JPS6039166A - 基体表面の活性化法 - Google Patents
基体表面の活性化法Info
- Publication number
- JPS6039166A JPS6039166A JP59137418A JP13741884A JPS6039166A JP S6039166 A JPS6039166 A JP S6039166A JP 59137418 A JP59137418 A JP 59137418A JP 13741884 A JP13741884 A JP 13741884A JP S6039166 A JPS6039166 A JP S6039166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- complex
- bath
- alkyl
- activation
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は周期表の第１及び第８亜族の錯体化合物の溶液
または分散液による金属の電気化学的に沈着に対する非
電導性または半型導性基体（５ｕｂ−ｓｔｒａｔｅ）を
活性化する際の温和な方法に関するものである。
または分散液による金属の電気化学的に沈着に対する非
電導性または半型導性基体（５ｕｂ−ｓｔｒａｔｅ）を
活性化する際の温和な方法に関するものである。
かかる方法は文献にしばしば記載されている。
かくて、例えばＡＴ−Ａ第２８６０５８号にアミン、ア
ミド、カルボン酸、ケトン、オレフィン及びその弛多く
のものの錯体化合物の使用が提案されている。
ミド、カルボン酸、ケトン、オレフィン及びその弛多く
のものの錯体化合物の使用が提案されている。
またドイツ国特許出願公開第３０２５３０７号から、ニ
トリル、ジグ１−ン及びジエンの錯体により活性化を行
い得ることが公知である。
トリル、ジグ１−ン及びジエンの錯体により活性化を行
い得ることが公知である。
ドイツ国特許出願公開第２１１６３８９号によれば、こ
の目的のために含窒素化合物、例えばピリジン誘導体の
錯体が推奨される。
の目的のために含窒素化合物、例えばピリジン誘導体の
錯体が推奨される。
これらの方法を用いて不均質な基体及び酸またはアルカ
リに敏感な基体に対しである場合においては優れた活性
効果が達成されるが、これらのものはすべて、用いる金
属錯体溶液が貯蔵に際して十分安定ではないという重大
な欠点を有している。
リに敏感な基体に対しである場合においては優れた活性
効果が達成されるが、これらのものはすべて、用いる金
属錯体溶液が貯蔵に際して十分安定ではないという重大
な欠点を有している。
またこれを、系を安定化させるために ｎ−供与体とし
て亜リン酸塩及びπ−受容体としてオレフィン性または
アセチレン性不飽和化合物を更に含む二不飽和ケトンの
パラジウム−〇錯体の溶液を活性化に用いるドイツ国特
許出願公開第２４５１２１７号の方法に適用する。しか
しながら、金属錯体の触媒作用はこれらの特別の錯化剤
の添加により減少され、それ故活性化する基体を熱を用
いて高価な後処理を行わなければならない。更に、上記
のパラジウム−〇錯体は、そのあるものは極めて有毒な
芳香族だけに十分に可溶であり、そして本分野で普通の
伯の溶媒、例えば１．１−ジクロロエタン、トリクロロ
エチレン、エタノール及びシクロヘキサンに可溶性でな
い欠点を有している。
て亜リン酸塩及びπ−受容体としてオレフィン性または
アセチレン性不飽和化合物を更に含む二不飽和ケトンの
パラジウム−〇錯体の溶液を活性化に用いるドイツ国特
許出願公開第２４５１２１７号の方法に適用する。しか
しながら、金属錯体の触媒作用はこれらの特別の錯化剤
の添加により減少され、それ故活性化する基体を熱を用
いて高価な後処理を行わなければならない。更に、上記
のパラジウム−〇錯体は、そのあるものは極めて有毒な
芳香族だけに十分に可溶であり、そして本分野で普通の
伯の溶媒、例えば１．１−ジクロロエタン、トリクロロ
エチレン、エタノール及びシクロヘキサンに可溶性でな
い欠点を有している。
最後に、すべての温和な活性化方法はこのものが上記の
高度に揮発性の溶媒を用い、その結果活性化浴の濃度を
連続的に変化させるという一般的な事実がある。
高度に揮発性の溶媒を用い、その結果活性化浴の濃度を
連続的に変化させるという一般的な事実がある。
かくて活性化浴は連続的で注意深い監視を必要とするこ
とが理解されよう。均一な製造工程を確認するために溶
媒及び／または濃縮物を補給しなければならない。
とが理解されよう。均一な製造工程を確認するために溶
媒及び／または濃縮物を補給しなければならない。
かくて、本発明の目的は貯蔵の際に安定で、且つ簡単な
物理的及び／または化学的方法により連続的に監視し得
る活性剤を開発することであった。
物理的及び／または化学的方法により連続的に監視し得
る活性剤を開発することであった。
本発明に従い、１〜４の酸化段階にある周期表５−
の第１及び第８亜族の元素と式
式中、Ｒ１及びＲ４は相互に独立して随時置換されたア
ルキル、シクロアルキルまたはアリール基を表わし、そ
して Ｒ２及びＲ３は水素またはアルキルを表わす、の不飽和
ケトンとの錯体化合物を用いることによりこの目的は達
成される。
ルキル、シクロアルキルまたはアリール基を表わし、そ
して Ｒ２及びＲ３は水素またはアルキルを表わす、の不飽和
ケトンとの錯体化合物を用いることによりこの目的は達
成される。
式１の化合物の錯体は本分野で普通のすべての溶媒にお
ける良好な溶解性に特徴がある。これらのものは０．０
０１ （１／ｌから特定の溶解限定までの濃度範囲で用
いることができる。好ましくは、これらの基体の０．１
〜３．００／Ｉを用いる。
ける良好な溶解性に特徴がある。これらのものは０．０
０１ （１／ｌから特定の溶解限定までの濃度範囲で用
