JPS604220A - フオトエツチング方法 - Google Patents
フオトエツチング方法Info
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- JPS604220A JPS604220A JP11200383A JP11200383A JPS604220A JP S604220 A JPS604220 A JP S604220A JP 11200383 A JP11200383 A JP 11200383A JP 11200383 A JP11200383 A JP 11200383A JP S604220 A JPS604220 A JP S604220A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトエツチング方法に関し、特に段差を有す
る半導体基鈑上の金属を精度よくパターニングするフォ
トエツチング方法に関する。
る半導体基鈑上の金属を精度よくパターニングするフォ
トエツチング方法に関する。
現在、各種電極材料、配線材料、およびイオン注入のマ
スク材として各種金属が多く使用されそのパターニング
技術は半導体装置の数組化に不可欠である。しかし力か
ら半ま体基板上に設けられた金属のパターニングは、通
常は段差がある状態で行なわれる為に、そのパターニン
グ精度には限界があった。
スク材として各種金属が多く使用されそのパターニング
技術は半導体装置の数組化に不可欠である。しかし力か
ら半ま体基板上に設けられた金属のパターニングは、通
常は段差がある状態で行なわれる為に、そのパターニン
グ精度には限界があった。
以下第１図を用いて加工段差上の金属をパターニングす
る従来のフォトエツチング方法について説明し、その間
順点ケ指摘する。
る従来のフォトエツチング方法について説明し、その間
順点ケ指摘する。
半導体基板１上の第１の絶縁膜２上にはポリシリコン配
ｗ１．４３がありその上には第２の絶糾肘・４を介して
、全面に金属例えばアルミニウム（Ａ−ｇ ）膜５が真
空蒸着法によって被着されて（・る。全面に被着された
Ａ２膜５の上にフォトレジスト膜６として例えば商品名
ＡＺ−１３５０Ｊ（シップレイ社製）のよう々ポジ系フ
ォトレジストを塗布し、露光用マスク７によって勧光用
マスクの暗部７ａ以夕（を露光する。この場合、Ａｌは
光反射牢が太き（・ため先回を照射した時ＡＪ膜の傾斜
に爪じて反射し、ポリシリコン配線層３による段差部の
光ＡＭ ＋ Ａ４ ｓ ４の反射光Ａｓ’ 、Ａ４膜
、Ａ、’はフォトレジス） 月ｄｉ ６の側面にＪｉｆ
ｔ射される（第１図（ａ））。
ｗ１．４３がありその上には第２の絶糾肘・４を介して
、全面に金属例えばアルミニウム（Ａ−ｇ ）膜５が真
空蒸着法によって被着されて（・る。全面に被着された
Ａ２膜５の上にフォトレジスト膜６として例えば商品名
ＡＺ−１３５０Ｊ（シップレイ社製）のよう々ポジ系フ
ォトレジストを塗布し、露光用マスク７によって勧光用
マスクの暗部７ａ以夕（を露光する。この場合、Ａｌは
光反射牢が太き（・ため先回を照射した時ＡＪ膜の傾斜
に爪じて反射し、ポリシリコン配線層３による段差部の
光ＡＭ ＋ Ａ４ ｓ ４の反射光Ａｓ’ 、Ａ４膜
、Ａ、’はフォトレジス） 月ｄｉ ６の側面にＪｉｆ
ｔ射される（第１図（ａ））。
そのギ蛯１’＝雌（をイ”１１うことにより、フォトし
・シストパターン６ａを得るが、このフォトレジストパ
ターンは露光時に（ｔｉ！＋面よりのう１つを受りた為
、マスクパターン７ａと同じ形にはならず、形状のくす
れたパターンとなる（第１回出））。
・シストパターン６ａを得るが、このフォトレジストパ
ターンは露光時に（ｔｉ！＋面よりのう１つを受りた為
、マスクパターン７ａと同じ形にはならず、形状のくす
れたパターンとなる（第１回出））。
その後、この形状のくずれたし′シストパターン６ａを
マスクにして、例えばウエットエツチング方法により腔
′出されたＡ／３Ｍ５を除去するのであるが、レジスト
パターン６ａの形がくずれて（・乙ので、所望の配船パ
ターンがイ（ｔられ万い、肴の上、レジストパターン６
ａと、Ａｐル′−ｔ５とけ冨曹がＦ゛（・為、エッグ°
ンダ液中でレジストパターン６ａがはがれることがあり
、その結果、エツチング工程における歩留りを著しく低
下させる。
マスクにして、例えばウエットエツチング方法により腔
