JPS6043065B2 - インドリジン‐２‐オン誘導体及びその製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式 −、０”。

（式中Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル基
を、Ｒ゛は水素原子または低級アルキル基を、Ｒ”及び
Ｒ゜は低級アルキル基、置換基として低級アルコキシカ
ルボニル基を有する低級アルキル基、低級アルケニル基
、低級アルキニル基、またはアラルキル基を意味する。

またＲ”とＲ゜は互に連結してシクロペンタン、シクロ
ヘキサンまたはインダンを形成することもできる）で示
される新規なインドリジンー２−オン誘導体およびその
製法に関する。従来、一般式（１）で示されるようなイ
ンドリジンー２−オン誘導体については全く知られてい
なかつた。

本発明者はこの種のインドリジン誘導体について鋭意研
究を重ねた結果、本発明を完成するに至つた。本発明の
一般式（１）で示されるインドリジンー２−オン誘導体
は文献未記載の新記化合物であり、降出作用、抗菌作用
を有し、医薬として有用なものである。

上記一般式（１）の置換基Ｒ、Ｒ゛、Ｒ’及びＲ゜にお
ける低級アルキル基の例として、炭素数１〜６のアルキ
ル、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル基等が低級アルコキシカルボニルの例とし
ては炭素数２〜４を有するアルコキシカルボニル、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル基等が低級アルケニル基の例としては炭素
数２〜６を有する低級アルケニル、例えば、ビニル、ア
リル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル基等が低級ア
ルキニル基の例としては炭素数２〜６を有する低級アル
キニル、例えば、エチニル、プロピル、ブチニル、ペン
チニル、ヘキシニル基等が、アラルキル基の例としては
、炭素数７〜９を有するアラルキル、例えばベンジル、
フェネチル、フェニルプロピル基等がＸのハロゲン原子
としては、例えば、塩素、臭素、沃素原子等が挙げられ
る。

本発明の一般式（１）で示される化合物は、例えば一般
式ε、。

ＣＯＯＲ、Ｘ゜”。（式中Ｒ゛は低級アルキル基を、Ｘ
はハロゲン原子を、ＲおよびＲ゛は前記の意味を有する
）で示される化合物と一般式Ｒ５（Ｘ）ｎ（３） （式中、ｎは１〜２の整数を、Ｒ５はｎが１の場合、低
級アルキル基、置換基として低級アルコキシカルボニル
基を有する低級アルキル基、低級アルケニル基、低級ア
ルキニル基又はアラルキル基を意味し、ｎが２の場合Ｒ
゜は炭素数４〜５を有するポリメチレン基又はｏ をＸ はハロゲン原子を意味する）で示されるモノあるいはジ
ハロゲン化物を塩基性物質の存在下に反応させることに
より製造される。

上記一般式（２）の置換基Ｒ’の低級アルキル基の例と
しては前記と同様の炭素数１〜６のアルキル基が挙げら
れる。

一般式（２）で示される化合物は公知の化合物であり、
例えばジャーナル、オブ、オーガニック、ケミストリー
（Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ）３６．２４５１（１９７１）
に記載の方法又はこれに準する方法により容易に合成す
ることができる。

上記一般式（３）のｎが１の時におけるＲ５の低級アル
キル基の例としては炭素数１〜６のアルキル、例えばメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
基等が、置換基としての低級アルコキシカルボニル基の
例として、炭素数２〜キシカルボニル基を有する低級ア
ルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニル基、アラ
ルキル基を意味する。

またＲ２とＲ３は互に連結してシクロペンタン、シクロ
ヘキサンまたはインダンを形成することもできる）で示
されるインドリジンー２ーオン誘導体の製法。発明の詳
細な説明 本発明は一般式 （式中Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル基
を、Ｒ１は水素原子または低級アルキル基を、Ｒ２及び
Ｒ３は低級アルキル基、置換基として低級アルコキシカ
ルボニル基を有する低級アルキル基、低級アルケニル基
、低級アルキニル基、またはアラルキル基を意味する。