いることができる。好ましくは、これらの基体の０．１
〜３．００／Ｉを用いる。
貯蔵の際のその高い安定性（溶液にくもりがなく−ある
場合には数週間の貯蔵後でさえも）及び紫外及び／また
は可視のスペクトル領域におけるその高い吸光性の結果
として、このものは光度計を用いるその溶液の濃度の連
続的監視に極めて適−〇− している。
場合には数週間の貯蔵後でさえも）及び紫外及び／また
は可視のスペクトル領域におけるその高い吸光性の結果
として、このものは光度計を用いるその溶液の濃度の連
続的監視に極めて適−〇− している。
更に、本発明により用いる錯体化合物の吸光特性は基Ｒ
１及びＲ４中に特定の置換基（殊にＮＯと及びＯＮ＞を
導入することにより更に増加させることができる。
１及びＲ４中に特定の置換基（殊にＮＯと及びＯＮ＞を
導入することにより更に増加させることができる。
炭素分子の吸光特性に対する電子求引性または電子置換
性（ｅｌｅｃｔｒｏｎ −ｄｉｓｐｌａｃｉｎｇ）置換
基の影響は公知であり、そして例えばり、 Ｈ，Ｗｉｌ
ｌｉ −ａｌｌＩＳ及びＪ 、 Ｆ ｌｅｍｍｉｎｇの
［３ｐｅｋｔｒｏｓｋｏｐｉｓｃｈｅＭｅｔｈｏｄｅｎ
ｉｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉ
ｅ Ｊ（［有機化学におけるスペクトル法Ｊ ） 、Ｇ
ｅｏｒ。
性（ｅｌｅｃｔｒｏｎ −ｄｉｓｐｌａｃｉｎｇ）置換
基の影響は公知であり、そして例えばり、 Ｈ，Ｗｉｌ
ｌｉ −ａｌｌＩＳ及びＪ 、 Ｆ ｌｅｍｍｉｎｇの
［３ｐｅｋｔｒｏｓｋｏｐｉｓｃｈｅＭｅｔｈｏｄｅｎ
ｉｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉ
ｅ Ｊ（［有機化学におけるスペクトル法Ｊ ） 、Ｇ
ｅｏｒ。
Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ ３ｔｕｔｔｇａｒｔ （
１９７１）から知ることができる。
１９７１）から知ることができる。
式１の化合物の錯体はある場合に公知であるか、または
例えば適当な貴金属塩の水溶液を過剰の式■の化合物に
加え、そして２０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０
℃の温度で錯化を完了させることによるそれ自体公知で
ある方法［ｐ ａｒｓｈａｌ及びＷｉｌｋｉｎｓｏｎ、
［Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ （：：ｈｅｍｉｓｔｒｙＪ １
、（１９６２）、８９６頁］により得ることができる。
例えば適当な貴金属塩の水溶液を過剰の式■の化合物に
加え、そして２０〜１５０℃、好ましくは６０〜１２０
℃の温度で錯化を完了させることによるそれ自体公知で
ある方法［ｐ ａｒｓｈａｌ及びＷｉｌｋｉｎｓｏｎ、
［Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ （：：ｈｅｍｉｓｔｒｙＪ １
、（１９６２）、８９６頁］により得ることができる。
冷却後、錯体は固体状態で沈殿する。このものを洗浄し
、乾燥し、適当ならば再結晶し、そして適当な溶媒に溶
解させる。
、乾燥し、適当ならば再結晶し、そして適当な溶媒に溶
解させる。
この錯体の調製に対して適する金属の例にはＰｄ 、Ｐ
ｔ 、Ａ！］及びＡ １１があり、１の酸化段階にある
パラジウムが殊に好ましい。
ｔ 、Ａ！］及びＡ １１があり、１の酸化段階にある
パラジウムが殊に好ましい。
適当な式■の化合物は殊に「アルキル」がＣ１〜ＣＥＯ
−アルキル基を表わし、「シクロアルキル」がシクロヘ
キシル基を表わし、そして「アリール」はベンゼン基を
表わし、その際にアルキル基をＣＩ 、ＯＮ、ＮＯ２、
Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシまたは０１〜Ｃ４−アルコキシ
−〇１〜Ｃ４−アルコキシで置換でき、シクロアルキル
基をＣＨｓで置換でき、そしてアリール基をＣＩ 、Ｎ
ｏ２、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルまたはＣ１〜Ｃ４−アルコ
キシで置換できるものである。
−アルキル基を表わし、「シクロアルキル」がシクロヘ
キシル基を表わし、そして「アリール」はベンゼン基を
表わし、その際にアルキル基をＣＩ 、ＯＮ、ＮＯ２、
Ｃ１〜Ｃ４−アルコキシまたは０１〜Ｃ４−アルコキシ
−〇１〜Ｃ４−アルコキシで置換でき、シクロアルキル
基をＣＨｓで置換でき、そしてアリール基をＣＩ 、Ｎ
ｏ２、Ｃ１〜Ｃ４−アルキルまたはＣ１〜Ｃ４−アルコ
キシで置換できるものである。
殊に好適に使用される錯体はＲ１及びＲ４が０１〜Ｃω
−アルキル、好ましくはＣ１〜Ｃ６−アルキルを表わし
、そしてＲ２及びＲ３は水氷またはＣ１〜Ｃ４−アルキ
ル、好ましくはメチルを表わす式１の化合物から誘導さ
れる。
−アルキル、好ましくはＣ１〜Ｃ６−アルキルを表わし
、そしてＲ２及びＲ３は水氷またはＣ１〜Ｃ４−アルキ
ル、好ましくはメチルを表わす式１の化合物から誘導さ
れる。
挙げ得る例には次のものがある：メシチルオキシド、ｎ
−７１〜−３−■シー２−オン、ｎ−ヘプト−３−エン
−２−オン、ｎ−ヘキシ−３−エン−２−オン、ｎ−デ
カ−４−］］シン−３−オン５−クロロベント−３−エ
ン−２−オン、エチルビニルケＩ−ン、３−メチルオク
ト−５−エン−４−オン、３−メチルベント−３−エン
−２−オン、７−メドキシヘプトー３−エン−２−オン
及びシクロヘキシ−２−エノン。
−７１〜−３−■シー２−オン、ｎ−ヘプト−３−エン
−２−オン、ｎ−ヘキシ−３−エン−２−オン、ｎ−デ
カ−４−］］シン−３−オン５−クロロベント−３−エ
ン−２−オン、エチルビニルケＩ−ン、３−メチルオク
ト−５−エン−４−オン、３−メチルベント−３−エン
