JPS6025419B2 - ｐ−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸−ｐ′−（ｐ″−置換ベンゾイルオキシ）フエニルエステル - Google Patents
ｐ−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸−ｐ′−（ｐ″−置換ベンゾイルオキシ）フエニルエステルInfo
- Publication number
- JPS6025419B2 JPS6025419B2 JP3173477A JP3173477A JPS6025419B2 JP S6025419 B2 JPS6025419 B2 JP S6025419B2 JP 3173477 A JP3173477 A JP 3173477A JP 3173477 A JP3173477 A JP 3173477A JP S6025419 B2 JPS6025419 B2 JP S6025419B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- methylbutoxybenzoic
- phenyl ester
- liquid crystal
- compound
- Prior art date
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- Expired
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶化合物に関し、更にくわしくは化学
的、熱的、光学的、電気的に安定なコレステリック化合
物に関する。
的、熱的、光学的、電気的に安定なコレステリック化合
物に関する。
コレステリック液晶はその散乱光の波長が温度によって
変化するのを利用して温度表示に利用されている、最近
ではコレステリックーネマチックの相変化を利用した表
示素子が開発され、更には液晶を利用したカラー表示素
子の一つとして、コレステリック液晶の螺旋ピッチが露
場の増減により変化することを利用した表示素子も注目
されている。
変化するのを利用して温度表示に利用されている、最近
ではコレステリックーネマチックの相変化を利用した表
示素子が開発され、更には液晶を利用したカラー表示素
子の一つとして、コレステリック液晶の螺旋ピッチが露
場の増減により変化することを利用した表示素子も注目
されている。
これ等の表示素子に用いられるコレステリツク液晶化合
物は従来は殆どがコレステロール譲導体であるため安定
性が悪く、従って表示素子の寿命が短かく、実用的には
その用途は非常に限られたものとなっている。
物は従来は殆どがコレステロール譲導体であるため安定
性が悪く、従って表示素子の寿命が短かく、実用的には
その用途は非常に限られたものとなっている。
本発明の目的は、以上の様な用途に使用することの出来
る化学的、熱的、光学的、電気的に安定な新規なコレス
テリック液晶化合物を提供することにある。
る化学的、熱的、光学的、電気的に安定な新規なコレス
テリック液晶化合物を提供することにある。
即ち本発明は一般式
（式中Ｒは炭素数３〜８の直鎖のアルキル基又はァルコ
キシ基を示し、＊印は不整炭素原子を示す）で示される
Ｐ一（一）−２−メチルブトキシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ
″−置換ペンゾイルオキシ）フェニルェステルである。
キシ基を示し、＊印は不整炭素原子を示す）で示される
Ｐ一（一）−２−メチルブトキシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ
″−置換ペンゾイルオキシ）フェニルェステルである。
この化合物は一般的にカイラルネマチック化合物（光学
活性基を有する、コレステリツク液晶相を示す非コレス
テロール系の化合物の総称）と呼ばれるもので、コレス
テロ−ルのような天然物から議導するのではなく、容易
に合成できる安定な化合物であるので広く利用すること
ができる。例えば誘電異万性が正のネマチック液晶化合
物に数％これを加ることにより、ねじれネマチック型液
晶表示セル用の液晶の配向性を改善することが出来る。
又同じく誘電異万性の正の液晶化合物に約１０％以上混
入することによりコレステリック液晶とし、コレステリ
ツク−ネマチツクの相転移を利用した表示素子を作るこ
とが出来る。次に本発明の化合物の製造法について簡単
に説明するとまずＰ−置換安息香酸を塩化チオニルでそ
の酸塩化物とし、これを等モルのヒドロキノンと、ピリ
ジン存在下で反応させ、Ｐ−（Ｐ′−置換ペンゾィルオ
キシ）フェノールを得る。
活性基を有する、コレステリツク液晶相を示す非コレス
