JPS6039165A - 担体材料を部分的に直接鍍金する基質表面を活性化する方法 - Google Patents
担体材料を部分的に直接鍍金する基質表面を活性化する方法Info
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- JPS6039165A JPS6039165A JP14774884A JP14774884A JPS6039165A JP S6039165 A JPS6039165 A JP S6039165A JP 14774884 A JP14774884 A JP 14774884A JP 14774884 A JP14774884 A JP 14774884A JP S6039165 A JPS6039165 A JP S6039165A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直接部分的な無電源鍍金に使用できる坦体材料
の表面を、例えばプリント回路の基板アセンブリーをつ
くるために活性化する方法に関する。
の表面を、例えばプリント回路の基板アセンブリーをつ
くるために活性化する方法に関する。
この種の基板アセンブリーは多くの異った方法でつくる
ことができる。金属沈着物の種類に依存してこれらの種
々の方法として生温加法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ
ｐｒｏｃｅｓｓ） 、全添加法（ｆｕｌｌｙ ａｄｄ
ｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、金属被覆添加法（ｍｅ
ｔａｌ ｒｅｓｉｓｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）または基質ド
添加法（ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅ−ａｄｄｉｔｉｖｅ
ｐｒ。
ことができる。金属沈着物の種類に依存してこれらの種
々の方法として生温加法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ
ｐｒｏｃｅｓｓ） 、全添加法（ｆｕｌｌｙ ａｄｄ
ｉｔｉｖｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、金属被覆添加法（ｍｅ
ｔａｌ ｒｅｓｉｓｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）または基質ド
添加法（ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅ−ａｄｄｉｔｉｖｅ
ｐｒ。
ｃｅｓｓ） 、及びいわゆる［多層膜法（ｓ＋ｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）Ｊが使用される［ギ
ュンターーヘルマン（Ｇｕｅｎｔｈｅｒ Ｈｅｒ＋ｍａ
ｎｎ）著、「プリント回路板の製造法及び予備処理法（
Ｌｅｉｔｐｌａｔｔｅｎ Ｈｅｒｓｔｅｌｌｕｎｇ ｕ
ｎｄＶｏｒｂｅｈａｎｄｌｕｎｇ） Ｊ、ドイツ、ザウ
ルガウ・つ゛ユルト（Ｓａｕｌｇａｕ Ｗｕｅｒｔｔ）
、オイゲン１ゲー１１１／７ツｘ （Ｅｕｇｅｎ Ｇ、
Ｌｅｎｚｅ）出版社１９７８年発行、参照のこと］。
ｌａｙｅｒ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）Ｊが使用される［ギ
ュンターーヘルマン（Ｇｕｅｎｔｈｅｒ Ｈｅｒ＋ｍａ
ｎｎ）著、「プリント回路板の製造法及び予備処理法（
Ｌｅｉｔｐｌａｔｔｅｎ Ｈｅｒｓｔｅｌｌｕｎｇ ｕ
ｎｄＶｏｒｂｅｈａｎｄｌｕｎｇ） Ｊ、ドイツ、ザウ
ルガウ・つ゛ユルト（Ｓａｕｌｇａｕ Ｗｕｅｒｔｔ）
、オイゲン１ゲー１１１／７ツｘ （Ｅｕｇｅｎ Ｇ、
Ｌｅｎｚｅ）出版社１９７８年発行、参照のこと］。
基質下線加法においては、坦体基板の両側に例えばスク
リーン争プリントψランカーまたは写真ラッカーで部分
的に被覆することにより銅箔に積層化し、酸化剤、例え
ばＦｅＣ１１でエツチングしてう、カーのない部分の銅
を除去し、基板を水洗し、活性化溶液で活性化し、水洗
し増感した後、化学的鍍金浴中で全体の鍍金を行う。
リーン争プリントψランカーまたは写真ラッカーで部分
的に被覆することにより銅箔に積層化し、酸化剤、例え
ばＦｅＣ１１でエツチングしてう、カーのない部分の銅
を除去し、基板を水洗し、活性化溶液で活性化し、水洗
し増感した後、化学的鍍金浴中で全体の鍍金を行う。
添加法は基板アセンブリーを直接つくりあげる方法であ
るが、この方法は次の操作工程から成っている。
るが、この方法は次の操作工程から成っている。
坦体な接着促進ラッカーで被覆し、う・ツカー被購をク
ロム硫酸でエツチングし、活性化溶液でラッカー被膜を
活性化し、基質表面を例えばスクリーン中プリントφラ
ッカーまたは写真ラッカーで被覆し、新しいラッカー被
膜を部分的に現像し、増感処理を行い、化学的にニッケ