−２−オン、７−メドキシヘプトー３−エン−２−オン
及びシクロヘキシ−２−エノン。
この新規な活性化方法を実施する際に、一般的に金属化
される基体表面を分散液または、好ましくは、適当な有
機溶媒中の金属錯体の溶液でぬらし、溶媒を除去し、そ
して必要に応じて適当な還元剤を用いて増感を行う方法
に従う。かくして予備処理した基体を次に通常の金属化
浴中で金属化−〇− することができる 上記の溶媒とは別に、適当な溶媒にはパークロロエチレ
ン、アセトン、メタノール、ブタノール及びジメチルホ
ルムアミドがある。
される基体表面を分散液または、好ましくは、適当な有
機溶媒中の金属錯体の溶液でぬらし、溶媒を除去し、そ
して必要に応じて適当な還元剤を用いて増感を行う方法
に従う。かくして予備処理した基体を次に通常の金属化
浴中で金属化−〇− することができる 上記の溶媒とは別に、適当な溶媒にはパークロロエチレ
ン、アセトン、メタノール、ブタノール及びジメチルホ
ルムアミドがある。
増感に適する還元剤にはアミノボラン、アルカリ金属亜
リン酸塩及びアルカリ金属水素化ホウ素物がある。
リン酸塩及びアルカリ金属水素化ホウ素物がある。
基体を噴霧、プレシング（ｐｒｅｓｓｉｎｇ） 、’／
−キング（ｓｏａｋｉｎｏ ＞また含浸によりぬらすこ
とができる。
−キング（ｓｏａｋｉｎｏ ＞また含浸によりぬらすこ
とができる。
金属沈着物の担体表面上への付着を増大させるために、
金属化するプラスチックの表面の部分的溶解または膨潤
を起こす溶媒または溶媒混合物を本発明による方法を行
う際に用いることが殊に好ましい。
金属化するプラスチックの表面の部分的溶解または膨潤
を起こす溶媒または溶媒混合物を本発明による方法を行
う際に用いることが殊に好ましい。
この溶媒は単に蒸発させるか、または高沸点化合物の場
合は抽出により湿潤した基体から除去する。
合は抽出により湿潤した基体から除去する。
好適な方法において、活性化浴を検出器どして１０−
光度針を用いて監視する。ここにフィルターの波長は溶
液のいずれかの最大吸収に対応させるべきである。測定
信号はパルス発生器に呼応して０゜１秒から数分までの
サイクルで補償式（ｃｏｍｐｅｎ−ｓａｔ ｉｏｎ ）
記録計に記録する。かくて失なわれた成分（溶媒、活性
剤）をコンピュータを用いて計量導入することができる
。
液のいずれかの最大吸収に対応させるべきである。測定
信号はパルス発生器に呼応して０゜１秒から数分までの
サイクルで補償式（ｃｏｍｐｅｎ−ｓａｔ ｉｏｎ ）
記録計に記録する。かくて失なわれた成分（溶媒、活性
剤）をコンピュータを用いて計量導入することができる
。
本発明による方法の極めて殊に好適な具体例において、
金属化浴中での還元は無電気的な金属化の還元剤と同時
に行う。この具体例はアミノボランを含むニッケル浴ま
たはホルマリンを含む銅もしくは録音に対して特に適し
ている。
金属化浴中での還元は無電気的な金属化の還元剤と同時
に行う。この具体例はアミノボランを含むニッケル浴ま
たはホルマリンを含む銅もしくは録音に対して特に適し
ている。
Ｎｉ１ＣＯ１Ｃ１１１八〇もしくはＡ（］塩或いはその
相互か、または鉄塩との混合物を含む浴を本発明による
方法に対する金属化浴として好適に用いることができる
。かかる浴は本分野におけるプラスチックの無電気的金
属化において公知である。
相互か、または鉄塩との混合物を含む浴を本発明による
方法に対する金属化浴として好適に用いることができる
。かかる浴は本分野におけるプラスチックの無電気的金
属化において公知である。
本発明による方法に適する基体には次のものがある：鋼
鉄、チタン、ガラス、アルミニウム、天然及び／または
合成重合体をベースとする織物及びシート状構造物、セ
ラミック、カーボン、紙、熱プラスチック例えばポリア
ミド、ＡＢＳ （アクリロニ１〜リル／ブタジェン／ス
チレン）重合体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、
ポリエステル、ポリエチレン、ポリヒダントイン、熱硬
化樹脂（ｔｈｅｒｉ＋０３ｅｔ ＞例えばエポキシ樹脂
及びメラミン樹脂、並びにその混合物または共重合体。
鉄、チタン、ガラス、アルミニウム、天然及び／または
合成重合体をベースとする織物及びシート状構造物、セ
ラミック、カーボン、紙、熱プラスチック例えばポリア
ミド、ＡＢＳ （アクリロニ１〜リル／ブタジェン／ス
チレン）重合体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、
ポリエステル、ポリエチレン、ポリヒダントイン、熱硬
化樹脂（ｔｈｅｒｉ＋０３ｅｔ ＞例えばエポキシ樹脂
及びメラミン樹脂、並びにその混合物または共重合体。
本発明による方法の範囲を制限せずに、水沫を行う際に
次のパラメータを観察することが推奨される： 基体表面の活性化に用いる化合物は金属化浴の不可逆的
分解を起こさせるべきではない。
次のパラメータを観察することが推奨される： 基体表面の活性化に用いる化合物は金属化浴の不可逆的
分解を起こさせるべきではない。
光を吸収し得る置換基は活性化剤を基体表面に固着させ
ることを阻害すべきではない。
ることを阻害すべきではない。
光を吸収し得る置換基は担体分子が第１及び第８亜族の
元素と錯化することを阻害すべきではない。
元素と錯化することを阻害すべきではない。
該元素はα、β−不飽和化合物と強力に相互作用し、こ
のものが金属の化学的沈着を触媒することを阻害すべき
ではない。
のものが金属の化学的沈着を触媒することを阻害すべき
ではない。
用いる溶媒は活性剤の吸光領域に固有吸収を示すべきで
なく、容易に除去できなければならず、そして有機金属
化合物を化学的に分解するか、または基体を完全に溶解
すべきではない。
なく、容易に除去できなければならず、そして有機金属
