JPS6370594A - フレキシブル回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は可視性を有する基材材料上のプリント回路に対
応する［フレキシブル回路Ｊに関するものである［例え
ば「回路基板技術ハンドブック（Ｈａｎｄｂｕｃｋ　　
ｄｅｒ　　Ｉｅｉｔｅｒｐｌａｔｔｅｎｔｅｃｈｎｉｋ
）Ｊ−１ｆ’−Ｌシタ−６ヘルマン（Ｇ　Ｌｌｎｔｈｅ
ｒ　Ｈｅｒｒｍａｎ）、レンゼーベルラル（Ｌ　ｅｎｚ
ｅ−Ｖ　ｅｒｌａｇ）、第２版（１９８２）、５１頁参
照］。

サブトラフ）　（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）技術により
銅箔積層フィルムからのフレキシブル回路、例えばフラ
ット・リボン・リード（ｆｌａｔ　　ｒｉｂｂｏｎ　　
１ｅａｄ）、電子カメラにおける回路、接続部品に対す
るケーブル・ル−ム（ｌｏｏ鶴）、自動車にお（する装
置パネルワイヤー類、データ処理装置、飛行磯及ゾロケ
ットにおけるフラット・リード及びケーブル・ルームの
製造は公知である。

公知のサブトラクト法は不経済である欠点ばかりでなく
、エツチング工程において伝導路（ｃｏｎｄｕｅｔｉｎ
ｇ　　ｒａｔｈ）のアンダーカッティング（ｕｎｄｅｒ
ｃｕＬｔｉｎｇ）を生じる欠、αも有する。このアンダ
ーカッティング効果により、２００μ騰より小さい伝導
路中及び伝導路間隔を有する極めて微細な伝導路を製造
するためにサブトラクト法を用いることはできない。

上記の欠７αを避けるために、いわゆるセミアディティ
ブ（ｓｅｗｉａｄｄｉｔｉｖｅ）法及びフルアディティ
ブ（ｆｕｌｌｙａｄｄｉｔｉｖｅ）法を開発する試みが
従来なされてきた。これらの方法に行うために、薄い、
堅固に接着する、電導性金属コート（ｃｏａｔ）が非常
に重要である。

これに関して、通常の堅い基材材料に対する堅固に接着
する金属コートの析出は入念な前処理を必要とする。例
えば、プラスマット強化されたエポキシ樹脂または紙強
化されたフェノール性樹脂製の基材材料は回路基板を製
造するために最初に粘着層を与え、続いて、このように
前処理されたボーにをイオン性またはコロイド状の１！
を金属溶液で活性化しマスキングしそして市販の金属化
浴中で金属化する萌に、酸化液、好ましくはクロモ硫酸
（ｃｈｒｏ＋＊ｏｓｕｌｆｕｒｉｃ　　ａｃｉｄ）で処
理しなければならない。

多くの工程を必要とするこれらの方法に加えて、この技
術は同伴されるクロムイオンが浴を不可逆的に被毒し、
そして得られる回路基板が不満足な電気特性を有する欠
点を有する。

従って次の工程である化学的金属化のために汁金属アミ
ン錯体生成または塩化バラノウムを基にした溶液または
ラッカー（ｌａｃｑｕｅｒ）を用いて、酸化的に前処理
せずに、基板例えばプリント基板の支持基板の非伝導性
表面を活性化することが既に提案されている（例えばそ
れぞれ米国特許出願第３．５６０，２５７号及び同第４
，２４８，０３２号に対応するドイツ国特許出ｉ第１，
６９６，６０３号及び同第２，１１６．３８９号参照）
。

また、これらの活性化法は物質に対して温和な効果を有
するが、これらは比較的大量のけ金属を必要とし、そし
てこれらの貴金属被覆は電子工業において必要とされる
高い規格の耐摩耗性が得られないため、これ＊″ＣＣ実
施るには致らながった、この理由により、少なくとも前
者の特許出願はエツチング剤を用いる追加の表面処理を
推奨している（第６欄、４８行目参照）。

基板材料の表面が ａ）　　０．０１５乃至０，０４５ｃｔｍコ／、２の面
積比全細孔容積、 ｂ）　　ｏ、ｏｓ乃至１２．０μｍの細孔平均直径及び ｅ）　　０．０５乃至１２．０μ−の細孔平均深さに特
徴を有する場合に、通常の活性剤系を用いるセミアディ
ティブまたはフルアディティブ技術により、簡単な方法
で、即ちエツチングなしにこれらの欠点を除去すること
ができ、そして高品質のフレキシブル回路が得られるこ
とが見出された。