ルまたは銅を鍵余し、電解により電気伝導性の金属沈着
物を厚くする。
ロム硫酸でエツチングし、活性化溶液でラッカー被膜を
活性化し、基質表面を例えばスクリーン中プリントφラ
ッカーまたは写真ラッカーで被覆し、新しいラッカー被
膜を部分的に現像し、増感処理を行い、化学的にニッケ
ルまたは銅を鍵余し、電解により電気伝導性の金属沈着
物を厚くする。
ここで使用される活性化溶液は好ましくはイオ゛／性ま
たはコロイド状のパラジウム溶液であるか、または最近
では有機金属化合物の溶液または分散液である（オース
トリア特許第２８８，０５８号、ドイツ特許公開明細書
環２，４５１，２１７号及び第３，１２３．９４６号参
照）。
たはコロイド状のパラジウム溶液であるか、または最近
では有機金属化合物の溶液または分散液である（オース
トリア特許第２８８，０５８号、ドイツ特許公開明細書
環２，４５１，２１７号及び第３，１２３．９４６号参
照）。
基質の部分的鍍金に関する公知方法について一上記で述
べた簡単な説明から、これらの方法は非常に労力のかか
る方法であることが判る。さらにこれらの方法〒は通常
、ＬＬＩ１１程度の複雑な幾何学的構造をもつ所望の細
かい電気伝導性の通路をつくることはできず、基質材料
を不可逆的に劣化させる。
べた簡単な説明から、これらの方法は非常に労力のかか
る方法であることが判る。さらにこれらの方法〒は通常
、ＬＬＩ１１程度の複雑な幾何学的構造をもつ所望の細
かい電気伝導性の通路をつくることはできず、基質材料
を不可逆的に劣化させる。
また水性の鍍金工程で捕捉される酸化剤、例えばクロム
酸イオンのために、活性化浴、１？感浴、及び鍍金浴は
不可逆的に被毒する。
酸イオンのために、活性化浴、１？感浴、及び鍍金浴は
不可逆的に被毒する。
５−
従って本発明の目的は、上記の欠点を避け、とくに坦体
に対する通常の後処理または前処理、例えばマスクをか
ける工程、マスクを化学的または物理的に除去する工程
、或いはエツチングによりｉル続的な金属沈着物を部分
的に除去する工程を必要としない部分的な金属沈着物を
有する坦体を提供することである。
に対する通常の後処理または前処理、例えばマスクをか
ける工程、マスクを化学的または物理的に除去する工程
、或いはエツチングによりｉル続的な金属沈着物を部分
的に除去する工程を必要としない部分的な金属沈着物を
有する坦体を提供することである。
本発明に従えば、この目的は活性化剤として有機溶媒の
中に均一・に分散した周期律表の第１及び第８副属の元
素の有機金属化合物を使用し、これを選択的にコントロ
ールされた噴霧ミスト転写法（ｓｐｒａｙ−ｍｉｓｔ
ｔｒａｃｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、特に「インク拳ミ
スト法」または「インク嗜ジェット法」により基質表面
の一部に被覆することにより達成される。
中に均一・に分散した周期律表の第１及び第８副属の元
素の有機金属化合物を使用し、これを選択的にコントロ
ールされた噴霧ミスト転写法（ｓｐｒａｙ−ｍｉｓｔ
ｔｒａｃｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、特に「インク拳ミ
スト法」または「インク嗜ジェット法」により基質表面
の一部に被覆することにより達成される。
［インク争ジｘ ット転写法（ｉｎｋ ｊｅｔ ｔｒａ
ｃｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ） Ｊは一般に公知である。
ｃｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ） Ｊは一般に公知である。
これは印刷インク法であり、印刷ヘッドを坦体表面に接
触させずに液滴をコントロールしながら坦体表面に噴霧
す６一 る方法である。このような方法は例えばシーメンス、ジ
ャーナシしくＳｉｅｍｅｎｓ Ｊｏｕｒｎａｌ）第４巻
、 １９７７年４月号、２１８〜２２１頁に記載されて
いる。
触させずに液滴をコントロールしながら坦体表面に噴霧
す６一 る方法である。このような方法は例えばシーメンス、ジ
ャーナシしくＳｉｅｍｅｎｓ Ｊｏｕｒｎａｌ）第４巻
、 １９７７年４月号、２１８〜２２１頁に記載されて
いる。
この方υ：によればセルロースをペースにした記録材料
の１−に極めて迅速に情報を印刷することができる。
の１−に極めて迅速に情報を印刷することができる。
印刷ノズルをコントロールするには主としてピエゾ電気
効果を使用し、これに付随して液滴の放出のトリガーに
する。この原理で操作される印刷へブドは例えばドイツ
公開特許第２，５４３，４５７号に記載されている。
効果を使用し、これに付随して液滴の放出のトリガーに
する。この原理で操作される印刷へブドは例えばドイツ
公開特許第２，５４３，４５７号に記載されている。
ノズル及びそれの反対側に置かれた電極の間にかけられ
た信号電圧で印刷インクが加速されコントロールされる
「インク・ジェット法」とは対照的に、同様に公知の「
インク・ミスト法」においては超音波振動によりインク