化合物を化学的に分解するか、または基体を完全に溶解
すべきではない。
適当な活性化を達成させるために、活性化時間は数秒間
から数分間までであるべきである。
から数分間までであるべきである。
実施例 １
２０Ｘ２０（！ＩＩＩ角の厚さ０．２１１ＩＩｌｌのポ
リエステルフィルム（１００％ポリエチレンテレフタレ
ート）をｐａｒｓｈａ＋及びＷｉｌｋｉｎｓｏｎの記述
（３頁参照）に従って調製したメシチルオキシド−塩化
パラジウム錯体０．６ａ及び工業用トリクロロエタン１
１から調製した活性化浴中にて室温で３０秒間活性化し
、そしてこのフィルムを室温で乾燥し、次に１１当りＮ
＋ ８０４ ・６Ｈ！０ ３０（１、クエン酸１１．５
ｏ、２Ｎ ＤＭＡＢ（ジメチルアミノボラン）溶液１８
１及びホウ酸２ｇを含み、そし１３− て２５％アンモニア溶液でｐ）−（８，５に調整した水
性のアルカリ性ニッケル化浴中で１５分間無電気的ニッ
ケル化を行った。約４５秒後、重合体の表面は灰色の色
調になり始め、そして約１２分後に試験試料は０．１５
μｍの光沢のあるニッケル層で覆われた。
リエステルフィルム（１００％ポリエチレンテレフタレ
ート）をｐａｒｓｈａ＋及びＷｉｌｋｉｎｓｏｎの記述
（３頁参照）に従って調製したメシチルオキシド−塩化
パラジウム錯体０．６ａ及び工業用トリクロロエタン１
１から調製した活性化浴中にて室温で３０秒間活性化し
、そしてこのフィルムを室温で乾燥し、次に１１当りＮ
＋ ８０４ ・６Ｈ！０ ３０（１、クエン酸１１．５
ｏ、２Ｎ ＤＭＡＢ（ジメチルアミノボラン）溶液１８
１及びホウ酸２ｇを含み、そし１３− て２５％アンモニア溶液でｐ）−（８，５に調整した水
性のアルカリ性ニッケル化浴中で１５分間無電気的ニッ
ケル化を行った。約４５秒後、重合体の表面は灰色の色
調になり始め、そして約１２分後に試験試料は０．１５
μｍの光沢のあるニッケル層で覆われた。
実施例 ２
１４０Ｘ２５０ｍｕ＋のＡＢＳ（Ｂａｙｅｒ ＡＧ製の
アクリロニトリル／ブタジェン／スチレングラフト共重
合体）の射出成形シートを工業用メタノール５００ｎ＋
ｌ、工業用トリクロロエテン５０１及びメシチル−オキ
シド−塩化パラジウム錯体０．４Ｑの溶液中てに室温で
５分間活性化し、室温で乾燥し、エタノール５００１及
び２Ｎ ＤＭＡＢ溶液５０１の還元浴中で３分間増感し
、次に８１ａｓｂｅｒｏ ＧｍｂＨａｎｄ ＫＧ、 ５
６５０Ｓｏｌｉｎｇｅｎ製の通常の金属化浴中にて３３
℃でニッケル化した。４分間のみの後、試験試料は極め
て微細なニッケルの沈着物で覆われた。約１７分後、ニ
ッケ１４− ルの化学的層は約０．２０μｍの平均厚さを有していた
。試験試料を化学的金属化浴力日ら除去し、そして蒸留
水ですすいだ後、このものを通常の酸性電気銅めっき浴
中で陽極として接続し、そして１．１Ａ／ｄｍ２で被覆
物を約４．ＯＩｌｍの厚さに増加させた。
アクリロニトリル／ブタジェン／スチレングラフト共重
合体）の射出成形シートを工業用メタノール５００ｎ＋
ｌ、工業用トリクロロエテン５０１及びメシチル−オキ
シド−塩化パラジウム錯体０．４Ｑの溶液中てに室温で
５分間活性化し、室温で乾燥し、エタノール５００１及
び２Ｎ ＤＭＡＢ溶液５０１の還元浴中で３分間増感し
、次に８１ａｓｂｅｒｏ ＧｍｂＨａｎｄ ＫＧ、 ５
６５０Ｓｏｌｉｎｇｅｎ製の通常の金属化浴中にて３３
℃でニッケル化した。４分間のみの後、試験試料は極め
て微細なニッケルの沈着物で覆われた。約１７分後、ニ
ッケ１４− ルの化学的層は約０．２０μｍの平均厚さを有していた
。試験試料を化学的金属化浴力日ら除去し、そして蒸留
水ですすいだ後、このものを通常の酸性電気銅めっき浴
中で陽極として接続し、そして１．１Ａ／ｄｍ２で被覆
物を約４．ＯＩｌｍの厚さに増加させた。
実施例 ３
１５０ｘ２００ｍｍのポリエチレンテレフタレートの射
出成形シートをメシチルオキシド−白金錯体０．４ｇ及
びテトラクロロエテン６５０１から調製した活性化浴中
にて室温で３０秒間活性化し、室温で乾燥し、次に実施
例１に従ってニッケル化した。金属的光沢及び厚さ〜０
．１５ｆ１ｍの電気的に伝導性のニッケル沈着物を有す
る重合体のシートが得られた。
出成形シートをメシチルオキシド−白金錯体０．４ｇ及
びテトラクロロエテン６５０１から調製した活性化浴中
にて室温で３０秒間活性化し、室温で乾燥し、次に実施
例１に従ってニッケル化した。金属的光沢及び厚さ〜０
．１５ｆ１ｍの電気的に伝導性のニッケル沈着物を有す
る重合体のシートが得られた。
実施例 ４
１５０Ｘ３００ｍｍの長方形の木綿繊維布を塩化メチレ
ン６００ｍ１中のメシチルオキシド−塩化パラジウム０
．５（＋の溶液中に３０秒間浸漬し、室温で乾燥し、次
に実施例１による還元性ニッケル浴中で２２分間ニッケ
ル化させた。
ン６００ｍ１中のメシチルオキシド−塩化パラジウム０
．５（＋の溶液中に３０秒間浸漬し、室温で乾燥し、次
に実施例１による還元性ニッケル浴中で２２分間ニッケ
ル化させた。
約３０秒後、表面は暗い色調になり始め、そして５分後
、金属的光沢を有する金属被覆物が沈着した。
、金属的光沢を有する金属被覆物が沈着した。
実施例 ５
１２０Ｘ１２０ｍｍ角の通常のポリエステル木綿混紡の
繊維布を実施例１に従って２０秒間活性化し、実施例２
による還元浴中で増感し、蒸留水ですすぎ、次にＳｃｈ
ｅｒｉｎｇ ＡＧ、 Ｂｅｒｌｉｎ （Ｗｅｓｔ ）製
の化学的銅浴中で２０分間銅化した。５分間のみの後、
良好に付着した電気的に伝導性の銅の層が沈着した。
繊維布を実施例１に従って２０秒間活性化し、実施例２
による還元浴中で増感し、蒸留水ですすぎ、次にＳｃｈ
ｅｒｉｎｇ ＡＧ、 Ｂｅｒｌｉｎ （Ｗｅｓｔ ）製
の化学的銅浴中で２０分間銅化した。５分間のみの後、
良好に付着した電気的に伝導性の銅の層が沈着した。
実施例 ６
ＡＢＳのシートをエタノール５００ｍ１、ペンタン−２