好適な面積比全細孔容積は０．０２０乃至０．０４０　
ｄｖａ３／　ｍ２の間、殊に望ましくは０．０２３乃至
０．０３８ｄｌコ／饋２の間である。

好適な細孔平均直径は０．５〜５μ■、殊に望ましくは
１〜２μ働である。

好適な細孔平均深さは０．１〜４．０μｍ１殊に望まし
くは０．５〜２．５μ曽である。

本発明によるフレキシブル回路の製造方法は」二元の表
面構造を有する基板材料を特定のタイプの有機金属活性
剤系で処理し、場合によっては還元剤で増感し、かくて
得られる半加工品を全面積にわたるか、または部分的；
こ湿式−化学的金属化洛中で金属化し、続いて回路基板
をセミアディティブ又はフルアディティブ技術の公知の
原理により完了させることを特徴とする。

本発明による方法の具体的において、かくて処理された
フィルム基板を５０℃から分解範囲の温度、好ましくは
軟化、αの領域の温度で熱処理することにより工程の信
頼性が増す。

本発明による表面構造を生成させるために、物理的方法
［例えば特定のサンドプラス）　（ｓａｎｄ−ｂｌａｓ
ｔｉｎｇ）技術、ブラシ法（ｂｒｕｓｈｉＢ　　ｍｅｔ
ｈｏｄ）またはレーザー照射］ばかりでなく、化学的工
程（例えば選択的溶媒を用いる処理）も使用できる。こ
れらの表面を製造する他の方法は金属積層された基材か
らレドックス（ｒｅｄｏｘ）浴中での化学的方法による
か［例えばＧ・ベルマン（Ｈｅｒｒ＋＊ａｎｎ）ら、「
回路基板の製造及び処理（Ｌｅｉｔｅｒｐｌａｔｔｅｎ
、　ＨｅｒｓＬｅｌｌｕｎｇ　　ｕｎｄ　　Ｖｅｒａｒ
ｂｅｉｔｕｎｇ）Ｊ、１０３−１０８頁、Ｇ−ロイゼ・
ベルラグ（Ｌｅｕｚｅ　　Ｖｅｒｌａｇ）、サウル〃つ
／ヴイルト（Ｓ　ａｕ１ｇａｕ／　Ｗｔｉｒｔｔ）、１
９７８参照］または電気接触腐食的に（ｅｌｅｃｔｒｏ
ｇａｌｖａｎｉｃａｌｌｙ）その積層物を除去すること
からなり、その際に本発明に従った表面構造が自動的に
確立されるようになる。

使用し得る基板材料は種々の重合体、例えばポリテトラ
フルオロエチレン（Ｔｅｔｌｏｎ）、ポリ７ツ化ビニリ
デン及びポリ７フ化ビニル（Ｔｅｄｌａｒ）ｋたは芳香
族及び／もしくは脂肪族ポリエステル、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリ
スルホン例えばＵｄｅｌ、ビフェノールＡ及び４．４′
−ジクロロジフェニルスルホンをベースとする重縮合体
、例えばノ７工二ルエーテルの塩化スルホニルの重縮合
により？！４！！されるポリエーテルスルホン ポリベンゾオキサノンシオン、ポリフェニレンスルフィ
ド並びにポリフェニレンオキシド例えばボ１７ー２．６
−ノメチルフエニレンオキサイドである。

勿論また本発明による方法を行なうために上記物質のグ
ラフト重合体、共重合体及１混合した重合体を用いるこ
ともできる．原理的に、電子工業の特定の応用分野に適
するいずれかのフィルム物質を用いることができる．そ
のはんだ浴安定性に特徴がある重合体が特に有用である
ことが従来外っている。これに関して、芳香族ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステル及１テフロン（Ｔ
ｅｆｌＯｎ）フィルムに注目し得る。

用いるフィルムの厚さは本発明の本質に対して重要なこ
とではなく、そして約２０〜２５０μ浦の範囲であり得
る。極端な場合には上記範囲により薄いか、または厚い
基材も用いることができる。

勿論また種々のフィルムの物質を種々の方法で相互に結
合することができる．例えばポリイミドフィルムは片側
または両側上にテフロン屑を含有し得る．唯一の前提条
件はこの塗布された層が担体フィルムに十分堅固に結合
させられ、そして塗布されているが必要な粗さを許容し
得ることだけである。

フィルム物質は強化材例えばプラス、鉱物、炭素及びア
ラミドａｍまたはマット並びにその混合物で強化し得る
。同様に、種々の理由のために無８！質フイラー（ｆｉ
ｌｔｅｒ）をフィルム中に配合し得る。

殊に好適なベース物質は芳香族ポリエステル（例えばポ
リエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレ
ート）並びに例えばドイツ国特許出ｉ第１，２０２，９
８１号（米国特許第３，２８７゜３１１号に対応）に記
載され、次式を有するポリイミドからなる； モしてＲ’＝７リーレン基、例えば 好適な方法により基板材料上に特徴的な表面を生成させ
るために、可撓性を有する担体は金属箔を用いて該担体
の片側または両側上に積層される。