テロール系の化合物の総称）と呼ばれるもので、コレス
テロ−ルのような天然物から議導するのではなく、容易
に合成できる安定な化合物であるので広く利用すること
ができる。例えば誘電異万性が正のネマチック液晶化合
物に数％これを加ることにより、ねじれネマチック型液
晶表示セル用の液晶の配向性を改善することが出来る。
又同じく誘電異万性の正の液晶化合物に約１０％以上混
入することによりコレステリック液晶とし、コレステリ
ツク−ネマチツクの相転移を利用した表示素子を作るこ
とが出来る。次に本発明の化合物の製造法について簡単
に説明するとまずＰ−置換安息香酸を塩化チオニルでそ
の酸塩化物とし、これを等モルのヒドロキノンと、ピリ
ジン存在下で反応させ、Ｐ−（Ｐ′−置換ペンゾィルオ
キシ）フェノールを得る。
この時、創生物としてＰ・Ｐ′ービス（Ｐ″−置換安息
香酸）ヒドロキノンェステルも生成する。一方Ｐ−（一
）−２ーメチルブトキシ安息香酸を塩化チオニルで酸塩
化物となし、これを先に得られたＰ−（Ｐ′置換ペンゾ
ィルオキシ）フェノールとピリジン存在下で反応させて
ェステルとして目的とする化合物、即ちＰ−（一）−２
−メチルプトキシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ″−置換ペンゾ
ィルオキシ）フェニルヱステルが得られる。以上を化学
反応式で示すと かくして得られる光学活性な化合物（１）は安定なコレ
ステリック液晶化合物である。
香酸）ヒドロキノンェステルも生成する。一方Ｐ−（一
）−２ーメチルブトキシ安息香酸を塩化チオニルで酸塩
化物となし、これを先に得られたＰ−（Ｐ′置換ペンゾ
ィルオキシ）フェノールとピリジン存在下で反応させて
ェステルとして目的とする化合物、即ちＰ−（一）−２
−メチルプトキシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ″−置換ペンゾ
ィルオキシ）フェニルヱステルが得られる。以上を化学
反応式で示すと かくして得られる光学活性な化合物（１）は安定なコレ
ステリック液晶化合物である。
以下に実施例により本化合物の製造法及び応用例を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
実施例 １
〔Ｐ一（Ｐ′一ｎーヘキシルベンゾイルオキシ）フェノ
ールの製造〕Ｐ−ｎ−へキシル安息香酸４１夕と塩化チ
オニル２０夕をナス型フラスコに入れ、冷却器をつけ湯
浴上で５０ｑｏに加溢する。
ールの製造〕Ｐ−ｎ−へキシル安息香酸４１夕と塩化チ
オニル２０夕をナス型フラスコに入れ、冷却器をつけ湯
浴上で５０ｑｏに加溢する。
結晶は徐々に溶け均一になる。溶けてから２時間加熱し
た後、減圧にして過剰の塩化チオニルを留去する。残っ
た油状物がＰ−ｎーヘキシル安息香酸の酸塩化物で、こ
れに次の工程に備えてよく脱水したトルェン１００の‘
を加えて溶液としておく。一方ヒドロキノン２５夕を、
ピリジン１００の【とよく脱水したトルェン１００の【
の混合液に溶かし氷水で冷却しておく。
た後、減圧にして過剰の塩化チオニルを留去する。残っ
た油状物がＰ−ｎーヘキシル安息香酸の酸塩化物で、こ
れに次の工程に備えてよく脱水したトルェン１００の‘
を加えて溶液としておく。一方ヒドロキノン２５夕を、
ピリジン１００の【とよく脱水したトルェン１００の【
の混合液に溶かし氷水で冷却しておく。
この混合液に先の酸塩化物のトルェンをよく振盤しなが
ら加えていくと、発熱し沈澱が生じる。全部加え終って
からそのまま一晩放置する。放置後、その反応液を１そ
の水にあげるとトルェン層が分離して来るので、それを
分取し、それにｎーヘキサン１そを加え放置すると結晶
が析出してくる。結晶を炉別し、ｎ−へキサンで洗浄後
、風乾する。この結晶をエタノール５００の‘に溶かし
、冷却すると針状の結晶が１７タ得られる。この結晶物
は創生物であるＰ・Ｐ′−ビス−（Ｐ″−ｎ−へキシル
安息香酸）ヒドロキノンェステルである。再結晶母液に
水２００仇‘を加えると沈澱が生じる。これを炉過後、
よく乾燥して目的物の中間体であるＰ−（Ｐ′一ｎーブ
チルベンゾィルオキシ）フェノール１９．７夕（収率３
３．０％）が得られた。この物の融点は１０３．８〜１
０４．７０であった。実施例 ２〜４実施例１に於ける
Ｐ−ｎ−へキシル安息香酸の代りにそれぞれ相当するＰ
−置換安息香酸を使用する以外は全く同様の操作を行っ
て第１表に示す様な結果を得た（実施例１の結果も再録
した）。
ら加えていくと、発熱し沈澱が生じる。全部加え終って
からそのまま一晩放置する。放置後、その反応液を１そ
の水にあげるとトルェン層が分離して来るので、それを
分取し、それにｎーヘキサン１そを加え放置すると結晶
が析出してくる。結晶を炉別し、ｎ−へキサンで洗浄後