，４−ジオン２５１及びｎ−ヘプト−３−エン−２−オ
ンー塩化パラジウム０．４ｇから調製した浴中にて室温
で５分間活性化し、３５℃で５分間乾燥し、次に実施例
１に従って２０分間にわたってニッケル化した。電気メ
ッキにより厚さを増した後、この金属沈着物の剥ｆｌｆ
ｔ（ｐｅｅｌ）強さは金属被覆物の引裂強さより大であ
った。
，４−ジオン２５１及びｎ−ヘプト−３−エン−２−オ
ンー塩化パラジウム０．４ｇから調製した浴中にて室温
で５分間活性化し、３５℃で５分間乾燥し、次に実施例
１に従って２０分間にわたってニッケル化した。電気メ
ッキにより厚さを増した後、この金属沈着物の剥ｆｌｆ
ｔ（ｐｅｅｌ）強さは金属被覆物の引裂強さより大であ
った。
実施例 ７
ボリアミド６．６のシートをｌＩ塩酸でｐＨ２゜５に調
整した活性化浴中にて実施例６に従って活性化し、蒸留
水で洗浄し、引続き実施例２に従って増感し、次に２０
分間金属化した。金属的光沢及び付着性の金属沈着物を
有する試料が得られた。
整した活性化浴中にて実施例６に従って活性化し、蒸留
水で洗浄し、引続き実施例２に従って増感し、次に２０
分間金属化した。金属的光沢及び付着性の金属沈着物を
有する試料が得られた。
実施例 ８
１００Ｘ２００ｉｍの長方形の厚さ２Ｉ！１Ｉｌｌで、
穿孔を有し、そして両面にＣｕを積層したガラス１１＠
強化されたエポキシ樹脂をＣＨｌ Ｃ１ｔ Ｉ Ｉ中の
ｎ−ヘプト−３−エン−２−オンー塩化パラジウム０．
５ｇの活性化浴中に浸漬し、実施例２に従って増感し、
次に実施例５に従って２５分間銅化した。電気的に伝導
性のＣＩ沈着物を有し、そしてプリント配線板の製造に
使用し得るスループレーテッド（ｔｈｒｕｏｈｐｌａｔ
ｅｄ）板が得られた。
穿孔を有し、そして両面にＣｕを積層したガラス１１＠
強化されたエポキシ樹脂をＣＨｌ Ｃ１ｔ Ｉ Ｉ中の
ｎ−ヘプト−３−エン−２−オンー塩化パラジウム０．
５ｇの活性化浴中に浸漬し、実施例２に従って増感し、
次に実施例５に従って２５分間銅化した。電気的に伝導
性のＣＩ沈着物を有し、そしてプリント配線板の製造に
使用し得るスループレーテッド（ｔｈｒｕｏｈｐｌａｔ
ｅｄ）板が得られた。
１７−
次の様にヘプテノン錯体を調製した。
Ｐｄ１５重量％を含むＮａ ｔ Ｐｄ Ｃｌ ４水溶液
６ｇを新たに蒸留したｎ−ヘプト−３−エン−２−オン
２０ｇに１１０℃で１５分間にわたって滴下しながら加
え、この混合物を上記の温度で２５分間攪拌し、次に０
℃に冷却した。２時間後、黄色の沈澱を吸引でろ別し、
各々７５１の蒸留水で３回、次に各々５０１の精製後の
冷却エタノールで２回洗浄し、乾燥し、トルエン／トリ
クロロエチレン（１：１）から再結晶し、そして乾燥雪
中で真空中にて一夜乾燥した。分解点１８８℃のピンク
−黄色の結晶性固体が収率９２％で得られた。
６ｇを新たに蒸留したｎ−ヘプト−３−エン−２−オン
２０ｇに１１０℃で１５分間にわたって滴下しながら加
え、この混合物を上記の温度で２５分間攪拌し、次に０
℃に冷却した。２時間後、黄色の沈澱を吸引でろ別し、
各々７５１の蒸留水で３回、次に各々５０１の精製後の
冷却エタノールで２回洗浄し、乾燥し、トルエン／トリ
クロロエチレン（１：１）から再結晶し、そして乾燥雪
中で真空中にて一夜乾燥した。分解点１８８℃のピンク
−黄色の結晶性固体が収率９２％で得られた。
Ｃ：ＣＩ ：Ｐｄ ：０−３９．９：１４．１ ：４２
．５：６．６（測定値） Ｃ：ＣＩ ：Ｐｄ ：０−３３．１ ：１４．Ｏ：４１
．９：６．３（理論値） 特許出願人 バイエル・アクチェングゼル１８− 第１頁の続き ０発 明 者 ゲルハルト・ディーツ トイ゛。
．５：６．６（測定値） Ｃ：ＣＩ ：Ｐｄ ：０−３３．１ ：１４．Ｏ：４１
．９：６．３（理論値） 特許出願人 バイエル・アクチェングゼル１８− 第１頁の続き ０発 明 者 ゲルハルト・ディーツ トイ゛。
−・ポ°ルフ ツシ；
ソ連邦共和国デー４０４７ドルマーゲン・ビルへルムー
ブｌ−シュトラーセ ２９
ブｌ−シュトラーセ ２９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、周期表の第１及び第８亜族の元素の錯体化合物の溶
液または分散液を用いて無電気的金属化に対する基体表
面を活性化する際に、１〜４の酸化段階にあるこれらの
元素と式 式中、相互に独立して Ｒ１及びＲ４は随時置換されたアルキル、シクロアルキ
ルまたはアリール基を表わし、そしてＲ２及びＲ３は水
素またはアルキルを表わす、の不飽和ケトンとの錯体化
合物を用いることを特徴とする、無電気的金属化に対す
る基体表面の活性化方法。 ２、ｐｄ、Ｐｔ、Ａ！＋またはＡ Ｉ＋の錯体化合物を
用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ３、Ｒ１及びＲ４がＣ１〜Ｃ６−アルキルを表わし、そ
してＲＥ及びＲ３がＨまたはＣ１〜Ｃ４−アルキルを表
わす、特許請求の範囲第１項記載の式のケ１〜ンをベー
スとする錯体化合物を用いることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ４、供与体及び受容体の系の錯化剤を追加せずに溶液ま
たは分散体を用いることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の方法。 ５、錯体化合物を溶媒中で０．１〜３．Ｏ，（］；／１
の濶疾で用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ６、活性化された基体を湿潤した化学的金属化浴、特に
Ｃｕ 、Ｎｉ 、Ｃｏ 、Ａｇ及びＡＬ＋浴中に導入す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 １、活性化浴中の錯体溶液の濃度を光度削を用いて連続