この金属箔は次の工程で剥離される。

金属積層物を剥離するために、酸ばかりでなく、中性及
びアルカリ性のレドックス浴も適している。

例えばＨ２Ｏ２、Ｃ１０，−及びＦｅ３＋をベースとし
、そして塩酸または硫酸を含むレドックス系並びに塩化
ナトリウム及び過硫酸アンモニウムを含むアンモニウム
性レドックス系がある。またプラスチック表面が用いる
レドックス浴により攻ｖｌされないことを条件に、本発
明による方法を行うために金属層をエツチングする他の
レドックス系を用いることができる。この理由のために
、殊に基板材料の物理特性を損なうため、クロモ硫酸を
ベースとする通常の攻撃的なプラスチック酸洗浄（ｐｉ
ｃｋｌｉｎｇ）浴は理想的には避けるべきである。

最適の表面構造は電気めっきにより生成される金属箔で
積Ｎされた回路板材料から出発することにより得られる
。

このことは、かかる金属箔が高分子基板材料上に積層さ
れる際に決定的に基板材料の特定の表面構造を生成させ
る特定の多孔性を有するためである。　金属箔表面上の
粗さの形成は、電気めっき俗にアンチモン、カドミウム
、鉄、セレン及びテルルをベースとする錯体化合物を加
えるが、または続いて化学的または機械的方法より電解
質金属箔を粗すことにより高め得る。

多孔表面構造［トポグラフィ−（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ
）］によって特徴づけられるかかる金属（好ましくは銅
）箔の製造はしばしば文献に記載されでいる。これニ関
して犬のものを挙げ得る二「メタロベルクレッへ（Ｍｃ
ｔａｌｌｏｂｅｒ４１ｉｉｃｈｅ）Ｊ第３１巻（１２）
、５６３（１９７７）、第３８巻（１０）、４３９以下
（１９８４）及び第３８巻（３）、１０３以下（１９８
４）並びに次の特許文献：ドイツ国特許出Ｈ第２，２３
５．５２２号、同第２，２４９，７９６号、同第２゜５
００．１６０号、ドイツ国特許出願公告（Ｂ）第１．４
９６，７４８号、米国特許第３，２２０，８９７号、同
第３，３２８，２７５号、同第３，５８０゜０１０号及
び同第３，２２７，６３６号。上記の最後の米国特許明
細書の方法により、金属箔の多孔性側の面が殊に活性金
Ｊ１４／金属酸化物構造を有するような多孔性金属（銅
）箔を得ることができる。

適当な金属箔は原理的にすべての通常の電気めっ外回能
な金属、例えばＣｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、　Ｐｄ、　Ａｇ、Ａ
１及び殊にＡｕ、特にＣｕ並びにその混合物から誘導さ
れる（例えば［ブレーティング（Ｐ　ｆａｔｉｎｇ）Ｊ
、Ｌ玄、２２８〜２３２（１９６５）参照）。

金属積層物をエツチング除去した後、高分子担体材料は
その形状において本発明に用いる基板材料に対応する表
面構造を残している。

サンドブラストにより本発明の表面を生成させるために
は、粉末状物質は０．１〜１０μ鶴、好ましくは５〜７
μ−の平均粒径を有すべきである。

石英、鋼玉（ｃｏｒｕｎｄｕ論）及びグイヤモンドをベ
ースとする粉末物質が本性を行う際に高度に適している
。高分子基板材料のいずれかの化学的劣化を避けるため
に、サンドブラストは不活性がス雰囲気下でも勿論行い
得る。

好ましくは、本発明による方法を行う際に適する多孔性
表面構造は公知の膜（ｍｅＩｓｂｒａｎｅ）製造法によ
り製造し得る（例えばドイツ国特許出＠！＃２，４３１
．０７１号、米国特許第４，２８６テ０１５号、ドイツ
国特許出ｇ第３，２０５，２８９号及び英国特許第２，
０３０，８４３号参照）、ここに公知のように、高分子
基板材料を、その化学特性に関して基板材料と同一であ
り、種々の揮発分の溶媒混合物の状態でありそしてまた
場合によっては膨潤剤及び細孔形成剤を含有するプリポ
リマーまたは重合体の溶液で湿潤させる。高度に揮発性
の溶媒を部分的に蒸発させ、続いて凝集または沈澱剤を
例えば真空下で重合体マトリックスから引き抜く。

「表面比（ａｒｅａ−ｓｐｅｃｉｆｉｃ）全細孔容積」
は基板材料の地金細孔容積（ａｍ）／ｇ）及び単位面積
当りの重量（ｇ／−”）の積、即ち ［ｃｍｓ／ｇｌ　・［ｇ／ｍ２１＝　［ｃｍ’／ｍ２１
または［１０−’　・ｄｍ’／ｍ２］である。