、風乾する。この結晶をエタノール５００の‘に溶かし
、冷却すると針状の結晶が１７タ得られる。この結晶物
は創生物であるＰ・Ｐ′−ビス−（Ｐ″−ｎ−へキシル
安息香酸）ヒドロキノンェステルである。再結晶母液に
水２００仇‘を加えると沈澱が生じる。これを炉過後、
よく乾燥して目的物の中間体であるＰ−（Ｐ′一ｎーブ
チルベンゾィルオキシ）フェノール１９．７夕（収率３
３．０％）が得られた。この物の融点は１０３．８〜１
０４．７０であった。実施例 ２〜４実施例１に於ける
Ｐ−ｎ−へキシル安息香酸の代りにそれぞれ相当するＰ
−置換安息香酸を使用する以外は全く同様の操作を行っ
て第１表に示す様な結果を得た（実施例１の結果も再録
した）。
第１表実施例 ５
Ｐ−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸２．１夕と塩
化チオニル５夕をナス型フラスコに入れ、冷却器をつけ
傷浴上で加溢する。
化チオニル５夕をナス型フラスコに入れ、冷却器をつけ
傷浴上で加溢する。
３０分位で均一に溶け、更に３び分加溢してから過剰の
塩化チオニルを減圧にて留去すると油状の酸塩化物が残
る。
塩化チオニルを減圧にて留去すると油状の酸塩化物が残
る。
一方、別の３角フラスコに実施例１で得られたＰ−（Ｐ
′一ｎーヘキシルベンゾイルオキシ）フエノール３夕を
ピリジン２０の上に溶かし氷で冷やしておく。この溶媒
に先の酸塩化物を徐々に加えると発熱して反応し、沈澱
を生ずる。一晩放置後、１００叫の水にあげ、析出分離
した油状物をトルェンで抽出する。このトルェン層を鮒
塩酸、が苛性ソーダ水溶液、水で順次よく洗った後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧トルェンを留去
する。残った油状物をエタノールで再結晶して目的とす
るＰ−（一）−２ーメチルブトキシ安息香酸一Ｐ′一（
Ｐ″一ｎ−へキシルベンゾイルオキシ）フヱニルヱステ
ル２．９夕を得る（収率５９．４％）。この化合物の固
体−コレステリック温度（Ｃ−ｃｈ点）、コレステリッ
クー透明点（ｃｈ−１）、元素分析値を他の実施例の結
果と共に第２表に示す。又その赤外線吸収スペクトルを
第１図に示す。実施例 ６〜８実施例５に於けるＰ−（
Ｐ′一ｎーヘキシルベンゾィルオキシ）フェノールの代
りに、夫々相当するＰ−（Ｐ′一層襖ペンゾィルオキシ
）フェノールを同モル数使用する以外は全く同様にして
第２表に示す様な結果を得た。
′一ｎーヘキシルベンゾイルオキシ）フエノール３夕を
ピリジン２０の上に溶かし氷で冷やしておく。この溶媒
に先の酸塩化物を徐々に加えると発熱して反応し、沈澱
を生ずる。一晩放置後、１００叫の水にあげ、析出分離
した油状物をトルェンで抽出する。このトルェン層を鮒
塩酸、が苛性ソーダ水溶液、水で順次よく洗った後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、次いで減圧トルェンを留去
する。残った油状物をエタノールで再結晶して目的とす
るＰ−（一）−２ーメチルブトキシ安息香酸一Ｐ′一（
Ｐ″一ｎ−へキシルベンゾイルオキシ）フヱニルヱステ
ル２．９夕を得る（収率５９．４％）。この化合物の固
体−コレステリック温度（Ｃ−ｃｈ点）、コレステリッ
クー透明点（ｃｈ−１）、元素分析値を他の実施例の結
果と共に第２表に示す。又その赤外線吸収スペクトルを
第１図に示す。実施例 ６〜８実施例５に於けるＰ−（
Ｐ′一ｎーヘキシルベンゾィルオキシ）フェノールの代
りに、夫々相当するＰ−（Ｐ′一層襖ペンゾィルオキシ
）フェノールを同モル数使用する以外は全く同様にして
第２表に示す様な結果を得た。
又、その赤外線吸収スペクトルを第２〜４図に示す。第
２表 実施例 ９（応用例） ４′ーベンチル−４ーシアノビフエニル ４１．７％
イーへプチル−４−シアノビフエニル ２５．１％
４′ーベンチルオキシ−４−シアノビフエニル
１０・２％４−へブチ
ルオキシ−４ーシアノビフヱニル
９．４％４ーオクチルオキシ−４
ーシアノビフエニル
１３．６％なる組成のＰ型ネマチック液晶は−８〜
４ぱＣのネマチック温度範囲を有する。
２表 実施例 ９（応用例） ４′ーベンチル−４ーシアノビフエニル ４１．７％
イーへプチル−４−シアノビフエニル ２５．１％
４′ーベンチルオキシ−４−シアノビフエニル
１０・２％４−へブチ
ルオキシ−４ーシアノビフヱニル
９．４％４ーオクチルオキシ−４
ーシアノビフエニル
１３．６％なる組成のＰ型ネマチック液晶は−８〜
４ぱＣのネマチック温度範囲を有する。
これに実施例７で得られたＰ−（一）−２−メチルブト
キシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ′′−オクチルベンゾイルオ