のミストをつくる。
た信号電圧で印刷インクが加速されコントロールされる
「インク・ジェット法」とは対照的に、同様に公知の「
インク・ミスト法」においては超音波振動によりインク
のミストをつくる。
Ｘ質表面の無電流鍍金に使用される有機金属化合物の活
性化剤も一般に公知である（、ｌ：記のオーストリア特
許第２８８，０５８号及びドイツ特許公開明細書第２，
４５１，２１７号の他に、ドイツ特許公開明細書第３，
０２５，３０７号、第３，１４８，２８０号及び第３，
１５０゜８８５号参照）。
性化剤も一般に公知である（、ｌ：記のオーストリア特
許第２８８，０５８号及びドイツ特許公開明細書第２，
４５１，２１７号の他に、ドイツ特許公開明細書第３，
０２５，３０７号、第３，１４８，２８０号及び第３，
１５０゜８８５号参照）。
これらの化合物は金属キレート錯体、金属と結合するの
に必要な基の他に少なくとも一つの他の官能基をもった
有機金属π錯体（化合物）、及び有機金属化合物のオリ
ゴマー、重合体、及び予備重合体である。
に必要な基の他に少なくとも一つの他の官能基をもった
有機金属π錯体（化合物）、及び有機金属化合物のオリ
ゴマー、重合体、及び予備重合体である。
Ｐｄ、 Ａｕ、 Ｐｔ、及びＡｇの有機金属π錯体が好
適である。その例としてはブタジェンー二塩化パラジウ
ム、イソプレンー二塩化パラジウム及びベンゾニＩ・リ
ルー二塩化パラジウムがある。
適である。その例としてはブタジェンー二塩化パラジウ
ム、イソプレンー二塩化パラジウム及びベンゾニＩ・リ
ルー二塩化パラジウムがある。
特に好適なものは酸化度が１〜４の周期律表の第１及び
第８副属の元素（特に１価のパラジウム）と、式 但しＲ，及びＲ４は炭素数１〜２０のアルキル、好まし
くは炭素数１〜６のアルキルであり、Ｒ２及びＲ３は水
素又は炭素数１〜４のアルキル、好ましくはメチルであ
る。
第８副属の元素（特に１価のパラジウム）と、式 但しＲ，及びＲ４は炭素数１〜２０のアルキル、好まし
くは炭素数１〜６のアルキルであり、Ｒ２及びＲ３は水
素又は炭素数１〜４のアルキル、好ましくはメチルであ
る。
の不飽和ケトンとの同様に一部公知の、或いは公知方法
で製造し得る錯体である。
で製造し得る錯体である。
その例としては酸化メシチル、ｎ−ブドー３−エン−２
−オン、ｎ−ヘプト−３−エン−２−オン、ｎ−へキス
−３−エン−２−オン、ｎ−デク−４−エン−３−オン
、５−クロロベント−３−エン−２−オン、エチルビニ
ルケトン、３−メチルオクト−５−エン−４−オン、３
−メチルベント−３−エン−２−オン、及び７−メドキ
シヘプトー３−エン−２−オンである。
−オン、ｎ−ヘプト−３−エン−２−オン、ｎ−へキス
−３−エン−２−オン、ｎ−デク−４−エン−３−オン
、５−クロロベント−３−エン−２−オン、エチルビニ
ルケトン、３−メチルオクト−５−エン−４−オン、３
−メチルベント−３−エン−２−オン、及び７−メドキ
シヘプトー３−エン−２−オンである。
これらの化合物から誘導される錯体は貯蔵安定性が高い
特徴をもっている。
特徴をもっている。
活性化剤を均一に分散させるのに適した有機溶媒は塩化
メチレン、クロロフォルム、酸化メシチル、トリクロエ
チレン、 １．１．１１リクロロエタン、アセトン、メ
タノール、エタノール、ブタノール、エチレングリコー
ル及びこれらの溶媒と能の溶媒との混合物である。
メチレン、クロロフォルム、酸化メシチル、トリクロエ
チレン、 １．１．１１リクロロエタン、アセトン、メ
タノール、エタノール、ブタノール、エチレングリコー
ル及びこれらの溶媒と能の溶媒との混合物である。
９−
鍍金するプラスチックスの表面を部分的に汚染または部
分的に膨潤させる溶媒又は溶媒混合物は、金属沈着物と
坦体表面との接着を増加させるために、本発明方法を実
施するのに特に好適に使用される。
分的に膨潤させる溶媒又は溶媒混合物は、金属沈着物と
坦体表面との接着を増加させるために、本発明方法を実
施するのに特に好適に使用される。
この点に関し、溶媒及びそれと沈澱剤との配合物は、例
えば米国ニューヨーク、ジョン・ウィリー・アンド拳す
ンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ ５ｏｎｓ）社１
９７４年発行、ジェー・會ブランドラップ（ｊ、 Ｂｒ
ｕｎｄｒｕｐ）及びイーΦエイチ・インナーガツト（Ｅ
、 Ｈ，Ｉｎｎｅｒｇｕｔ）著、「ポリで−１１ハンド
ブツク（ＰｏｌｙｍｅｒＨａｎｄｂｏｏｋ）Ｊに記載さ
れている。
えば米国ニューヨーク、ジョン・ウィリー・アンド拳す
ンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ａｎｄ ５ｏｎｓ）社１
９７４年発行、ジェー・會ブランドラップ（ｊ、 Ｂｒ
ｕｎｄｒｕｐ）及びイーΦエイチ・インナーガツト（Ｅ
、 Ｈ，Ｉｎｎｅｒｇｕｔ）著、「ポリで−１１ハンド
ブツク（ＰｏｌｙｍｅｒＨａｎｄｂｏｏｋ）Ｊに記載さ
れている。
しかし本発明を限定することなく本発明方法をＬ業的規
模で実施する場合には、次の条件を保持することが推奨
される。