固体表面の地金編孔容積の定義はアンデバンドウチ・ヘ
ミ−（ＡｎｇｅＩＣｈｅｍ、）８４．３３１−３３６頁
（１９７２）にある。

「細孔平均深さ」及び「細孔平均直径」は走査型電子顕
微鏡により測定された、細孔の大きさの平均値（がウス
標準分布を基として）を意味するものとして理解される
。

適当な活性剤は有機系のみでなく無ｆｉ系のものであり
得る１本発明に用いる有機活性剤は、例えばドイツ国特
許出願第３，０２５，３０７号、同第３．１５０．９８
５号及び同第３，３２４，７６７号に記載の、それ自体
公知の貴金属化合物例えばジエンのＰｔ−及びＰｄ−錯
体、高分子錯化剤並びにα。

β−不飽和ケトンである。

好適なものは金属を結合するに必要な基に加えて少なく
とも更に１個の官能基を含む有機金属化金物、好ましく
はΩ−錯体化合物（Ω−０゜よＩｅｘ　　ｃ。

１、。ｕｎｄｓ）である。かかる化合物は公知であり、
且つドイツ国特許出願第３，１４８，２８０号ｉこ記載
されている。

更に官能基は基材表面に極めて堅固な結合する原因とな
り、この接着が基体表面との化学反応または吸着を基と
され得る。

基材表面に対する活性剤の化学的結合に殊に適するもの
は、官能基たとえばカルボン酸基、ハロゲン化カルボニ
ル基、無水カルボン酸基、カルボン酸エステル基、カル
ボキシアミド及びカルボキシイミド基、アルデヒド及び
ケトン基、エーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸
基及びスルホネート基、ハロゲン化スルホニル基、スル
ホン酸エステル基、ハロゲン含有複素環式基例えばクロ
ロチアジニル、クロロピラノニル、クロロピリミジニル
もしくはクロロキ７キサリニル基、ビニルスルホル酸ま
たはアクリルｌｌ誘導体の場合の如き活性化された二重
結合、アミ７基、ヒドロキシル基、インシアネート基、
オレフィン基及びアセチレン基並びにメルカプト基であ
る。

更に具体例において、錯体化される配位子及びイオンま
たは分子を「ゲスト／ホストＪ（ｇｕｅｓｔ／　ｈ。

ｓｔ）相互作用させる貴金属錯体化合物が用いられる。

適当な選択性錯体配位子は、その化学的及び／または物
理的特性によりホスト分子であるか、または錯体化され
るイオン性もしくは中性化合物の存在下で錯体または付
加（ａｄｄｕｃｔ）生成に必要な形態をとる、環式また
は非環式化合物であり、その際に錯体化される媒質の存
在下において極性部分はこのものに向かって配向する。

文献には、アルカリ金属またはアルカリ土類金属例えば
Ｌｉ”、Ｎａ”、Ｋ中、Ｃａ２＋またはＮＨ，＋［Ｅ。

ウニ／（−（ｗｅｂｅｒ）、「コンタクチ（Ｋｏｎｔａ
ｋｔｅ月（グームスタッ１″）１、（１９８１）及びＪ
、Ｇ、シンドラ−（Ｓ　ｂｉｎｄｌｅｒ）、「生物電気
化学的膜電極（ＢｉｏｅｌｅｋＬｒｏｃｈｅｗｉｓｃｂ
ｅ　　Ｍｅｍｂｒａｎａｌｅｋｔｒｏｄｅｎ）Ｊ７７−
１０４頁、ウオルター・デ・グルイタ−・ベルラグ（Ｗ
ｅｌｔｅｒ　　ｄｅ　　Ｇ　ｒｕｙｔｅｒ　　Ｖ　ｅｒ
ｌａｇ）、ベルリン／ニューヨーク（１９８３）参照］
、または重金属イオン例えばＣｏ”、Ｎｉ”、Ｆｅコ＋
、Ｃｃｉ２＋及びＡｇ＋並びにまた陰イオン例えばＣｊ
−及びＳＯ４”−（上記のＪ、Ｇ、シンドラ−１１０４
〜１１２頁参照）、並びにまた中性配位子または化合物
との選択的デストーホスト錯体を生成し得る多数の選択
的ホスト分子が記載されている。

活性化を行う際に適するものはその鎖の中にヘテロ原子
（０、Ｎ及びＳ）を含むすべてのホスト錯体配位子であ
る。商度に適するものはクラウンエーテル（ｃｒｏｗｎ
　　ｅｔｈｅｒｓ）、クリプタンド（ｃｒｙｐｔａｎｄ
Ｓ）及びボタンド（ｐｏｄａｎｔｓ）並びにその誘導体
、及び環式ペプチド、更に例えば輸送調節剤として生物
学的系に公知であるテトラヒドロフラン含有の、エーテ
ル結合されたマクロライ）　（ｍａｃｒｏｌｉｄｅ）、
並びにヘテロ原子例えばＳ及びＮをベースとする同族化
合物である。