的に監視することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の方法。 ８． ｎ−ブ１−−３−エンー２−オンのパラジウム錯
体を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ９、ｎ−へ７１〜−３−エン−２−オンのパラジウム錯
体。 １０、金属化される基体の活性化のための特許請求の範
囲第９項記載の錯体化合物の使用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3324767.6 | 1983-07-08 | ||
| DE19833324767 DE3324767A1 (de) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | Verfahren zur aktivierung von substraten fuer die stromlose metallisierung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039166A true JPS6039166A (ja) | 1985-02-28 |
| JPH0416548B2 JPH0416548B2 (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=6203550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137418A Granted JPS6039166A (ja) | 1983-07-08 | 1984-07-04 | 基体表面の活性化法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4575467A (ja) |
| EP (1) | EP0131195B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6039166A (ja) |
| CA (1) | CA1234134A (ja) |
| DE (2) | DE3324767A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118195A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-27 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | プリント回路の製造方法 |
| US5057676A (en) * | 1989-08-08 | 1991-10-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Portable electronic apparatus |
| JP2017138164A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 大日本印刷株式会社 | 電極構造の製造方法、センサ電極の製造方法、電極構造およびセンサ電極 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3424065A1 (de) * | 1984-06-29 | 1986-01-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
| EP0214097B1 (de) * | 1985-08-23 | 1989-12-27 | Ciba-Geigy Ag | Mischung aus Olefin und Dibenzalaceton-Palladiumkomplex und deren Verwendung |
| JPH0613808B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1994-02-23 | 株式会社大井製作所 | 自動車用窓ガラス開閉装置 |
| DE3612822A1 (de) * | 1986-04-14 | 1987-10-15 | Schering Ag | Verfahren zur haftfesten metallisierung von polyetherimid |
| DE3625587A1 (de) * | 1986-07-29 | 1988-02-04 | Bayer Ag | Verfahren zur verbesserung der haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen metallschichten auf kunststoffoberflaechen |
| DE3627256A1 (de) * | 1986-08-12 | 1988-02-18 | Bayer Ag | Verfahren zur verbesserung der haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen metallschichten auf kunststoffoberflaechen |
| US5182135A (en) * | 1986-08-12 | 1993-01-26 | Bayer Aktiengesellschaft | Process for improving the adherency of metallic coatings deposited without current on plastic surfaces |
| DE3901029A1 (de) * | 1989-01-14 | 1990-07-19 | Bayer Ag | Verfahren zum metallisieren von formkoerpern aus polyarylensulfiden |