またＲ２とＲ３は互に連結してシクロペンタン、シクロ
ヘキサンまたはインダンを形成することもできる）で示
される新規なインドリジンー２−オン誘導体およびその
製法に関する。従来、一般式（１）で示されるようなイ
ンドリジンー２−オン誘導体については全く知られてい
なかつた。

本発明者はこの種のインドリジン誘導体について鋭意研
究を重ねた結果、本発明を完成するに至つた。本発明の
一般式（１）で示されるインドリジンー２−オン誘導体
は文献未記載の新記化合物であり、降圧作用、抗菌作用
を有し、医薬として有用なものである。

上記一般式（１）の置換基Ｒ，Ｒｌ，Ｒ２及びＲ３にお
ける低級アルキル基の例として、炭素数１〜６のアルキ
ル、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル基等が低級アルコキシカルボニルの例とし
ては炭素数２〜４を有するアルコキシカルボニル、例え
ばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキ
シカルボニル基等が低級アルケニル基の例としては炭素
数２〜６を有する低級アルケニル、例えば、ビニル、ア
リル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル基等が低級ア
ルキニル基の例としては炭素数２〜６を有する低級アル
キニル、例えば、エチニル、プロピル、ブチニル、ペン
チニル、ヘキシニル基等が、アラルキル基の例としては
、炭素数７〜９を有するアラルキル、例えばベンジル、
フェネチル、フェニルプロピル基等がＸのハロゲン原子
としては、例えば、塩素、臭素、沃素原子等が挙げられ
る。

本発明の一般式（１）で示される化合物は、例えば一般
式（式中Ｒ４は低級アルキル基を、ｘはハロゲン原子を
、ＲおよびＲ１は前記の意味を有する）で示される化合
物と一般式Ｒ５（Ｘ）ｎ
（３）（式中、ｎは１〜２の整数を、Ｒ５はｎが１の
″場合、低級アルキル基、置換基として低級アルコキシ
カルボニル基を有する低級アルキル基、低級アルケニル
基、低級アルキニル基又はアラルキル基を意味し、ｎが
２の場合Ｒ５は炭素数４〜５を有するポリメチレン基又
は［ １１をＸはハロゲン原子を意味する）で示される
モノあるいはジハロゲン化物を塩基性物質の存在下に反
応させることにより製造される。

上記一般式（２）の置換基Ｒ４の低級アルキル基の例と
しては前記と同様の炭素数１〜６のアルキル基が挙げら
れる。

一般式（２）で示される化合物は公知の化合物であり、
例えばジャーナル．オブ．オーガニック．ケミストリー
（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ）３６．２４５１（１９７１）
に記載の方法又はこれに準する方法により容易に合成す
ることができる。

上記一般式（３）のｎが１の時におけるＲ５の低級アル
キル基の例としては炭素数１〜６のアルキル、例えばメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
基等が、置換基としての低級アルコキシカルボニル基の
例として、炭素数２〜４を有するアルコキシカルボニル
、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル基等が、低級アルケニル基の例とし
ては炭素数２〜６を有する低級アルケニル、例えばビニ
ル、アリル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル基等が
低級アルキニル基の例としては炭素数２〜６を有する低
級アルキニル、例えばエチニル、プロビニル、ブチニル
、ペンチニル、ヘキシニル基等が、アラルキル基の例と
しては炭素数７〜９を有するアラルキル、例えばベンジ
ル、フェネチル、フェニルプロピル基等が挙げられる。

又ｎが２の時におけるＲ５の炭素数４〜５を有するポリ
メチレン基としては、−（ＣＨ２）４−・一（ＣＨ２）
５−を挙げることができる。本発明の反応は不活性容媒
中で行うのが好ましい。

用いられる不活性容媒としては、例えばメタノール、エ
タノール、プロパノール等の低級アルコール類、ジオキ
サン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ジメチルス
ルホキシド等の極性溶媒類が挙げられる。本発明で用い
られる塩基性物質としては例えば水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げ
られる。反応温度は原料の種類、溶媒の種類等により、
必ずしも一定ではないが通常室温付近が好ましい。以下
、本発明の実施例を示す。