「クラウンエーテル」、「クリプタンド」及び「ボタン
ド」なる用語の定義はＦ・ヴエク）ル（ＶｄｇＮｅ）、
「コンタクチ」（ゲームスタッド）（１９７７）及び（
１９７８）、Ｅ・ウニバー、［コンタクチＪ（ゲームス
タッド）（１９８４）並びにヴエグトル［ヘミケ／ｌ、
　’７アイトウング（Ｃｈｅｍｉｋｅｒｚｅｉｔｕｎｇ
）Ｊ９７　。

６００〜（３１０（１９７３）による検索に見い出し得
る。

殊に好適なものは、その環系中に更にヘテロ原子例えば
Ｎ及びＳを含有し得る環式または非環式クラウンエーテ
ルをベースとする置換及び未置換のホスト配位子により
与えられる。かかる化合物はドイツ国特許出願第２，８
４２，８６２号及ゾヨーロッパ特許出Ｈ第１０，６１５
号に記載される。

活性化工程を行う際の他の変法において、上記のホスト
分子は供給結合的に高分子性またはオリゴマー性化合物
中に結合され、次に所望の活性化媒質と錯体化する。か
かるオリゴマー性または高分子性の系は公知であり、そ
して例えば「重合体骨格において巨大複素環式（クラウ
ンエーテル）ｖｔ造を有する新規なポリウレタン［Ｎｏ
νｅｌ　　Ｐｏ！ｙｕｒｅｔｈａｎｅｓ　　ｗｉｔｈ　
　Ｍａｃｒｏｈｅｔｅｒｏｅｙｃｌｉｃ（Ｃｒｏｗｎ　
　Ｅｔｈｅｒ）Ｓ　ｔｒｕｅｔｕｒｅｓ　　ｉｎ　　ｔ
ｈｅ　　Ｐ　ｏｌｙｗｅｒ　　Ｂ　ａｃｋｂ。

ｎｅｌＪ、Ｊ−Ｅ・バーウェー　（Ｈｅｒｗｅｈ）、ジ
ャーナル・オブ・ポリマー・サイエンス：ポリマー・ケ
ミストリー・エディジョン（Ｊ、　ｏｆ　　Ｐｏ１ｙ＋
５ｅｒＳｃｉｅｎｃｅ：Ｐｏｌｙｍｅｒ　　　Ｃｈｅｍ
ｉｓｔｒｙ　　　Ｅｄｉｔｉｏｎ）、　　第２１巻、３
１０１（１９８３）に記載されでいる。

ホスト／ゲスト分子の無機部分は好ましくは式％式％ 放物から生成される。Ｐｄ化合物が好ましい。

無機活性剤は待に金属性Ｐｄ、　ＰＬ、　Ａｕ、及びＡ
８のコロイド系のものであり、これらは随時更に周期表
の第３及Ｖ４主族並びに第二次族の元素（例えばＳｉ、
Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｚｒ及びＡＩ）の加水分解可
能な化合物を含有し得る。

かかる活性系はある場合には市販品として得られ、そし
てその他はしばしば文献に記載されている［例えば「プ
ラスチ・ンクの電気めっき（Ｋ　ｕｎｓｔｓｔ。

ｒｆｇａｌｖａｎｉｓｉｅｒｕｎｇ）Ｊ、Ｒ０ウエイン
ズ（Ｗｅｉｎｅｓ）、オイデレ・レンズ・ベルラフ（Ｅ
ｕｇｅｎ　　Ｌｅｒｚ　　Ｖｅｒｌａｇ）、サウル〃ツ
／ブルテンプルグ（Ｓ　ａｕ１ｇａｕ／　ＷＬＩｒｔｔ
ｅｍｂｕｒｇ）（１９７９）、　　１８０−２０９　　
頁参照］。

好適なものはＰｄ及びＰｄ／Ｓｎｊ”；で与えられる。

活性剤は０，００１ｇ／ｌ（貴金属を基準として）から
特定の溶解度の限界までの範囲の濃度で使用し得る。こ
れらの物質０．１〜３．０８７１２を用いて行うことが
好ましい。

その高い照点安定性（ある場合には数週間の貯蔵後でも
溶液に曇りがない）並びに紫外及び／または可視スペク
トルにおけるその高い吸収性により、これらのものは高
度計を用いる連続的濃度監視に極めて適する。