模で実施する場合には、次の条件を保持することが推奨
される。
１、溶媒は活性化剤を化学的にも物理的にも非’ｔ＋’
ｆ 逆的に劣化させてはいけない。
ｆ 逆的に劣化させてはいけない。
ｉｉ、溶媒は活性化剤の凝固を起したり分離（ｄｅｗｉ
ｘｉｎｇ）を起したりしてはいけない。
ｘｉｎｇ）を起したりしてはいけない。
１０−
ｉｉｉ 、溶媒は使用する坦体を完全に溶解したりエン
チングしたりしてはいけない。
チングしたりしてはいけない。
ｉｖ、溶媒は余分な後処理、例えば紫外線照射または真
空処理をすることなく蒸発可能でなければならない。
空処理をすることなく蒸発可能でなければならない。
マ、 所望の粘度範囲またはレオロジー的性質を賦すす
るためには、勿論有機重合体及びラテックス及び／又は
有機または無機の濃化剤を活性化剤−ｍ液に加えること
ができる。＃機溶液に固有粘度、チキントロピー及びグ
イラタンシーまたはニュートン瀉に関する性質を賦与す
るこのような楕加剤は一般に公知である［ウルマン（Ｕ
ｌｌｍａｎ）、２ 、８０； ｔｏ、？＋５．７４０；
及び１７．１０７．１９２参照］。これらの汗加剤を選
択する場合、装置の操作条件（印刷速度、剪断応力及び
ノズルの中の剪断力または剪断速度）及び活性化溶液の
化学的及び物理的性質（例えば粘度、沸点及び膨潤性）
を考慮しなければならない。
るためには、勿論有機重合体及びラテックス及び／又は
有機または無機の濃化剤を活性化剤−ｍ液に加えること
ができる。＃機溶液に固有粘度、チキントロピー及びグ
イラタンシーまたはニュートン瀉に関する性質を賦与す
るこのような楕加剤は一般に公知である［ウルマン（Ｕ
ｌｌｍａｎ）、２ 、８０； ｔｏ、？＋５．７４０；
及び１７．１０７．１９２参照］。これらの汗加剤を選
択する場合、装置の操作条件（印刷速度、剪断応力及び
ノズルの中の剪断力または剪断速度）及び活性化溶液の
化学的及び物理的性質（例えば粘度、沸点及び膨潤性）
を考慮しなければならない。
ｖｌ、活性化剤溶液は０．３〜１００ｃｐの粘度をもっ
ていなければならない。
ていなければならない。
本発明の新規方法は一般に次のようにして行われる。
周期律表の第１及び第８副属の元素、特にＣｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｄ、及びｐｔの有機金属化合物を有機溶媒に
溶解する。有機金属化合物の濃度は！ｆＬ当り（使用し
た金属に関し）０．０１〜１００ｇ、好ましくは０．１
〜１０．０ｇ 、特に好ましくは０．１〜２．５ｇテあ
る。
Ａｕ、Ｐｄ、及びｐｔの有機金属化合物を有機溶媒に
溶解する。有機金属化合物の濃度は！ｆＬ当り（使用し
た金属に関し）０．０１〜１００ｇ、好ましくは０．１
〜１０．０ｇ 、特に好ましくは０．１〜２．５ｇテあ
る。
活性化剤溶液を液滴の形で、例えば温度１０〜４０℃に
おいて、「イ二／り争ジェ・シト法］または「インク・
ミスト法」により坦体に噴霧した後、乾燥する。
おいて、「イ二／り争ジェ・シト法］または「インク・
ミスト法」により坦体に噴霧した後、乾燥する。
本発明方法に適した坦体の例としては紙、ポリエチ１／
ン、ポリプロピレン、ＡＢＳプラスチックヌ、エポキシ
樹脂、ポリアミドプラスチックス、ポリエステルプラス
チックス、ポリアクリロニトリルプラスチックス、スチ
レン中ブタジェン共重合体、アミド／イミド共縮合体、
ポリヒダントイン、及びこれらの？＃醍体の混合物また
は共重合体である。
ン、ポリプロピレン、ＡＢＳプラスチックヌ、エポキシ
樹脂、ポリアミドプラスチックス、ポリエステルプラス
チックス、ポリアクリロニトリルプラスチックス、スチ
レン中ブタジェン共重合体、アミド／イミド共縮合体、
ポリヒダントイン、及びこれらの？＃醍体の混合物また
は共重合体である。
このように部分的に活性化した坦体を次に還元して増感
しなければならない。このためには電気化学丁業におけ
る通常の還元剤、例えば水和ヒドラジン、フォルｌ、ア
ルデヒド、ハイポ亜燐酸またはポランを使用することが
好ましい。 ゛このようにして活性化した表面は直接無
電流鍍金に使用することができる。しかし、水洗により
表面から還元剤の残渣を除去する必要がある。
しなければならない。このためには電気化学丁業におけ
る通常の還元剤、例えば水和ヒドラジン、フォルｌ、ア
ルデヒド、ハイポ亜燐酸またはポランを使用することが
好ましい。 ゛このようにして活性化した表面は直接無
電流鍍金に使用することができる。しかし、水洗により
表面から還元剤の残渣を除去する必要がある。
特に好適な本発明の具体化例においては、鍍金浴中での
増感は無電流鍍金の還元剤を用いて実施する。この特に
好適な具体化例によれば、これまでは不可能であった部
分的な鍍金の簡単化が行われる。この特に簡単な具体化
例は、坦体の一部の直接活性化、溶媒の蒸発、及び活性
化された表面の鍍金浴への浸漬の三つの操作から成るに
過ぎない。
増感は無電流鍍金の還元剤を用いて実施する。この特に
好適な具体化例によれば、これまでは不可能であった部
分的な鍍金の簡単化が行われる。この特に簡単な具体化