| US5200272A (en) * | 1988-04-29 | 1993-04-06 | Miles Inc. | Process for metallizing substrate surfaces |
| US5238702A (en) * | 1988-10-27 | 1993-08-24 | Henning Giesecke | Electrically conductive patterns |
| FR2656493A1 (fr) * | 1989-12-21 | 1991-06-28 | Bull Sa | Procede d'interconnexion de couches metalliques du reseau multicouche d'une carte electronique, et carte en resultant. |
| DE4209708A1 (de) * | 1992-03-25 | 1993-09-30 | Bayer Ag | Verfahren zur Verbesserung der Haftfestigkeit von stromlos abgeschiedenen Metallschichten |
| US5419954A (en) * | 1993-02-04 | 1995-05-30 | The Alpha Corporation | Composition including a catalytic metal-polymer complex and a method of manufacturing a laminate preform or a laminate which is catalytically effective for subsequent electroless metallization thereof |
| US5705463A (en) * | 1993-02-24 | 1998-01-06 | Tech Spray, Inc. | Composition and process for removal of ionic salt deposits |
| US5604191A (en) * | 1993-02-24 | 1997-02-18 | Tech Spray, Inc. | Composition for removal of ionic salt deposits |
| DE19624071A1 (de) * | 1996-06-17 | 1997-12-18 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von bahnförmigen metallbeschichteten Folien |
| US7011738B2 (en) * | 2000-07-06 | 2006-03-14 | Akzo Nobel N.V. | Activation of a cathode |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5167233A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-06-10 | Basf Ag |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1471135A (fr) * | 1965-03-17 | 1967-02-24 | Shell Int Research | Procédé de production de complexes de pi-allyle |
| NL6503362A (ja) * | 1965-03-17 | 1966-09-19 | ||
| DE3025307A1 (de) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von oberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
| DE3202484A1 (de) * | 1982-01-27 | 1983-08-04 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Metallisierte halbleiter und verfahren zu ihrer herstellung |
-
1983
- 1983-07-08 DE DE19833324767 patent/DE3324767A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-06-26 DE DE8484107302T patent/DE3465344D1/de not_active Expired
- 1984-06-26 EP EP84107302A patent/EP0131195B1/de not_active Expired
- 1984-06-27 US US06/624,882 patent/US4575467A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-07-04 JP JP59137418A patent/JPS6039166A/ja active Granted
- 1984-07-06 CA CA000458300A patent/CA1234134A/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5167233A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-06-10 | Basf Ag |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118195A (ja) * | 1984-06-26 | 1986-01-27 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | プリント回路の製造方法 |