加えて、本発明に用いる錯体化合物の吸収特性は特定の
置換基（特に−ＮＯ２、−ＮＲ，、−８ｏ、Ｈ及び−Ｃ
Ｎ）を導入する二とにより更に増大させ得る。

活性剤または金Ｂ４Ｎの剥離（ｐｅｅ　ｌ　−ｏｆ　ｆ
　）抵抗を増加させるために、該ホスト分子に更に官能
基を得る。

基材表面への活性剤の化学的結合に殊に適するものは官
能基たとえばカルボン酸基、ハロゲン化カルボニル基、
無水カルボン酸基、カルボン酸エステル基、カルボキシ
アミド及びカルボキシイミド基、アルデヒド及びケトン
基、エーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸基及び
スルホネート基、ハロゲン化スルホニル基、スルホン酸
エステル基、ハロゲン含有複素環式基例えばクロロチア
ゾニル、クロロビラノニル、クロロビリミノニルもしく
はクロロキノキサリニル基、ビニルスルホル酸またはア
クリル酸誘導体の場合の如き活性化された二重結合、ア
ミ７基、ヒドロキシル基、イソシアネート基、オレフィ
ン基及びアセチレン基並びにメルカプトまたはＣａから
のアルケニル基、殊にオレイン、リルン、ステアリンも
しくはパルミチン基である。

化学反応を通して結合が起こらない場合、基材表面上で
の有機−＆属活性剤の吸着による接着が生じ、例えば水
素結合またはファン・デル・ワールス力による吸着が生
じる。

特定の基材に対して吸着を生じさせる官能基を用いるこ
とが有利である０例えば、活性剤分子中の＆４ｉフルキ
ルまたはアルケニル基はポリエチレンまたはポリプロピ
レン製の基材に対する接着を改善する。他方、ポリアミ
ド−またはポリエステル−ベースの製品を金属化するた
めに、例えば追加のカルボニルまたはスルホン基を有す
る活性剤が殊に有利である。

＠着により基材表面への活性剤の結合に殊に適するもの
はカルボン酸基及び無水カルボン酸基の如き官能基であ
る。

実際には、適当な有機溶媒中の選択された金属錯体の溶
液で金属化するために基板支持体を湿潤させ、溶媒を除
去し、そして場合によっては適当な還元剤で増感するこ
とにより一般に活性化を行う、その後、このように前処
理された支持体を通常の金属化浴中で金属化し得る。

増感に適する還元剤はアミノボラン、次亜リン酸アルカ
リ金属、水素化アルキルボラン、ヒドラノン水素化物及
びホルマリンである。基体の湿潤の噴霧、プリティング
、飽和化（ｓａｔｕｒａｔ　ｉＢ）または含浸により行
い得る。

支持体表面に対する金属層の接着を増大させるために、
特に好適なものは金属化されるプラスチック表面を少々
溶解させるか、または膨潤させる溶媒または溶媒混合物
を用いることである。

この方法を行うのに特に高度に適するものは中性溶媒例
えば１，１．１−）リクロロエタン、塩化メチレン、ト
リクロロメタン、パークロロエチレン及びトルエンであ
る。更にＱ、１〜２０ｇ／ｌ、好ましくは０．１〜３ｇ
／Ｌ殊に好ましくは０．１〜２ｇ／ｌの量でチタン、ア
ルミニツムもしくはジルコニウム、またはケイ素もしく
はタンタルの加水分解可能な有機金属化合物を含む、本
発明による、活性系が好適に用いられる。

湿潤された支持体からの溶媒の除去は蒸発によるか、ま
たは比較的高沸、腓の化合物の場合には抽出により簡単
に行われる。

好適な別の方法において、有機活性浴は検出器として光
度計を用いて監視する。

活性化の殊に好適な具体例において、金属化浴中での還
元は無電流金属化（ｃｕｒｒｅｎｔｌｅｓｓ　　ｍｅｔ
ａｌｌｉｚａｔ　ｉｏｎ　）に用いると同様の還元剤を
初めから用いて行われる。

この具体例はアミ／ボラン含有ニッケル浴またはホルマ
リン含有銅浴に殊に適する。

本発明による方法に用いるのに適する金属化浴は商業的
に通常である温浴及び冷浴でありまたはニッケル塩、コ
バルト塩、銅塩、金及び銀塩またはその混合物であり、
Ｃａ浴が極めて殊に好ましν１゜ いずれかの電気めっきに用いる際に適する金属はＮｉ％
Ｃｏ、　Ｃｕ、　Ａｇ、　ＡＸ、Ｃ「及びＡｕである。

好適なものはＣｕＳＡｕ及びＮｉであり、極めて殊に好
適なものはＣｕである。

必要に応じて本発明によるプラスチック表面上に析出さ
れた金属層の接着性を増加させ、そして１００％の工程
信頼性を確実なものとするために、熱処理を行い得る。

熱処理温度は５０℃から高分子ベース物質の特定の分解
温度範囲までの広い範囲内で変えることができ、その際
にポリアミドフィルムの好適な温度は例えノｒ１２５〜
２５０℃、殊に１４０〜１８０℃である。ポリエステル
フィルムに適する温度は例えば１２５〜１８０℃、好ま
しくは１４０〜１７０℃である。熱処理時間は５分乃至
１０時間の間で変えることができ、好ましい時間は１０
〜６０分間である。ベース物質のいがなる劣化をも避け
るために、熱処理は不活性がス下で行い得る。