′出されたＡ／３Ｍ５を除去するのであるが、レジスト
パターン６ａの形がくずれて（・乙ので、所望の配船パ
ターンがイ（ｔられ万い、肴の上、レジストパターン６
ａと、Ａｐル′−ｔ５とけ冨曹がＦ゛（・為、エッグ°
ンダ液中でレジストパターン６ａがはがれることがあり
、その結果、エツチング工程における歩留りを著しく低
下させる。
このように、従来のフォトエツチング方法は、正確な金
属パターンを形成する上で大きな問題があったＯ 本発明はかかる従来の欠点のない正確な金属パターンを
形成するに適したフォトエツチング方法を提供すること
を目的とする。
属パターンを形成する上で大きな問題があったＯ 本発明はかかる従来の欠点のない正確な金属パターンを
形成するに適したフォトエツチング方法を提供すること
を目的とする。
本発明の特徴は、段差のある半縛体基板−ヒに、金属膜
を形成する工程と、この金か月への表面に、金属酸化膜
を形成する工程と、この全島酸化膜上に選択的にフォ）
Ｌ／レジストパターン形成する工程と、このフォトレ
ジストパターンをマスクにして金属酸化膜＼：１６よび
その下にある金納ポきを除去する工程と、残存するフォ
トレジストを除去すＺ、工程とを含むフォトエツチング
方法にある。そして金属酸化膜（廿陽極酸化法により形
成された多孔質金属酸化膜でｔ］ることか好ましく・。
を形成する工程と、この金か月への表面に、金属酸化膜
を形成する工程と、この全島酸化膜上に選択的にフォ）
Ｌ／レジストパターン形成する工程と、このフォトレ
ジストパターンをマスクにして金属酸化膜＼：１６よび
その下にある金納ポきを除去する工程と、残存するフォ
トレジストを除去すＺ、工程とを含むフォトエツチング
方法にある。そして金属酸化膜（廿陽極酸化法により形
成された多孔質金属酸化膜でｔ］ることか好ましく・。
以下本発明の実施例を図面に従っ゛〔管、四す／、。
第２図（ａ）、〜）は名々木兄明火飾例を説明するため
の半導体装置の工智順部分断面図である。
の半導体装置の工智順部分断面図である。
第１図と同様に全面にＡ／！膜５を被着した後、例えば
陽＠、＃、化法によりＡ１膜５の麦−面にアルミナ膜１
０を形成した彼、その上に７オトレジスト膜６を形成し
て従来の露光方式により先回を照射する。この場合、ア
ルミナ膜ｌＯは多孔質でかつ反射率が低い為、先回の反
射光は、乱反射あるいは吸収される為Ａ１膜の傾斜に応
じて反射することはない（第２図（ａ））。
陽＠、＃、化法によりＡ１膜５の麦−面にアルミナ膜１
０を形成した彼、その上に７オトレジスト膜６を形成し
て従来の露光方式により先回を照射する。この場合、ア
ルミナ膜ｌＯは多孔質でかつ反射率が低い為、先回の反
射光は、乱反射あるいは吸収される為Ａ１膜の傾斜に応
じて反射することはない（第２図（ａ））。
その後現像を行なうことによりフォトレジストパターン
１０６ａを得る。このフォトレジストパターンは露光時
に側面よりの光を受けない為、マスクパターン７ａを反
映し、形状の良好なパターンをなる（第２図（ｂ））。
１０６ａを得る。このフォトレジストパターンは露光時
に側面よりの光を受けない為、マスクパターン７ａを反
映し、形状の良好なパターンをなる（第２図（ｂ））。
その後、このレジストパターンをマスクに露出されたア
ルミナ膜１０およびその下のＡｆｆｌ膜５矛膜去する。
ルミナ膜１０およびその下のＡｆｆｌ膜５矛膜去する。
レジストパターン１０６ａとアルミナ膜ｌＯとは、非常
に密着がよ（・為、レジストパターンがはがれることは
少々くその結果、所望のりパターンが精度よく形成され
る。
に密着がよ（・為、レジストパターンがはがれることは
少々くその結果、所望のりパターンが精度よく形成され
る。
以上説明した如く本発明のフォトエツチング方法に従え
ば、従来のフォトエツチング方法に比べて段差上の金属
膜を精度よくパターニングすることができ、将来のさら
に微細化されたＬＳＩのフォトエツチング方法としても
優れて（・る。
ば、従来のフォトエツチング方法に比べて段差上の金属
膜を精度よくパターニングすることができ、将来のさら
に微細化されたＬＳＩのフォトエツチング方法としても
優れて（・る。
なお、本発明は、実施例のように金属配線のパターニン
グのみならず、イオン注入のマスク材としての金属膜、
その他のパターニングにも適用できることは（・うまで
もない。