| US5057676A (en) * | 1989-08-08 | 1991-10-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Portable electronic apparatus |
| JP2017138164A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | 大日本印刷株式会社 | 電極構造の製造方法、センサ電極の製造方法、電極構造およびセンサ電極 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3324767A1 (de) | 1985-01-17 |
| EP0131195A2 (de) | 1985-01-16 |
| EP0131195B1 (de) | 1987-08-12 |
| EP0131195A3 (en) | 1985-10-23 |
| US4575467A (en) | 1986-03-11 |
| CA1234134A (en) | 1988-03-15 |
| DE3465344D1 (en) | 1987-09-17 |
| JPH0416548B2 (ja) | 1992-03-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6039166A (ja) | 基体表面の活性化法 | |
| US4493861A (en) | Process for activating substrate surfaces for currentless metallization | |
| US5910340A (en) | Electroless nickel plating solution and method | |
| SU747437A3 (ru) | Раствор дл активировани неметаллической поверхности перед химической металлизацией | |
| US5503877A (en) | Complex oligomeric or polymeric compounds for the generation of metal seeds on a substrate | |
| US3993807A (en) | Activation of substrates for electroless metallization with zero valent palladium complex | |
| US4661384A (en) | Process for activating substrate surfaces for electroless metallization | |
| CA1169720A (en) | Process for activating surfaces for currentless metallization | |
| US4830714A (en) | Process for the production of printed circuit boards | |
| US4568570A (en) | Process for activating substrates for electroless metallization | |
| JPS6039165A (ja) | 担体材料を部分的に直接鍍金する基質表面を活性化する方法 | |
| JPS5922738B2 (ja) | 接着性のよい金属化を行なうために樹脂製表面および改良した増感を行なった樹脂製表面を中和および増感する組成物 | |
| US4636441A (en) | Semi-finished products for the manufacture of printed circuit boards | |
| JPH06280032A (ja) | シアネートエステルポリマーの表面に金属皮膜を付着して提供する方法 | |
| US5316867A (en) | Method for adhering metal coatings to thermoplastic addition polymers | |
| JPH0247548B2 (ja) | ||
| JPH0247547B2 (ja) | ||
| US3642584A (en) | Process for metal plating of substrates | |
| JP3093259B2 (ja) | オリゴマーないしポリマーの特性を有する錯化合物 | |
| JPH01104782A (ja) | 無電解メッキ用触媒材料およびそれを用いた金属化材料 | |
| US5292557A (en) | Electroless plating of substrates | |
| CA1162354A (en) | Process for electroless metal plating of a polysulfone substrate | |
| US3655531A (en) | Metalizing substrates | |
| US5418064A (en) | Electroless plating of substrates | |
| JPH06298975A (ja) | テトラカルボキシビフェニルポリイミドへの金属被覆の付着性の改良 |