勿ｉ！！１また、金属層を所望の層の厚さに電気めっき
するかまたは化学的に促進した後に熱処理を行うことが
できる。

驚くべきことに活性化によりこれらのフィルムから得ら
れる先駆体及びこのものから生成されるフレキシブル回
路は次の良好な特性を有する：（１）これらのものは空
気中にて湿気及び天候並びに熱効果に安定である。

（２）　これらの活性剤層は７オトレジス）（ｐｌ＋。

ｔｏｒｅｓｉｓｔ）層の塗布及び現像中に表面から除去
されない、これらのものは公知の表面分析法、例えばＥ
ＳＣＡにより容易に検出し得る。

（３）ＤＩＮ　　５３，４９４に定義される金属層の剥
離抵抗は少なくと６１５、好ましくは３０〜３５Ｎ／２
５ｍｍまたはそれ以上である。

（４）増感または金属化の過程で、金属化浴または増＃
、浴の被毒は生じない。

この方法は極めて微細な伝導路を有するフレキシブル回
路に殊に高度に適している。

この方法によれば種々の応用分野に用途を見い出し得る
適当な構造を与えるフィルム上に薄い（〈１０μｍ）と
して極薄金属被［（０，３〜５μｍ）を生成させること
もできる。

所望の厚さに依存するが、これらの薄い被覆は化学的金
属析出または化学的金属析出及び電気めっきにより製造
し得る。

本発明による方法は、シート、キーボード、フンタクト
・マット、センサー、デジタイザー、多層板、スクリー
ンなどを！ｉ！遺する際に有利である。

またこの方法で製造されるフレキシブル回路は射出成形
機中にそ裏面に射出することにより３次元回路を製造す
る際に使用し得る。

実施例　１ 片側が銅箔で被覆された市販の、例えばクレンペノ呟シ
ュツッツ〃ルト（ＫｒｅｍｐｅｌＳＳｔｕｔｔｇａｒｔ
）（西ドイツ）製のポリイミドフィルムをアルカリ性の
１５．７％の塩化ナトリウム溶液（ｐＨ−１２）中にて
エツチングし、Ｈ２Ｏで洗浄し次にメタノールで洗浄し
、そして乾燥することに上り銅箔層を除去した。得られ
たものは多孔性表面を有し、０゜０２５　ｄａ”／　ｗ
ｒ２の面積比全細孔容積、２．０μ蹟の細孔平均直径及
び２．５μ蹟の細孔平均深さを有するフィルムであった
。このフィルムを続いてｎ−３−ヘプテン−２−オンパ
ラジウムクロライド０．５ｇ及び１，１．１−）リクロ
ロエタン１　ｔｏ　ＯＯｍｌを含む溶液中で５分間活性
化し、乾燥し、次に蒸留した８２０　７５０ｍｌ、ジメ
チルアミノボラン１．５ｇ及び（固体）ＮａＯＨ１，７
５ｇからなる溶液中で増感し、商業的に通常のｔＲ温浴
中銅メッキ、水で洗浄し、そして乾燥器中にて１７０℃
で１時間熱処理した。かくて堅固に接着した電導性金属
層を与えられた試料を（約２００μ鶴の空白のない（ｂ
ｌａｎｋｆｒｅｅ）格子状回路を残して）、スクリーン
印刷によりポリブタジェンベースのラッカーで被覆し、
次にラッカーで被覆されていない金属表面を約３５μ簡
の厚さに電気銅めっきした０次にこのフィルムからメチ
ルエチルケトン中にてマスク（＋５ａｓｋ）を除去し、
そしてその下の化学的に析出した銅層をＨ２Ｏ２含有硫
酸溶液中でエツチングした。得られたものは巾約２００
μｍ及Ｖ厚さ約３２μ論の伝導路を有する電気回路であ
った。金属層は基材表面に極めて堅固に接着し、そして
常法によりはんだ付けすることができた。

実施例　２ ３７％　ＨＣｊ！５ｓｌ及１／５ｕＣｊ！２２．５ｇの
を含む蒸留水溶液１２を４６゛Ｃにてメタノール性に２
ＰＬＣｊ！ｓ溶液（約１．７５重１％のｐｔ含有ｉＨ５
ｇに加えた。これに続いて４５分間攪拌し、暗い色調の
均一な活性化溶液を得た。この溶液を実施例１により細
孔を与えられたポリイミドフィルムを５分間処理するた
めに用いた。かくて活性化されたフィルムを１２当り２
０ｍｌのＮＨ２−ＮＨ２及び１２ｌｌ１ｅの２５％Ｎ　
Ｈコを含む増感浴中にて７．５分間増感し、次に商業的
に通常の銅メツキ浴中にて８０℃で４５分間金属化し、
次に１５０℃で９０分間熱処理した。得られたものは堅
固に接触した、〜３μ熱の厚さのＣｕ層を有するフィル
ムであり、商業的に得られたフォトレノストで部分的マ
スキングし、マスキングしていない部分を電気めっきし
、続いてそのフィルム表面から７オトレノストを除去し
、そして最後に異なったエツチング法で下の銅層をエツ
チングした後の該フィルムははんだ付は可能なフレキシ
ブルを製造する工程に適したものである。