例は、坦体の一部の直接活性化、溶媒の蒸発、及び活性
化された表面の鍍金浴への浸漬の三つの操作から成るに
過ぎない。
この具体化例はアミノポランを含むニッケル１３−
浴５ フォルマリンを含む銅浴または化学的な金の浴に
特に適している。
特に適している。
本発明方法に使用できる好適な鍍金浴はＸｉ、Ｇｏ、
Ｃｕ、 Ａｕ、またはＡｇ塩またはそれらの混合物を含
む浴である。このような鍍金浴は無電流鍍金法において
公知である。必要に応じこのような金属沈着物は化学的
方法又は電解法で所望の厚さまで増加させることができ
る。
Ｃｕ、 Ａｕ、またはＡｇ塩またはそれらの混合物を含
む浴である。このような鍍金浴は無電流鍍金法において
公知である。必要に応じこのような金属沈着物は化学的
方法又は電解法で所望の厚さまで増加させることができ
る。
本発明でつくられた製品は多くの用途をもっており１例
えばプリント回路（プリント電気回路基板アセンブリー
）、金属光沢なもつ材料（装飾用）、静電的に或いは電
磁波から遮蔽するプラスチックスからつくられた坦体、
識別用カード、磁気的に情報を運搬または記録及び格納
する材料、パルサー及びクロック装置、プリント後所望
の期間後にＣ部分的活性化）鍍金により秘匿された情報
を顕在化する材料、及び金属光沢をもつ文字、線等が描
かれた紙またはプラスチックスでつくられた坦体の製造
に使用される。下記の実施例によ１４− り本発明を例示する。これらの実施例は中に例示のため
のものであり、特許請求の範囲記載の事項以外本発明を
駆足するものではない。
えばプリント回路（プリント電気回路基板アセンブリー
）、金属光沢なもつ材料（装飾用）、静電的に或いは電
磁波から遮蔽するプラスチックスからつくられた坦体、
識別用カード、磁気的に情報を運搬または記録及び格納
する材料、パルサー及びクロック装置、プリント後所望
の期間後にＣ部分的活性化）鍍金により秘匿された情報
を顕在化する材料、及び金属光沢をもつ文字、線等が描
かれた紙またはプラスチックスでつくられた坦体の製造
に使用される。下記の実施例によ１４− り本発明を例示する。これらの実施例は中に例示のため
のものであり、特許請求の範囲記載の事項以外本発明を
駆足するものではない。
実施例１
大きさ２］ＯＸ３００ｍｍ 、厚さＯ，ＩｔａｍのＡＢ
Ｓ７（ルｌ、な、０．７５ｇの塩化４−シクロヘキセン
−１，２−ジカルホン酸パラジウム（ＩＩ）、８００１
のエタノール及び５０ｍ ｌのトリクロロエタンからつ
くられた活性化溶前を使用して通常の［インク・ジェッ
ト法」 で部分的に活性化し、フィルムを室温で１分間
乾燥し、次いで３．Ｏｇのジメチルアミノポラン、３０
ｇのＮｉＣｌ２ と１０ｇのクエン酸とを１文中に含み
濃アンモニア溶液でｐＨを８．２にされた化学的Ｎｉ浴
中で２０分間無電流ニッケル信金（ｃｕｒｒｅｎｔｌｅ
ｓｓ ｎｉｃｋｅｌｉｎｇ）をする。部分的に鍍金され
たフィルムが得られた。金属光波をもつＮ１沈着物の被
膜の厚さは約０．２ ｐ−ｍであった。
Ｓ７（ルｌ、な、０．７５ｇの塩化４−シクロヘキセン
−１，２−ジカルホン酸パラジウム（ＩＩ）、８００１
のエタノール及び５０ｍ ｌのトリクロロエタンからつ
くられた活性化溶前を使用して通常の［インク・ジェッ
ト法」 で部分的に活性化し、フィルムを室温で１分間
乾燥し、次いで３．Ｏｇのジメチルアミノポラン、３０
ｇのＮｉＣｌ２ と１０ｇのクエン酸とを１文中に含み
濃アンモニア溶液でｐＨを８．２にされた化学的Ｎｉ浴
中で２０分間無電流ニッケル信金（ｃｕｒｒｅｎｔｌｅ
ｓｓ ｎｉｃｋｅｌｉｎｇ）をする。部分的に鍍金され
たフィルムが得られた。金属光波をもつＮ１沈着物の被
膜の厚さは約０．２ ｐ−ｍであった。
実施例２
大きさ２１０ Ｘ３００ｍｍ 、厚さ０ 、０５ｍｍ（
７） セ）Ｉｙ Ｏ−ス繊維からつくられたカードを、
０．５ｇのブタシエン二用化ハラジウム、５００ｍ ｌ
のシクロ八、キサノー１し、２００ｍ ｌのエチレング
リコール、及び５０ｍ１の酸化メシチルからつくられた
活性化溶液を用いて通常の「インク・ミスｉ・法」によ
り部分的に活性化し、このカードを室温で５分間乾燥し
、４．０ｇのジメチルアミノポランを１１中に含む水性
還元浴中で３分間増感し、次いで通常の化学的銅浴［例
えばドイツ、ゾーリンゲン（Ｓｏｌｉｎｇｅｎ） ５８
５０、フリードリーヒ・ブラスベルグ（Ｆｒｉｅｄｌｉ
ｃｈ Ｂｌａｓｂｅｒｇ）社製］中で銅鍍金する。僅か
１５分後に試験試料は部分的に調法着物で被覆された。
７） セ）Ｉｙ Ｏ−ス繊維からつくられたカードを、
０．５ｇのブタシエン二用化ハラジウム、５００ｍ ｌ
のシクロ八、キサノー１し、２００ｍ ｌのエチレング
リコール、及び５０ｍ１の酸化メシチルからつくられた
活性化溶液を用いて通常の「インク・ミスｉ・法」によ
り部分的に活性化し、このカードを室温で５分間乾燥し
、４．０ｇのジメチルアミノポランを１１中に含む水性
還元浴中で３分間増感し、次いで通常の化学的銅浴［例
えばドイツ、ゾーリンゲン（Ｓｏｌｉｎｇｅｎ） ５８
５０、フリードリーヒ・ブラスベルグ（Ｆｒｉｅｄｌｉ
