈｚの交流で
作動させたとき、立上り時間は１００７Ｔｔ．ｓｅｃ１
降下時間は１５０ｍｓｅｃであつた。
セルを組み立て、２５℃に於て３■、２５Ｈｚの交流で
作動させたとき、立上り時間は１００７Ｔｔ．ｓｅｃ１
降下時間は１５０ｍｓｅｃであつた。
第１図は実施例２で得られたｐ−（ｐ″−ｎ−ペンチル
オキシシンナモイルオキシ）安息香酸の、第２図、第３
図、第４図は夫々実施例４、５、６で得られたｐ−（ｐ
″−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸の２
−メチルー１−ブチルエステルの赤外線吸収スペクトル
図である。
オキシシンナモイルオキシ）安息香酸の、第２図、第３
図、第４図は夫々実施例４、５、６で得られたｐ−（ｐ
″−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸の２
−メチルー１−ブチルエステルの赤外線吸収スペクトル
図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）（式中Ｒは
炭素数１〜１０の直鎖のアルキル基を示し、＊印は不整
炭素原子を示す）を有するｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシ
シンナモイルオキシ）安息香酸の２−メチル−１−ブチ
ルエステル。 ２ （ I ）式中＊印の付された不整炭素原子にもとず
く光学活性体である特許請求の範囲第１項記載の化合物
。 ３ ラセミ体である特許請求の範囲第１項記載の化合物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2530877A JPS6049624B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-03-08 | ｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸及びその２−メチル−１−ブチルエステル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2530877A JPS6049624B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-03-08 | ｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸及びその２−メチル−１−ブチルエステル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53111032A JPS53111032A (en) | 1978-09-28 |
| JPS6049624B2 true JPS6049624B2 (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=12162368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2530877A Expired JPS6049624B2 (ja) | 1977-03-08 | 1977-03-08 | ｐ−（ｐ′−ｎ−アルコキシシンナモイルオキシ）安息香酸及びその２−メチル−１−ブチルエステル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049624B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3377219D1 (en) * | 1982-11-26 | 1988-08-04 | Hitachi Ltd | Smectic liquid crystal compounds and liquid crystal compositions |
| FR2612182B1 (fr) * | 1987-03-12 | 1989-06-23 | Centre Nat Rech Scient | Esters phenyliques substitues utilisables comme cristaux liquides ferroelectriques, leur preparation et leur utilisation dans un dispositif de visualisation electro-optique |
-
1977
- 1977-03-08 JP JP2530877A patent/JPS6049624B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53111032A (en) | 1978-09-28 |
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