かくてｍ製されたフレキシブル回路は通常のはんだ付工
程で容易にはんだ付けでき、そして工業的に通常の温度
サイクル（ｃｙｃｌｉｎｇ）試験に合格した。

実施例　３ 例えばクレンベル（Ｋ　ｒｅｍｐｅ　ｌ　）（西ドイツ
）９１の市販の箔を積層したポリエステルフィルムから
３７％　ＨＣ４５０ｍｌ、　Ｈ２０ｔ６０ｗｉ及び’Ｈ
２Ｏ５Ｑ半加工生成物であった。

０鰺２からなるレドックス溶液中で銅Ｍ層を除去した。

得られたものは、０．０２４ｄｍ’／ｍ２の面積比全細
孔容積及び２．５μｍの細孔平均直径または３゜０μ−
の細孔最大深さの細孔性表面を有するフィルムであった
。このフィルムを７七トン２００１、蒸留水８００ａｔ
及び（／ジチルオキシド）パラン９ムクロライド０．８
ｇからなる溶液中で３分間にわたって活性化させた。そ
の後このフィルムをＨ２０／メタノール混合物（ｓ　ｏ
　：ｓ　ｏ容量％）１２中のジメチル７ミ／ボラン５ｇ
の溶液中で５分間処理した。短時間すすいだ後、厚さ約
０．２μ通の銅層を化学銅浴中で化学メッキした。化学
的に銅めっきしたこのフィルムを実施例４に示すように
更に処理した。得られたものは極めて堅固な金属ａ着を
有するフレキシブル回路であった６ 実施例　４

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. １．セミアディティブ技術又はフルアディティブ技術の
   原理に従つて活性剤系を用いて湿式で化学的に応用され
   た可撓性の基材と回路図形から本質的になるフレキシブ
   ル回路であって、該基材の表面が、 ａ）面積比全細孔体積が０．０１５乃至０．０４５ｄｍ
   ＾３／ｍ＾２であり、 ｂ）細孔平均直径が０．０５乃至１２．０μｍであり、 ｃ）細孔平均深さが０．０５乃至１２．０μｍであるこ
   とを特徴とするフレキシブル回路。
2. ２．ａ）面積比全細孔体積が０．２乃至０．４ｄｍ＾３
   ／ｍ＾２であり ｂ）細孔平均直径が１乃至２μｍであり ｃ）細孔平均深さが０．５乃至２．５μｍであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフレキシブル回
   路。
3. ３．使用される活性剤が白金、パラジウム、金、銀およ
   び／又はロジウムの群からなる有機金属化合物であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフレキシブ
   ル回路。
4. ４．活性化に対して貴金属のゲスト／ホスト錯体化合物
   を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   フレキシブル回路。
5. ５．活性化が有機金属錯体化合物によりもたらされ、該
   化合物は金属を結合するために必要とされる基に加えて
   前記基材表面への接着性を改良するために更に少なくと
   も１個の官能基を有することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載のフレキシブル回路。
6. ６．特許請求の範囲第１項により特徴づけられた表面組
   織を有する基材を有機金属活性剤系により処理し、場合
   によって増感し、こうして得られた半完成品をその全面
   積又は一部の面積にわたり湿式化学的に金属化し、回路
   基板を常法にて完成させることを特徴とするフレキシブ
   ル回路の製造方法。
7. ７．基材の両面上に金属箔を積層し、該積層物をレドツ
   クス浴中で化学的に分離し、又は電気接触腐食的（ｅｌ
   ｅｃｔｒｏｇａｌｖａｎｉｃａｌｌｙ）に分離し、この
   ように処理した該基材を貴金属の有機化合物で活性化し
   、場合によっては増感し、そしてセミアディティブ技術
   又はフルアディティブ技術を用いることにより、金属性
   回路図形をこうして得られた半完成品に応用することを
   特徴とするフレキシブル回路の製造方法。
8. ８．前記使用される金属箔が電気めっきにより製造され
   た銅箔又はアルミニウム箔であることを特徴とする特許
   請求の範囲第７項記載の方法。
9. ９．金属層の密着性を改善するために、金属化された前
   記基材を加熱処理することを特徴とする特許請求の範囲
   第６又は７項記載の方法。
10. １０．シートキーボード、コンタクトマット、センサー
    、デジタイザー、多層板及びスクリーンに対する出発物
    質としての特許請求の範囲第１項記載の、又は特許請求
    の範囲第６及び７項記載の方法により得られる、フレキ
    シブル回路の使用。