ｃｈ Ｂｌａｓｂｅｒｇ）社製］中で銅鍍金する。僅か
１５分後に試験試料は部分的に調法着物で被覆された。
約２５分後。
この化学的な銅の沈着物のモ均の厚さは約０．２用ｍ、
幅は約７５ｇ、ｍになった。化学的な鍍金浴から試験試
料を取り出し、蒸留水で水洗した後、銅電解浴中で電流
密度０．８ ／ｄｒｎ’において３０分間電解し沈着物
の厚さを約６．６ μｍに増加せた。
幅は約７５ｇ、ｍになった。化学的な鍍金浴から試験試
料を取り出し、蒸留水で水洗した後、銅電解浴中で電流
密度０．８ ／ｄｒｎ’において３０分間電解し沈着物
の厚さを約６．６ μｍに増加せた。
実施例３
３００ Ｘ ２０ｍｍの矩形のポリエステルフィルムを
実施例１に従って活性化し、溶媒をへ発させた後、１５
分間ニッケル鍍金した。
実施例１に従って活性化し、溶媒をへ発させた後、１５
分間ニッケル鍍金した。
部分的に鍍金されたフィルムが得られた。金属光沢をも
つＮ１沈着物の被膜の厚さは約０．２ ｐＬｍであった
。
つＮ１沈着物の被膜の厚さは約０．２ ｐＬｍであった
。
実施例４
ガラス繊維で補強された１００ Ｘ １００ ｍｍの正
方形のポリアミドフィルムを、１交の１．１．１−１−
リクロロエタンの中に０．６ｇのアセトニトリルニ塩化
パラジウムを含む溶液で「インクΦミスト法ｊにより部
分的に活性化し１次いで実施例１の無電流鍍金を行った
。僅か３０秒後にシートの表面は部分的に黒色に変り始
め、３分後には細かいＮｉの沈着物で部分的に被覆され
た。約１５分後、化学的につくられたＮｉ沈着物の厚さ
は約Ｑ、２ ｐ、ｍ １幅約２５ｐｍになった。ｎ−ヘ
プト−３−エノンのパラジウム−ｒ−錯体を使用しても
同様な結果が得られる。
方形のポリアミドフィルムを、１交の１．１．１−１−
リクロロエタンの中に０．６ｇのアセトニトリルニ塩化
パラジウムを含む溶液で「インクΦミスト法ｊにより部
分的に活性化し１次いで実施例１の無電流鍍金を行った
。僅か３０秒後にシートの表面は部分的に黒色に変り始
め、３分後には細かいＮｉの沈着物で部分的に被覆され
た。約１５分後、化学的につくられたＮｉ沈着物の厚さ
は約Ｑ、２ ｐ、ｍ １幅約２５ｐｍになった。ｎ−ヘ
プト−３−エノンのパラジウム−ｒ−錯体を使用しても
同様な結果が得られる。
実施例５
ガラス繊維で補強された２００ Ｘ ２００龍の正方形
１７− のポリエステルフィルムを、０．９ｇのイソプレン−１
ｐ化パラジウＪ・、２ｇの陽イオン性ボリウ１／タン・
ラテツクス、２００ｍ１のメタノール、及び４００ｍ１
の塩化メチレンから成り粘度が５．Ｏｃｐの溶液を使
用して実施例２に従って活性化し、フィルムを乾燥し、
増感した後２５分間銅鍍金した。
１７− のポリエステルフィルムを、０．９ｇのイソプレン−１
ｐ化パラジウＪ・、２ｇの陽イオン性ボリウ１／タン・
ラテツクス、２００ｍ１のメタノール、及び４００ｍ１
の塩化メチレンから成り粘度が５．Ｏｃｐの溶液を使
用して実施例２に従って活性化し、フィルムを乾燥し、
増感した後２５分間銅鍍金した。
部分的に鍍金されたプラスチ・ンクス成分が得られたが
、これを通常の電解金鍍金浴［例えばドイツ、ゾーリン
ゲｙ（Ｓｏｌｉｎｇｅｎ） ５８５０、フリードリー／
ヒ”ブラスベルグ（Ｆｒｉｅｄｌｉｃｈ Ｂｌａｓｂ
ｅｒｇ）社製］中で全鍍金１７、約４０ｇｍの厚さの全
鍍金を得た。
、これを通常の電解金鍍金浴［例えばドイツ、ゾーリン
ゲｙ（Ｓｏｌｉｎｇｅｎ） ５８５０、フリードリー／
ヒ”ブラスベルグ（Ｆｒｉｅｄｌｉｃｈ Ｂｌａｓｂ
ｅｒｇ）社製］中で全鍍金１７、約４０ｇｍの厚さの全
鍍金を得た。
実施例６
実施例４のへブタノン錯体は次のようにしてつくられ払
。
。
１５重借％のＰｄを含むＮａ２ ＰｄＣ：Ｉｔの水溶液
６ｇを２０ｇの新しく薪留したｎ−ヘプト−３−エン−
２−オンに１１０℃において１５分に亙り滴下し、上記
温度でこの混合物を２５分間攪拌した後、０℃に冷却す
る。
６ｇを２０ｇの新しく薪留したｎ−ヘプト−３−エン−
２−オンに１１０℃において１５分に亙り滴下し、上記
温度でこの混合物を２５分間攪拌した後、０℃に冷却す
る。
−１８＝
２時間後、竹色の沈澱を吸引濾過し、７５ｍ１の蒸留水
で３回洗炸した後、精製した冷エタノール５０ｍ１で２
回洗浄し、乾燥し、トルエン／トリクロロエチレン（１
：１）から再結晶し、乾燥器中で一晩真空乾燥する。分
解点１８８℃の桃黄色の結晶固体を９２％の収率で得た
。
で３回洗炸した後、精製した冷エタノール５０ｍ１で２
回洗浄し、乾燥し、トルエン／トリクロロエチレン（１
：１）から再結晶し、乾燥器中で一晩真空乾燥する。分
解点１８８℃の桃黄色の結晶固体を９２％の収率で得た
。
特許出願人 バイエル舎アクチェンゲゼルシャ１９−
４３８−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、有機溶媒の中に均・に分布させた周期律表の第１及
び第８副属の元素の有機金属化合物を使用し、坦体材料
を部分的に直接無電法鍍金するため基質表面を活性化す
る方法であって、これらの化合物を選択的にコントロー