グのみならず、イオン注入のマスク材としての金属膜、
その他のパターニングにも適用できることは（・うまで
もない。
第１図（ａ） 、 （）））は各々従来のフォトエツチ
ング方法を工８７ｍに示す断面図、第２図（１） 、
（ｂｌけ各り本発明の実施例のフォトエツチング方法を
工程１１１ｔ’＋に示す断面図、である。 なお図にお（・て、１・・・・・・半導体基板、２・・
・・・・第１の絶縁膜、３・・・・・・加工段差を有す
る配線層、４・・・・・・第２の絶縁月ケ、５・・・・
・・アルミニウム（Ａｌ膜、６・・・・・・フォトレジ
ストｓ ６ａｔ１０６ａ・・・・・・現ｅ後のフォトレ
ジストパターン、７・・・・・・露光用マスク、７ａ・
・・・・・露光用マスクの暗部、１０・・・・・・アル
ミナ膜、 Ａ、〜、・・・・・・照射光、Ａ、’−Ａ、／・・・・
・・反射光、である。
ング方法を工８７ｍに示す断面図、第２図（１） 、
（ｂｌけ各り本発明の実施例のフォトエツチング方法を
工程１１１ｔ’＋に示す断面図、である。 なお図にお（・て、１・・・・・・半導体基板、２・・
・・・・第１の絶縁膜、３・・・・・・加工段差を有す
る配線層、４・・・・・・第２の絶縁月ケ、５・・・・
・・アルミニウム（Ａｌ膜、６・・・・・・フォトレジ
ストｓ ６ａｔ１０６ａ・・・・・・現ｅ後のフォトレ
ジストパターン、７・・・・・・露光用マスク、７ａ・
・・・・・露光用マスクの暗部、１０・・・・・・アル
ミナ膜、 Ａ、〜、・・・・・・照射光、Ａ、’−Ａ、／・・・・
・・反射光、である。
Claims (2)
- （１）基板上に金ｐＡ股を形成する工程と、前記金Ｌｋ
の表面に金属酸化膜１・形成する工ｆ２と、前記合札酸
化膜上に選択的にフォトレジスト膜を形成する工程と、
ｆＪｉｊｔ＋己ンオトし′シストＢ１＞１マスクにして
前記金属酸化膜および前記金属膜を除去する工程と、残
存する前記フォトレジスト膜を除去する工程とを含むこ
と’ｃ ｑ’Ｊ ’４ｋ ；１するフォトエツチング方
法。 - （２）前記金属酸化膜は陽待酸化法により形成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のフォト
エツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11200383A JPS604220A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | フオトエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11200383A JPS604220A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | フオトエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604220A true JPS604220A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14575519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11200383A Pending JPS604220A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | フオトエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160302A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-16 | 日瀝化学工業株式会社 | 凍結防止舗装工法 |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP11200383A patent/JPS604220A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62160302A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-16 | 日瀝化学工業株式会社 | 凍結防止舗装工法 |
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