キシ）フエニルェステルを１０％加えたものは室温でコ
レステリック液晶であり、透明点は５９．４ｏＣになる
。このコレステリック液晶を、平行配向した電極間隔１
０山肌のセルに入れ、７．５Ｖの電圧をかけると、コレ
ステリックーネマチツク相転移が起って透明になり、又
電圧を切った時には逆の転移が起って濁る。その時の応
答はいずれも５０のｓｅｃであった。
キシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ′′−オクチルベンゾイルオ
キシ）フエニルェステルを１０％加えたものは室温でコ
レステリック液晶であり、透明点は５９．４ｏＣになる
。このコレステリック液晶を、平行配向した電極間隔１
０山肌のセルに入れ、７．５Ｖの電圧をかけると、コレ
ステリックーネマチツク相転移が起って透明になり、又
電圧を切った時には逆の転移が起って濁る。その時の応
答はいずれも５０のｓｅｃであった。
第１図〜第４図は夫々実施例５（Ｒ＝Ｃ６日，３の場合
）、実施例６（Ｒ＝Ｃ４日の場合）、実施例７（Ｒ＝Ｃ
８日，？の場合）及び実施例８（Ｒ：Ｃ６日．３０の場
合）で得られたＰ−（−）−２ーメチルブトキシ安息香
酸−Ｐ′−（Ｐ″−置換ペンゾィルオキシ）フェニルェ
ステルの赤外線吸収スペクトル図である。 図 船 図 べ ‐謙ミ 図 心 織 図 寸 紬
）、実施例６（Ｒ＝Ｃ４日の場合）、実施例７（Ｒ＝Ｃ
８日，？の場合）及び実施例８（Ｒ：Ｃ６日．３０の場
合）で得られたＰ−（−）−２ーメチルブトキシ安息香
酸−Ｐ′−（Ｐ″−置換ペンゾィルオキシ）フェニルェ
ステルの赤外線吸収スペクトル図である。 図 船 図 べ ‐謙ミ 図 心 織 図 寸 紬
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは炭素数３〜８の直鎖のアルキル基又はアルコ
キシ基を示し、＊印は不整炭素原子を示す）を有するＰ
−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸−Ｐ′−（Ｐ″
−置換ベンゾイルオキシ）フエニルエステル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173477A JPS6025419B2 (ja) | 1977-03-23 | 1977-03-23 | ｐ−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸−ｐ′−（ｐ″−置換ベンゾイルオキシ）フエニルエステル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3173477A JPS6025419B2 (ja) | 1977-03-23 | 1977-03-23 | ｐ−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸−ｐ′−（ｐ″−置換ベンゾイルオキシ）フエニルエステル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53119843A JPS53119843A (en) | 1978-10-19 |
| JPS6025419B2 true JPS6025419B2 (ja) | 1985-06-18 |
Family
ID=12339258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3173477A Expired JPS6025419B2 (ja) | 1977-03-23 | 1977-03-23 | ｐ−（−）−２−メチルブトキシ安息香酸−ｐ′−（ｐ″−置換ベンゾイルオキシ）フエニルエステル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6025419B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6495Y2 (ja) * | 1985-03-25 | 1989-01-05 |
-
1977
- 1977-03-23 JP JP3173477A patent/JPS6025419B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6495Y2 (ja) * | 1985-03-25 | 1989-01-05 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53119843A (en) | 1978-10-19 |
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