ルされた噴霧ミスト転写法、特に「インク拳ミスト法」
または「インク拳ジェット法」により適用することを特
徴とする方法。 ２、処理した基質を溶媒から取り出した後、心安に応じ
増感を施した後、直接無電疏鍍金浴に導入する特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ３、Ａｕ、 Ａｇ、 Ｐｄ、 Ｐｔ、及びＣｕノ有機金
属π化合物または＋Ｌメート錯体を用いて活性化を行な
う特許請求の範囲第１項記載の方法。 −１＝ ４、有機金属化合物は金属を結合するのに必要な基の他
に少なくとも一つの他の官能基を有する特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ５、式 但しＲ１及びＲ４は炭素数１〜２０のアルキル、好まし
くは炭素数１〜８のアルキルであり、Ｒ２及びＲ３は水
素又は炭素数１〜４のアルキル、好ましくはメチルであ
る、 の不飽和ケトンの錯体化合物を用いて活性化を行う特許
請求の範囲第１記載の方法。 ６、ブドー３−エン−２−オンのパラジウム−Ｉ−Ｍ体
を用いて活性化を行う特許請求の範囲第１記載の方法。 ７、有機金属化合物は０．１〜ＩＯ０，０ｇ／］の廣（
使用した金属に関し）で溶媒に溶解または分散している
特許請求の範囲第１項記載の方法。 ８、化学的鍍金浴としてＣｕ、 Ｎｉ、 Ｃ（１，Ａｌ
ｌまたほそ−２＝ れらの混合物を使用する特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ９、プリント回路基板アセンブリーの製造に使用する特
許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3326508.9 | 1983-07-22 | ||
| DE19833326508 DE3326508A1 (de) | 1983-07-22 | 1983-07-22 | Verfahren zum aktivieren von substratoberflaechen fuer die direkte partielle metallisierung von traegermaterialien |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039165A true JPS6039165A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=6204690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14774884A Pending JPS6039165A (ja) | 1983-07-22 | 1984-07-18 | 担体材料を部分的に直接鍍金する基質表面を活性化する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0132677A1 (ja) |
| JP (1) | JPS6039165A (ja) |
| DE (1) | DE3326508A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4668533A (en) * | 1985-05-10 | 1987-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ink jet printing of printed circuit boards |
| EP0214097B1 (de) * | 1985-08-23 | 1989-12-27 | Ciba-Geigy Ag | Mischung aus Olefin und Dibenzalaceton-Palladiumkomplex und deren Verwendung |
| EP0233145B1 (de) * | 1986-01-30 | 1989-10-18 | Ciba-Geigy Ag | Polymerzusammensetzungen enthaltend einen gelösten Dibenzalaceton-Palladiumkomplex |
| GB8703664D0 (en) * | 1987-02-17 | 1987-03-25 | Green A | Electroless silver plating composition |
| DK648187D0 (da) * | 1987-12-09 | 1987-12-09 | Linkease Test Systems A S | Fremgangsmaade og apparat til fremstilling af kredsloebsdel |
| US5227223A (en) * | 1989-12-21 | 1993-07-13 | Monsanto Company | Fabricating metal articles from printed images |