尚本発明の化合物は通常公知の方法により精製すること
ができ、例えば抽出、濃縮、蒸留、再結晶、カラムクロ
マトグラフィー等の手段により容易に分離することがで
きる。

実施例１ ２−ベンジルー１−（エトキシカルボニルメチル）ピリ
ジニウムプロミド３．３６ｙ（１０ミリモル）、ベンジ
ルプロミド５．１３ｆ（３０ミリモル）をエタノール１
００ｎｔに溶解し、これに水酸化カリウム水溶液（水酸
化カリウム１．９６ｆＩ１水５ｍ１）を加えた後、室温
下で１紛間攪拌する。

この反応混合液を希塩酸を用いて中和し、析出した無機
物を淵去し、戸液を濃縮する。残渣をアルミナカラムを
用いて分離後、クロロホルム−ヘキサンから再結晶する
と融点２０９−２１（代）の３，３ージベンジルー１−
フェニルー２，３−ジヒドロインドリジンー２−オン３
．１８ｙが得られる（収率８９％）。化合物１１Ｒ（Ｋ
Ｂｒ）１５９２ｃ！ｎ−１カルボニル元素分析Ｃ２８Ｈ
２３ＮＯとして実施例２〜１４ 実施例１と同様の操作により表１の化合物を合成した。

実施例１５２−ベンジルー１−（エトキシカルボニルメ
チル）ピリジニウムプロミド３．３６ｇ（１０ミリモル
）、Ａ，ａ″ージブロムー０−キシレン１．７５ｇ（１
０ミリモル）をエタノール１００ｍ１に溶解し、これに
水酸化カリウム水溶液（水酸化カリウム１．９６ｇ１水
５ｍ１）を滴下し、室温下で５時間攪拌する。

この反応溶液を希塩酸を用いて中和し、析出した無機物
を淵去し、淵液を濃縮する。残渣をアルミナカラムを用
いて分離後、クロロホルム−ヘキサンから再結晶すると
融点２０３−２０５℃の１−フェニルー２，３−ジヒド
ロインドリジンー２−オンー３−スピロー２″−インダ
ン２．３９ｇが得られる（収率７７％）。化合物１５ 実施例１５と同様の操作により表２の化合物を合見した
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル基
   を、Ｒ＾１は水素原子または低級アルキル基を、Ｒ＾２
   及びＲ＾３は低級アルキル基、置換基として低級アルコ
   キシカルボニル基を有する低級アルキル基、低級アルケ
   ニル基、低級アルキニル基、アラルキル基を意味する。 またＲ＾２とＲ＾３は互に連結してシクロペンタン、シ
   クロヘキサンまたはインダンを形成することもできる）
   で示されるインドリジン−２−オン誘導体。２ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフエニル基
   を、Ｒ＾１は水素原子または低級アルキル基を、Ｒ＾４
   は低級アルキル基、Ｘはハロゲン原子を意味する）で示
   される化合物に一般式Ｒ＾５（Ｘ）ｎ （式中ｎは１〜２の整数を、Ｒ＾５はｎが１の場合、低
   級アルキル基、置換基として低級アルコキシカルボニル
   基を有する低級アルキル基、低級アルケニル基、、低級
   アルキニル基、又はアラルキル基を意味し、ｎが２の場
   合Ｒ＾５は炭素数４〜５を有するポリメチレン又は▲数
   式、化学式、表等があります▼を、Ｘはハロゲン原子を
   意味する）で示される化合物とを塩基性物質の存在下反
   応させることを特徴とする一般式▲数式、化学式、表等
   があります▼ （式中Ｒ，Ｒ＾１は前記と同一の意味を有し、Ｒ＾２及
   びＲ＾３は低級アルキル基、置換基として低級アルコキ
   シカルボニル基を有する低級アルキル基、低級アルケニ
   ル基、低級アルキニル基、アラルキル基を意味する。 またＲ＾２とＲ＾３は互に連結してシクロペンタン、シ
   クロヘキサンまたはインダンを形成することもできる）
   で示されるインドリジン−２−オン誘導体の製法。