| DE4035080A1 (de) * | 1990-11-05 | 1992-05-07 | Abb Patent Gmbh | Verfahren und einrichtung zur herstellung von partiellen metallischen schichten |
| GB2360489A (en) | 2000-03-23 | 2001-09-26 | Seiko Epson Corp | Deposition of soluble materials |
| KR20040007643A (ko) * | 2001-06-04 | 2004-01-24 | 키네티큐 리미티드 | 패턴화 방법 |
| GB0113408D0 (en) * | 2001-06-04 | 2001-07-25 | Secr Defence | Autocatalytic coating method |
| GB2391871A (en) * | 2002-08-16 | 2004-02-18 | Qinetiq Ltd | Depositing conductive solid materials using reservoirs in a printhead |
| KR20050097956A (ko) * | 2003-01-28 | 2005-10-10 | 컨덕티브 잉크젯 테크놀로지 리미티드 | 기판상에 도전성 금속을 형성하는 방법 |
| KR20060123213A (ko) * | 2003-10-29 | 2006-12-01 | 컨덕티브 잉크젯 테크놀로지 리미티드 | 기판 상의 층 형성 방법 |
| DE102005006995B4 (de) | 2005-02-15 | 2008-01-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit Kunstoffgehäuse und Außenanschlüssen sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2253944C2 (de) * | 1972-11-03 | 1983-02-24 | Agfa-Gevaert Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur Herstellung eines Reliefbildes |
| DE2451217C2 (de) * | 1974-10-29 | 1982-12-23 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Aktivierung von Substraten für die stromlose Metallisierung |
| CH616178A5 (en) * | 1976-03-30 | 1980-03-14 | Electroplating Eng | Plating appliance for thin plates, foils or similar sheet-like material. |
| DE2731894C3 (de) * | 1977-07-14 | 1980-07-17 | Roland 8702 Veitshoechheim Kraus | Farbauftragverfahren und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| FI783935A (fi) * | 1978-12-20 | 1980-06-21 | Outokumpu Oy | Foerfarande foer belaeggning med metall av ett material som icke leder elektricitet |
| DE3148280A1 (de) * | 1981-12-05 | 1983-06-09 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur aktivierung von substratoberflaechen fuer die stromlose metallisierung |
-
1983
- 1983-07-22 DE DE19833326508 patent/DE3326508A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-07-09 EP EP19840107998 patent/EP0132677A1/de not_active Ceased
- 1984-07-18 JP JP14774884A patent/JPS6039165A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0132677A1 (de) | 1985-02-13 |
| DE3326508A1 (de) | 1985-02-07 |
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